JPS5938642A - ガス検知素子 - Google Patents
ガス検知素子Info
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- JPS5938642A JPS5938642A JP14778982A JP14778982A JPS5938642A JP S5938642 A JPS5938642 A JP S5938642A JP 14778982 A JP14778982 A JP 14778982A JP 14778982 A JP14778982 A JP 14778982A JP S5938642 A JPS5938642 A JP S5938642A
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- JP
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- thin film
- baked
- sensitivity
- al2o3
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発Ｅ！［Ｊの技術分野Ｊ
本発明はカス検知素子に関し、更に詳しくは低ｎ度の還
元性カスに対し高感度で、しかも低温域（室温〜約１２
０Ｃ）では−酸化炭素（ＣＯ）を、高温域（３５０〜４
５０Ｃ） ではｌ ｌ ７ （ＣＨ４）、プロパン（Ｃ
ｓＨｓ） ケ選択的に検出するガス検知素子に１＋Ａ
フ゛る。
元性カスに対し高感度で、しかも低温域（室温〜約１２
０Ｃ）では−酸化炭素（ＣＯ）を、高温域（３５０〜４
５０Ｃ） ではｌ ｌ ７ （ＣＨ４）、プロパン（Ｃ
ｓＨｓ） ケ選択的に検出するガス検知素子に１＋Ａ
フ゛る。
〔発明の技術的背景とその問題点」
従来から、大気中の還元性カスを検出するために、Ｎ型
半導体１１ｆ＝性を示す５ｎ０２． ＺｎＯ＊ Ｆ ｅ
２０ａ などの金属酸化物半導体の焼結体を用いたカ
ス検知素子が知られている。これは、これら笠７１′・
Ｓ （：：９化１１戸半導体が還元性カスに接触すると
、ぞの゛市気伝ｉＱす［が増大、すなわち、抵抗値が減
少するという現象を利用したものである。
半導体１１ｆ＝性を示す５ｎ０２． ＺｎＯ＊ Ｆ ｅ
２０ａ などの金属酸化物半導体の焼結体を用いたカ
ス検知素子が知られている。これは、これら笠７１′・
Ｓ （：：９化１１戸半導体が還元性カスに接触すると
、ぞの゛市気伝ｉＱす［が増大、すなわち、抵抗値が減
少するという現象を利用したものである。
一方、近年、上記した焼結体タイプのカス検出素子に代
り、薄膜タイプの素子に旧する研冗が、エネルギーの有
効利用を前提とするシステム化の傾向に対応した素子の
微小化、多機能化の貿請に応えて、進められている。こ
の形式の素子な」５、上記したような金属酸化物半導体
を、スパッタ法、蒸漸法、ＣＶＤ法などの薄膜形ｈｙ法
でネＪνＸ１（シど）て薄膜とした構造のものである。
り、薄膜タイプの素子に旧する研冗が、エネルギーの有
効利用を前提とするシステム化の傾向に対応した素子の
微小化、多機能化の貿請に応えて、進められている。こ
の形式の素子な」５、上記したような金属酸化物半導体
を、スパッタ法、蒸漸法、ＣＶＤ法などの薄膜形ｈｙ法
でネＪνＸ１（シど）て薄膜とした構造のものである。
焼結体タイプ、薄膜タイプのいずれのガスｆ：ｑ９：ｔ
＋素子にあっても、一般に、金属酸化物半導体のみ／ ではカス検知素子としてその感度が小さく、オＸ択性も
元号とはいえないため１通常、白金（１）ｔ）。
＋素子にあっても、一般に、金属酸化物半導体のみ／ ではカス検知素子としてその感度が小さく、オＸ択性も
元号とはいえないため１通常、白金（１）ｔ）。
