JPS5940582A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5940582A JPS5940582A JP15053982A JP15053982A JPS5940582A JP S5940582 A JPS5940582 A JP S5940582A JP 15053982 A JP15053982 A JP 15053982A JP 15053982 A JP15053982 A JP 15053982A JP S5940582 A JPS5940582 A JP S5940582A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、半導体基板と透明電極との
結線構造に関する。
結線構造に関する。
従来、半導体装置における半導体基板と、透明電極との
接続は、第１・同に一例を示すごとく、絶縁基板１の一
主表面に形成されたシリコン半導体膜２にはリース拡散
領域６、ドレイン拡散領域４およびシリコン半導体膜２
の表面にはゲート絶縁膜５、ゲート電極６が形成され、
ＭＯＳ 、ＦＥＴを製作した場合を例にとると、該ＭＣ
ｌ５ ＦＥＴの表面には層間絶縁膜７が形成され、該
層間絶縁膜７に形成したコンタクト穴を通して、透明電
極としての工ＴＯ膜８が接続して多層配線されるのが通
例であった。
接続は、第１・同に一例を示すごとく、絶縁基板１の一
主表面に形成されたシリコン半導体膜２にはリース拡散
領域６、ドレイン拡散領域４およびシリコン半導体膜２
の表面にはゲート絶縁膜５、ゲート電極６が形成され、
ＭＯＳ 、ＦＥＴを製作した場合を例にとると、該ＭＣ
ｌ５ ＦＥＴの表面には層間絶縁膜７が形成され、該
層間絶縁膜７に形成したコンタクト穴を通して、透明電
極としての工ＴＯ膜８が接続して多層配線されるのが通
例であった。
しかし、上記従来技術ではシリコン基板と透明電極との
接続部での接触抵抗が大であるという欠点があった。
接続部での接触抵抗が大であるという欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、半導体基板と
透明電極配線との接続部での接触抵抗の小なるＮ、極配
線構造を提供することを目的とする。
透明電極配線との接続部での接触抵抗の小なるＮ、極配
線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置において半導体基板または半導体薄膜基板上に
絶縁膜が形成され、該絶縁膜にコンタクト穴を通して、
前記絶縁膜表面に形成された透明電極と前記半導体基板
または半導体薄膜基板との少なくとも接触部は錫または
酸化錫膜ので形成され、該錫または酸化錫、膜上に酸化
インジウムまたは、酸化インジウムと酸化錫の混合膜（
工Ｔｏ膜）が電極形成されて成ることを特徴とする。
導体装置において半導体基板または半導体薄膜基板上に
絶縁膜が形成され、該絶縁膜にコンタクト穴を通して、
前記絶縁膜表面に形成された透明電極と前記半導体基板
または半導体薄膜基板との少なくとも接触部は錫または
酸化錫膜ので形成され、該錫または酸化錫、膜上に酸化
インジウムまたは、酸化インジウムと酸化錫の混合膜（
工Ｔｏ膜）が電極形成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図である。絶縁基板１１の一主表面にはシリコン半導体
膜１２が形成され、該シリコン半導体膜１２にはソース
拡散領域１６、ドレイン拡散領域１４が形成され、該ソ
ース拡散領域１３、ドレイン拡散領域１４にはさまれた
前記シリコン半導体膜１２の゛表面にゲート酸化膜１５
、ゲー′ト電極１６が形成されてＭＯ３型ＦＩＴを構成
する。
図である。絶縁基板１１の一主表面にはシリコン半導体
膜１２が形成され、該シリコン半導体膜１２にはソース
拡散領域１６、ドレイン拡散領域１４が形成され、該ソ
ース拡散領域１３、ドレイン拡散領域１４にはさまれた
前記シリコン半導体膜１２の゛表面にゲート酸化膜１５
、ゲー′ト電極１６が形成されてＭＯ３型ＦＩＴを構成
する。
該ＭＯＳ型ＦＥＴの表面には層間絶縁膜１７を介して、
層間絶縁膜に形成したコンタクト穴を通して下地シリコ
ン配線層と上部透明電極を接続する場合に、例えば、酸
化錫からなる層１８を形成後■ＴＣＩ膜１９を形成する
か、あるいは錫膜を形成後、工Ｔｏ膜を形成して加熱処
理することにより下地錫膜を酸化錫膜化する等して、少
なくともコンタクト穴を錫あるいは酸化錫で埋めた状態
でその工ＴＯ膜１日を電極配線する方法で形成する。
層間絶縁膜に形成したコンタクト穴を通して下地シリコ
ン配線層と上部透明電極を接続する場合に、例えば、酸
化錫からなる層１８を形成後■ＴＣＩ膜１９を形成する
か、あるいは錫膜を形成後、工Ｔｏ膜を形成して加熱処
理することにより下地錫膜を酸化錫膜化する等して、少
なくともコンタクト穴を錫あるいは酸化錫で埋めた状態
でその工ＴＯ膜１日を電極配線する方法で形成する。
尚本発明では薄膜半導体装置を例に示したが、基板自体
が半導体で形成された半導体装置に於ても本案が適用で
きることは言うまでもない。
が半導体で形成された半導体装置に於ても本案が適用で
きることは言うまでもない。
前記の如く、半導体基板または半導体薄膜基板材料を加
熱によりそれ自体の材料中に下地半導体材料が拡散し難
い錫あるいは酸化錫を工ＴＯ等の上記電極配線との少な
くとも接続部に於てはさんで形成することにより、接続
部の下地半導体材料の上記工Ｔｏ電極への拡散による電
極抵抗の増大を避けることができる効果がある。
熱によりそれ自体の材料中に下地半導体材料が拡散し難
い錫あるいは酸化錫を工ＴＯ等の上記電極配線との少な
