JPS5938642A - ガス検知素子 - Google Patents
ガス検知素子Info
- Publication number
- JPS5938642A JPS5938642A JP14778982A JP14778982A JPS5938642A JP S5938642 A JPS5938642 A JP S5938642A JP 14778982 A JP14778982 A JP 14778982A JP 14778982 A JP14778982 A JP 14778982A JP S5938642 A JPS5938642 A JP S5938642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- baked
- sensitivity
- al2o3
- electrodes
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発E![Jの技術分野J
本発明はカス検知素子に関し、更に詳しくは低n度の還
元性カスに対し高感度で、しかも低温域(室温〜約12
0C)では−酸化炭素(CO)を、高温域(350〜4
50C) ではl l 7 (CH4)、プロパン(C
sHs) ケ選択的に検出するガス検知素子に1+A
フ゛る。
元性カスに対し高感度で、しかも低温域(室温〜約12
0C)では−酸化炭素(CO)を、高温域(350〜4
50C) ではl l 7 (CH4)、プロパン(C
sHs) ケ選択的に検出するガス検知素子に1+A
フ゛る。
〔発明の技術的背景とその問題点」
従来から、大気中の還元性カスを検出するために、N型
半導体11f=性を示す5n02. ZnO* F e
20a などの金属酸化物半導体の焼結体を用いたカ
ス検知素子が知られている。これは、これら笠71′・
S (::9化11戸半導体が還元性カスに接触すると
、ぞの゛市気伝iQす[が増大、すなわち、抵抗値が減
少するという現象を利用したものである。
半導体11f=性を示す5n02. ZnO* F e
20a などの金属酸化物半導体の焼結体を用いたカ
ス検知素子が知られている。これは、これら笠71′・
S (::9化11戸半導体が還元性カスに接触すると
、ぞの゛市気伝iQす[が増大、すなわち、抵抗値が減
少するという現象を利用したものである。
一方、近年、上記した焼結体タイプのカス検出素子に代
り、薄膜タイプの素子に旧する研冗が、エネルギーの有
効利用を前提とするシステム化の傾向に対応した素子の
微小化、多機能化の貿請に応えて、進められている。こ
の形式の素子な」5、上記したような金属酸化物半導体
を、スパッタ法、蒸漸法、CVD法などの薄膜形hy法
でネJνX1(シど)て薄膜とした構造のものである。
り、薄膜タイプの素子に旧する研冗が、エネルギーの有
効利用を前提とするシステム化の傾向に対応した素子の
微小化、多機能化の貿請に応えて、進められている。こ
の形式の素子な」5、上記したような金属酸化物半導体
を、スパッタ法、蒸漸法、CVD法などの薄膜形hy法
でネJνX1(シど)て薄膜とした構造のものである。
焼結体タイプ、薄膜タイプのいずれのガスf:q9:t
+素子にあっても、一般に、金属酸化物半導体のみ/ ではカス検知素子としてその感度が小さく、オX択性も
元号とはいえないため1通常、白金(1)t)。
+素子にあっても、一般に、金属酸化物半導体のみ/ ではカス検知素子としてその感度が小さく、オX択性も
元号とはいえないため1通常、白金(1)t)。
バラジウノ、(I’d)等の負金属を触媒として用いて
、素子の感度を高めることが試みられている。すなわち
、 Pt、Ptl %、−直接匂属酸化物半導体に添
加したり、あるいtJ:、 Pt、Pd を担持する
