JPS5940443A - シャドウマスク及びその製造方法 - Google Patents
シャドウマスク及びその製造方法Info
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- JPS5940443A JPS5940443A JP57147740A JP14774082A JPS5940443A JP S5940443 A JPS5940443 A JP S5940443A JP 57147740 A JP57147740 A JP 57147740A JP 14774082 A JP14774082 A JP 14774082A JP S5940443 A JPS5940443 A JP S5940443A
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- JP
- Japan
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- shadow mask
- rolling
- crystal
- etching
- electron beam
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
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- H01J2229/0727—Aperture plate
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/0777—Coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はテレビ用のシャドウマスクおよびその製造方法
に関する。
に関する。
従来からカラーテレビ受像管として広く使用されている
受像管としてシャドウマスク管がある。
受像管としてシャドウマスク管がある。
このシャドウマスク管は第１図にその基本構造を斜視的
に示す如く多数の成子ビーム通過孔を持ったシャドウマ
スク（１）とその個々の成子ビーム通過孔に対応して形
成された三色螢光面（２）を有し、電子ビーム通過孔に
入射する電子銃（３）からの３本の成子ビームのそれぞ
れの入射角により色選択を行っている。
に示す如く多数の成子ビーム通過孔を持ったシャドウマ
スク（１）とその個々の成子ビーム通過孔に対応して形
成された三色螢光面（２）を有し、電子ビーム通過孔に
入射する電子銃（３）からの３本の成子ビームのそれぞ
れの入射角により色選択を行っている。
なお、前記成子ビーム通過孔の形状は、例えば第２図に
断面的に示す如く散乱電子の発生を避ける様な形状にな
っている。しかしながら現在４子ビ一ム通過孔の形成に
用いられているフォトエツチング法では第２図の如く精
度よく、均一に疏子ビーム通過孔を設ける事は困難であ
り、ドーミング現象と呼ばれる色純度の低下を生じ易い
という欠点がめった。特に最近はテレビ画面の「きめの
細かさ」に対する一般的要求が高１す、送信方式が高品
位テレビ方式と呼ばれる方式に変更しつつある。これに
対応して受像管も更に性能を向上し、ドーミング現象が
なく明所できめの細かい画像を再現する事が望まれてい
る。その為電子ビーム通過孔を高密度高精度化し、ピッ
チを小さくしたシャドウマスクの開発がせ壕られている
。
断面的に示す如く散乱電子の発生を避ける様な形状にな
っている。しかしながら現在４子ビ一ム通過孔の形成に
用いられているフォトエツチング法では第２図の如く精
度よく、均一に疏子ビーム通過孔を設ける事は困難であ
り、ドーミング現象と呼ばれる色純度の低下を生じ易い
という欠点がめった。特に最近はテレビ画面の「きめの
細かさ」に対する一般的要求が高１す、送信方式が高品
位テレビ方式と呼ばれる方式に変更しつつある。これに
対応して受像管も更に性能を向上し、ドーミング現象が
なく明所できめの細かい画像を再現する事が望まれてい
る。その為電子ビーム通過孔を高密度高精度化し、ピッ
チを小さくしたシャドウマスクの開発がせ壕られている
。
寸だドーミング現象を生じる原因として、電子銃から発
生する電子ビームの８０〜８５％がツヤドウマスクに射
突する事による温度上昇に起因してツヤドウマスクが熱
膨張し、（８）子ビーム通過孔と螢光体モザイクとの電
子ビーム軌道上の相対位置関係が変化してドーミング現
象を生じるという欠’ＪＥもあった。
生する電子ビームの８０〜８５％がツヤドウマスクに射