バラジウノ、（Ｉ’ｄ）等の負金属を触媒として用いて
、素子の感度を高めることが試みられている。すなわち
、 Ｐｔ、Ｐｔｌ ％、−直接匂属酸化物半導体に添
加したり、あるいｔＪ：、 Ｐｔ、Ｐｄ を担持する
触媒層を金屑ｒｋ化物半嗜体の上に形成するといった方
法がとられている。
、素子の感度を高めることが試みられている。すなわち
、 Ｐｔ、Ｐｔｌ ％、−直接匂属酸化物半導体に添
加したり、あるいｔＪ：、 Ｐｔ、Ｐｄ を担持する
触媒層を金屑ｒｋ化物半嗜体の上に形成するといった方
法がとられている。
このような処（ＫＣ′ｆｆ：Ｍずと、無触媒の場合に比
べて感度は向上するが、それでも未だ低濃度の還元性カ
スに対しては充分な感度を示さない、しかも。
べて感度は向上するが、それでも未だ低濃度の還元性カ
スに対しては充分な感度を示さない、しかも。
名利１のｉＡ１Ａ１力性カス在する場合、ある還元性カ
スのみを１１１感度で選択的に検出することは、他の還
元性カスの影響によって素子の誤動作が誘発されるため
、極めてｌＩＩ嬌である。とｐわけ、ＣＯのように低濃
度でも人体に悪影響を及はすカスに関しては、他０１元
性カスによる誤動作を排除して検出ブることをよ極めて
困難であった。
スのみを１１１感度で選択的に検出することは、他の還
元性カスの影響によって素子の誤動作が誘発されるため
、極めてｌＩＩ嬌である。とｐわけ、ＣＯのように低濃
度でも人体に悪影響を及はすカスに関しては、他０１元
性カスによる誤動作を排除して検出ブることをよ極めて
困難であった。
更には、カス検知素子を一般家庭で使用することを想定
した場合、アルコール蒸気による誤動作全排除すること
が重要な問題となｈｃ。
した場合、アルコール蒸気による誤動作全排除すること
が重要な問題となｈｃ。
〔発明の目的Ｊ
本発明り、低＠度の還元性カスに対しても高品度であり
、使用温度によシ各釉の珂冗性カスを選択的に検出する
ことのできる薄膜タイプのカス検知素子の提供を目的と
するものである。
、使用温度によシ各釉の珂冗性カスを選択的に検出する
ことのできる薄膜タイプのカス検知素子の提供を目的と
するものである。
本発明のガス検知素子は、一対の宿、椅を（Ｉｆｆｉえ
た絶縁基体の表面に、該電極を被ｆＡシて、インジウム
を含有する有機化合物ｆｃ熱分解して作Ｊ戊された酸化
インジウム薄膜が設けられ、Ｐ、に、該ｉＹ膜の上に該
薄膜全被覆して、酸化゛アルミニウムに白、釜。
た絶縁基体の表面に、該電極を被ｆＡシて、インジウム
を含有する有機化合物ｆｃ熱分解して作Ｊ戊された酸化
インジウム薄膜が設けられ、Ｐ、に、該ｉＹ膜の上に該
薄膜全被覆して、酸化゛アルミニウムに白、釜。
パラジウム、ロジウムの群からｆｔまれる少なくと％１
種を担持させて成る厚膜触媒層が設けられ−〔いること
を特徴とする。
種を担持させて成る厚膜触媒層が設けられ−〔いること
を特徴とする。
第１図及び第２図は１本発明の１実施輿ｉを表わしたも
ので、第１図は円筒状素子の断面しく、鳴２図は該素子
の使用状態を示す斜視図である。以下に１本発明を図面
に則して詳細に説明する。
ので、第１図は円筒状素子の断面しく、鳴２図は該素子
の使用状態を示す斜視図である。以下に１本発明を図面
に則して詳細に説明する。
まず、第１図で１値１例えば°アルミナあるいシよムラ
イトから成る筒状の絶縁Ｌ（体で、鎖糸（ホｌの外周面
には一対の電極２が設けられている。該基体ｌ及び電５
極２を被層して、酸化インジウム（ＩｎｚＯ＊）のにγ
膜３が設けられ、更にその上には全体を被’＋ｙＥ Ｌ
、て庁（媒の駒４が積層されて本発明の素子が植成され
る。
イトから成る筒状の絶縁Ｌ（体で、鎖糸（ホｌの外周面
には一対の電極２が設けられている。該基体ｌ及び電５
極２を被層して、酸化インジウム（ＩｎｚＯ＊）のにγ
