JPS5934656B2 - ＹｂＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5934656B2 JPS5934656B2 JP6503581A JP6503581A JPS5934656B2 JP S5934656 B2 JPS5934656 B2 JP S5934656B2 JP 6503581 A JP6503581 A JP 6503581A JP 6503581 A JP6503581 A JP 6503581A JP S5934656 B2 JPS5934656 B2 JP S5934656B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規化合物であるＹｂＡｌＭｎ０４で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は知られる。
する化合物は知られる。
この化合物はＹ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋ ０卜で示される
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。
ように、鉄の２価イオンと３価イオンは５配位の酸素イ
オンに囲まれ、Ｙは６配位の酸素イオンをその周りに持
つている化合物であり、磁性を持つている。
本発明は前記Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋Ｏ２−化合物のＹ
３＋の代わりにＡｅ３＋を置きかえた新規な化合物およ
びその製造法を提供するにある。
３＋の代わりにＡｅ３＋を置きかえた新規な化合物およ
びその製造法を提供するにある。
本発明のＹｂＡｌＭｎ０４’ａ示される化合物は、この
化合物中、イッテルビウムはＹｂ３＋イオン、マンガン
はＭｎ２゛、アルミニウムはＡｌ３＋イオンとして存在
しており、Ｙｂ３＋Ａｌ３十Ｍｎ２＋０１−として表わ
すことができる。この結晶は第１図に示すような六方晶
層状構造を持つている。最大の丸は酸素、中丸はＹｂ、
最小の黒丸はＡｌとＭｎを示す。ＡｌとＭｎはランダム
に入つている。マンガンの２価イオンとＡｌの３価イオ
ンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結晶学的には
同一の位置を占めている。またＹｂは６配位の酸素をそ
の周りに持つている。陰イオンである酸素は緻密構造を
とつてぃる。ｓ３をおよびｕは単位格子内における位置
を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄλ）
（ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ線に対する相
対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りである。
化合物中、イッテルビウムはＹｂ３＋イオン、マンガン
はＭｎ２゛、アルミニウムはＡｌ３＋イオンとして存在
しており、Ｙｂ３＋Ａｌ３十Ｍｎ２＋０１−として表わ
すことができる。この結晶は第１図に示すような六方晶
層状構造を持つている。最大の丸は酸素、中丸はＹｂ、
最小の黒丸はＡｌとＭｎを示す。ＡｌとＭｎはランダム
に入つている。マンガンの２価イオンとＡｌの３価イオ
ンは５配位の酸素イオンによつて囲まれ、結晶学的には
同一の位置を占めている。またＹｂは６配位の酸素をそ
の周りに持つている。陰イオンである酸素は緻密構造を
とつてぃる。ｓ３をおよびｕは単位格子内における位置
を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄλ）
（ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す）、Ｘ線に対する相
対反射強度（Ｉ％）は第１表の通りである。
そして空間群はＲ丁ｍで、その晶癖は板状晶で、格子定
数は次の通りである。ａ０＝３．４４８５±０．０００
５（Ａ）ｃ０＝２４．９７２±Ｏ、００７（Λ）ＹｂＡ
ｌＭｎ０４れｋｌｄｏ（Λ） ｄｃ（Λ） Ｉ（至））
００３８．３２７８．３２４６７００６４．１６２４．
１６ ２ ３ ６１０１ ２．９ ６ ２ ２．９ ６
５ １０ ００ ０ ９ ２．７ ７ ５ ２．７
７ ５ ２ ３１０ ４ ２、６ ９ ３ ２．６ ９
４ ６ ６１０ ５ ２．５ ６ ３ ２．５ ６
３ ４ ８１０７ ２．２８９５ ２．２９００ １５
１０８ ２．１５６６ ２．１５７９ ２２１０１０
１．９１５３ １．９１５７ ２２１１３ １．６８７
９ １．６８８４ １６この化合物は触媒ならびに半導
体材料として有用なものである。
数は次の通りである。ａ０＝３．４４８５±０．０００
５（Ａ）ｃ０＝２４．９７２±Ｏ、００７（Λ）ＹｂＡ
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１．９１５３ １．９１５７ ２２１１３ １．６８７
９ １．６８８４ １６この化合物は触媒ならびに半導
体材料として有用なものである。
この化合物は次の方法によつて製造し得られる。
イツテルビウム酸化物（Ｙｂ２Ｏ３χマンガン酸化物（
ＭｎＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を、モ
ル比で約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化
性雰囲気下で１２００℃以上の温度で加熱することによ
つて製造することができる。本発明に用いるイツテルビ
ウム酸化物は市販のものをそのまま使用してもよいが、
酸化物相互の反応を速やかに進行させるためＶＣＩ＄．
、粒径が小さい程よく、特ＶＣ．ｌＯμｍ以下であるこ
とが好ましぃ。また半導体材料として用いる場合は不純
物の混入をきらうので、原料は純度が高く、また約１０
００℃で数時間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化
マンガンは通常の試薬特級程度のものでよぃ。
ＭｎＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を、モ
ル比で約１対２対１の割合で混合し、該混合物を非酸化
性雰囲気下で１２００℃以上の温度で加熱することによ
つて製造することができる。本発明に用いるイツテルビ
ウム酸化物は市販のものをそのまま使用してもよいが、
酸化物相互の反応を速やかに進行させるためＶＣＩ＄．
、粒径が小さい程よく、特ＶＣ．ｌＯμｍ以下であるこ
とが好ましぃ。また半導体材料として用いる場合は不純
物の混入をきらうので、原料は純度が高く、また約１０
００℃で数時間空気中で仮焼したものが望ましい。酸化
マンガンは通常の試薬特級程度のものでよぃ。
粒径は前記イツテルビウム酸化物と同様な理由で１０μ
ｍ以下であることが好ましい。また、１０００℃で１日
間炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中
で仮焼し、０℃に急冷させたものが反応が早くなるので
好ましい。酸化アルミニウムは試薬特級程度のものでよ
い。その粒径は前記と同様に１０Ｉｔｍ以下であること
が好ましい。また８００℃で１日間空気中で仮焼したも
のが好ましぃ。これらの原料をそのまま、あるいはアル
コール類、アセトン等と十分混合する。これらの混合割
合はＹｂ２Ｏ３、ＭｎＯ，．Ａｌ２Ｏ３をモル比で１対
２対１の割合である。この割合をはずれると目的とする
層状化合物を得ることができない。これらの混合物を石
英または白金の容器に封入して非酸化性雰囲気下で加熱
する。
ｍ以下であることが好ましい。また、１０００℃で１日
間炭酸ガスと水素の混合ガス（混合比容量で１対１）中
で仮焼し、０℃に急冷させたものが反応が早くなるので
