JPS5935546B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法

Info

Publication number
JPS5935546B2
JPS5935546B2 JP53063884A JP6388478A JPS5935546B2 JP S5935546 B2 JPS5935546 B2 JP S5935546B2 JP 53063884 A JP53063884 A JP 53063884A JP 6388478 A JP6388478 A JP 6388478A JP S5935546 B2 JPS5935546 B2 JP S5935546B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
substrate
imaging device
solid
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53063884A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54155716A (en
Inventor
「やす」夫 竹村
興夫 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP53063884A priority Critical patent/JPS5935546B2/ja
Priority to US06/041,706 priority patent/US4321747A/en
Priority to CA328,880A priority patent/CA1132691A/en
Publication of JPS54155716A publication Critical patent/JPS54155716A/ja
Publication of JPS5935546B2 publication Critical patent/JPS5935546B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電荷転送素子を用いた固体撮像装置の製造方
法に関する。
最近、固体撮像デバイスを用いたカラーテレビジョンカ
メラの研究開発が盛んに行われている。
固体撮像デバイスにはCCD(ChargeCoupl
edDevice)やBBD(BucketBriga
deDevice)などの電荷転送素子を用いたものが
ある。これらは半導体基板に絶縁層を介して電極を多数
配列した構造を有し、前記電極に電圧を印加することに
より半導体基板の内部にポテンシャル井戸を作り、この
ポテンシャル井戸に光電効果によつて発生させたキャリ
ア(通常は電荷)を蓄積し、前記ポテンシャル井戸を所
定の規則にしたがつて移動させることによつて、前記著
積したキャリアを半導体基板表面に沿つて一方向に転送
して出力端子から信号として読み出すものである。とこ
ろが、通常この種の固体撮像装置では、被写体光が半導
体基板の電極が配列されている側の面から入射されるよ
う構成されている。
このため上記電極は被写体光が有効に半導体基板に導か
れるよう光を充分透過するもの、すなわち透明電極で形
成する必要があつた。一般に透明電極としてはポリシリ
コン、酸化スズ(SnO2)、酸化インジウム(In0
2)などがあるが、ポリシリコン電極は青色光のような
短波長の光を吸収するため、カラーテレビジョンカメラ
として必要な青感度が低下してしまうので実用に供さな
い。そこで従来は酸化スズや酸化インジウムが用いられ
ているが、これらは加工性が悪く、半導体基板表面に微
細加工形成することは非常に困難であり、更に光電効果
で発生した電荷を損失なく転送する。いわゆる転送損失
が少なくなるように形成することは難しいという欠点が
あつた。このため新たに、半導体基板の電極が配設され
た面とは反対の面(裏面)から被写体光を入射させるよ
うにした撮像装置が考えられている。
しかしこのような撮像装置においては半導体基板が厚い
と、短波長光が半導体基板に吸収されてしまい電極下ま
で到達し得なくなり、光電変換に寄与しないという問題
がある。つまり短波長感度が十分にとれないという問題
がある。そこで従来は、半導体基板の裏面を周辺を残し
て感光部だけをエッチングにより10μm程度まで薄く
することが行われたが、このように半導体基板の感光部
だけを10μm程度まで薄くなるようエツチングするこ
とは難しく、量産効果が上がらないという大きな欠点が
あつた。
また、厚さ10μmの半導体基板を安定に保持する点で
も問題があり、破損しやすく信頼性が悪いという欠点が
あつた。この発明は斯かる点に鑑みてなされたもので、
CCDのような電荷転送素子の半導体基板を安定に薄く
形成することができ、もつて短波長感度を向上させ得る
固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
すなわちこの発明は半導体基板に補助基板を接着してお
いてから半導体基板を薄く研磨し、研磨後、研磨面上に
透明又は選択的に所定の光を透過するような基板を接着
し、そして前記補助基板を除去するようにしたもので、
この方法によると半導体基板を安定に薄くすることがで
きる。
以下この発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図はこの発明の固体撮像装置の製造方法の−実施例
を説明するためのものである。先ず第1図aに示すよう
に、P型半導体11の上に絶縁層12を形成し、その上
に2μm間隔で8μm幅のストライプ状電極13−1,
13−2,13−3,・・・を配列形成する。
これらの電極は、図示しないが例えば3本目ごとに共通
接続され、それぞれ電圧印加端子に接続される。また出
力回路部は別に設けられるがここでは省略する。次に第
1図bに示すように上記絶縁層12を介して電極13が
形成された半導体基板11にガラス等の補助基板14を
低温度ワツクス等の接着剤を用いて接着する。その後半
導体基板11を所定の厚さ、例えば10μm程度にX,
X′線まで研磨する。この場合半導体基板11は前述の