触媒層を金屑rk化物半嗜体の上に形成するといった方
法がとられている。
、素子の感度を高めることが試みられている。すなわち
、 Pt、Ptl %、−直接匂属酸化物半導体に添
加したり、あるいtJ:、 Pt、Pd を担持する
触媒層を金屑rk化物半嗜体の上に形成するといった方
法がとられている。
このような処(KC′ff:Mずと、無触媒の場合に比
べて感度は向上するが、それでも未だ低濃度の還元性カ
スに対しては充分な感度を示さない、しかも。
べて感度は向上するが、それでも未だ低濃度の還元性カ
スに対しては充分な感度を示さない、しかも。
名利1のiA1A1力性カス在する場合、ある還元性カ
スのみを111感度で選択的に検出することは、他の還
元性カスの影響によって素子の誤動作が誘発されるため
、極めてlII嬌である。とpわけ、COのように低濃
度でも人体に悪影響を及はすカスに関しては、他01元
性カスによる誤動作を排除して検出ブることをよ極めて
困難であった。
スのみを111感度で選択的に検出することは、他の還
元性カスの影響によって素子の誤動作が誘発されるため
、極めてlII嬌である。とpわけ、COのように低濃
度でも人体に悪影響を及はすカスに関しては、他01元
性カスによる誤動作を排除して検出ブることをよ極めて
困難であった。
更には、カス検知素子を一般家庭で使用することを想定
した場合、アルコール蒸気による誤動作全排除すること
が重要な問題となhc。
した場合、アルコール蒸気による誤動作全排除すること
が重要な問題となhc。
〔発明の目的J
本発明り、低@度の還元性カスに対しても高品度であり
、使用温度によシ各釉の珂冗性カスを選択的に検出する
ことのできる薄膜タイプのカス検知素子の提供を目的と
するものである。
、使用温度によシ各釉の珂冗性カスを選択的に検出する
ことのできる薄膜タイプのカス検知素子の提供を目的と
するものである。
本発明のガス検知素子は、一対の宿、椅を(Iffiえ
た絶縁基体の表面に、該電極を被fAシて、インジウム
を含有する有機化合物fc熱分解して作J戊された酸化
インジウム薄膜が設けられ、P、に、該iY膜の上に該
薄膜全被覆して、酸化゛アルミニウムに白、釜。
た絶縁基体の表面に、該電極を被fAシて、インジウム
を含有する有機化合物fc熱分解して作J戊された酸化
インジウム薄膜が設けられ、P、に、該iY膜の上に該
薄膜全被覆して、酸化゛アルミニウムに白、釜。
パラジウム、ロジウムの群からftまれる少なくと%1
種を担持させて成る厚膜触媒層が設けられ−〔いること
を特徴とする。
種を担持させて成る厚膜触媒層が設けられ−〔いること
を特徴とする。
第1図及び第2図は1本発明の1実施輿iを表わしたも
ので、第1図は円筒状素子の断面しく、鳴2図は該素子
の使用状態を示す斜視図である。以下に1本発明を図面
に則して詳細に説明する。
ので、第1図は円筒状素子の断面しく、鳴2図は該素子
の使用状態を示す斜視図である。以下に1本発明を図面
に則して詳細に説明する。
まず、第1図で1値1例えば°アルミナあるいシよムラ
イトから成る筒状の絶縁L(体で、鎖糸(ホlの外周面
には一対の電極2が設けられている。該基体l及び電5
極2を被層して、酸化インジウム(InzO*)のにγ
膜3が設けられ、更にその上には全体を被’+yE L
、て庁(媒の駒4が積層されて本発明の素子が植成され
る。
イトから成る筒状の絶縁L(体で、鎖糸(ホlの外周面
には一対の電極2が設けられている。該基体l及び電5
極2を被層して、酸化インジウム(InzO*)のにγ
膜3が設けられ、更にその上には全体を被’+yE L
、て庁(媒の駒4が積層されて本発明の素子が植成され
る。
ここで、 I 1120n ?’、f膜のII?、厚
B 100OA〜l ttm の範囲にあることが好