突する事による温度上昇に起因してツヤドウマスクが熱
膨張し、（８）子ビーム通過孔と螢光体モザイクとの電
子ビーム軌道上の相対位置関係が変化してドーミング現
象を生じるという欠’ＪＥもあった。
本発明は以上の点に鑑み、シャドウマスクの電子ビーム
通過孔を高密度で、かつ高精度に設はドーミング現象を
生じる事のない受像管を得る事のできるシャドウマスク
およびその製造方法を提供する事を目的とするものであ
り、さらにシャドウマスク材を選定する事によりｔｔ電
子ビーム射突による熱膨張を抑制し、高性能のものを得
る事ができるというものである。
通過孔を高密度で、かつ高精度に設はドーミング現象を
生じる事のない受像管を得る事のできるシャドウマスク
およびその製造方法を提供する事を目的とするものであ
り、さらにシャドウマスク材を選定する事によりｔｔ電
子ビーム射突による熱膨張を抑制し、高性能のものを得
る事ができるというものである。
本発明は少なくともシャドウマスクの螢光面に対向する
面に（１００）結晶面が３５条以上集合しているシャド
ウマスクおよびエツチングによす′電子ビーム通過孔を
形成するシャドウマスクの製造方法、において、シャド
ウマスク材を鍛造後、圧延面に（１００）結晶面が集合
する如く熱間圧延を施す工程と、圧延率が５０％／１回
を超えない冷間圧延および熱処理を施しシャドウマスク
原板を得る工程と、前記シャドウマスク原板の（１００
）結晶面側にエツチングを施し電子ビーム通過孔を形成
する工程を具備したシャドウマスクの製造方法である。
面に（１００）結晶面が３５条以上集合しているシャド
ウマスクおよびエツチングによす′電子ビーム通過孔を
形成するシャドウマスクの製造方法、において、シャド
ウマスク材を鍛造後、圧延面に（１００）結晶面が集合
する如く熱間圧延を施す工程と、圧延率が５０％／１回
を超えない冷間圧延および熱処理を施しシャドウマスク
原板を得る工程と、前記シャドウマスク原板の（１００
）結晶面側にエツチングを施し電子ビーム通過孔を形成
する工程を具備したシャドウマスクの製造方法である。
つまり不発明はシャドウマスクにフォトエツチングによ
りｄ子ビーム通過孔を形・成する際に、特に面心立方格
子構造、体心立方格子、１１壜造からなる合金のシャド
ウマスクにエツチングを施すことにより高′ＩＩＹ！度
でかつ、１％精度な＋ｉｌ子ビーム通過孔が得られると
いうものである。さらに詳述すればシャト゛ウマスクの
４子ビーム通過孔をフォトエツチングにより形成する際
に、その大きさ、形状を全面にわ／こって微細でかつ均
一に設ける為には、エツチング速就がシャドウマスク全
面によ・いて一定にする必要があり、これはエツチング
面の結晶面を規定する墨によシ達成される点に透口した
ものである。つ−止りエツチング面において、結晶粒が
不揃いＶこなり（１００）結晶面の方向が異なっている
と、エツチングされ易い結晶粒と、されにくいη吉晶粒
との部位でエツチング処理が異なり、微細な１冠子ビ一
ム通過孔を高密度、高精度で得ることが＋Ｊｕ難となゐ
０ そこで本発明に係るシャドウマスクは螢光面に対向する
而、つまりエツチング処理を施す面に（１００１結晶面
が３５饅以上集合したものである。
りｄ子ビーム通過孔を形・成する際に、特に面心立方格
子構造、体心立方格子、１１壜造からなる合金のシャド
ウマスクにエツチングを施すことにより高′ＩＩＹ！度
でかつ、１％精度な＋ｉｌ子ビーム通過孔が得られると
いうものである。さらに詳述すればシャト゛ウマスクの
４子ビーム通過孔をフォトエツチングにより形成する際
に、その大きさ、形状を全面にわ／こって微細でかつ均
一に設ける為には、エツチング速就がシャドウマスク全
面によ・いて一定にする必要があり、これはエツチング
面の結晶面を規定する墨によシ達成される点に透口した
ものである。つ−止りエツチング面において、結晶粒が
不揃いＶこなり（１００）結晶面の方向が異なっている
と、エツチングされ易い結晶粒と、されにくいη吉晶粒
との部位でエツチング処理が異なり、微細な１冠子ビ一
ム通過孔を高密度、高精度で得ることが＋Ｊｕ難となゐ
０ そこで本発明に係るシャドウマスクは螢光面に対向する
而、つまりエツチング処理を施す面に（１００１結晶面
が３５饅以上集合したものである。
なお１ｌｏＯ）結晶面を３５％以上集合させる事によシ
高精度でかつ高密度に１Ｅ子ビ一ム通過孔が制御された
シャドウマスクを得る事ができるが、より好ましくは（
１００）結晶面を４０％以上集合させる事が望ましい。
