JPS5940696A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JPS5940696A JPS5940696A JP5694582A JP5694582A JPS5940696A JP S5940696 A JPS5940696 A JP S5940696A JP 5694582 A JP5694582 A JP 5694582A JP 5694582 A JP5694582 A JP 5694582A JP S5940696 A JPS5940696 A JP S5940696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- gate
- data line
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/12—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by switched stationary formation of lamps, photocells or light relays
- H04N3/127—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by switched stationary formation of lamps, photocells or light relays using liquid crystals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は駆動素子を用いて液晶を駆動する、いわゆるア
クティブ・７トリノクスパネルの駆動方法に関するもの
である。
クティブ・７トリノクスパネルの駆動方法に関するもの
である。
従来、時計電卓を中心として液晶が表示体として用いら
れてきたが、今後はコンピュータ用の端末やポケットＴ
Ｖ等の大容量表示の要求が高まってきている。しかし従
来の電圧平均化法では駆動デユーティは１／６０〜１１
５０が限界であり、１７５００程度の大容用化は困難で
ある。そのため、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）等のトラ
ンジスタ、金属〜絶縁物−金民ＣＭ １Ｍ）素子等のア
クティブ（Ｍ工Ｍは厳密にはアクティブではないが本発
明ではこう定義する）素子を用いて、１画素毎に書き込
み一保持を行なうことにより駆動デユーティを向上させ
ることが提案されている。
れてきたが、今後はコンピュータ用の端末やポケットＴ
Ｖ等の大容量表示の要求が高まってきている。しかし従
来の電圧平均化法では駆動デユーティは１／６０〜１１
５０が限界であり、１７５００程度の大容用化は困難で
ある。そのため、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）等のトラ
ンジスタ、金属〜絶縁物−金民ＣＭ １Ｍ）素子等のア
クティブ（Ｍ工Ｍは厳密にはアクティブではないが本発
明ではこう定義する）素子を用いて、１画素毎に書き込
み一保持を行なうことにより駆動デユーティを向上させ
ることが提案されている。
第１図は（ｎ Ｘ ｍ ）個のマ） ＩＪソクス状に配
置されたセルを示し、ｎ本のデータ線とｎ本のゲート線
により各画素全選択し書き込み一保持動作を行うアクテ
ィブ・マトリックスパネルである。
置されたセルを示し、ｎ本のデータ線とｎ本のゲート線
により各画素全選択し書き込み一保持動作を行うアクテ
ィブ・マトリックスパネルである。
第２図はＴＰＴを用いたアクティブマトリックスの構成
を駆動方法を、ある特定のデータ線Ｄｉについて示して
いる。セルけｐ７＋〜Ｐｊｍまで縦にｍ個配列されてお
り、ゲート線によりトランジスタをＯＮさせて、データ
線から両系に表示内容を書き込み、次にトランジスタを
ＯＦＦさせて次に選択されるまで、書き込んだデータを
保持させる。トランジスタには等測的な液晶の抵抗ＲＬ
と容量ＯＬが接続される。このデータ線はデータ線ドラ
イバＬＳＩ６により駆動され画像信号Ｖ。
を駆動方法を、ある特定のデータ線Ｄｉについて示して
いる。セルけｐ７＋〜Ｐｊｍまで縦にｍ個配列されてお
