JPS5940533A - Ｘ線リトグラフイ−法およびその方法を実施する系 - Google Patents
Ｘ線リトグラフイ−法およびその方法を実施する系Info
- Publication number
- JPS5940533A JPS5940533A JP58132966A JP13296683A JPS5940533A JP S5940533 A JPS5940533 A JP S5940533A JP 58132966 A JP58132966 A JP 58132966A JP 13296683 A JP13296683 A JP 13296683A JP S5940533 A JPS5940533 A JP S5940533A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- penumbra
- mask
- ray
- energy source
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線ＩＪ ｌ・グラフィーに関し、詳細には選
択的に系の解像力を変化する方法および装置に関する。
択的に系の解像力を変化する方法および装置に関する。
種々のタイプのリトグラフィーか半導体ウニ・・上に被
覆したホトレジストを露光する集積半導体回路の製造に
使用されている。与えられたチップにより多くのデバイ
スを配置して微小化する要求の結果として、リトグラフ
ィーは良好な解像力および小サイズを得るために必要な
短波長に向って進んだ。Ｘ線リトグラフィーが解像力の
問題を解決するだめ提案された。それはＸ線は約４〜５
０Ａの範囲、もつと一般的には約４〜１６Ａの範囲のと
くに短い波長を有するからである。このようなリトグラ
フィーの場合所望パターンを有するマスクがそのバク−
７に応じて露光されるレジストを被覆した半導体基板と
放射線源の間に挿入される。
覆したホトレジストを露光する集積半導体回路の製造に
使用されている。与えられたチップにより多くのデバイ
スを配置して微小化する要求の結果として、リトグラフ
ィーは良好な解像力および小サイズを得るために必要な
短波長に向って進んだ。Ｘ線リトグラフィーが解像力の
問題を解決するだめ提案された。それはＸ線は約４〜５
０Ａの範囲、もつと一般的には約４〜１６Ａの範囲のと
くに短い波長を有するからである。このようなリトグラ
フィーの場合所望パターンを有するマスクがそのバク−
７に応じて露光されるレジストを被覆した半導体基板と
放射線源の間に挿入される。
常用Ｘ線リトグラフィー系は固定的電子ビームスポット
サイズを使用し、このスポットサイズにより半陰影効果
のため系の制限的解像力が決定される。スポットは一般
にスループットを最大にするだめ陽極のパワー散逸を増
大し、Ｘ線束を増強するようにできるたけ大きく固定さ
れる。本発明の目的は所要の良好な解像力特性を得ると
ともに良好なスループット特性を有する改善された新規
Ｘ線リトグラフィー系を得ることである。
サイズを使用し、このスポットサイズにより半陰影効果
のため系の制限的解像力が決定される。スポットは一般
にスループットを最大にするだめ陽極のパワー散逸を増
大し、Ｘ線束を増強するようにできるたけ大きく固定さ
れる。本発明の目的は所要の良好な解像力特性を得ると
ともに良好なスループット特性を有する改善された新規
Ｘ線リトグラフィー系を得ることである。
前記目的のため現在まで使用されたＸ線ＩＪ トゲラフ
イー系に比する本発明の系の利点は以下の説明から明ら
かになる。
イー系に比する本発明の系の利点は以下の説明から明ら
かになる。
要約すれは本発明は電子ビームおよびｘ＃！ターケゝッ
トを含む放射エネルギー源、表面にレジストを備えるウ
ェハをこのエネルギー源から離して支持する装置、なら
びにエネルギー源とウェハの間にマスクを支持する装置
を特徴とする改善された新規Ｘ線すトグラフィー系ヲ１
８ることである。さらに本発明による系はマスク上の最
小パターンに適合するようにウェハ上の半陰影を変化す
る装置を含み、それによって解像力をスループットに対
しまたはスルーノ０ノドを解像力１（対し最大にするこ
とができる。
トを含む放射エネルギー源、表面にレジストを備えるウ
ェハをこのエネルギー源から離して支持する装置、なら
びにエネルギー源とウェハの間にマスクを支持する装置
を特徴とする改善された新規Ｘ線すトグラフィー系ヲ１
８ることである。さらに本発明による系はマスク上の最
小パターンに適合するようにウェハ上の半陰影を変化す
る装置を含み、それによって解像力をスループットに対
しまたはスルーノ０ノドを解像力１（対し最大にするこ
とができる。
本発明の１つの特徴によれは放射エネルギーのはさらに
ウニ・・上の半陰影を調節するだめ、Ｘ線ターゲット上
の電子ビームのスポットサイズを変化する装置を有する
。
ウニ・・上の半陰影を調節するだめ、Ｘ線ターゲット上
の電子ビームのスポットサイズを変化する装置を有する
。