まL7〈、該薄膜がlμn1 を超えるとその還元性
ガスに対する感度が低下し、また1 (100Aより小
さい場合にも充分な感度が得られない。更に触W、層4
の厚みFs、10〜50μm の範囲にあることが好オ
しく、この範囲を外れると感度、悉択性等の触媒効果が
低下する。
B 100OA〜l ttm の範囲にあることが好
まL7〈、該薄膜がlμn1 を超えるとその還元性
ガスに対する感度が低下し、また1 (100Aより小
さい場合にも充分な感度が得られない。更に触W、層4
の厚みFs、10〜50μm の範囲にあることが好オ
しく、この範囲を外れると感度、悉択性等の触媒効果が
低下する。
このように枯成された本発明の素子は、第2図に示【ま
たように絶縁板5に立設されたピン6の上に他と接触し
ない状態に取付けて保持される。図中7杖電、vR,用
の1;−ド線、8す、ヒータを表わし、該ヒータ8は、
素子の表面温度(Il1作温度)を調整するために設け
られる。
たように絶縁板5に立設されたピン6の上に他と接触し
ない状態に取付けて保持される。図中7杖電、vR,用
の1;−ド線、8す、ヒータを表わし、該ヒータ8は、
素子の表面温度(Il1作温度)を調整するために設け
られる。
さて1本発明にがかるI nz Ox薄膜灯、有機イン
ジウム仕合物1[−分解して作成されたInzOsff
膜である。この薄膜は次のようにして製造される。
ジウム仕合物1[−分解して作成されたInzOsff
膜である。この薄膜は次のようにして製造される。
まず、インジウムの♀川石#(汐IJえはオクチル酸イ
ンジウム)あるいはIn を含イイする樹脂塩、アル
コキシド(ROIn;ただしR線アルキル基)さらに虹
。
ンジウム)あるいはIn を含イイする樹脂塩、アル
コキシド(ROIn;ただしR線アルキル基)さらに虹
。
有機金属化合物(ILIn; ただしRはアルキル基あ
るいはアリール基)などのInを@壱する1旧)。
るいはアリール基)などのInを@壱する1旧)。
合物ヲトルエン、ベンゼン、n−ブチルアルコールなど
の適宜な溶剤を用いて浴解り、、 Inの所定濃度の
試料溶液を調製する。In濃度は1.0〜2.07i8
L96の範囲にあることが好ましい。
の適宜な溶剤を用いて浴解り、、 Inの所定濃度の
試料溶液を調製する。In濃度は1.0〜2.07i8
L96の範囲にあることが好ましい。
つぎに、この試料溶液を一対の1に、(叙2を有する絶
縁基体lの外周面に塗布し7.空気中でr5+5時間(
通常30分〜1時間)放1i【シた後、適宜な温l坦(
通常約1200)に加熱して用いた溶剤を気化せしめる
。しかる後に、全体を空見中で3()分〜1時曲に亘シ
400〜700Cの温度で焼成すると、インジウムを含
有す゛る有機化合物は熱分解しあわせてIn tr!酸
化されて、ここに1nt03薄膜が形成される、用いる
試料溶液のIn濃度によって異なり一義的には定められ
ないが、この塗布−焼成の工程を1〜4回程度反復して
所定の膜厚のIn*Osk膜が形成される。
縁基体lの外周面に塗布し7.空気中でr5+5時間(
通常30分〜1時間)放1i【シた後、適宜な温l坦(
通常約1200)に加熱して用いた溶剤を気化せしめる
。しかる後に、全体を空見中で3()分〜1時曲に亘シ
400〜700Cの温度で焼成すると、インジウムを含
有す゛る有機化合物は熱分解しあわせてIn tr!酸
化されて、ここに1nt03薄膜が形成される、用いる
試料溶液のIn濃度によって異なり一義的には定められ
ないが、この塗布−焼成の工程を1〜4回程度反復して
所定の膜厚のIn*Osk膜が形成される。
Cのようにして設けられた1n20a薄膜3の上にシよ
、そ゛れ音波+、「zして以1;の方法e〔↓9厚膜触
触媒4が形jjZされる。