高精度でかつ高密度に１Ｅ子ビ一ム通過孔が制御された
シャドウマスクを得る事ができるが、より好ましくは（
１００）結晶面を４０％以上集合させる事が望ましい。
ここで螢光面に対向する面（以後「マスクＷ」」と呼称
）に（１００）結晶面が集合している度合とは、次の様
に定義される。即ち、多結晶の個々の粒の（ｉｏｏ）結
晶軸方向の、マスク面に垂直方向への成分を、全ての結
晶性について集計した割合で次の量で定義される。
）に（１００）結晶面が集合している度合とは、次の様
に定義される。即ち、多結晶の個々の粒の（ｉｏｏ）結
晶軸方向の、マスク面に垂直方向への成分を、全ての結
晶性について集計した割合で次の量で定義される。
ここで■φは粒の体積比でφはマスク面垂直方向と（１
００）結晶軸とのなす角である。
００）結晶軸とのなす角である。
また本発明に係る製造方法は上記の如くエツチング面を
（Ｚｏｏ）結晶面に揃える製造方法である。
（Ｚｏｏ）結晶面に揃える製造方法である。
まずシャドウマスク材を鍛造した後、主たる肉厚減少工
程とする事が望ましい熱間圧延を施す工程において、圧
延面に（ｉｏｏ）結晶面を集合させる。
程とする事が望ましい熱間圧延を施す工程において、圧
延面に（ｉｏｏ）結晶面を集合させる。
次に１回圧延率５０チ以下の冷間加工および熱処理を必
要に応じ複数回繰り返し、シャドウマスク原板を形成す
る。なお冷間加工を圧延率５０％以下／１回で行うのは
、強加工を施した際、圧延面の結晶方向が（１００）面
からづれるのを防止する為である。まだ上記の冷間圧延
時の圧延率は実用上１０チ〜３０％とする事が好址しい
。
要に応じ複数回繰り返し、シャドウマスク原板を形成す
る。なお冷間加工を圧延率５０％以下／１回で行うのは
、強加工を施した際、圧延面の結晶方向が（１００）面
からづれるのを防止する為である。まだ上記の冷間圧延
時の圧延率は実用上１０チ〜３０％とする事が好址しい
。
なお本発明において用いるシャドウマスク材としては前
述の如く、結晶面を揃える上から面心立方格子構造、体
心立方格子構造を用いる事が好ましく、実用上インバ型
合金を用いる。このインバ型合金とは亀子ビームの射突
による温度上−昇にかかわらず殆んど膨張、しないもの
で、熱膨張係数が零に近いものであればよく、具体的に
はインバ合金（３６−３Ｎｉ −６３，５Ｆｅ ） 、
超不変鋼（３２Ｎｉ −５Ｃｏ−６３Ｆｅ）、ステンレ
ス不変ｆｆｌ’ｌ （５４Ｃｏ−９，３Ｃｒ−３６，５
Ｆｅ ）、４３Ｐｄ−５７Ｆｅ合金等を用いる事が出来
る。
述の如く、結晶面を揃える上から面心立方格子構造、体
心立方格子構造を用いる事が好ましく、実用上インバ型
合金を用いる。このインバ型合金とは亀子ビームの射突
による温度上−昇にかかわらず殆んど膨張、しないもの
で、熱膨張係数が零に近いものであればよく、具体的に
はインバ合金（３６−３Ｎｉ −６３，５Ｆｅ ） 、
超不変鋼（３２Ｎｉ −５Ｃｏ−６３Ｆｅ）、ステンレ
ス不変ｆｆｌ’ｌ （５４Ｃｏ−９，３Ｃｒ−３６，５
Ｆｅ ）、４３Ｐｄ−５７Ｆｅ合金等を用いる事が出来
る。
また本発明において上記冷間圧延後に施す熱処理は、歪
取焼鈍を行い（ｔｏｏｌ結晶面の安定化を図る為のもの
である。なお所定の冷間圧延および熱処理を施してシャ
ドウマスク原板を得る工程において、例えば圧延率５０
チ以下／１回の冷間圧延を複数回旋した後、最後に熱処
理を施してもよいし、また各冷間圧延後に熱処理を施す
操作を複数回繰り返す事もできる。
取焼鈍を行い（ｔｏｏｌ結晶面の安定化を図る為のもの
である。なお所定の冷間圧延および熱処理を施してシャ
ドウマスク原板を得る工程において、例えば圧延率５０
チ以下／１回の冷間圧延を複数回旋した後、最後に熱処
理を施してもよいし、また各冷間圧延後に熱処理を施す
操作を複数回繰り返す事もできる。
実施例−１
３６％ Ｎｉ−Ｆｅなる成分のインバ合金を溶解し、そ
の鋳塊を連続熱間製線工程により、直径６間の線材とし
だ。この線材を長手方向に直角に鍛造し、厚さ１朋、巾
１００關の断面を有する板体とした。次に９００°Ｃの
熱間圧延により０．５朋厚さとした後、圧延率３０％の
冷間圧延により０．３５ｍｍ厚、２８６ｍｍ巾の薄板を
得、これをロールに巻き取り、熱処理として真空中で５
５０°０，２時間の歪焼鈍を施したさらにこの薄板を圧
延率３０％の冷間圧延によシ０．２４５厚、４０８巾の
薄板とした後、同様に歪取焼鈍の熱処理を施した。この
様な冷間圧延および熱処理の操作を複数回繰り返し、Ｑ
、１ｍｍ厚、１００（Ｌ＋＋＋＋＋巾のシャドウマスク