本発明のもう１つの特徴によれはウェハ上の半陰影を調
節する装置はマスクとウニ・・間のキ゛ヤツプまだはエ
ネルギー源とマスク間のギャップを変化する装置を有す
る。
節する装置はマスクとウニ・・間のキ゛ヤツプまだはエ
ネルギー源とマスク間のギャップを変化する装置を有す
る。
有利に本発明の１態様によれは放射線源はタングステア
Ｍ線放射線を発生する。
Ｍ線放射線を発生する。
さらに本発明により表面にレジストを備えるウェハを放
射エネルギー源から離して支持し、マスクを放射エネル
ギー源とウニ・・の間に支持するＸ線リトグラフィーを
実施する改善された新規方法が得られる。本発明による
方法はさらに放射エネルギー源を得るだめ電子ビームを
Ｘ線ターゲットに当てるように向け、マスク上の最小パ
ターンに適合するようにウニ・・上の半陰影を調節し、
それによって解像力をスループットに対し、またはスル
ープットを解像力に対し最大にする過程を含む。
射エネルギー源から離して支持し、マスクを放射エネル
ギー源とウニ・・の間に支持するＸ線リトグラフィーを
実施する改善された新規方法が得られる。本発明による
方法はさらに放射エネルギー源を得るだめ電子ビームを
Ｘ線ターゲットに当てるように向け、マスク上の最小パ
ターンに適合するようにウニ・・上の半陰影を調節し、
それによって解像力をスループットに対し、またはスル
ープットを解像力に対し最大にする過程を含む。
以下の詳細な説明をよりよく理解し、本発明の当業界に
対する寄与をよりよく評価しつるように、本発明の重要
な特徴を概括的に説明した。
対する寄与をよりよく評価しつるように、本発明の重要
な特徴を概括的に説明した。
もちろん本発明の付加的特徴は以下に詳細に説明される
。当業者はこの開示の基礎となる概念を容易に使用して
本発明の多数の目的を実施する他の系の基礎としうろこ
とは明らかである。
。当業者はこの開示の基礎となる概念を容易に使用して
本発明の多数の目的を実施する他の系の基礎としうろこ
とは明らかである。
それゆえこの開示が本発明の思想寸だは範囲からはずれ
ない同様の系も含むものであることは重要である。
ない同様の系も含むものであることは重要である。
次に本発明を図面により説明する。
第１および２図に示すように放射エネルギー源１０は１
２，１４．１６および１８、ならひに第１図で１３．１
５．１７および１９、第２図で２１．２３．２５および
２７で示すＸ線を発する。Ｘ線はレジストを表面に備え
る基板またはウエノ・２０に当る。Ｘ線源１０とウニ・
・２０の間に全体的に２２で示すマスクか挿入され、こ
のマスクはたとえば金のような吸収材料２４゜２６のパ
ターン線を有する。第１図にはパターン線２９．３１、
第２図にはパターン線３３および３５も示される。吸収
材料はそれが存在する領域でＸ線を吸収し、それによっ
てその領域のレジストの露光が防止される。所要時間の
露光後、レジストは現像され、基板の次の処理か実施さ
れる。
２，１４．１６および１８、ならひに第１図で１３．１
５．１７および１９、第２図で２１．２３．２５および
２７で示すＸ線を発する。Ｘ線はレジストを表面に備え
る基板またはウエノ・２０に当る。Ｘ線源１０とウニ・
・２０の間に全体的に２２で示すマスクか挿入され、こ
のマスクはたとえば金のような吸収材料２４゜２６のパ
ターン線を有する。第１図にはパターン線２９．３１、
第２図にはパターン線３３および３５も示される。吸収
材料はそれが存在する領域でＸ線を吸収し、それによっ
てその領域のレジストの露光が防止される。所要時間の
露光後、レジストは現像され、基板の次の処理か実施さ
れる。
Ｘ線１２および１４はパターン線２４の内側コーナとと
もにＡ−Ｂで示す第１半陰影を形成する。同様にＸ線１
６および１８は隣接パターン線２６の外側コーナによっ
てＣ−Ｄで示す第２半陰影を形成する。第１半陰影Ａ、
−Ｂは第２半陰影Ｃ−Ｄと重ならず、それから距離Ｂ
−Ｃだけ離れていることが指摘される。これは第１図に
示すように電子ビームスポットサイズが８１であり、マ
スクがＸ線源１０から距離りに配置され、ウェハがマス
クから距離ｄに配置されている場合である。
もにＡ−Ｂで示す第１半陰影を形成する。同様にＸ線１
６および１８は隣接パターン線２６の外側コーナによっ
てＣ−Ｄで示す第２半陰影を形成する。第１半陰影Ａ、
−Ｂは第２半陰影Ｃ−Ｄと重ならず、それから距離Ｂ
−Ｃだけ離れていることが指摘される。これは第１図に
示すように電子ビームスポットサイズが８１であり、マ
スクがＸ線源１０から距離りに配置され、ウェハがマス
クから距離ｄに配置されている場合である。
さらに第１図においてＸ線１３および１５はパターン線
２９の外側コーナによってＥ−Ｆで示す第６半陰影を形
成する。Ｘ線１７および１９は隣接するパターン線３１
の内側コーナによってＧ−Ｈで示す第４半陰影を形成す
る。第ろ半陰影Ｅ−Ｆは第４半陰影Ｇ−１（と重ならず
、それから距離Ｆ−Ｇだけ離れていることが指摘される
。