、そ゛れ音波+、「zして以1;の方法e〔↓9厚膜触
触媒4が形jjZされる。
本発明にbつで、鱈)i:+を婢層4れ、aτ7化アル
ミニウA (A/20s ) Icパラジウム(Pd)
、白魚(P t )、 oジウムDth)のいずれか1
a又はパラジウム−白金CI−’d−PL) 、パラジ
ウム−ロジウム(Pd−Rh) 。
ミニウA (A/20s ) Icパラジウム(Pd)
、白魚(P t )、 oジウムDth)のいずれか1
a又はパラジウム−白金CI−’d−PL) 、パラジ
ウム−ロジウム(Pd−Rh) 。
白金−ロジウl、(1−’t−Rh)のいずれかltV
を相持′:!、せたf1媒から本−1戊される、このハ
Jl媒t:1.以下のようeこして製造される。
を相持′:!、せたf1媒から本−1戊される、このハ
Jl媒t:1.以下のようeこして製造される。
−まず、flJ、1丁112PtC&+ ・6HzO,
PdC71!2vR1hc6a ”3 H+ OJzど
G Jji化物又r、r (1’Jl(4)z PtC
& 、 (Nii4h k’dc16(NH4)111
Lhc&などのアンモニウム塩を用いて、 Pd。
PdC71!2vR1hc6a ”3 H+ OJzど
G Jji化物又r、r (1’Jl(4)z PtC
& 、 (Nii4h k’dc16(NH4)111
Lhc&などのアンモニウム塩を用いて、 Pd。
PL、Rh のrat定濃度の水溶液を調製する。k
ToOsにP(1,Pt、 Rb fそれぞれ単独で
担持さぜるときにe、1.それぞれの水溶液に所足搦の
Autosを浸漬し、また、 Pd−Pt、 Pr1−
Rh、 Pt−Rh k Altosに担持さセる場合
には、Pd、 Pt、 Rhの水浴液を所定の割合で混
合して混仕浴液どじ、ここに所定組のAltosを浸漬
する。
ToOsにP(1,Pt、 Rb fそれぞれ単独で
担持さぜるときにe、1.それぞれの水溶液に所足搦の
Autosを浸漬し、また、 Pd−Pt、 Pr1−
Rh、 Pt−Rh k Altosに担持さセる場合
には、Pd、 Pt、 Rhの水浴液を所定の割合で混
合して混仕浴液どじ、ここに所定組のAltosを浸漬
する。
充分両者を攪拌混合した後1例えば1〜2時間減圧乾燥
し、更に約100してIJlI熱乾煙する。これを例え
ば乳鉢で粉砕12粉末として1石英ルツボに入れて40
0〜800℃の温度で14Z成する。かぐ【7て、Al
2O5K所’?−M、’ (7) Pd、 P t、
、Rh、 Pd−P t、 Pd −p、h、pt−r
thをそれぞれ担持する触6;、1..がイも1られる
。
し、更に約100してIJlI熱乾煙する。これを例え
ば乳鉢で粉砕12粉末として1石英ルツボに入れて40
0〜800℃の温度で14Z成する。かぐ【7て、Al
2O5K所’?−M、’ (7) Pd、 P t、
、Rh、 Pd−P t、 Pd −p、h、pt−r
thをそれぞれ担持する触6;、1..がイも1られる
。
このとき、 Pd、Pt、 RbのA/20aへのコi
:j 3.、+17−は。
:j 3.、+17−は。
ぞれぞれがJIL独の堵1合にはAl2O3の7ij
31K(Cン・l 1−、。
31K(Cン・l 1−、。
0.05〜20.0 重量9bの範囲が好1しく、こ
の範囲を外れると;に子の感度同上に寄!−z L、な
い、、また。
の範囲を外れると;に子の感度同上に寄!−z L、な
い、、また。
Pd Pt、 Pd−Ith、 Pt Rh L7)A
(?zO3への担持石に関しては、 Pd−Pt、 P
d−Rhのw合、PclはA4(八 の左置に対し0.
05〜20,0重量9bでかつl)t、Iむ11 仁」
。
(?zO3への担持石に関しては、 Pd−Pt、 P
d−Rhのw合、PclはA4(八 の左置に対し0.