り、ゲート線によりトランジスタをＯＮさせて、データ
線から両系に表示内容を書き込み、次にトランジスタを
ＯＦＦさせて次に選択されるまで、書き込んだデータを
保持させる。トランジスタには等測的な液晶の抵抗ＲＬ
と容量ＯＬが接続される。このデータ線はデータ線ドラ
イバＬＳＩ６により駆動され画像信号Ｖ。
Ｓを順次シフトレジスタ１からの選択により、トランジ
スタ２を介して容量ａｅｉにサンプルホールドさせる。
スタ２を介して容量ａｅｉにサンプルホールドさせる。
いわゆる点順次駆動である。
第６図はこの点順次駆動に壮ける動作波形の一例である
。液晶を交流駆動するために１フレームを２フイールド
に分け、奇数フィールドでは負電圧を偶数フィールドで
は正電圧を書き込むようにデータ線にデータ信号ＶＤを
印加する。データ線のドライバＬＳＩ３にはグラウンド
ｍ位ＧＮＤに対し正電圧Ｖ ＤＤが印加され、画像信号
Ｖ、ＳはＶＤＤ−ＧＮＤの中点面位ＶＯＯＭを中心とし
て正負にフィールド毎に階調に応じた信号である。又走
査線選択に対応するゲート線の信号’ＶＧはＧＮＤに対
し、Ｎ０Ｌ）ランジスタ使用の楊合選択時十ＶＩ’Ｇの
電圧が印加され、非選択時はＧＮＤ電位となっている。
。液晶を交流駆動するために１フレームを２フイールド
に分け、奇数フィールドでは負電圧を偶数フィールドで
は正電圧を書き込むようにデータ線にデータ信号ＶＤを
印加する。データ線のドライバＬＳＩ３にはグラウンド
ｍ位ＧＮＤに対し正電圧Ｖ ＤＤが印加され、画像信号
Ｖ、ＳはＶＤＤ−ＧＮＤの中点面位ＶＯＯＭを中心とし
て正負にフィールド毎に階調に応じた信号である。又走
査線選択に対応するゲート線の信号’ＶＧはＧＮＤに対
し、Ｎ０Ｌ）ランジスタ使用の楊合選択時十ＶＩ’Ｇの
電圧が印加され、非選択時はＧＮＤ電位となっている。
従ってトランジスタの実際のゲート電圧は奇数フレーム
時より、偶数フレーム時の方が低い。又各画系電圧ｖＯ
は（ニ）の如く一フィールド分の周期書き込まれた内容
を、非選択期間保持しなければならない。
時より、偶数フレーム時の方が低い。又各画系電圧ｖＯ
は（ニ）の如く一フィールド分の周期書き込まれた内容
を、非選択期間保持しなければならない。
従来アクティブ・マトリックスを構成するトランジスタ
は、シリコン単結晶基板が用いられてきた。この時のト
ランジスタ特性は第４図Ｂに示す如く、ゲート・ソース
間電圧ＶＧ８に対しドレイン電流は急峻に立ち上がり、
ゲート０バイアス、あるいは逆バイアス時のドレインリ
ーク電流は極めて少ない。ところが、ンリコン単結晶は
不透明なために、この７クライブ・マトリックス基板を
液晶表示パネルに応用する際には、Ｇ−Ｈ又は９５Ｍタ
イプしか用いることができず、液晶本来の最も表示効果
の高いＴＮ液晶を用いるためには、透明基板を用いる必
要がある。そこで、ガラスや石英基板上に薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）を作り込むことが考えられ、主に多結晶
シリコンやアモルファスシリコンのシリコン簿膜を用い
たトランジスタが開発されてきた。ところがこのＴＰＴ
の特性は第４図Ｔに示す如〈従来に比し、ＶＧＳの正バ
イアス即ちＯＮ側では電流値の増加が緩やかであり、又
負バイアス即ちＯＦＦ側でも負ノくイアスイ１＾に比例
して電流値が増大し、又極少点でも従来よりＯＦＦ電流
が大きいというように悪い特性しか得られない。このト
ランジスタを用いて、従来通りの第３図の動作をさせる
と次の不具合を生じることになる。
は、シリコン単結晶基板が用いられてきた。この時のト
ランジスタ特性は第４図Ｂに示す如く、ゲート・ソース
間電圧ＶＧ８に対しドレイン電流は急峻に立ち上がり、
ゲート０バイアス、あるいは逆バイアス時のドレインリ
ーク電流は極めて少ない。ところが、ンリコン単結晶は
不透明なために、この７クライブ・マトリックス基板を
液晶表示パネルに応用する際には、Ｇ−Ｈ又は９５Ｍタ
イプしか用いることができず、液晶本来の最も表示効果
の高いＴＮ液晶を用いるためには、透明基板を用いる必
要がある。そこで、ガラスや石英基板上に薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）を作り込むことが考えられ、主に多結晶