膜３が設けられ、更にその上には全体を被’＋ｙＥ Ｌ
、て庁（媒の駒４が積層されて本発明の素子が植成され
る。
ここで、 Ｉ １１２０ｎ ？’、ｆ膜のＩＩ？、厚
Ｂ １００ＯＡ〜ｌ ｔｔｍ の範囲にあることが好
まＬ７〈、該薄膜がｌμｎ１ を超えるとその還元性
ガスに対する感度が低下し、また１ （１００Ａより小
さい場合にも充分な感度が得られない。更に触Ｗ、層４
の厚みＦｓ、１０〜５０μｍ の範囲にあることが好オ
しく、この範囲を外れると感度、悉択性等の触媒効果が
低下する。
Ｂ １００ＯＡ〜ｌ ｔｔｍ の範囲にあることが好
まＬ７〈、該薄膜がｌμｎ１ を超えるとその還元性
ガスに対する感度が低下し、また１ （１００Ａより小
さい場合にも充分な感度が得られない。更に触Ｗ、層４
の厚みＦｓ、１０〜５０μｍ の範囲にあることが好オ
しく、この範囲を外れると感度、悉択性等の触媒効果が
低下する。
このように枯成された本発明の素子は、第２図に示【ま
たように絶縁板５に立設されたピン６の上に他と接触し
ない状態に取付けて保持される。図中７杖電、ｖＲ，用
の１；−ド線、８す、ヒータを表わし、該ヒータ８は、
素子の表面温度（Ｉｌ１作温度）を調整するために設け
られる。
たように絶縁板５に立設されたピン６の上に他と接触し
ない状態に取付けて保持される。図中７杖電、ｖＲ，用
の１；−ド線、８す、ヒータを表わし、該ヒータ８は、
素子の表面温度（Ｉｌ１作温度）を調整するために設け
られる。
さて１本発明にがかるＩ ｎｚ Ｏｘ薄膜灯、有機イン
ジウム仕合物１［−分解して作成されたＩｎｚＯｓｆｆ
膜である。この薄膜は次のようにして製造される。
ジウム仕合物１［−分解して作成されたＩｎｚＯｓｆｆ
膜である。この薄膜は次のようにして製造される。
まず、インジウムの♀川石＃（汐ＩＪえはオクチル酸イ
ンジウム）あるいはＩｎ を含イイする樹脂塩、アル
コキシド（ＲＯＩｎ；ただしＲ線アルキル基）さらに虹
。
ンジウム）あるいはＩｎ を含イイする樹脂塩、アル
コキシド（ＲＯＩｎ；ただしＲ線アルキル基）さらに虹
。
有機金属化合物（ＩＬＩｎ； ただしＲはアルキル基あ
るいはアリール基）などのＩｎを＠壱する１旧）。
るいはアリール基）などのＩｎを＠壱する１旧）。
合物ヲトルエン、ベンゼン、ｎ−ブチルアルコールなど
の適宜な溶剤を用いて浴解り、、 Ｉｎの所定濃度の
試料溶液を調製する。Ｉｎ濃度は１．０〜２．０７ｉ８
Ｌ９６の範囲にあることが好ましい。
の適宜な溶剤を用いて浴解り、、 Ｉｎの所定濃度の
試料溶液を調製する。Ｉｎ濃度は１．０〜２．０７ｉ８
Ｌ９６の範囲にあることが好ましい。
つぎに、この試料溶液を一対の１に、（叙２を有する絶
縁基体ｌの外周面に塗布し７．空気中でｒ５＋５時間（
通常３０分〜１時間）放１ｉ【シた後、適宜な温ｌ坦（
通常約１２００）に加熱して用いた溶剤を気化せしめる
。しかる後に、全体を空見中で３（）分〜１時曲に亘シ
４００〜７００Ｃの温度で焼成すると、インジウムを含
有す゛る有機化合物は熱分解しあわせてＩｎ ｔｒ！酸
化されて、ここに１ｎｔ０３薄膜が形成される、用いる
試料溶液のＩｎ濃度によって異なり一義的には定められ
ないが、この塗布−焼成の工程を１〜４回程度反復して
所定の膜厚のＩｎ＊Ｏｓｋ膜が形成される。
縁基体ｌの外周面に塗布し７．空気中でｒ５＋５時間（
通常３０分〜１時間）放１ｉ【シた後、適宜な温ｌ坦（
通常約１２００）に加熱して用いた溶剤を気化せしめる
。しかる後に、全体を空見中で３（）分〜１時曲に亘シ
４００〜７００Ｃの温度で焼成すると、インジウムを含
有す゛る有機化合物は熱分解しあわせてＩｎ ｔｒ！酸
化されて、ここに１ｎｔ０３薄膜が形成される、用いる
試料溶液のＩｎ濃度によって異なり一義的には定められ