05〜20,0重量9bでかつl)t、Iむ11 仁」
。
1)d +’C対する原γ比(Pt/Pd又はIえh/
Pd)で0.05〜1 、0の範囲にあることが好まし
く、Pt−Rh の場合には、ptはAlaOaの重
量に夕・I L O,05〜20゜0垂姑q6でかつ■
ζ11はPtに対ブるI・J先子比(lえり、/P t
)で0.05〜1.0の範囲にあることが13ましい
、この範囲を外れると、得られた素子の惑g回」−に寄
’7 Lない、 このようにしてH”J磐された触媒を、つぎに1例、f
)J バインダとしてアルミニウムヒドロキシクロラ
イド等の水n−+ 71!7を月1いて泥漿とし、この
泥漿をIn2O,、薄117,7の上に所定の厚みで塗
布・乾燥し、そのイ々300〜400℃の?XFt度で
焼成して本発明にかかる片1:媒層が形成される。
Pd)で0.05〜1 、0の範囲にあることが好まし
く、Pt−Rh の場合には、ptはAlaOaの重
量に夕・I L O,05〜20゜0垂姑q6でかつ■
ζ11はPtに対ブるI・J先子比(lえり、/P t
)で0.05〜1.0の範囲にあることが13ましい
、この範囲を外れると、得られた素子の惑g回」−に寄
’7 Lない、 このようにしてH”J磐された触媒を、つぎに1例、f
)J バインダとしてアルミニウムヒドロキシクロラ
イド等の水n−+ 71!7を月1いて泥漿とし、この
泥漿をIn2O,、薄117,7の上に所定の厚みで塗
布・乾燥し、そのイ々300〜400℃の?XFt度で
焼成して本発明にかかる片1:媒層が形成される。
〔発明の実施?+!l J
実施1(−jl 1
1 ) I ns 03ft’7 n’X (り
IL’−1iオクチル酸インジウム全インジウノ・の
含有量が10車ト11’、 96とするようにトルエン
に#解して試料溶液をnLa製した。
IL’−1iオクチル酸インジウム全インジウノ・の
含有量が10車ト11’、 96とするようにトルエン
に#解して試料溶液をnLa製した。
これ?、第1図に示したような一対の電極2を予め設け
た絶縁基体Jの筒の外側表面に塗布して空気中に1時曲
放肖″した後、120U に加熱してトルエンを気化
ぜしめた、 ついで、全体’rsO(Ic、1時間空気中で焼成した
。この塗布−焼成の工程を3回文ツして厚み約0.3μ
mのIn2O3薄膜を形成した。
た絶縁基体Jの筒の外側表面に塗布して空気中に1時曲
放肖″した後、120U に加熱してトルエンを気化
ぜしめた、 ついで、全体’rsO(Ic、1時間空気中で焼成した
。この塗布−焼成の工程を3回文ツして厚み約0.3μ
mのIn2O3薄膜を形成した。
2)触媒層の形成
PdC1*を水に溶解しテP d l −01J、 緻
% ノ水@ vl’iを調製した。ここに1表面積約1
0 On?/fのA11ays微粉を浸漬し充分攪拌し
た。、1.5時間減圧乾燥して水分を除去した後、蒸発
乾固し7た。ついて、乳鉢で粉砕し、得られた粉末を石
英ルツボの中に入れて400Cで焼成した。
% ノ水@ vl’iを調製した。ここに1表面積約1
0 On?/fのA11ays微粉を浸漬し充分攪拌し
た。、1.5時間減圧乾燥して水分を除去した後、蒸発
乾固し7た。ついて、乳鉢で粉砕し、得られた粉末を石
英ルツボの中に入れて400Cで焼成した。
この触媒の粉末を水とアルミニウムヒドロキクロライド
水溶液(A6 O319b )の中に入れて泥漿とした
。この泥漿を* In20g薄膜の上に塗布した後。
水溶液(A6 O319b )の中に入れて泥漿とした
。この泥漿を* In20g薄膜の上に塗布した後。
乾燥し、全体全400℃で焼成した。厚み20μmのP
d担持A A20gの触媒層が形成された、3)感度特
性の測定 以上のようにして製造した本発明のカス検知素子から第
2図に示した装置を組立て、これを用いて濃/ff20
0ppmのCO,H2、ClI4 、C8H8及び1度
11000ppのCs Hs OHのガスに対し、素子
の沖1作温度に関する感度をRa i r/Rg a
s として測定した。仁こで、lζairは測定カス
を含まない望見中において素子が示した抵抗値であり、
Rga8+よ上記ガスをそれぞれの儂度含有する突気
中において素子が示した抵抗賊である。 Ra1r/R
gasが大きい程、高感度であることを意味する。
d担持A A20gの触媒層が形成された、3)感度特
性の測定 以上のようにして製造した本発明のカス検知素子から第
2図に示した装置を組立て、これを用いて濃/ff20
0ppmのCO,H2、ClI4 、C8H8及び1度
11000ppのCs Hs OHのガスに対し、素子
の沖1作温度に関する感度をRa i r/Rg a
s として測定した。仁こで、lζairは測定カス
を含まない望見中において素子が示した抵抗値であり、
Rga8+よ上記ガスをそれぞれの儂度含有する突気
中において素子が示した抵抗賊である。 Ra1r/R
gasが大きい程、高感度であることを意味する。
その結果を、第31ツ1に一括して示した。