好ましい。酸化アルミニウムは試薬特級程度のものでよ
い。その粒径は前記と同様に１０Ｉｔｍ以下であること
が好ましい。また８００℃で１日間空気中で仮焼したも
のが好ましぃ。これらの原料をそのまま、あるいはアル
コール類、アセトン等と十分混合する。これらの混合割
合はＹｂ２Ｏ３、ＭｎＯ，．Ａｌ２Ｏ３をモル比で１対
２対１の割合である。この割合をはずれると目的とする
層状化合物を得ることができない。これらの混合物を石
英または白金の容器に封入して非酸化性雰囲気下で加熱
する。
それはマンガンが２価の状態であるので、酸化性雰囲気
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１２００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後は０℃に急
冷するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られ
たＹｂＡｌＭｎＯ４化合物は黒色を有し、粉末Ｘ線回朽
法によつて結晶構造を有することが分つた。
（例えば大気中）下ではマンガンが酸化されて３価にな
つてしまうので、非酸化性雰囲気下であることが必要で
ある。加熱温度は１２００℃以上であればよく、また加
熱時間は１０分以上、好ましくは１時間以上である。加
熱の際の昇温速度は制約はない。反応終了後は０℃に急
冷するかあるいは大気中に急激に引出せばよい。得られ
たＹｂＡｌＭｎＯ４化合物は黒色を有し、粉末Ｘ線回朽
法によつて結晶構造を有することが分つた。
試料の重量を加熱の前後に於いて精密に秤量し、実験誤
差の範囲内で変化がないことが確認され、化学量論数が
決定された。実施例 純度９９．９％以上のイツテルビウム酸化物（Ｙｂ２Ｏ
３）粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガン（ＭｎＯ
）粉末および純度９９．９％以上のアルミニウム酸化物
（Ａｌ２Ｏ，）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量
し、乳鉢でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。
差の範囲内で変化がないことが確認され、化学量論数が
決定された。実施例 純度９９．９％以上のイツテルビウム酸化物（Ｙｂ２Ｏ
３）粉末、純度９９．９％以上の酸化マンガン（ＭｎＯ
）粉末および純度９９．９％以上のアルミニウム酸化物
（Ａｌ２Ｏ，）粉末をモル比で１対２対１の割合に秤量
し、乳鉢でアセトンを加えて十分に混合して平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。
該混合物を白金管（内管６ｍ０内に入れて、ガスバーナ
ーで溶封した。これを１４５０℃に設定された箱型のシ
リコニツト炉内に入れ、約３日間加熱し、その後試料を
取出し、室温まで急速に冷却した。得られたものはＹｂ
ＡｌＭｎＯ４の六方晶系の層状化合物であつた。その結
晶の性状＆＄第１表に示す通りであつた。
ーで溶封した。これを１４５０℃に設定された箱型のシ
リコニツト炉内に入れ、約３日間加熱し、その後試料を
取出し、室温まで急速に冷却した。得られたものはＹｂ
ＡｌＭｎＯ４の六方晶系の層状化合物であつた。その結
晶の性状＆＄第１表に示す通りであつた。
図面は本発明のＹｂＡｌＭｎＯ４の結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＹｂＡｌＭｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ イッテルビウム酸化物（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）、マンガ
ン酸化物（ＭｎＯ）および酸化アルミニウム（Ａｌ＿２
Ｏ＿３）を、モル比で約１対２対１の割合で混合し、こ
の混合物を非酸化性雰囲気下で１２００℃以上の温度で
加熱することを特徴とするＹｂＡｌＭｎＯ＿４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6503581A JPS5934656B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | ＹｂＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6503581A JPS5934656B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | ＹｂＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57179023A JPS57179023A (en) | 1982-11-04 |
| JPS5934656B2 true JPS5934656B2 (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=13275313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6503581A Expired JPS5934656B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | ＹｂＡｌＭｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934656B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63112845U (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-20 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0743975Y2 (ja) * | 1992-11-17 | 1995-10-09 | 日東工業株式会社 | コンセント取付機構 |
| US7462217B2 (en) | 2003-12-08 | 2008-12-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method of preparation for the high performance thermoelectric material indium-cobalt-antimony |
| US7371960B2 (en) * | 2003-12-08 | 2008-05-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Figure of merit in Ytterbium-Aluminum-Manganese intermetallic thermoelectric and method of preparation |
| US7723607B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High performance thermoelectric materials and their method of preparation |
-
1981
- 1981-04-27 JP JP6503581A patent/JPS5934656B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63112845U (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57179023A (en) | 1982-11-04 |
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