ないが、この塗布−焼成の工程を１〜４回程度反復して
所定の膜厚のＩｎ＊Ｏｓｋ膜が形成される。
Ｃのようにして設けられた１ｎ２０ａ薄膜３の上にシよ
、そ゛れ音波＋、「ｚして以１；の方法ｅ〔↓９厚膜触
触媒４が形ｊｊＺされる。
、そ゛れ音波＋、「ｚして以１；の方法ｅ〔↓９厚膜触
触媒４が形ｊｊＺされる。
本発明にｂつで、鱈）ｉ：＋を婢層４れ、ａτ７化アル
ミニウＡ （Ａ／２０ｓ ） Ｉｃパラジウム（Ｐｄ）
、白魚（Ｐ ｔ ）、 ｏジウムＤｔｈ）のいずれか１
ａ又はパラジウム−白金ＣＩ−’ｄ−ＰＬ） 、パラジ
ウム−ロジウム（Ｐｄ−Ｒｈ） 。
ミニウＡ （Ａ／２０ｓ ） Ｉｃパラジウム（Ｐｄ）
、白魚（Ｐ ｔ ）、 ｏジウムＤｔｈ）のいずれか１
ａ又はパラジウム−白金ＣＩ−’ｄ−ＰＬ） 、パラジ
ウム−ロジウム（Ｐｄ−Ｒｈ） 。
白金−ロジウｌ、（１−’ｔ−Ｒｈ）のいずれかｌｔＶ
を相持′：！、せたｆ１媒から本−１戊される、このハ
Ｊｌ媒ｔ：１．以下のようｅこして製造される。
を相持′：！、せたｆ１媒から本−１戊される、このハ
Ｊｌ媒ｔ：１．以下のようｅこして製造される。
−まず、ｆｌＪ、１丁１１２ＰｔＣ＆＋ ・６ＨｚＯ，
ＰｄＣ７１！２ｖＲ１ｈｃ６ａ ”３ Ｈ＋ ＯＪｚど
Ｇ Ｊｊｉ化物又ｒ、ｒ （１’Ｊｌ（４）ｚ ＰｔＣ
＆ 、 （Ｎｉｉ４ｈ ｋ’ｄｃ１６（ＮＨ４）１１１
Ｌｈｃ＆などのアンモニウム塩を用いて、 Ｐｄ。
ＰｄＣ７１！２ｖＲ１ｈｃ６ａ ”３ Ｈ＋ ＯＪｚど
Ｇ Ｊｊｉ化物又ｒ、ｒ （１’Ｊｌ（４）ｚ ＰｔＣ
＆ 、 （Ｎｉｉ４ｈ ｋ’ｄｃ１６（ＮＨ４）１１１
Ｌｈｃ＆などのアンモニウム塩を用いて、 Ｐｄ。
ＰＬ、Ｒｈ のｒａｔ定濃度の水溶液を調製する。ｋ
ＴｏＯｓにＰ（１，Ｐｔ、 Ｒｂ ｆそれぞれ単独で
担持さぜるときにｅ、１．それぞれの水溶液に所足搦の
Ａｕｔｏｓを浸漬し、また、 Ｐｄ−Ｐｔ、 Ｐｒ１−
Ｒｈ、 Ｐｔ−Ｒｈ ｋ Ａｌｔｏｓに担持さセる場合
には、Ｐｄ、 Ｐｔ、 Ｒｈの水浴液を所定の割合で混
合して混仕浴液どじ、ここに所定組のＡｌｔｏｓを浸漬
する。
ＴｏＯｓにＰ（１，Ｐｔ、 Ｒｂ ｆそれぞれ単独で
担持さぜるときにｅ、１．それぞれの水溶液に所足搦の
Ａｕｔｏｓを浸漬し、また、 Ｐｄ−Ｐｔ、 Ｐｒ１−
Ｒｈ、 Ｐｔ−Ｒｈ ｋ Ａｌｔｏｓに担持さセる場合
には、Ｐｄ、 Ｐｔ、 Ｒｈの水浴液を所定の割合で混
合して混仕浴液どじ、ここに所定組のＡｌｔｏｓを浸漬
する。
充分両者を攪拌混合した後１例えば１〜２時間減圧乾燥
し、更に約１００してＩＪｌＩ熱乾煙する。これを例え
ば乳鉢で粉砕１２粉末として１石英ルツボに入れて４０
０〜８００℃の温度で１４Ｚ成する。かぐ【７て、Ａｌ
２Ｏ５Ｋ所’？−Ｍ、’ （７） Ｐｄ、 Ｐ ｔ、
、Ｒｈ、 Ｐｄ−Ｐ ｔ、 Ｐｄ −ｐ、ｈ、ｐｔ−ｒ
ｔｈをそれぞれ担持する触６；、１．．がイも１られる
。
し、更に約１００してＩＪｌＩ熱乾煙する。これを例え
ば乳鉢で粉砕１２粉末として１石英ルツボに入れて４０
０〜８００℃の温度で１４Ｚ成する。かぐ【７て、Ａｌ
２Ｏ５Ｋ所’？−Ｍ、’ （７） Ｐｄ、 Ｐ ｔ、
、Ｒｈ、 Ｐｄ−Ｐ ｔ、 Ｐｄ −ｐ、ｈ、ｐｔ−ｒ
ｔｈをそれぞれ担持する触６；、１．．がイも１られる
。
このとき、 Ｐｄ、Ｐｔ、 ＲｂのＡ／２０ａへのコｉ
：ｊ ３．、＋１７−は。
：ｊ ３．、＋１７−は。
ぞれぞれがＪＩＬ独の堵１合にはＡｌ２Ｏ３の７ｉｊ
３１Ｋ（Ｃン・ｌ １−、。
３１Ｋ（Ｃン・ｌ １−、。
０．０５〜２０．０ 重量９ｂの範囲が好１しく、こ
の範囲を外れると；に子の感度同上に寄！−ｚ Ｌ、な
い、、また。
の範囲を外れると；に子の感度同上に寄！−ｚ Ｌ、な
い、、また。
Ｐｄ Ｐｔ、 Ｐｄ−Ｉｔｈ、 Ｐｔ Ｒｈ Ｌ７）Ａ