な」91比較のために、 Ptt−Al*Os触媒層が
設けられずI nx Os ?、5膜のみを(iffえ
たガス検知素子の感度を第4図に示した。
設けられずI nx Os ?、5膜のみを(iffえ
たガス検知素子の感度を第4図に示した。
図中、QはCO9△けII2.■はC山、0社C5)I
s。
s。
9虹Ct Hs OHをそれぞれ表わす。
第4図から明らかなように& In?Os薄膜のみを設
けた素子1.1.全体的にその感度が小さい。しかし、
更に仁の上にPd−A/!20i触媒層を設けた本発明
の素子” 、第3図から明らかなようにその感度が全体
として増大り、て高感度になっている。しかも重曹なこ
とね1.動作温四によシガス選択性が異なることである
。−すなわち、動作温度が約120C以下という低温域
にあってil!、、CdLsOH11000pp に
対するよりもCO200ppmに対する感度が高く。
けた素子1.1.全体的にその感度が小さい。しかし、
更に仁の上にPd−A/!20i触媒層を設けた本発明
の素子” 、第3図から明らかなようにその感度が全体
として増大り、て高感度になっている。しかも重曹なこ
とね1.動作温四によシガス選択性が異なることである
。−すなわち、動作温度が約120C以下という低温域
にあってil!、、CdLsOH11000pp に
対するよりもCO200ppmに対する感度が高く。
また、約400C以上の高温域にあっては、 −C2H
50H10(10ppmに対するよシもlb 、 CH
4、Cm)Is各200ppmに対する感度が高い。
50H10(10ppmに対するよシもlb 、 CH
4、Cm)Is各200ppmに対する感度が高い。
実施例2
表に示した本発明にかかる触IIY、を用いて、本発明
の素子奮実施例1と同様にして製造し、ツ)1保温度1
00C,350C,400CKおける各素子の感度(R
air/Rgas) ’e測測定た。
の素子奮実施例1と同様にして製造し、ツ)1保温度1
00C,350C,400CKおける各素子の感度(R
air/Rgas) ’e測測定た。
な訃、触媒において、 Pd、Pt、Rh iそれぞ
れ単独でAA!20gに担持させたものは、 A/z0
3のMd「ンに対し全て1.0重量%であった。また、
Pd−Pt。
れ単独でAA!20gに担持させたものは、 A/z0
3のMd「ンに対し全て1.0重量%であった。また、
Pd−Pt。
Pd −Rh (7)場合には、P dノA 120
aに対する担持1σはi、o重f’tl: 96でかつ
pt、ithはPd&C対1−る原−不化で0.5であ
った。))t−RhについCは、PtがAg2Ogに対
し1.0重址96 、 Rh 祉Ptに対する原子比で
0.5であった。
aに対する担持1σはi、o重f’tl: 96でかつ
pt、ithはPd&C対1−る原−不化で0.5であ
った。))t−RhについCは、PtがAg2Ogに対
し1.0重址96 、 Rh 祉Ptに対する原子比で
0.5であった。
その結果を表に示した。
表から明らかなように1本発明の素子はとくにCOに対
しては高感度を示しいずれも1000倍以上の値である
。また、 CH4、Cs1lsについても10倍以上と
高感度である。また、Ca Ha OHの感敦扛C)1
.4が最大感度を示す400Cではその感度1名しく低
下し、 CL 、C5Hs 200 ppmよシもCz
flsOIllooop plnの方が低感度である。
しては高感度を示しいずれも1000倍以上の値である
。また、 CH4、Cs1lsについても10倍以上と
高感度である。また、Ca Ha OHの感敦扛C)1
.4が最大感度を示す400Cではその感度1名しく低
下し、 CL 、C5Hs 200 ppmよシもCz
flsOIllooop plnの方が低感度である。
〔発明の効果J
以上の説明のように1本発明のガス検知素子は低濃度の
還元性ガスに対し高感度を示し、しかも、室温〜約12
00の低温域ではCOに対する33度9〒性に優れ、約
350〜450℃の高温域においてv;1、。
還元性ガスに対し高感度を示し、しかも、室温〜約12
00の低温域ではCOに対する33度9〒性に優れ、約
350〜450℃の高温域においてv;1、。
CJ(4、C5Hsが高感度を示して選択性に優れてい
る。
る。
そのため、動作温度を変えることにより、 C211s
01(の存在に基づく誤動作を排除して各種還元性ガス
を検出することができて有用である。
01(の存在に基づく誤動作を排除して各種還元性ガス
を検出することができて有用である。
第1図は本発明ガス検知素子の1例のUr面図。
第2図は該素子を組立てて成る装随例であるr、第3図
は本発明素子の各種ガスに対する感度特性を表わす図、
第4図Iユ本発明にかかるI n20輯]り11へ掛の
感1(り・¥性5c表わす図である。 1 ・・・絶fi 、ltl; (木、 2−’山、
4へ、 3 − I n20s 台膜、 4・