ように補助基板14が設けられているので、安定に薄く
研磨できる。次に第1図Cに示すように研磨された半導
体基板11上にガラス等の透明基板16を例えば光学用
の接着剤17を用いて接着する。
その後第1図dに示すように、接着剤15を加熱し融か
すことにより補助基板14を除去する。
また接着剤15も充分洗浄することにより除去する。こ
の後は通常の工程と同様に電極端子、出力端子等をポン
デイングすることにより固体撮像装置が完成する。
なお、半導体基板11をX−X2の線まで研磨した時点
でその半導体基板11の表面を化学的あるいは物理的に
処理して光電特性を調整すると良い。このようなこの発
明の製造方法によると、半導体基板11を補助基板14
を用いて安定に薄く研磨できるので、透明基板16側か
ら被写体光を入射させることにより短波長感度が著しく
向上する固体撮像装置を得ることができる。
また半導体基板11は補助基板14又は透明基板16と
密着され、これら基板と常に一体的に取り扱われるため
、半導体基板11自体は薄くても破損の恐れがなく製造
工程上、またテレビジヨンカメラとして実用していく上
で機械的シヨツクにも強く信頼性が向上する。更に半導
体基板を従来のようにエツチングによらないで研磨で薄
くすることができるため、量産に適し、価格の低廉化を
実現できるという利点もある。また電荷転送素子として
は電極に特別に透明電極を明いる必要がなく、また波長
特性も全く考慮する必要がないので、ポリシリコンなど
微細加工技術に適した材料を用いることができ、転送損
失が少なく、高性能な固体撮像装置を提供することがで
きる。上記の説明では半導体基板11に透明基板16を
接着するようにしたが、透明基板16の代わりに特定の
波長光線だけを透過するような色フイルタを用いること
もできる。
色フイルタとしてはガラスフイルタ、透明なガラスの上
に多層干渉膜を形成したもの、染色を施したものなどを
必要に応じて用いることができる。通常CCDは赤外に
も感度があるから赤外カツトの補正フイルタを用いれば
、視感度に適した固体撮像装置とすることができる。一
方、固体撮像デバイスを3個用いてカラーテレビジヨン
カメラをつくるときに、赤用CCDには赤透適用フイル
タを、緑用CCDにい緑透過のフイルタを、そして青用
CCDには青透過のフイルタを用いるようにすると、別
に補正フイルタを用いる必要がなく、光の損失が少なく
なるという利点がある。
なお色フイルタは透明基板16上に接着しても良いこと
は勿論である。また固体撮像デバイスを1個用いてカラ
ーテレビジヨンカメラをつくるときには透明基板上に色
フイルタを縞状に配列した色ストライプフイルタを用い
ることもできる。また透明基板16の代わりに水晶、位
相格子などの光学的LPF(低域通過フイルタ)を用い
ることもできる。
すなわちCCDでは画素がデイスクリートに独立してい
るから画素以上に細かい光学像が人射するとビード妨害
が発生する。したがつてCCDに光学像が入射する前に
光学的に高域成分を除去しておく必要がある。光学的L
PFを透明基板の代わりに用いることにより、このよう
な妨害を軽減できる効果がある。このような透明基板1
6は一般的に光の全部又は一部を選択的に透過する基板
で置き換えることができる。
また上記説明では半導体基板11を所定の厚さ例えば1
0μmに研磨するように説明してきたが、この厚さを制
御することにより、所望の分光感度特性をもつ固体撮像
装置を得ることができる。
第2図A,b,cはそれぞれ半導体基板11の厚さを変
化させたときの状態第1図と同じ部分に同一番号を付し
て示すものである。まず第2図aは半導体基板11−B
を5μm以下に研磨した場合を示すもので、この場合透
明基板16側から光を入射させると、短波長成分(青色
成分)は半導体基板11−Bに吸収されることは殆んど
なく、ほぼ全部光電変換に寄与する。
これに対し長波長成分(赤色成分)は半導体基板11−
Gを透過してしまい、大部分は光電変換に寄与しなくな
る。このため第3図にその分光感度特性を示すと、曲線
31に示すように短波長成分に対しての感度が大きい。
また第2図bは半導体基板11−Gを7μm程度に研磨
した場合で、この場合は短波長成分の−部が半導体基板
11−Gに吸収され、また長波長成分の一部が半導体基
板11−Gが透過するようになる。
つまり短波長成分および長波長成分のそれぞれ残りの一
部が光電変換に寄与し、その分光感度特性は第3図の曲
線32に示すように短波長および長波長成分の両方に対
して所定の感度を有する。また第2図cは半導体基板1
1−Rを10Pm以上に研磨した場合で、この場合は短
波長成分の吸収が多くなるのに対し、長波長成分は殆ん
ど透過がなくなり、光電変換に寄与するため、その分光
感度特性は第3図の曲線33に示すように長波長の感度
が大きくなる。
このように半導体基板11の厚さを制御することにより
、分光感度特性を変えることができるから、特別な色補
正フイルタが不要になる利点がある。
また赤、緑、青の3色光線用に各々CCDを1個ずつ設
けたような、いわゆる3板式カラーテレビジヨンカメラ
の場合には、各波長付近に高い感度を有するように厚さ
を制御することにより、光の利用率が向上し、感度の優
れたカラーテレビジヨンカメラが実現できるという大き
な利点がある。また不要光線に対しては感度が低下して
いるから、色分離が良くなり、鮮から色調のカラーテレ
ビジヨンカメラを実現することができる。なお、前記説
明ではCCDは半導体基板上に絶縁層を介して電極が配
列されている場合について説明してきたが、2層構造の
CCD,3層構造のCCDなどの構造であつても本発明
が適用可能なことはいうまでもない。またCCDは2次
元に画素が配列されているものでも同様に本発明は適用
可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図a−dはこの発明の固体撮像装置の製造方法の一
実施例を説明するための図、第2図a〜cは半導体基板
の厚さを変化させた状態を示す断面図、第3図は第2図
a−cに対応する固体撮像装置の分光感度特性を示す図
である。 11・・・・・・半導体基板、13・・・・・・電極、
14・・・・・・補助基板、16・・・・・・透明基板