２９の外側コーナによってＥ−Ｆで示す第６半陰影を形
成する。Ｘ線１７および１９は隣接するパターン線３１
の内側コーナによってＧ−Ｈで示す第４半陰影を形成す
る。第ろ半陰影Ｅ−Ｆは第４半陰影Ｇ−１（と重ならず
、それから距離Ｆ−Ｇだけ離れていることが指摘される
。
第２図に示すように電子ビームスポットザイズＳ２は第
１図のスポットサイズＳ１に比して約２倍の直径を有す
る。その結果として第１半陰影Ａ−Ｂは第２半陰影Ｃ−
Ｄと重なり、それによって半陰影効果のだめ系の解像力
が制限される。
１図のスポットサイズＳ１に比して約２倍の直径を有す
る。その結果として第１半陰影Ａ−Ｂは第２半陰影Ｃ−
Ｄと重なり、それによって半陰影効果のだめ系の解像力
が制限される。
さらに第２図においてＸ線２１および２３はパターン線
３３の外側コーナによってＪ−にで示す第６半陰影を形
成する。ｘ＆１２５および２７もパターン線３５の内側
コーナによってＬ−Ｍで示す第４半陰影を形成する。そ
の結果第６半陰影Ｊ−にはＬ−にの範囲で第４半陰影Ｌ
−Ｍと重なる。半陰影はもつと広く離れだまだは低い解
像力のパターン線に対しては重ならないことが指摘され
る。
３３の外側コーナによってＪ−にで示す第６半陰影を形
成する。ｘ＆１２５および２７もパターン線３５の内側
コーナによってＬ−Ｍで示す第４半陰影を形成する。そ
の結果第６半陰影Ｊ−にはＬ−にの範囲で第４半陰影Ｌ
−Ｍと重なる。半陰影はもつと広く離れだまだは低い解
像力のパターン線に対しては重ならないことが指摘され
る。
実際にはパターン線距離より小さい半陰影で作業するこ
とが一般に必要である。それゆえ第１図の系は上限の場
合である。第２図の系は通常使用されない。
とが一般に必要である。それゆえ第１図の系は上限の場
合である。第２図の系は通常使用されない。
本発明によれば半陰影をマスクの最小パターン線サイズ
に適するように変化することができ、すなわち０．５μ
ｍのパターン線を有するマスクは１μｍのパターン線を
有するマスクと異なる半陰影を使用する。これはデバイ
ス製造に使用する多数のマスクのそれぞれに対し適当な
半陰影、解像力の選択を可能にし、または種々のＩＣに
対しその要求に従って異なる半陰影を選択することがで
きる。
に適するように変化することができ、すなわち０．５μ
ｍのパターン線を有するマスクは１μｍのパターン線を
有するマスクと異なる半陰影を使用する。これはデバイ
ス製造に使用する多数のマスクのそれぞれに対し適当な
半陰影、解像力の選択を可能にし、または種々のＩＣに
対しその要求に従って異なる半陰影を選択することがで
きる。
現在まで常用のＸ線ＩＪ ）グラフィー系は半陰影効果
のだめ系の制限された解像力を決定する固定電子ビーム
スポットサイズを使用した。スポットは一般にスループ
ットを最大にするだめ、陽極パワー散逸しだがってＸ線
束を増大するようにできるだけ大きく固定された。本発
明によれば系の解像力は電子ビームスポットサイズを変
化することによって選択することができる。
のだめ系の制限された解像力を決定する固定電子ビーム
スポットサイズを使用した。スポットは一般にスループ
ットを最大にするだめ、陽極パワー散逸しだがってＸ線
束を増大するようにできるだけ大きく固定された。本発
明によれば系の解像力は電子ビームスポットサイズを変
化することによって選択することができる。
スポットが大きいほどパワーが大きくなる。それによっ
て解像力およびスループットの調節が可能になる。大き
いパターンに対しては解像力を低下し、それによってス
ループットが」二昇し、小さいパターンに対しては解像
力を上昇し、それによってスループットが減少する。
て解像力およびスループットの調節が可能になる。大き
いパターンに対しては解像力を低下し、それによってス
ループットが」二昇し、小さいパターンに対しては解像
力を上昇し、それによってスループットが減少する。
第１および２図の場合、解像力およびスループットを最
大にするため、本発明の１実施例によれは電子ビームス
ポットサイズＳは点Ｂ−Ｃが上限と一致するように選択
される。すなわち上限の場合隣接するパターン線の隣接
する半陰影はちょうど互いに接触まだは一致するけれど
、重ならない。
大にするため、本発明の１実施例によれは電子ビームス
ポットサイズＳは点Ｂ−Ｃが上限と一致するように選択
される。すなわち上限の場合隣接するパターン線の隣接
する半陰影はちょうど互いに接触まだは一致するけれど
、重ならない。
この概念を実施するため本発明の１つの実施例によれは
電子ビームガンは可変焦点能力を備える。第３図に示す
ように全体的に１０で示す放射エネルギー源はシャフト
３０に回転可能に支持される水冷陽極２８を有し、この
陽極は冷却水のだめの適当な通路３２および３４を有す
る。ガンアセンブリ３６はフィラメント３８を含み、こ
れから電子３９が放出され、陽極ターゲット２８に当る
。アセンブリは静電シールド４０を備える。Ｘ線円錐は
水冷した真空窓４２を通過する。制御装置４４はガンア