シリコンやアモルファスシリコンのシリコン簿膜を用い
たトランジスタが開発されてきた。ところがこのＴＰＴ
の特性は第４図Ｔに示す如〈従来に比し、ＶＧＳの正バ
イアス即ちＯＮ側では電流値の増加が緩やかであり、又
負バイアス即ちＯＦＦ側でも負ノくイアスイ１＾に比例
して電流値が増大し、又極少点でも従来よりＯＦＦ電流
が大きいというように悪い特性しか得られない。このト
ランジスタを用いて、従来通りの第３図の動作をさせる
と次の不具合を生じることになる。
■ ＯＦＦ［流が大きいため、非選択時に各両系保持し
ている電荷がトランジスタを介してデータ線へ逃げる。
ている電荷がトランジスタを介してデータ線へ逃げる。
或いは逆にデータ線から非選択時にも書き込まれ、表示
のコントラストがなくなる。
のコントラストがなくなる。
■ 逆バイアス時に、ＯＦ ｐ ｉＬ流が一定とならず
増加することにより、従来の方式では特に偶数フィール
ドにおいてトランジスタリークが多くなり、又偶数フィ
ールドの最終の走査線に近い部分はど保持動作中高い逆
バイアスが印加され同時に画素とデータ線間の電位差が
大きくなるので、トランジスタとデータ線間の非選択時
に放電又は充電される電荷が多く、この結果画素の実効
値が下がり、上から下へ向って名画素実効値が減少し、
表示ムラを生じる。
増加することにより、従来の方式では特に偶数フィール
ドにおいてトランジスタリークが多くなり、又偶数フィ
ールドの最終の走査線に近い部分はど保持動作中高い逆
バイアスが印加され同時に画素とデータ線間の電位差が
大きくなるので、トランジスタとデータ線間の非選択時
に放電又は充電される電荷が多く、この結果画素の実効
値が下がり、上から下へ向って名画素実効値が減少し、
表示ムラを生じる。
■ 選択時に同じｏＮｍ流を与えるのにより多くのゲー
ト電圧を必要とし、その結果ＶＤｏを高くしなければな
らず、ドライバーＩＣの素子の耐圧を越えたり、消費電
力の増大を招く。
ト電圧を必要とし、その結果ＶＤｏを高くしなければな
らず、ドライバーＩＣの素子の耐圧を越えたり、消費電
力の増大を招く。
従って本発明はこのような欠点を除去することを目的と
し、コントラストのよい、ムラのない表示と、適正なゲ
ートバイアス方法を提供するものである。
し、コントラストのよい、ムラのない表示と、適正なゲ
ートバイアス方法を提供するものである。
本発明は第４図゛ｒのＴＰＴの特性に注目し従来ゲート
非選択時は、データ線のドライバ１ＣのグラウンドＧＮ
Ｄと同電位にしたいた方式から、非選択時のＩｇｔ位レ
ベルをデータ線ドライバの電源電圧範囲にバイアスする
方式にすることにある。
非選択時は、データ線のドライバ１ＣのグラウンドＧＮ
Ｄと同電位にしたいた方式から、非選択時のＩｇｔ位レ
ベルをデータ線ドライバの電源電圧範囲にバイアスする
方式にすることにある。
第５図は本発明による駆動方式の一例である。
まずデータ線のドライバの電源電位を共通電圧ＶＯＱＭ
に対し＋ＶＤ８．−ＶＤ８に設定し画像信号を各フィー
ルド毎ＶＱＯＭを中心にして夫々正負対称形とする。一
方ゲート線の非選択電圧レベルを（ロ）の如＜ＶＯＯＭ
にする。この結果従来の方式ではゲートのかなり深い負
バイアスで用いていたが、本方式により、平均すれば０
バイアス付近で用いることになり、非線択時のトランジ
スタ０Ｆｌｔ流が１桁〜２桁低下できる。又各フィール
ドでのバイアス範囲も従来が０〜−Ｖ’ｏａであったも
のが＋１ ／ ２ Ｖ’０８〜−１７２ Ｖ’＋１８の
バイアスとなり、やはり平均のトランジスタ０Ｆｌｔ流
ヲ低下できる。この結果、各画素の実効値が書かれた内
容通りとなりコントラストの低下を防止すると同時に特
に終りの方の走査線でもバイアスが緩和されリーク電流
が減少し画素の上下表示ムラがなくなる。又ゲート線の
振幅はＶ ＤＯ−Ｖ ＯＯＭとなり従来の方式に比しデ
ータ線電圧の半分だけ小さくできる。
に対し＋ＶＤ８．−ＶＤ８に設定し画像信号を各フィー
ルド毎ＶＱＯＭを中心にして夫々正負対称形とする。一
方ゲート線の非選択電圧レベルを（ロ）の如＜ＶＯＯＭ
にする。この結果従来の方式ではゲートのかなり深い負
バイアスで用いていたが、本方式により、平均すれば０
バイアス付近で用いることになり、非線択時のトランジ
スタ０Ｆｌｔ流が１桁〜２桁低下できる。又各フィール