原板を得た。
の鋳塊を連続熱間製線工程により、直径６間の線材とし
だ。この線材を長手方向に直角に鍛造し、厚さ１朋、巾
１００關の断面を有する板体とした。次に９００°Ｃの
熱間圧延により０．５朋厚さとした後、圧延率３０％の
冷間圧延により０．３５ｍｍ厚、２８６ｍｍ巾の薄板を
得、これをロールに巻き取り、熱処理として真空中で５
５０°０，２時間の歪焼鈍を施したさらにこの薄板を圧
延率３０％の冷間圧延によシ０．２４５厚、４０８巾の
薄板とした後、同様に歪取焼鈍の熱処理を施した。この
様な冷間圧延および熱処理の操作を複数回繰り返し、Ｑ
、１ｍｍ厚、１００（Ｌ＋＋＋＋＋巾のシャドウマスク
原板を得た。
なお上記工程における熱間圧延後の表面状態をＸ線回折
を調べたところ、（１００）結晶面が４０ｑ６集合して
おり、壕だその後の冷間圧延、熱処理後におい”Ｃも安
定した（ｉｏｏ）結晶面が維持されていたつ 次に上記の如き方法により得た（ｉｏｏ）結晶面が集合
した面を有するシャドウマスク原板と、比較例として同
様の熱間圧延を行う麦、圧延率８０５Ｊ／１回の冷間圧
延及び熱処理を施したツヤドウマスクについて、電子ビ
ーム通過孔を設ける事のエツチング処理を施した場合の
比較を行った。例えば塩化第１鉄６係、塩酸０１％の水
溶液を用い、６５′ｂ ６５’ｌ：の温度でエツチングを施し、１匡子ビ一ム通
過孔を設けた。
を調べたところ、（１００）結晶面が４０ｑ６集合して
おり、壕だその後の冷間圧延、熱処理後におい”Ｃも安
定した（ｉｏｏ）結晶面が維持されていたつ 次に上記の如き方法により得た（ｉｏｏ）結晶面が集合
した面を有するシャドウマスク原板と、比較例として同
様の熱間圧延を行う麦、圧延率８０５Ｊ／１回の冷間圧
延及び熱処理を施したツヤドウマスクについて、電子ビ
ーム通過孔を設ける事のエツチング処理を施した場合の
比較を行った。例えば塩化第１鉄６係、塩酸０１％の水
溶液を用い、６５′ｂ ６５’ｌ：の温度でエツチングを施し、１匡子ビ一ム通
過孔を設けた。
なお重子ビーム通過孔はシャドウマスク原板の両面に順
次フォトエツチングを施し、第２図の如き形状とした。
次フォトエツチングを施し、第２図の如き形状とした。
電子ビーム通過孔のピンチは約０．３朋とし、１４型テ
レビ用シヤドウマスクとして約５２万個の電子ビーム通
過孔を形成した。この時のシャドウマスク表面における
。に子ビーム通過孔を調べ、上記実施例−１によるもの
の部分拡大平面図を第３図に、上記比較例によるものｆ
ｉｌｓ分拡大平面図を第４図に示す。なお図中の９は＋
υ電子ビーム通過孔示す。
レビ用シヤドウマスクとして約５２万個の電子ビーム通
過孔を形成した。この時のシャドウマスク表面における
。に子ビーム通過孔を調べ、上記実施例−１によるもの
の部分拡大平面図を第３図に、上記比較例によるものｆ
ｉｌｓ分拡大平面図を第４図に示す。なお図中の９は＋
υ電子ビーム通過孔示す。
この結果から明らかな如く、本発明に係るシャドウマス
クでは均一かつ高精度に゛ｄ電子ビーム通過孔形成され
ている事は明らかである。
クでは均一かつ高精度に゛ｄ電子ビーム通過孔形成され
ている事は明らかである。
実施例−２
上記実施例−１において冷間圧延時の１回の圧延率を２
０係とし、他は同様にして（１００１結晶面が４２％集
合したシャドウマスクを製造した。この結果、実施例−
１と同様の結果を得る事ができた。
０係とし、他は同様にして（１００１結晶面が４２％集
合したシャドウマスクを製造した。この結果、実施例−
１と同様の結果を得る事ができた。
実施例−３
上記実施例−１と同様の鍛造および熱間圧延を施し、０
．５朋厚さ、 ２００１腸巾の薄板をイ！Ｉた後、１
回の圧延率８％程度の冷間圧延を複数回繰シ返すいわゆ
る２０段ロール法を用い、０．１朋厚さ、１ｏｏｏｔπ
ｍ巾で１１００）結晶面が４３チ集合したシャドウマス
ク原イ反を得ンｙ０ 次に５５０′０．２時間の歪取焼鈍の熱処理を施した後
、実施例−１と同様のフォトエツチングを施した。この
結果、第３図と同様に高精度で均一な１・ｉ子ビーム通
過孔を得る事ができた。
．５朋厚さ、 ２００１腸巾の薄板をイ！Ｉた後、１
回の圧延率８％程度の冷間圧延を複数回繰シ返すいわゆ
る２０段ロール法を用い、０．１朋厚さ、１ｏｏｏｔπ
ｍ巾で１１００）結晶面が４３チ集合したシャドウマス
ク原イ反を得ンｙ０ 次に５５０′０．２時間の歪取焼鈍の熱処理を施した後
、実施例−１と同様のフォトエツチングを施した。この
結果、第３図と同様に高精度で均一な１・ｉ子ビーム通