センブリ３６を垂直に陽極ターケゞット２８に対して近
くまたは遠くに動かし、電子ビームスポットサイズＳが
調節される。すなわちスポット直径は解像力をスループ
ットに対しまだはスループットを解像力に対し最大にす
るため、制御装置４４により静電的に、手によりまだは
自動的に調節することができる。
電子ビームガンは可変焦点能力を備える。第３図に示す
ように全体的に１０で示す放射エネルギー源はシャフト
３０に回転可能に支持される水冷陽極２８を有し、この
陽極は冷却水のだめの適当な通路３２および３４を有す
る。ガンアセンブリ３６はフィラメント３８を含み、こ
れから電子３９が放出され、陽極ターゲット２８に当る
。アセンブリは静電シールド４０を備える。Ｘ線円錐は
水冷した真空窓４２を通過する。制御装置４４はガンア
センブリ３６を垂直に陽極ターケゞット２８に対して近
くまたは遠くに動かし、電子ビームスポットサイズＳが
調節される。すなわちスポット直径は解像力をスループ
ットに対しまだはスループットを解像力に対し最大にす
るため、制御装置４４により静電的に、手によりまだは
自動的に調節することができる。
本発明のもう１つの実施例によれば、半陰影をマスク上
の最小パターン線に適するように調節することによって
、解像力およびスループットを最大にするため、マスク
とウェハまたはエネルギー源とマスクの間のギャップが
変化される。第１および２図によればマスク２２または
ウェハ２０を互いに他に対し、またはいずれかをエネル
ギー源１０に対し選択的に垂直に移動する装置３７が備
えられる。適当な移動装置たとえは機械的レバー、スク
リュー装置またはソレノイド等を使用することができる
。マスクとウェハのギャップの変化範囲は、小さいギャ
ップはマスク損傷の危険があるため制限され、大きいギ
ャップは解像力が回折により制限されることが指摘され
る。さらにギャップを変化すると像倍率が変化し、した
がってオーバレイが悪くなる。
の最小パターン線に適するように調節することによって
、解像力およびスループットを最大にするため、マスク
とウェハまたはエネルギー源とマスクの間のギャップが
変化される。第１および２図によればマスク２２または
ウェハ２０を互いに他に対し、またはいずれかをエネル
ギー源１０に対し選択的に垂直に移動する装置３７が備
えられる。適当な移動装置たとえは機械的レバー、スク
リュー装置またはソレノイド等を使用することができる
。マスクとウェハのギャップの変化範囲は、小さいギャ
ップはマスク損傷の危険があるため制限され、大きいギ
ャップは解像力が回折により制限されることが指摘され
る。さらにギャップを変化すると像倍率が変化し、した
がってオーバレイが悪くなる。
このように本発明によりＸ線リトグラフィー用の改善さ
れた系か得られ、前記目的が有効に充足されることは明
らかである。
れた系か得られ、前記目的が有効に充足されることは明
らかである。
特殊な実施例が本発明の説明の目的で開示されたけれど
、この明細書を研究した後、さらにそれを改善すること
は当業者には容易である。
、この明細書を研究した後、さらにそれを改善すること
は当業者には容易である。
第１図は第１モード、第２図は第２モードで作業するＸ
線リトグラフィー系の光路図、第６図はＸ線発生装置の
縦断面図である。 ２８・・・陽極ターケ８ット、３０・・・シャフト、３
６・・ガンアセンブリ、４０・・・静電シールド、４２
・・・真空窓、４４・・・制御装置
線リトグラフィー系の光路図、第６図はＸ線発生装置の
縦断面図である。 ２８・・・陽極ターケ８ット、３０・・・シャフト、３
６・・ガンアセンブリ、４０・・・静電シールド、４２
・・・真空窓、４４・・・制御装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 表面にレジストを備えるウェハを放射エネルギー
源から離して支持し、放射エネルギー源とウェハの間に
マスクを支持し、電子ビームをＸ線ターケゞットに当る
ように向けて放射エネルギー源を得、マスク上の最小パ
ターンサイズに適合するようにウェハ上の半陰影を調節
し、それによって解像力をスループットに対しまだはス
ループットを解像力に対し最大にすることを特徴とする
Ｘ線リトグラフィー法。 ２、放射エネルギー源がタングステンＭｍ放射線を発生
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ろ、 ターゲットを、タングステンＭ線を発生するよう
にタングステン、タングステン合金まだはタングステン
化合物の群から選択する特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ４、 電子ビームおよびＸ線ターケゝットを形成すル装
置を含む放射エネルギー源、表面にレジストを備えるウ
ェハをこのエネルギー源から離して支持する装置、マス
クをエネルギー源とウェハの間に支持する装置ならびに
マスク上の最小パターンサイズに適合するようにウェハ