ドでのバイアス範囲も従来が０〜−Ｖ’ｏａであったも
のが＋１ ／ ２ Ｖ’０８〜−１７２ Ｖ’＋１８の
バイアスとなり、やはり平均のトランジスタ０Ｆｌｔ流
ヲ低下できる。この結果、各画素の実効値が書かれた内
容通りとなりコントラストの低下を防止すると同時に特
に終りの方の走査線でもバイアスが緩和されリーク電流
が減少し画素の上下表示ムラがなくなる。又ゲート線の
振幅はＶ ＤＯ−Ｖ ＯＯＭとなり従来の方式に比しデ
ータ線電圧の半分だけ小さくできる。
実際のＴＰＴ特性は第６図の如く電流極少点がある範囲
バラついてくる。（ロ）の場合は第５図（ロ）の如く、
又（イ）のように極少点が負バイアス側にある時は（ニ
）の如くゲート線の非選択レベルをＶＯＯＭに対し
ＶＧＢのバイアスを印加する。一方又第６図（ハ）の如
く電流極少点が正バイアスに存在する時は第５図（ハ）
のように非選択レベルをｖＣｏＭに対し＋ＶＧＢのバイ
アスな印加し、動作が平均して正バイアス側へ寄るよう
にすると効果は更に上がる。
バラついてくる。（ロ）の場合は第５図（ロ）の如く、
又（イ）のように極少点が負バイアス側にある時は（ニ
）の如くゲート線の非選択レベルをＶＯＯＭに対し
ＶＧＢのバイアスを印加する。一方又第６図（ハ）の如
く電流極少点が正バイアスに存在する時は第５図（ハ）
のように非選択レベルをｖＣｏＭに対し＋ＶＧＢのバイ
アスな印加し、動作が平均して正バイアス側へ寄るよう
にすると効果は更に上がる。
第７図は本発明の駆動方式を実現する駆動回路の構成例
である。マトリックス基板よりなるパネル１３に対しデ
ータ線ｎ本に対しＶＤ＋〜ＶＤｎのデータ線ドライブ出
力を有するデータ線ドライバ１１と、ゲート線ｍ本に対
してＶＧ１〜Ｖ Ｇ ｎのゲート線ドライブ出力を有す
るゲート線ドライバ１２が接続されている。電源回路１
０はデータ線ドライバのサンプルホールド回路及びシフ
トレジスタ等の電源電圧子ｖｎｓ、−ＶＤ［ｌを発生す
る。
である。マトリックス基板よりなるパネル１３に対しデ
ータ線ｎ本に対しＶＤ＋〜ＶＤｎのデータ線ドライブ出
力を有するデータ線ドライバ１１と、ゲート線ｍ本に対
してＶＧ１〜Ｖ Ｇ ｎのゲート線ドライブ出力を有す
るゲート線ドライバ１２が接続されている。電源回路１
０はデータ線ドライバのサンプルホールド回路及びシフ
トレジスタ等の電源電圧子ｖｎｓ、−ＶＤ［ｌを発生す
る。
この電圧は画像信号Ｖ、Ｓの振幅範囲を包含するもので
ある。又電源回路１０は同時にゲート線の非選択レベル
ＶＯＯＭ、選択レベルＶＤＯを発生する。又ＶＯＯＭは
パネルの対向電極電位ともなる。
ある。又電源回路１０は同時にゲート線の非選択レベル
ＶＯＯＭ、選択レベルＶＤＯを発生する。又ＶＯＯＭは
パネルの対向電極電位ともなる。
第８図は本発明の効果を表わすグラフである。
第４図Ｔに示すトランジスタを用いてデータ線を介しで
ある特定の画素に点灯電位を書き込み、１６ｙ１ｍの間
保持動作をさせた時の画素の平均実効値ＶＯＲを非選択
レベルのバイアス４ｆｔ Ｖ ＣＩ Ｂに対してプロッ
トしである。バイアスイ１６が−ＶＤ８の時が従来の方
式であるが、これに対し本方式の如く、非選択時の電圧
レベルをＶＯＯＭ付近にすることにより、実効値が最大
となり、表示効果が最適となる。
ある特定の画素に点灯電位を書き込み、１６ｙ１ｍの間
保持動作をさせた時の画素の平均実効値ＶＯＲを非選択
レベルのバイアス４ｆｔ Ｖ ＣＩ Ｂに対してプロッ
トしである。バイアスイ１６が−ＶＤ８の時が従来の方
式であるが、これに対し本方式の如く、非選択時の電圧
レベルをＶＯＯＭ付近にすることにより、実効値が最大
となり、表示効果が最適となる。
第９図はＴＦ’Ｔ特性の電流極少値を与えるゲート−ソ
ース電圧ＶＧＳ値をＶＧＭとして、ＶＧＭに対する最適
実効値を与える非選択ゲートバイアスレベルＶＧＢの存
在範囲を示している。このグラブによればＶＧＭ即ちＴ
ＰＴの特性に対応して非選択ゲートバイアスレベルを調
整することが有効であることがわかる。
ース電圧ＶＧＳ値をＶＧＭとして、ＶＧＭに対する最適
実効値を与える非選択ゲートバイアスレベルＶＧＢの存
在範囲を示している。このグラブによればＶＧＭ即ちＴ
ＰＴの特性に対応して非選択ゲートバイアスレベルを調
整することが有効であることがわかる。