（？ｚＯ３への担持石に関しては、 Ｐｄ−Ｐｔ、 Ｐ
ｄ−Ｒｈのｗ合、ＰｃｌはＡ４（八 の左置に対し０．
０５〜２０，０重量９ｂでかつｌ）ｔ、Ｉむ１１ 仁」
。
（？ｚＯ３への担持石に関しては、 Ｐｄ−Ｐｔ、 Ｐ
ｄ−Ｒｈのｗ合、ＰｃｌはＡ４（八 の左置に対し０．
０５〜２０，０重量９ｂでかつｌ）ｔ、Ｉむ１１ 仁」
。
１）ｄ ＋’Ｃ対する原γ比（Ｐｔ／Ｐｄ又はＩえｈ／
Ｐｄ）で０．０５〜１ 、０の範囲にあることが好まし
く、Ｐｔ−Ｒｈ の場合には、ｐｔはＡｌａＯａの重
量に夕・Ｉ Ｌ Ｏ，０５〜２０゜０垂姑ｑ６でかつ■
ζ１１はＰｔに対ブるＩ・Ｊ先子比（ｌえり、／Ｐ ｔ
）で０．０５〜１．０の範囲にあることが１３ましい
、この範囲を外れると、得られた素子の惑ｇ回」−に寄
’７ Ｌない、 このようにしてＨ”Ｊ磐された触媒を、つぎに１例、ｆ
）Ｊ バインダとしてアルミニウムヒドロキシクロラ
イド等の水ｎ−＋ ７１！７を月１いて泥漿とし、この
泥漿をＩｎ２Ｏ，、薄１１７，７の上に所定の厚みで塗
布・乾燥し、そのイ々３００〜４００℃の？ＸＦｔ度で
焼成して本発明にかかる片１：媒層が形成される。
Ｐｄ）で０．０５〜１ 、０の範囲にあることが好まし
く、Ｐｔ−Ｒｈ の場合には、ｐｔはＡｌａＯａの重
量に夕・Ｉ Ｌ Ｏ，０５〜２０゜０垂姑ｑ６でかつ■
ζ１１はＰｔに対ブるＩ・Ｊ先子比（ｌえり、／Ｐ ｔ
）で０．０５〜１．０の範囲にあることが１３ましい
、この範囲を外れると、得られた素子の惑ｇ回」−に寄
’７ Ｌない、 このようにしてＨ”Ｊ磐された触媒を、つぎに１例、ｆ
）Ｊ バインダとしてアルミニウムヒドロキシクロラ
イド等の水ｎ−＋ ７１！７を月１いて泥漿とし、この
泥漿をＩｎ２Ｏ，、薄１１７，７の上に所定の厚みで塗
布・乾燥し、そのイ々３００〜４００℃の？ＸＦｔ度で
焼成して本発明にかかる片１：媒層が形成される。
〔発明の実施？＋！ｌ Ｊ
実施１（−ｊｌ １
１ ） Ｉ ｎｓ ０３ｆｔ’７ ｎ’Ｘ （り
ＩＬ’−１ｉオクチル酸インジウム全インジウノ・の
含有量が１０車ト１１’、 ９６とするようにトルエン
に＃解して試料溶液をｎＬａ製した。
ＩＬ’−１ｉオクチル酸インジウム全インジウノ・の
含有量が１０車ト１１’、 ９６とするようにトルエン
に＃解して試料溶液をｎＬａ製した。
これ？、第１図に示したような一対の電極２を予め設け
た絶縁基体Ｊの筒の外側表面に塗布して空気中に１時曲
放肖″した後、１２０Ｕ に加熱してトルエンを気化
ぜしめた、 ついで、全体’ｒｓＯ（Ｉｃ、１時間空気中で焼成した
。この塗布−焼成の工程を３回文ツして厚み約０．３μ
ｍのＩｎ２Ｏ３薄膜を形成した。
た絶縁基体Ｊの筒の外側表面に塗布して空気中に１時曲
放肖″した後、１２０Ｕ に加熱してトルエンを気化
ぜしめた、 ついで、全体’ｒｓＯ（Ｉｃ、１時間空気中で焼成した
。この塗布−焼成の工程を３回文ツして厚み約０．３μ
ｍのＩｎ２Ｏ３薄膜を形成した。
２）触媒層の形成
ＰｄＣ１＊を水に溶解しテＰ ｄ ｌ −０１Ｊ、 緻
％ ノ水＠ ｖｌ’ｉを調製した。ここに１表面積約１
０ Ｏｎ？／ｆのＡ１１ａｙｓ微粉を浸漬し充分攪拌し
た。、１．５時間減圧乾燥して水分を除去した後、蒸発
乾固し７た。ついて、乳鉢で粉砕し、得られた粉末を石
英ルツボの中に入れて４００Ｃで焼成した。
％ ノ水＠ ｖｌ’ｉを調製した。ここに１表面積約１
０ Ｏｎ？／ｆのＡ１１ａｙｓ微粉を浸漬し充分攪拌し
た。、１．５時間減圧乾燥して水分を除去した後、蒸発
乾固し７た。ついて、乳鉢で粉砕し、得られた粉末を石
英ルツボの中に入れて４００Ｃで焼成した。
この触媒の粉末を水とアルミニウムヒドロキクロライド
水溶液（Ａ６ Ｏ３１９ｂ ）の中に入れて泥漿とした
。この泥漿を＊ Ｉｎ２０ｇ薄膜の上に塗布した後。
