JPS5942566Y2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPS5942566Y2
JPS5942566Y2 JP11216179U JP11216179U JPS5942566Y2 JP S5942566 Y2 JPS5942566 Y2 JP S5942566Y2 JP 11216179 U JP11216179 U JP 11216179U JP 11216179 U JP11216179 U JP 11216179U JP S5942566 Y2 JPS5942566 Y2 JP S5942566Y2
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JP
Japan
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cover
heating chamber
heat
self
frequency heating
Prior art date
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Expired
Application number
JP11216179U
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English (en)
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JPS5629711U (ja
Inventor
輝雄 石川
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は励振口を介して加熱室内にマイクロ波が導入
される高周波加熱装置の改良に関する。
加熱室内部にヒータを備えた高周波加熱装置においては
食品の調理中に生ずる汚れが高温に加熱されてワニス状
となシ加熱室の壁面に付着し清掃が困難となる。
そこで従来においては第1図に示すように、加熱室aの
天井面すの近傍に鉄板製の仕切壁Cを設け、この仕切壁
Cにセルフクリーニング処理を施して食品dから発生す
る汚れを上記仕切壁Cの下面に付着させ汚れを自然に分
解させるようにしていた。
この場合、上記仕切壁Cには加熱室aの天井面に設けら
れたマグネトロンeに対する励振口fと対向して開口部
gを設け、この開口部gには食品dから発生する汚れが
加熱室aの天井面すに付着したり、導波管りの内部に侵
入しないように、カバーiを設ける必要がある。
しかしながら、このカバーiは上記のようにマイクロ波
を透過させる必要があシ、さらに汚れの清掃を容易にす
るという点からセルフクリーニング処理することが望ま
しいが、カバーiとしてマイクロ波を反射する金属板を
使用することができないので、金属を素地としたセルフ
クリーニング処理は、無理で従来は一般にシリコン樹脂
積層板製のカバーiをセルフクリーニング処理すること
なく使用していた。
また、第2図は同じ〈従来の高周波加熱装置で加熱室a
の天井面すには仕切壁を設けずに、加熱室aの天井面す
にセルフクリーニング処理を施し、励振口fに第1図の
場合同様シリコン樹脂積層板製のカバーiを設けていた
したがって、カバーiはいずれもセルフクリーニング処
理されていないため汚れが付着し清掃が困難であった。
さらに、カバーiの表面に付着した食品の油分等が加熱
調理中の熱によって炭化され、この炭化物がマイクロ波
によってスパークして、カバーiが破損するおそれもあ
った。
この考案は上記事情を考慮してなされたもので、その目
的は、マイクロ波の導入用開口部を閉塞するカバーの清
掃作業を容易化することができるとともに、カバーの破
損を防止することができる高周波加熱装置を提供するこ
とにある。
以下、この考案の一実施例を第3図釦よび第5図を参照
して説明する。
第3図中1は本体であって、この本体1の側壁には排気
口2が設けられている。
筐た、この本体1の前面には扉体3が設けられている。
本体1の内部には加熱室4が設けられている。
加熱室4の側壁には図示しないマグネトロン(高周波発
振器)が設けられ、加熱室4の天井面5に励振口6を有
する導波管7により加熱室4内にマイクロ波を供給し食
品8を調理するようになっている。
天井面5の下部には励振口6と対向する位置に開口部(
導入用開口部)9を備えた仕切壁10が上記加熱室4の
側壁に支持されている。
仕切壁10の下面にはセルフクリーニング処理が施され
ているとともに、開口部9を閉塞するカバー11が設け
られている。
そして、このカバー11も同じくセルフクリーニング処
理されている。
また、このカバー11はマイクロ波を通過させることが
可能でなければならず、かつ、最高350℃程度の高温
に耐えるものでなければならない。
さらに、セルフクリーニング触媒とのマツチングの良好
であることが必要となる。
このような要件に適合する素材としてはペタライト、コ
ージェライト系の耐熱セラミックス、石英ガラスまたは
リチウム系の結晶化ガラス等の耐熱性誘電体がある。
これらの素材を使用したカバー11の片面にM n O
2・ptなどの触媒を焼付け、多孔質の表面に仕上げる
ことによりセルフクリーニング能力を持たせることがで
きる。
またM n 02・ptなどの触媒を上記素材の表面に
焼付けるには、これら触媒と同じ材料を粉体として混合
すればこの粉体がバインダとして作用して、固着し焼成
される。
耐熱性プラスチックスを素材としたカバー11に対して
は素材と同じ材質のワニスまたは水ガラスなど無機耐熱
性接着剤を使用して触媒を塗付して焼成すればよい。
つぎに、仕切壁10の下部にはヒータ12が設けられて
いる。
一方、仕切壁10および加熱室4の天井面5にはそれぞ
れ排気口13.14が設けられていて、加熱室4内の汚
れまたは臭気を本体1の排気口2から本体1の外に排気
するようになっている。
さらに、仕切壁10の排気口13はヒータ12によシ調
理する場合には閉塞し、加熱室4内の温度を低下させな
いようになっている。
すなわち、第5図に示すように本体1の操作部15に設
けられた切換釦16を操作してマグネトロン加熱からヒ
ータ加熱に切換えることによシ、カバー17が点線に示
すように回動して排気口13を閉塞するようになってい
る。
反対にマグネトロン加熱に切換えることによシ反時計方
向に回動し排気口13を開放するようになっている。
5また、加熱室4に設けられた排気口14は排気口13
に対向して設けられ、多数のパンチングホールからなシ
、マイクロ波がリークしないようになっている。