・・/ii:θ・i、+qi、s・・・π1rリヱイF
/、6・・ ピン、7・・・リード練。 8・・)ニーター 第1図 第2図
は本発明素子の各種ガスに対する感度特性を表わす図、
第4図Iユ本発明にかかるI n20輯]り11へ掛の
感1(り・¥性5c表わす図である。 1 ・・・絶fi 、ltl; (木、 2−’山、
4へ、 3 − I n20s 台膜、 4・
・・/ii:θ・i、+qi、s・・・π1rリヱイF
/、6・・ ピン、7・・・リード練。 8・・)ニーター 第1図 第2図
Claims (1)
- 一対の電極′fc備えた絶縁基体の表面に、該電極を被
覆して、インジウムを含有した有機化合物を熱分解して
作成された酸化インジウム薄膜が設けられ、更に、該薄
膜の上に該薄膜を被覆して、酸化アルミニウムに白金、
パラジウム、ロジウムの群から選ばれる少なくとも1種
を担持させて成る厚膜/il+媒啼が設けられているこ
とf:特徴とするガス検知素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14778982A JPS5938642A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14778982A JPS5938642A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | ガス検知素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5938642A true JPS5938642A (ja) | 1984-03-02 |
JPH051417B2 JPH051417B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15438233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14778982A Granted JPS5938642A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | ガス検知素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5938642A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6383650A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | ガスセンサの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS547196A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Figaro Eng | Gas detecting element |
JPS5594153A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-17 | Fuigaro Giken Kk | Methane gas detector |
JPS5926042A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Fuigaro Giken Kk | ガス検出素子 |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14778982A patent/JPS5938642A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS547196A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Figaro Eng | Gas detecting element |
JPS5594153A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-17 | Fuigaro Giken Kk | Methane gas detector |
JPS5926042A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Fuigaro Giken Kk | ガス検出素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6383650A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | ガスセンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH051417B2 (ja) | 1993-01-08 |
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