水溶液（Ａ６ Ｏ３１９ｂ ）の中に入れて泥漿とした
。この泥漿を＊ Ｉｎ２０ｇ薄膜の上に塗布した後。
乾燥し、全体全４００℃で焼成した。厚み２０μｍのＰ
ｄ担持Ａ Ａ２０ｇの触媒層が形成された、３）感度特
性の測定 以上のようにして製造した本発明のカス検知素子から第
２図に示した装置を組立て、これを用いて濃／ｆｆ２０
０ｐｐｍのＣＯ，Ｈ２、ＣｌＩ４ 、Ｃ８Ｈ８及び１度
１１０００ｐｐのＣｓ Ｈｓ ＯＨのガスに対し、素子
の沖１作温度に関する感度をＲａ ｉ ｒ／Ｒｇ ａ
ｓ として測定した。仁こで、ｌζａｉｒは測定カス
を含まない望見中において素子が示した抵抗値であり、
Ｒｇａ８＋よ上記ガスをそれぞれの儂度含有する突気
中において素子が示した抵抗賊である。 Ｒａ１ｒ／Ｒ
ｇａｓが大きい程、高感度であることを意味する。
ｄ担持Ａ Ａ２０ｇの触媒層が形成された、３）感度特
性の測定 以上のようにして製造した本発明のカス検知素子から第
２図に示した装置を組立て、これを用いて濃／ｆｆ２０
０ｐｐｍのＣＯ，Ｈ２、ＣｌＩ４ 、Ｃ８Ｈ８及び１度
１１０００ｐｐのＣｓ Ｈｓ ＯＨのガスに対し、素子
の沖１作温度に関する感度をＲａ ｉ ｒ／Ｒｇ ａ
ｓ として測定した。仁こで、ｌζａｉｒは測定カス
を含まない望見中において素子が示した抵抗値であり、
Ｒｇａ８＋よ上記ガスをそれぞれの儂度含有する突気
中において素子が示した抵抗賊である。 Ｒａ１ｒ／Ｒ
ｇａｓが大きい程、高感度であることを意味する。
その結果を、第３１ツ１に一括して示した。
な」９１比較のために、 Ｐｔｔ−Ａｌ＊Ｏｓ触媒層が
設けられずＩ ｎｘ Ｏｓ ？、５膜のみを（ｉｆｆえ
たガス検知素子の感度を第４図に示した。
設けられずＩ ｎｘ Ｏｓ ？、５膜のみを（ｉｆｆえ
たガス検知素子の感度を第４図に示した。
図中、ＱはＣＯ９△けＩＩ２．■はＣ山、０社Ｃ５）Ｉ
ｓ。
ｓ。
９虹Ｃｔ Ｈｓ ＯＨをそれぞれ表わす。
第４図から明らかなように＆ Ｉｎ？Ｏｓ薄膜のみを設
けた素子１．１．全体的にその感度が小さい。しかし、
更に仁の上にＰｄ−Ａ／！２０ｉ触媒層を設けた本発明
の素子” 、第３図から明らかなようにその感度が全体
として増大り、て高感度になっている。しかも重曹なこ
とね１．動作温四によシガス選択性が異なることである
。−すなわち、動作温度が約１２０Ｃ以下という低温域
にあってｉｌ！、、ＣｄＬｓＯＨ１１０００ｐｐ に
対するよりもＣＯ２００ｐｐｍに対する感度が高く。
けた素子１．１．全体的にその感度が小さい。しかし、
更に仁の上にＰｄ−Ａ／！２０ｉ触媒層を設けた本発明
の素子” 、第３図から明らかなようにその感度が全体
として増大り、て高感度になっている。しかも重曹なこ
とね１．動作温四によシガス選択性が異なることである
。−すなわち、動作温度が約１２０Ｃ以下という低温域
にあってｉｌ！、、ＣｄＬｓＯＨ１１０００ｐｐ に
対するよりもＣＯ２００ｐｐｍに対する感度が高く。
また、約４００Ｃ以上の高温域にあっては、 −Ｃ２Ｈ
５０Ｈ１０（１０ｐｐｍに対するよシもｌｂ 、 ＣＨ
４、Ｃｍ）Ｉｓ各２００ｐｐｍに対する感度が高い。
５０Ｈ１０（１０ｐｐｍに対するよシもｌｂ 、 ＣＨ
４、Ｃｍ）Ｉｓ各２００ｐｐｍに対する感度が高い。
実施例２
表に示した本発明にかかる触ＩＩＹ、を用いて、本発明
の素子奮実施例１と同様にして製造し、ツ）１保温度１
００Ｃ，３５０Ｃ，４００ＣＫおける各素子の感度（Ｒ
ａｉｒ／Ｒｇａｓ） ’ｅ測測定た。
の素子奮実施例１と同様にして製造し、ツ）１保温度１
００Ｃ，３５０Ｃ，４００ＣＫおける各素子の感度（Ｒ
ａｉｒ／Ｒｇａｓ） ’ｅ測測定た。
な訃、触媒において、 Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ ｉそれぞ