過孔を得る事ができた。
以上の結果から明らかな如く、本発明の製造方法を用い
るにより、表面に（ｉｏｏ）結晶面が集合したシャドウ
マスク原板を得る事ができ、このシャドウマスク原板に
フォトエツチングによｐ ′１４Ｉ子ビーム通過孔を高
密度、高精度でかつ均一に設ける事ができる。この結果
、従来の７ヤドウマスクに比ベピッチ巾を約１／３とす
る手ができ、′４子ビーム通過孔の数を５倍程度まで増
加させる事が可能となり、かつドーミング現象等のない
高品位のものが得られる。さらに本発明においてはシャ
ドウマスク材を選定する事により熱膨張に起因したドー
ミング現象をも改良する事ができる。
るにより、表面に（ｉｏｏ）結晶面が集合したシャドウ
マスク原板を得る事ができ、このシャドウマスク原板に
フォトエツチングによｐ ′１４Ｉ子ビーム通過孔を高
密度、高精度でかつ均一に設ける事ができる。この結果
、従来の７ヤドウマスクに比ベピッチ巾を約１／３とす
る手ができ、′４子ビーム通過孔の数を５倍程度まで増
加させる事が可能となり、かつドーミング現象等のない
高品位のものが得られる。さらに本発明においてはシャ
ドウマスク材を選定する事により熱膨張に起因したドー
ミング現象をも改良する事ができる。
ｔｂ１図はシャドウマスク管の原理を示す針視図、第２
図は＾子ビーム追過孔の形状例を示す１す［面図、１・
・・シャドウマスク ９・・・戊子ビーム通過孔 代ｌ蛎人 弁理士 則 近 意 佑 （ほか１名） 第 １ 図 第２図 １９６ 第３図
図は＾子ビーム追過孔の形状例を示す１す［面図、１・
・・シャドウマスク ９・・・戊子ビーム通過孔 代ｌ蛎人 弁理士 則 近 意 佑 （ほか１名） 第 １ 図 第２図 １９６ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）エツチングにより４子ビ一ム通過孔を形成するシ
ャドウマスクの製造方法において、シャドウマスク材を
鍛造後、圧延面に（ｉｏｏ）結晶面が集合する如く熱間
圧延を施す工程と、圧延率が５０チ／１回を超えない冷
間圧延および熱処理を施しシャドウマスク原板を得る工
程と、前記７ヤドウマスク原板の（１００）結晶面側に
エツチングを施し電子ビーム通過孔を形成する工程とを
具備した事を特徴とするシャドウマスクの製造方法。 （２）少なくともシャドウマスクの螢光面に対向する面
に（１００）結晶面が３５％以上集合している事を特徴
とするシャドウマスク。 ＋３） ４？許請求の範囲第２項においてシャドウマス
クが面心立方格子構造、体心立方格子構造を有する合金
からなる事を特徴とするシャドウマスク。 （４）特許請求の範囲第２項においてシャドウマスクが
インバ型合金からなる事を特徴とするシャドウマスク。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147740A JPS5932859B2 (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | シャドウマスク及びその製造方法 |
| CA000435352A CA1204143A (en) | 1982-08-27 | 1983-08-25 | Textured shadow mask |
| KR1019830003999A KR870000147B1 (ko) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | 새도우마스크 및 그 제조방법 |
| DE8383108417T DE3378442D1 (en) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | Shadow mask, color picture tube and color television |
| EP83108417A EP0104453B1 (en) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | Shadow mask, color picture tube and color television |
