JPS5933905A - マイクロ波半導体発振器 - Google Patents
マイクロ波半導体発振器Info
- Publication number
- JPS5933905A JPS5933905A JP14440882A JP14440882A JPS5933905A JP S5933905 A JPS5933905 A JP S5933905A JP 14440882 A JP14440882 A JP 14440882A JP 14440882 A JP14440882 A JP 14440882A JP S5933905 A JPS5933905 A JP S5933905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- transmission line
- microstrip
- line
- microstrip transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロストリップ線路で構成するマイクロ
疲半導体発振器に関するものである。
疲半導体発振器に関するものである。
第１図は従来のマイクロ波半導体発振器を示す回路図で
あり、−例としてＦＥＴ使用使用ドレイン接地系発振器
す。同図において、（１）はドレイン電極（Ｄ）、ゲー
ト電極（Ｇ）およびソース電極（Ｓ）を備えたマイクロ
波ＦＥＴ、（２）は長さなのゲート電極マイクロストリ
ップ伝送線路、（３ａ）および１ λ （３ｂ）は４波長（／／４）のドレイン電極マイクＣ１
ス）リップ伝送線路、（４）はソース電極マイクロスト
リップ伝送線路、（５）は出力整合マイクロストリップ
伝送線路、（６）は直陣阻止コンデンサ、（７）は出力
マイクロストリップ線路、（８ａ）〜（８ｃ）はそれぞ
れ高周波チョーク、（９）は一端が高周波チョーク（８
Ｃ）の一端に接続し、他端がアースに接地するバイアス
用抵抗器、（１ｏ）は直流電圧（ＶＤ ）が印加する電
圧端子である。
あり、−例としてＦＥＴ使用使用ドレイン接地系発振器
す。同図において、（１）はドレイン電極（Ｄ）、ゲー
ト電極（Ｇ）およびソース電極（Ｓ）を備えたマイクロ
波ＦＥＴ、（２）は長さなのゲート電極マイクロストリ
ップ伝送線路、（３ａ）および１ λ （３ｂ）は４波長（／／４）のドレイン電極マイクＣ１
ス）リップ伝送線路、（４）はソース電極マイクロスト
リップ伝送線路、（５）は出力整合マイクロストリップ
伝送線路、（６）は直陣阻止コンデンサ、（７）は出力
マイクロストリップ線路、（８ａ）〜（８ｃ）はそれぞ
れ高周波チョーク、（９）は一端が高周波チョーク（８
Ｃ）の一端に接続し、他端がアースに接地するバイアス
用抵抗器、（１ｏ）は直流電圧（ＶＤ ）が印加する電
圧端子である。
なお、前記高周波チョーク（８ａ）はその一端がゲート
電極マイクロストリップ伝送線路（２）に接続し、他端
がアースに接続する。前記高周波チョーク（８ｂ）はそ
の一端がドレイン電極マイフロストリラン°伝送線路（
３ｂ）に接続し、他端が電圧端子（１ｏ）に接続する。
電極マイクロストリップ伝送線路（２）に接続し、他端
がアースに接続する。前記高周波チョーク（８ｂ）はそ
の一端がドレイン電極マイフロストリラン°伝送線路（
３ｂ）に接続し、他端が電圧端子（１ｏ）に接続する。
前記高周波チョーク（８ｃ）の一端はソ−スミ極マイク
ロストリップ伝送線路（４）に接続する。
ロストリップ伝送線路（４）に接続する。
次に、上記構成によるマイクロ波半導体発振器の動作に
ついて説明する。まず、マイクロ波ＦＥＴ（１）のドレ
イン電極（Ｄ）が−波長（４）のドレイン電極マイクロ
ストリップ伝送線路（３ａ）および（３ｂ）により高周
波的に短絡されているので、このマイクロ波ＦＥＴ（１
）はゲートインピーダンスに負性抵抗を生じ発振する。
ついて説明する。まず、マイクロ波ＦＥＴ（１）のドレ
イン電極（Ｄ）が−波長（４）のドレイン電極マイクロ
ストリップ伝送線路（３ａ）および（３ｂ）により高周
波的に短絡されているので、このマイクロ波ＦＥＴ（１
）はゲートインピーダンスに負性抵抗を生じ発振する。
そして、この発振周波数は主として、ゲート電極マイク
ロストリップ伝送線路（２）の長さ々に依存し、々がお
およそ４波長に相当するものになる。
ロストリップ伝送線路（２）の長さ々に依存し、々がお
およそ４波長に相当するものになる。
しかしながら、従来のマイクロ波半導体発振器は＝イク
・波ＦＥＴ素子の定ｉ・・ランキ、取付・・ラツキ、お
よびマイクロストリップ線路のノくターン精度バラツキ
があるだめ、発振周波数のバラツキが大きい。このため
、一定の発振周波数を実現するには素子の選択、あるい
はマイクロストリップ線路の補正を行なわなければなら
ないため、調整技術、時間、コスト面での経済性が欠け
るなどの欠点があった。