第１０図は本発明の他の実施例を示す駆動波形である。
ＴＰＴの特性が（ハ）のように電流値がＶＧＳに対して
、極少点を境として非対称性が大きい場合、データ線の
駆動電圧レベルをＶＯＯＭに対しＴＰＴの電流特性に合
わせて非対称にする。この場合画像信号Ｖ、Ｓの振幅又
はバイアスのみＶＯＯＭに対し各フィールド毎に正負そ
れぞれ非対称に振る場合と、更に電源電位子ＶＤＳを−
ｙｎｓを非対称にする場合を考えられる。
、極少点を境として非対称性が大きい場合、データ線の
駆動電圧レベルをＶＯＯＭに対しＴＰＴの電流特性に合
わせて非対称にする。この場合画像信号Ｖ、Ｓの振幅又
はバイアスのみＶＯＯＭに対し各フィールド毎に正負そ
れぞれ非対称に振る場合と、更に電源電位子ＶＤＳを−
ｙｎｓを非対称にする場合を考えられる。
このようにＴＰＴの非対称性に合わせて、データ線を非
対称にすると更に最適化される。勿論非選択レベルをＶ
ＯＯＭに対し、十ＶＧＢのバイアスを併用することもあ
りうる。
対称にすると更に最適化される。勿論非選択レベルをＶ
ＯＯＭに対し、十ＶＧＢのバイアスを併用することもあ
りうる。
第１１図は本発明の更に他σ）駆動方式例を示す信号波
形である。これは各フィールド毎に、データ線の駆動信
号の極性が反転するので、非選択時のゲートレベルをフ
ィールド毎に変化させると、データ線駆動電圧範囲に対
応するゲート・ソース間電位ｖＧＥｌの変動範囲を約半
分に減少できる。
形である。これは各フィールド毎に、データ線の駆動信
号の極性が反転するので、非選択時のゲートレベルをフ
ィールド毎に変化させると、データ線駆動電圧範囲に対
応するゲート・ソース間電位ｖＧＥｌの変動範囲を約半
分に減少できる。
この結果画素の実効値は更に最適化できることになる。
この例では奇数フィールドではｖｃＱＭ。
偶数フィールドでは＋ｙｎｓを、夫々非選択時のゲート
線のバイアスレベルにしである。
線のバイアスレベルにしである。
本発明は、以−にに述べたように非選択時のゲートバイ
アスレベルを、データ線駆動回路の電源電圧−ｙｎθ〜
＋Ｖ ＤＢの範囲内に設定し、特には反転画像信号の中
心電位（ｙｃｏｕ）付近に設定するものであり、本駆動
方式により、 （ｊ）ｉ＋ｌ＋ｉ累実効値が最適になるべく設定される
ので、本来の画像信号に対応した表示効果が得られ、従
って表示コントラストが最適化が実現できる。
アスレベルを、データ線駆動回路の電源電圧−ｙｎθ〜
＋Ｖ ＤＢの範囲内に設定し、特には反転画像信号の中
心電位（ｙｃｏｕ）付近に設定するものであり、本駆動
方式により、 （ｊ）ｉ＋ｌ＋ｉ累実効値が最適になるべく設定される
ので、本来の画像信号に対応した表示効果が得られ、従
って表示コントラストが最適化が実現できる。
（２） 特にゲート・ソース間の負バイアス時でのｏ
ＦＦ電流の増大に伴なう特に最終走査線側での画素実効
値の低下が防止でき、従ってどこの走査線も同一の附き
込み電圧に対し同一の画素実効値が得られ表示ムラが排
除できる。
ＦＦ電流の増大に伴なう特に最終走査線側での画素実効
値の低下が防止でき、従ってどこの走査線も同一の附き
込み電圧に対し同一の画素実効値が得られ表示ムラが排
除できる。
■ ゲート線の振幅が下げられるので、ドライバＩＣの
設計が容易になり、又消費電力も同時に下げられる。
設計が容易になり、又消費電力も同時に下げられる。
という効果が得られ、より良い表示品質の液晶テレビの
実現を可能にするものである。
実現を可能にするものである。
第１図は（ｎＸｍ ）のアクティブ・マトリックスパネ
ルの構成図であり、第２図はその駆動回路を示す。又第
６図は第２図の回路における従来の駆動方式を示す。 １・・ン７トレジスタ、２・・サンプルホールドトラン
ジスタ、ろ・・・データ線用ドライバＴ、 Ｓ１第４１
ＡＢは従来のトランジスタ特性、Ｔは本発明に用いるト
ランジスタ特性、第５図は本発明の駆動方式、第６図は
本発明に用いるトランジスタ特性。 第７図は本発明による駆動回路柘°成例。 １１・・・データ線用ドライバ、 １２・・ゲート線
用トライバ、 １０・・・電源回路、 １３・・マ
トリックスパネル。 第８１χ、第９図は本発明の効果を示すグラフ、第１０