くとも接続部に於てはさんで形成することにより、接続
部の下地半導体材料の上記工Ｔｏ電極への拡散による電
極抵抗の増大を避けることができる効果がある。
第１図は従来技術による半導体装置の断面図、第２図は
本発明による半導体装置の断面図である。 １．１１・・・絶縁基板 ２．１２・・・半導体基板 ３．１３・・・ソース拡散領域 ４．１４・・・ドレイン拡散領域 ５．１５・・・ゲート酸化膜 ６．１６・・・ゲート電極 ７．１７・・・層間絶縁膜 ８．１９・・・工Ｔｏ膜 １８・・・・・・錫または酸化錫模 似 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
本発明による半導体装置の断面図である。 １．１１・・・絶縁基板 ２．１２・・・半導体基板 ３．１３・・・ソース拡散領域 ４．１４・・・ドレイン拡散領域 ５．１５・・・ゲート酸化膜 ６．１６・・・ゲート電極 ７．１７・・・層間絶縁膜 ８．１９・・・工Ｔｏ膜 １８・・・・・・錫または酸化錫模 似 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (2)
- （１）半導体基板または半導体薄膜基板上に絶縁膜が形
成され、該絶縁膜にコンタクト穴を通して、前記絶縁膜
表面に形成された透明電極と前記半導体基板または半導
体薄膜基板との少なくとも接触部は錫または酸化錫膜の
で形成され、該錫または酸化錫膜上に酸化インジウムま
たは、酸化インジウムと酸化錫の混合膜（工Ｔｏ膜）が
形成されて成ることを特徴とする半導体装置。 - （２）半導体基板または半導体薄膜基板をシリコンと成
すことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15053982A JPS5940582A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15053982A JPS5940582A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940582A true JPS5940582A (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=15499074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15053982A Pending JPS5940582A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940582A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135564A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH0239128A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| US5650664A (en) * | 1992-02-28 | 1997-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Connector effecting an improved electrical connection and a semiconductor apparatus using such connector |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685792A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS5715469A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film transistor for transmission type display panel and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP15053982A patent/JPS5940582A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685792A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS5715469A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film transistor for transmission type display panel and manufacture thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135564A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH0239128A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
| US5650664A (en) * | 1992-02-28 | 1997-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Connector effecting an improved electrical connection and a semiconductor apparatus using such connector |
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