・波ＦＥＴ素子の定ｉ・・ランキ、取付・・ラツキ、お
よびマイクロストリップ線路のノくターン精度バラツキ
があるだめ、発振周波数のバラツキが大きい。このため
、一定の発振周波数を実現するには素子の選択、あるい
はマイクロストリップ線路の補正を行なわなければなら
ないため、調整技術、時間、コスト面での経済性が欠け
るなどの欠点があった。
したがって、この発明の目的社発振周波数のノ（ランキ
を外部からの直流電圧制御によって吸収することができ
るマイクロ波半導体発振器を提供するものである。
を外部からの直流電圧制御によって吸収することができ
るマイクロ波半導体発振器を提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は前記マイク
ロ波ＦＥＴのゲート電極に接続するマイクロストリップ
伝送線路の一端に電圧可変容量ダイオードを接続し、こ
の電圧可変容量ダイオードを制御し、その発振周波数を
補正するものであり、以下実施例を用いて詳細に説明す
る。
ロ波ＦＥＴのゲート電極に接続するマイクロストリップ
伝送線路の一端に電圧可変容量ダイオードを接続し、こ
の電圧可変容量ダイオードを制御し、その発振周波数を
補正するものであり、以下実施例を用いて詳細に説明す
る。
第２図はこの発明に係るマイクロ波半導体発振器の一実
施例を示す回路図である。同図において、（１１）は電
圧可変容量ダイオード、（１２）は−波長のマイクロス
トリップ伝送線路、（１３）は一端がこのマイクロスト
リップ伝送線路（１２）に接続する高周波チョーク、（
１４）はこの高周波チョーク（１３）の他端に接続し、
この高周波チョーク（１３）を介して前記電圧可変容量
ダイオード（１１）に制御電圧（ｖｖ）を印加する制御
電圧端子である。
施例を示す回路図である。同図において、（１１）は電
圧可変容量ダイオード、（１２）は−波長のマイクロス
トリップ伝送線路、（１３）は一端がこのマイクロスト
リップ伝送線路（１２）に接続する高周波チョーク、（
１４）はこの高周波チョーク（１３）の他端に接続し、
この高周波チョーク（１３）を介して前記電圧可変容量
ダイオード（１１）に制御電圧（ｖｖ）を印加する制御
電圧端子である。
次に、上記構成によるマイクロ波半導体発振器の動作に
ついて説明する。まず、マイクロ波ＦＥＴ（１）のドレ
イン電極（Ｄ）が匂波長のドレイン電極マイクロストリ
ップ伝送線路（３ａ）および（３ｂ）で高周波的に短絡
されているため、このマイクロ波ＦＥＴ（１）はゲート
インピーダンスに負性抵抗を生じ発振する。そして、そ
の発振周波数は主としてゲート電極マイクロストリップ
伝送線路の長さ々と電圧可変容量ダイオード（１１）の
容量に依存することになる。このだめ、制御電圧端子（
１４）に印加する制御電圧（Ｖりを変化させることによ
り、電圧可変容量ダイオード（１１）の容量が変化し、
等測的に長さｈが変化したことになり、発振周波数を変
化させることができる。
ついて説明する。まず、マイクロ波ＦＥＴ（１）のドレ
イン電極（Ｄ）が匂波長のドレイン電極マイクロストリ
ップ伝送線路（３ａ）および（３ｂ）で高周波的に短絡
されているため、このマイクロ波ＦＥＴ（１）はゲート
インピーダンスに負性抵抗を生じ発振する。そして、そ
の発振周波数は主としてゲート電極マイクロストリップ
伝送線路の長さ々と電圧可変容量ダイオード（１１）の
容量に依存することになる。このだめ、制御電圧端子（
１４）に印加する制御電圧（Ｖりを変化させることによ
り、電圧可変容量ダイオード（１１）の容量が変化し、
等測的に長さｈが変化したことになり、発振周波数を変
化させることができる。
なお、９ 、 ＱＯＯＭＨｚ帯、出力１００ｍＶのこの
発明によるマイクロ波半導体発振器を構成した場合、制
御電圧を印加しない時の容量Ｃｊｏ ＝ ２．７ｐＦの
電圧可変容量ダイオード（１１）を用い、出力１００ｍ
Ｗを維持しながら、制御電圧ＶＶＫ対する発振周波数の
変化量は１ｖ当り約３０ＭＨｚを得るだめ、制御電圧Ｖ
ｖ ＝ １０ｖ以内で、個々の発振周波数バラツキを吸
収し、一定の発振周波数に実現できることが確認できた
。なお、第１図に示すマイクロ波半導体発振器の発振周
波数のバラツキは約３００ＭＨｚである。
発明によるマイクロ波半導体発振器を構成した場合、制
御電圧を印加しない時の容量Ｃｊｏ ＝ ２．７ｐＦの
電圧可変容量ダイオード（１１）を用い、出力１００ｍ
Ｗを維持しながら、制御電圧ＶＶＫ対する発振周波数の
変化量は１ｖ当り約３０ＭＨｚを得るだめ、制御電圧Ｖ
ｖ ＝ １０ｖ以内で、個々の発振周波数バラツキを吸
収し、一定の発振周波数に実現できることが確認できた
。なお、第１図に示すマイクロ波半導体発振器の発振周
波数のバラツキは約３００ＭＨｚである。
以上詳細に説明したように、この発明に係るマイクロ波
半導体発振器によればマイクロ波半導体素子の特性バラ