図、第１１図は本発明の他の駆動方式例である。 以 上 出願人 株式会ネト調ｉＪＨ精工舎 代理人 弁理士 最上 務 Ｔ、続 捕 ＩＩ’： ｊ） （方式）’１１１．
ｉ’ｌ庁艮自 殿 １ ゛ハ１′１の人出 １１１′イ４１＋５フイＩｆ！Ｅ紛ｒｉ；Ｉ’：５６９
４５ｉｊ２光明ｔ７１名１ブ１゜ アクテイズマトリックスパネルの駆動方式＋ を市１
１ を −１る 古 ・１代 理 人 昭和５８年８月３０日 ゛゛−−− ″続補正曹（方式） ％式％ 「第４図Ｂは従来のトランジスタ特性、Ｔは本発明に用
いるトランジスタ特性、」とある金、［第４図ｔまトラ
ンジスタの特性を表わす図である。Ｂは従来のトランジ
スタ付性、Ｔは本発明に用いるトランジスメ特性ｒ示°
ｊ、Ｊに補正する。 以上 代理人最上 務 ７８３
ルの構成図であり、第２図はその駆動回路を示す。又第
６図は第２図の回路における従来の駆動方式を示す。 １・・ン７トレジスタ、２・・サンプルホールドトラン
ジスタ、ろ・・・データ線用ドライバＴ、 Ｓ１第４１
ＡＢは従来のトランジスタ特性、Ｔは本発明に用いるト
ランジスタ特性、第５図は本発明の駆動方式、第６図は
本発明に用いるトランジスタ特性。 第７図は本発明による駆動回路柘°成例。 １１・・・データ線用ドライバ、 １２・・ゲート線
用トライバ、 １０・・・電源回路、 １３・・マ
トリックスパネル。 第８１χ、第９図は本発明の効果を示すグラフ、第１０
図、第１１図は本発明の他の駆動方式例である。 以 上 出願人 株式会ネト調ｉＪＨ精工舎 代理人 弁理士 最上 務 Ｔ、続 捕 ＩＩ’： ｊ） （方式）’１１１．
ｉ’ｌ庁艮自 殿 １ ゛ハ１′１の人出 １１１′イ４１＋５フイＩｆ！Ｅ紛ｒｉ；Ｉ’：５６９
４５ｉｊ２光明ｔ７１名１ブ１゜ アクテイズマトリックスパネルの駆動方式＋ を市１
１ を −１る 古 ・１代 理 人 昭和５８年８月３０日 ゛゛−−− ″続補正曹（方式） ％式％ 「第４図Ｂは従来のトランジスタ特性、Ｔは本発明に用
いるトランジスタ特性、」とある金、［第４図ｔまトラ
ンジスタの特性を表わす図である。Ｂは従来のトランジ
スタ付性、Ｔは本発明に用いるトランジスメ特性ｒ示°
ｊ、Ｊに補正する。 以上 代理人最上 務 ７８３
Claims (1)
- （１） ゲート線によりトランジスタをＯＮさせ選択
時にデータ線から画素に所定の電圧を書き込み、非選択
時はゲート線によりトランジスタをＯＦＦさせ前記画素
における書き込み電圧全保持するアクティブマトリック
スパネルにおいて、前記トランジスタは薄膜トランジス
タにより構成され、前記ゲート線の非選択時の電圧レベ
ルを、交流駆動画像信号が印加される前記データ線の駆
動用電源（ＶＤ８ ） 、 （十ＶＤ８ ）間に設電す
ることを特徴とするアクティブ・マトリックスの駆動方
式。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5694582A JPS5940696A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 表示装置 |
| FR838304925A FR2524679B1 (fr) | 1982-04-01 | 1983-03-25 | Procede d'attaque d'un panneau d'affichage a cristaux liquides a matrice active |
| GB08308763A GB2121584B (en) | 1982-04-01 | 1983-03-30 | A method and circuit for driving an active matrix of a positive type liquid crystal display device |
| DE3311928A DE3311928A1 (de) | 1982-04-01 | 1983-03-31 | Verfahren zur ansteuerung einer aktivmatrix-fluessigkristall-anzeigetafel |
| US06/481,049 US4591848A (en) | 1982-04-01 | 1983-03-31 | Matrix panel with an active driving system |