| US06/526,824 US4528246A (en) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | Shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147740A JPS5932859B2 (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | シャドウマスク及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10602485A Division JPS6119737A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940443A true JPS5940443A (ja) | 1984-03-06 |
| JPS5932859B2 JPS5932859B2 (ja) | 1984-08-11 |
Family
ID=15437066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147740A Expired JPS5932859B2 (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | シャドウマスク及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932859B2 (ja) |
| KR (1) | KR870000147B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200721A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPS62103943A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | シヤドウマスク原板およびシヤドウマスク |
| JPH0748652A (ja) * | 1986-06-04 | 1995-02-21 | Nkk Corp | プレス成形性に優れたシャドウマスク原板 |
| KR100418813B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2004-04-29 | 엘지마이크론 주식회사 | 섀도우마스크용원소재제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4896636A (en) * | 1989-02-17 | 1990-01-30 | Pfefferle William C | Method of operating I. C. engines and apparatus thereof |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP57147740A patent/JPS5932859B2/ja not_active Expired
-
1983
- 1983-08-26 KR KR1019830003999A patent/KR870000147B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200721A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| JPH0549727B2 (ja) * | 1983-04-27 | 1993-07-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS62103943A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | シヤドウマスク原板およびシヤドウマスク |
| JPH0748652A (ja) * | 1986-06-04 | 1995-02-21 | Nkk Corp | プレス成形性に優れたシャドウマスク原板 |
| KR100418813B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2004-04-29 | 엘지마이크론 주식회사 | 섀도우마스크용원소재제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR840006100A (ko) | 1984-11-21 |
| KR870000147B1 (ko) | 1987-02-12 |
| JPS5932859B2 (ja) | 1984-08-11 |
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