ツキ、取り付は方のバラツキ、およびマイクロストリッ
プ伝送線路の精度から生ずる発振周波数のバラツキを電
圧可変容量ダイオードへの制御電圧を変えることにより
吸収することができるうえ、構成が簡単であるため′、
発振器が安価になるなどの効果がある。
半導体発振器によればマイクロ波半導体素子の特性バラ
ツキ、取り付は方のバラツキ、およびマイクロストリッ
プ伝送線路の精度から生ずる発振周波数のバラツキを電
圧可変容量ダイオードへの制御電圧を変えることにより
吸収することができるうえ、構成が簡単であるため′、
発振器が安価になるなどの効果がある。
第１図は従来のマイクロ波半導体発振器を示す回路図、
第２図はこの発明に係るマイクロ波半導体発振器の一実
施例を示す回路図である。 （１）・・・・マイクロ波ＦＥＴ、 （２）・・・・ゲ
ート電極マイクロストリップ伝送線路、（３）・・・・
ドレイン電極マイクロストリップ伝送線路、（４）・・
・・ソース電極マイクロストリップ伝送線路、（５）・
・・・出力整合マイクロストリップ伝送線路、（６）・
・・・直流阻止コンデンサ、（７）・・・・出力マイク
ロストリップ線路、（８ａ）〜（８ｃ）・・・・高周波
チョークコイル、（９）・・・・バイアス抵抗器、（１
０）・・・・電圧端子、（１１）・・・・電圧可変容量
ダイオード、（１２）・・・・マイクロストリップ線送
線路、（１３）・・・・高周波チョーク、（１４）・・
・・制御電圧端子。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 第１＠ Ｇ 第２図
第２図はこの発明に係るマイクロ波半導体発振器の一実
施例を示す回路図である。 （１）・・・・マイクロ波ＦＥＴ、 （２）・・・・ゲ
ート電極マイクロストリップ伝送線路、（３）・・・・
ドレイン電極マイクロストリップ伝送線路、（４）・・
・・ソース電極マイクロストリップ伝送線路、（５）・
・・・出力整合マイクロストリップ伝送線路、（６）・
・・・直流阻止コンデンサ、（７）・・・・出力マイク
ロストリップ線路、（８ａ）〜（８ｃ）・・・・高周波
チョークコイル、（９）・・・・バイアス抵抗器、（１
０）・・・・電圧端子、（１１）・・・・電圧可変容量
ダイオード、（１２）・・・・マイクロストリップ線送
線路、（１３）・・・・高周波チョーク、（１４）・・
・・制御電圧端子。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信− 第１＠ Ｇ 第２図
Claims (1)
- マイクロ波電界効果トランジスタと、このマイクロ波電
界効果トランジスタのドレイン電極に接続し、ドレイン
電極を高周波的に短絡する第１のマイクロストリップ伝
送線路と、前記マイクロ波電界効果トランジスタのゲー
ト電極に接続する第２のマイクロストリップ伝送線路と
から構成し、ソース電極からマイクロ波発振電力をと９
出すマイクロ波半導体発振器において、前記第２のマイ
クロス） ＩＪランプ送線路の一端に電圧可変容量ダイ
オードを接続し、この電圧可変容量ダイオードの印加電
圧を制御して、発振周波数を補正することを特徴とする
マイクロ波半導体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14440882A JPS5933905A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | マイクロ波半導体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14440882A JPS5933905A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | マイクロ波半導体発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933905A true JPS5933905A (ja) | 1984-02-24 |
Family
ID=15361474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14440882A Pending JPS5933905A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | マイクロ波半導体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933905A (ja) |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP14440882A patent/JPS5933905A/ja active Pending
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