| GB08510710A GB2161970B (en) | 1982-04-06 | 1985-04-26 | A method of driving an active matrix panel of a liquid crystal display device |
| US06/831,202 US4899141A (en) | 1982-04-01 | 1986-02-20 | Matrix panel with an active driving system |
| SG400/88A SG40088G (en) | 1982-04-01 | 1988-06-20 | A method and circuit for driving an active matrix of a positive type liquid crystal display device |
| SG39988A SG39988G (en) | 1982-04-06 | 1988-06-20 | A method of driving an active matrix panel of a liquid crystal display device |
| HK697/89A HK69789A (en) | 1982-04-01 | 1989-08-31 | A method and circuit for driving an active matrix of a positive type liquid crystal display device |
| HK69989A HK69989A (en) | 1982-04-06 | 1989-08-31 | A method of driving an active matrix panel of a liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5694582A JPS5940696A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940696A true JPS5940696A (ja) | 1984-03-06 |
| JPH0416794B2 JPH0416794B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=13041679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5694582A Granted JPS5940696A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-06 | 表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940696A (ja) |
| GB (1) | GB2161970B (ja) |
| HK (1) | HK69989A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273235A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 表示装置の駆動方法 |
| JPH03288128A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法 |
-
1982
- 1982-04-06 JP JP5694582A patent/JPS5940696A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-26 GB GB08510710A patent/GB2161970B/en not_active Expired
-
1989
- 1989-08-31 HK HK69989A patent/HK69989A/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273235A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 表示装置の駆動方法 |