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体基板面上に絶縁層を介して複数の電極を形成
    する工程と、この工程により形成された電極および前記
    半導体基板上に第1の基板を接着する工程と、この工程
    の後前記半導体基板を所定の厚さに薄くする工程と、こ
    の工程により薄くされた前記半導体基板面上に透明又は
    選択的に所定の光を透過する第2の基板を接着する工程
    と、この工程の後前記第1の基板を除去する工程とを備
    えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 2 第2の基板は光学的フィルムであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の固体撮像装置の製造方法
JP53063884A 1978-05-30 1978-05-30 固体撮像装置の製造方法 Expired JPS5935546B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53063884A JPS5935546B2 (ja) 1978-05-30 1978-05-30 固体撮像装置の製造方法
US06/041,706 US4321747A (en) 1978-05-30 1979-05-23 Method of manufacturing a solid-state image sensing device
CA328,880A CA1132691A (en) 1978-05-30 1979-05-30 Solid-state image sensing device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53063884A JPS5935546B2 (ja) 1978-05-30 1978-05-30 固体撮像装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54155716A JPS54155716A (en) 1979-12-08
JPS5935546B2 true JPS5935546B2 (ja) 1984-08-29

Family

ID=13242150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53063884A Expired JPS5935546B2 (ja) 1978-05-30 1978-05-30 固体撮像装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5935546B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54155716A (en) 1979-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4321747A (en) Method of manufacturing a solid-state image sensing device
US7948555B2 (en) Camera module and electronic apparatus having the same
GB2335078A (en) CCD microlens array
JP2005012189A (ja) 光電変換装置およびその製造方法
JP2005072364A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2012238632A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び、電子機器
JPH10284709A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2004047682A (ja) 固体撮像装置
US20080023780A1 (en) Image pickup device and method of manufacturing the same
JP2000196053A (ja) イメ―ジセンサ及びその製造方法
JP2007180541A (ja) Cmosイメージセンサの製造方法
JP2000180621A (ja) オンチップカラーフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子
KR100529672B1 (ko) 이미지 센서의 백 그라인딩 방법
JPH10256518A (ja) 固体撮像素子
JPH04259256A (ja) 固体撮像装置
JPS5935546B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPS6130740B2 (ja)
CN111048535B (zh) 影像传感器
JPH06260625A (ja) イメージセンサ装置及び製造方法
JPS6348234B2 (ja)
JP2008103478A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2008166779A (ja) イメージセンサー及びその製造方法
JP4618765B2 (ja) 撮像素子、該撮像素子を備えたデジタルカメラ
KR20010061343A (ko) 이미지센서 제조 방법
JPH07122720A (ja) イメージセンサー及びその製造方法