れ単独でＡＡ！２０ｇに担持させたものは、 Ａ／ｚ０
３のＭｄ「ンに対し全て１．０重量％であった。また、
Ｐｄ−Ｐｔ。
れ単独でＡＡ！２０ｇに担持させたものは、 Ａ／ｚ０
３のＭｄ「ンに対し全て１．０重量％であった。また、
Ｐｄ−Ｐｔ。
Ｐｄ −Ｒｈ （７）場合には、Ｐ ｄノＡ １２０
ａに対する担持１σはｉ、ｏ重ｆ’ｔｌ： ９６でかつ
ｐｔ、ｉｔｈはＰｄ＆Ｃ対１−る原−不化で０．５であ
った。））ｔ−ＲｈについＣは、ＰｔがＡｇ２Ｏｇに対
し１．０重址９６ 、 Ｒｈ 祉Ｐｔに対する原子比で
０．５であった。
ａに対する担持１σはｉ、ｏ重ｆ’ｔｌ： ９６でかつ
ｐｔ、ｉｔｈはＰｄ＆Ｃ対１−る原−不化で０．５であ
った。））ｔ−ＲｈについＣは、ＰｔがＡｇ２Ｏｇに対
し１．０重址９６ 、 Ｒｈ 祉Ｐｔに対する原子比で
０．５であった。
その結果を表に示した。
表から明らかなように１本発明の素子はとくにＣＯに対
しては高感度を示しいずれも１０００倍以上の値である
。また、 ＣＨ４、Ｃｓ１ｌｓについても１０倍以上と
高感度である。また、Ｃａ Ｈａ ＯＨの感敦扛Ｃ）１
．４が最大感度を示す４００Ｃではその感度１名しく低
下し、 ＣＬ 、Ｃ５Ｈｓ ２００ ｐｐｍよシもＣｚ
ｆｌｓＯＩｌｌｏｏｏｐ ｐｌｎの方が低感度である。
しては高感度を示しいずれも１０００倍以上の値である
。また、 ＣＨ４、Ｃｓ１ｌｓについても１０倍以上と
高感度である。また、Ｃａ Ｈａ ＯＨの感敦扛Ｃ）１
．４が最大感度を示す４００Ｃではその感度１名しく低
下し、 ＣＬ 、Ｃ５Ｈｓ ２００ ｐｐｍよシもＣｚ
ｆｌｓＯＩｌｌｏｏｏｐ ｐｌｎの方が低感度である。
〔発明の効果Ｊ
以上の説明のように１本発明のガス検知素子は低濃度の
還元性ガスに対し高感度を示し、しかも、室温〜約１２
００の低温域ではＣＯに対する３３度９〒性に優れ、約
３５０〜４５０℃の高温域においてｖ；１、。
還元性ガスに対し高感度を示し、しかも、室温〜約１２
００の低温域ではＣＯに対する３３度９〒性に優れ、約
３５０〜４５０℃の高温域においてｖ；１、。
ＣＪ（４、Ｃ５Ｈｓが高感度を示して選択性に優れてい
る。
る。
そのため、動作温度を変えることにより、 Ｃ２１１ｓ
０１（の存在に基づく誤動作を排除して各種還元性ガス
を検出することができて有用である。
０１（の存在に基づく誤動作を排除して各種還元性ガス
を検出することができて有用である。
第１図は本発明ガス検知素子の１例のＵｒ面図。
第２図は該素子を組立てて成る装随例であるｒ、第３図
は本発明素子の各種ガスに対する感度特性を表わす図、
第４図Ｉユ本発明にかかるＩ ｎ２０輯］り１１へ掛の
感１（り・￥性５ｃ表わす図である。 １ ・・・絶ｆｉ 、ｌｔｌ； （木、 ２−’山、
４へ、 ３ − Ｉ ｎ２０ｓ 台膜、 ４・
・・／ｉｉ：θ・ｉ、＋ｑｉ、ｓ・・・π１ｒリヱイＦ
／、６・・ ピン、７・・・リード練。 ８・・）ニーター 第１図 第２図
は本発明素子の各種ガスに対する感度特性を表わす図、
第４図Ｉユ本発明にかかるＩ ｎ２０輯］り１１へ掛の
感１（り・￥性５ｃ表わす図である。 １ ・・・絶ｆｉ 、ｌｔｌ； （木、 ２−’山、
４へ、 ３ − Ｉ ｎ２０ｓ 台膜、 ４・
・・／ｉｉ：θ・ｉ、＋ｑｉ、ｓ・・・π１ｒリヱイＦ
／、６・・ ピン、７・・・リード練。 ８・・）ニーター 第１図 第２図
Claims (1)
- 一対の電極′ｆｃ備えた絶縁基体の表面に、該電極を被
覆して、インジウムを含有した有機化合物を熱分解して
作成された酸化インジウム薄膜が設けられ、更に、該薄
膜の上に該薄膜を被覆して、酸化アルミニウムに白金、
パラジウム、ロジウムの群から選ばれる少なくとも１種
を担持させて成る厚膜／ｉｌ＋媒啼が設けられているこ
とｆ：特徴とするガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14778982A JPS5938642A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14778982A JPS5938642A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | ガス検知素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938642A true JPS5938642A (ja) | 1984-03-02 |
| JPH051417B2 JPH051417B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15438233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14778982A Granted JPS5938642A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383650A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | ガスセンサの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547196A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Figaro Eng | Gas detecting element |
| JPS5594153A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-17 | Fuigaro Giken Kk | Methane gas detector |
| JPS5926042A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Fuigaro Giken Kk | ガス検出素子 |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14778982A patent/JPS5938642A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547196A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Figaro Eng | Gas detecting element |
| JPS5594153A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-17 | Fuigaro Giken Kk | Methane gas detector |
| JPS5926042A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Fuigaro Giken Kk | ガス検出素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383650A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | ガスセンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051417B2 (ja) | 1993-01-08 |
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