| JPH03288128A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8510710D0 (en) | 1985-06-05 |
| GB2161970B (en) | 1986-09-10 |
| JPH0416794B2 (ja) | 1992-03-25 |
| GB2161970A (en) | 1986-01-22 |
| HK69989A (en) | 1989-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2626451B2 (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 | |
| JP3564704B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 | |
| US7808472B2 (en) | Liquid crystal display and driving method thereof | |
| US8248336B2 (en) | Liquid crystal display device and operating method thereof | |
| JP4873760B2 (ja) | 液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| US7868868B2 (en) | Shift register and liquid crystal display using the same | |
| US7042431B1 (en) | Image display device and driving method of the same | |
| JPH08194205A (ja) | アクティブマトリックス型表示装置 | |
| US8072409B2 (en) | LCD with common voltage driving circuits | |
| US6020870A (en) | Liquid crystal display apparatus and driving method therefor | |
| JPH07181927A (ja) | 画像表示装置 | |
| US20090102820A1 (en) | Method for driving pixels of a display panel | |
| JP2001166741A (ja) | 半導体集積回路装置および液晶表示装置 | |
| JP2629360B2 (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 | |
| JP4639702B2 (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法 | |
| US11011128B1 (en) | GOA circuit driving method and driving device | |
| JPS58173794A (ja) | 表示装置 | |
| JP2000322031A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20040049558A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
| JPS5940696A (ja) | 表示装置 | |
| US7554515B2 (en) | Method of driving liquid crystal display | |
| US20120169750A1 (en) | Display device and drive method for display device | |
| JPH09236790A (ja) | 液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JPH0697381B2 (ja) | アクテイブマトリクス型表示装置の駆動方法 | |
| JP2003216117A (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 |