そこで、上記構成のものにあっては仕切壁10の下面に
セルフクリーニング処理が施されているとともに、開口
部9を閉塞するカバー11が耐熱性誘電体によって形成
され、この耐熱性誘電体カバー11にセルフクリーニン
グ処理が施されているので、従来のように加熱調理中に
カバー11に付着した汚れがワニス状になるおそれがな
く、カバー11の清掃作業を容易に行なうことができる
また、カバー11に付着した汚れが高温度に加熱されて
炭化されるおそれもないので、マイクロ波による炭化物
のスパークを防止してカバー11の破損を確実に防止す
ることができる。
つぎに、第4図に示す他の実施例について説明する。
な釦、第4図中で第3図と同一部分は同一の符号を付し
てその説明を省フニる。
すなわち、この場合は加熱室4の天井面 、内面にセル
フクリーニング処理が施されている。
加熱室4の側壁には図示しないマグネトロンが設けられ
ていて、加熱室4の天井面5に設けられた励振口(導入
用開口部)6からマイクロ波を導波管7を介して供給し
、食品8を調理するようになっている。
また、上記励振口6には耐熱性の大きいセラミックス、
ガラスまたは耐熱性プラスチックスたとえばシリコン樹
脂積層板等の耐熱性誘電体からなシセルフクリーニング
処理を施されたカバー18によって閉塞され汚れが導波
管7内に侵入しないようになっている。
また、加熱室4の天井面には排気口14が設けられてい
て、加熱室4内の汚れを排気口2から本体1の外へ排出
するようになっている。
さらに、排気口14は多数のパンチングホールからなり
マイクロ波をリークさせないようになっている。
捷た、排気口14はヒータ12による調理の場合には閉
塞し、加熱室4内の温度を低下させないようになってい
る。
すなわち、第5図に示すように本体1の操作部15に設
けられた切換釦16を操作してマグネトロン加熱からヒ
ータ加熱に切換えることによ九カバー19が点線に示す
ように回動し排気口14を閉塞するようになっている。
反対にマグネトロン加熱に切換えることにより反時計方
向に回動し排気口14を開放し加熱室4内の汚れ、臭気
を本体1外へ排出するようになっている。
したがって、この場合であっても加熱室4の天井面5に
形成された励振口6が耐熱性誘電体によって形成された
カバー18によって閉塞されるとともに、このカバー1
8にセルフクリーニング処理が施されているので、前記
実施例と同様にカバー18の清掃を容易に行なうことが
できるとともに、カバー18の破損を防止することがで
きる。
以上説明したように、この考案によれば高周波発振器か
ら出力されたマイクロ波を加熱室内に導入する導入用開
口部を閉塞するカバーを耐熱性誘電体によって形成し、
この耐熱誘電体カバーにセルフクリーニング処理を施し
たので、カバーの清掃作業を容易にすることができると
ともに、カバーの破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来の高周波加熱装置の縦断側面
図、第3図はこの考案の一実施例の縦断側面図、第4図
は他の実施例の縦断側面図、第5図はこの一実施例およ
び他の実施例の装置本体を示す正面図である。 4・・・・・・加熱室、6・・・・・・励振口(導入用
開口部)、9・・・・・・開口部(導入用開口部)、1
1,18・・・・・・カバー。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)高周波発振器から出力されたマイクロ波を加熱室
    内に導入する導入用開口部を閉塞するカバーを耐熱性誘
    電体によって形成し、この耐熱性誘電体カバーにセルフ
    クリーニング処理を施したことを特徴とする高周波加熱
    装置。
  2. (2)耐熱性誘電体カバーは、セラミックスまたはガラ
    スからなることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
    (1)項記載の高周波加熱装置。
  3. (3)耐熱性誘電体カバーは、耐熱性プラスチックから
    なることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)
    項記載の高周波加熱装置。
JP11216179U 1979-08-15 1979-08-15 高周波加熱装置 Expired JPS5942566Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11216179U JPS5942566Y2 (ja) 1979-08-15 1979-08-15 高周波加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11216179U JPS5942566Y2 (ja) 1979-08-15 1979-08-15 高周波加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5629711U JPS5629711U (ja) 1981-03-20
JPS5942566Y2 true JPS5942566Y2 (ja) 1984-12-13

Family

ID=29344562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11216179U Expired JPS5942566Y2 (ja) 1979-08-15 1979-08-15 高周波加熱装置

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59135450U (ja) * 1983-02-28 1984-09-10 株式会社島津製作所 圧力伝送器
JPS60263021A (ja) * 1984-06-11 1985-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波加熱装置
US20220205639A1 (en) * 2019-07-31 2022-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Heating cooking apparatus

Also Published As

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JPS5629711U (ja) 1981-03-20

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