上の半陰影を変化する装置を有し、それによって解像力
をスループットに対しまたはスループットを解像力に対
し最大にすることを特徴とするＸ線リトグラフィー系。 ５、 ウェハ上の半陰影を変化する装置がＸ線ターｒッ
ト上の電子ビームのスポットサイズを変化する装置から
なる特許請求の範囲第４項記載のリトグラフィー系。 ６、 ウェハ上の半陰影を変化する装置がマスクとウェ
ハの間まだはエネルギー源トマスクの間のギャップを変
化する装置からなる特許請求の範囲第４項記載のリトグ
ラフィー系。 Ｚ 放射エネルギー源がタングステンＩＪ線放射線を発
生する特許請求の範囲第４項〜第６項の１つ（（記載の
リトグラフィー系。 ８、 ターゲットがタングステンＭ線を発生するように
タングステン、タングステン合金およびタングステン化
合物の群から選択されている特許請求の範囲第７項記載
のリトグラフィー系。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US41247582A | 1982-08-30 | 1982-08-30 | |
| US412475 | 1982-08-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940533A true JPS5940533A (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=23633148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132966A Pending JPS5940533A (ja) | 1982-08-30 | 1983-07-22 | Ｘ線リトグラフイ−法およびその方法を実施する系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0104371A2 (ja) |
| JP (1) | JPS5940533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8670886B2 (en) | 2009-06-16 | 2014-03-11 | Sumitomo Heavy Industries Material Handling Systems Co., Ltd. | Hybrid electric power device for crane and control method of hybrid electric power device for crane |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102718146A (zh) * | 2012-06-20 | 2012-10-10 | 三一集团有限公司 | 桥式起重机电气系统和桥式起重机节能方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5376668A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-07 | Fujitsu Ltd | X-ray exposure method |
| JPS5398780A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-29 | Hitachi Ltd | Soft x-ray copy mask and its manufacture |
| JPS5413786A (en) * | 1977-07-04 | 1979-02-01 | Toshiba Corp | Computer tomograph |
| JPS5494882A (en) * | 1978-01-12 | 1979-07-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | X-ray exposure apparatus |
| JPS5720433A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | X-ray exposure transfer mask and transferring method therefor |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58132966A patent/JPS5940533A/ja active Pending
- 1983-08-04 EP EP19830107713 patent/EP0104371A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0104371A2 (en) | 1984-04-04 |
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