JPS5931740B2 - Storage device control method - Google Patents

Storage device control method

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Publication number
JPS5931740B2
JPS5931740B2 JP9887178A JP9887178A JPS5931740B2 JP S5931740 B2 JPS5931740 B2 JP S5931740B2 JP 9887178 A JP9887178 A JP 9887178A JP 9887178 A JP9887178 A JP 9887178A JP S5931740 B2 JPS5931740 B2 JP S5931740B2
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JP
Japan
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page
storage device
pages
access response
access
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Application number
JP9887178A
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Japanese (ja)
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JPS5525176A (en
Inventor
富秀 瀬尾
辰男 宇敷
忠和 森沢
信治 田近
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Fujitsu Ltd
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, Nippon Telegraph and Telephone Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5525176A publication Critical patent/JPS5525176A/en
Publication of JPS5931740B2 publication Critical patent/JPS5931740B2/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、所定のメモリ量を1ページとするとき、複数
ページで構成される主記憶装置の制御方式に関し、特に
電子交換システムにおいて障害対策のために行なわれる
複数ページ同時書き込みおよびその応答信号受信方式に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a control method for a main memory device consisting of a plurality of pages when a predetermined amount of memory is one page, and in particular to a method for controlling a main memory device composed of a plurality of pages when a predetermined amount of memory is one page. This invention relates to simultaneous writing and its response signal reception method.

従来複数ページから構成される主記憶装置の任意の組合
せの複数ページアクセスをソフトウェアで指定制御でき
るというシステムはなかつた。
Conventionally, there has been no system that allows software to specify and control access to multiple pages in any combination of a main memory device consisting of multiple pages.

しかし、中小局電子交換システムのようなオンラインシ
ステムでは上記機能の必要性が高まつている。一般に、
中小局用電子交換システムでは、プログラム量およびデ
ータ量が大きいので、主記憶装置には使用頻度の高いプ
ログラムモジュールおよびデータのみが格納されている
。上記以外のプログラムおよびデータは2次記憶装置に
格納されており、必要に応じて主記憶装置に用意されて
いるオーバレイエリアに読み出して使用している。この
場合、2次記憶装置から読み出されるものにはプログラ
ムモジュールとデータ群があり、2次記憶装置上では、
既存プログラム構成との関係および大規模ソフトウェア
の保守の容易性からある機能単位毎にプログラムモジュ
ールとデータを連続する一定容量内に格納している。一
方、複数ページよりなる主記憶装置においては、プログ
ラムの格納されるページとデータの格納されるページと
を分離し、命令フエツチとオペランドフエツチをオーバ
ラツプさせることにより中央処理装置の命令実行時間を
短縮させることが可能である。
However, in online systems such as small and medium-sized electronic exchange systems, the need for the above functions is increasing. in general,
In electronic switching systems for small and medium-sized offices, the amount of programs and data is large, so only frequently used program modules and data are stored in the main memory. Programs and data other than those mentioned above are stored in the secondary storage device, and are read out and used in an overlay area provided in the main storage device as needed. In this case, what is read from the secondary storage device includes program modules and data groups, and on the secondary storage device,
Program modules and data are stored in a continuous fixed capacity for each functional unit in relation to the existing program structure and for ease of maintenance of large-scale software. On the other hand, in a main memory device consisting of multiple pages, the instruction execution time of the central processing unit is shortened by separating the pages in which programs are stored and the pages in which data is stored, and by overlapping instruction fetches and operand fetches. It is possible to do so.

しかし、プログラムとデータを別々のページに格納する
システムに上述のオーバレイ方式を採用すると、第1番
目に入出力命令即ち2次記憶読み出し命令を発生し、プ
ログラムモジユールをプログラムページに読み込み、次
に再び2次記憶読み出し命令を発生し、データ群をデー
タページに読み込むことになり処理能力が低下する。本
発明の目的は任意の複数ページに同時書込みを可能とす
ることにより、オーバレイ処理の高速化が図れる記憶装
置制御方式を提供することにある。本発明の他の目的は
、複数ページが互に異速度であつても複数ページ同時ア
クセス可能な記憶装置制御方式を提供することにある。
However, if the above-mentioned overlay method is adopted in a system that stores programs and data in separate pages, an input/output command, that is, a secondary memory read command is generated first, a program module is read into the program page, and then a A secondary storage read command is generated again and the data group is read into the data page, resulting in a decrease in processing performance. An object of the present invention is to provide a storage device control method that can speed up overlay processing by enabling simultaneous writing to arbitrary multiple pages. Another object of the present invention is to provide a storage device control method that allows simultaneous access to multiple pages even if the pages have different speeds.

本発明の更に他の目的は、複数ページのうち任意の複数
ページが未実装であつても、応答信号の受信処理可能な
制御方式を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a control system that can receive and process response signals even if any of the pages are not implemented.

本発明の記憶装置制御方式は、複数ページより構成され
る主記憶装置と該主記憶装置を制御する記憶装置制御部
とを有するデータ処理システムにおいて、上記複数ペー
ジより構成される主記憶装置の各ページのアクセスタイ
ムは異速度であり、上記記憶装置制御部は上記主記憶装
置の各ページよりのアクセス応答信号をそれぞれ受信す
る手段と、上記主記憶装置内の未実装ページを検出する
手段と、未実装ページへのアクセス検出時は該ページに
対するアクセス応答受信手段を所定時間以内にアクセス
応答受信状態にする手段と、複数ページ同時アクセス時
には該アクセスされた複数ページからのアクセス応答信
号を全て受信した時点でアクセス応答受信完了信号を発
生する手段とを有することを特徴とする。次に本発明の
実施例について図面を参照して説明する。
The storage device control method of the present invention provides a data processing system having a main storage device made up of a plurality of pages and a storage device control unit that controls the main storage device, in which each of the main storage devices made up of the plurality of pages is The access times of the pages are different speeds, and the storage device control unit includes means for receiving access response signals from each page of the main storage device, and means for detecting an unimplemented page in the main storage device; When an access to an unimplemented page is detected, the access response receiving means for the page is set to an access response receiving state within a predetermined time, and when multiple pages are simultaneously accessed, all access response signals from the accessed multiple pages are received. and means for generating an access response reception completion signal at a time point. Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すプロツク図であり、記
憶装置10は4つのページ11,12,13,14から
構成されている。記憶装置制御部20はページアクセス
制御回路30およびページアクセス応答信号受信制御回
路40とを含んでいる。21はデータバスであり、アド
レス送信およびデータ送受信に関し、記憶装置制御部2
0と各ページ11,12,13,14とを共通に接続し
ている。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and a storage device 10 is composed of four pages 11, 12, 13, and 14. The storage device control unit 20 includes a page access control circuit 30 and a page access response signal reception control circuit 40. 21 is a data bus, which is connected to the storage device control unit 2 for address transmission and data transmission/reception.
0 and each page 11, 12, 13, and 14 are commonly connected.

31,32,33,34はそれぞれページ11,12,
13,14へのページアクセス要求信号線であり、その
指令はページアクセス制御回路30から発出される。
31, 32, 33, 34 are pages 11, 12, respectively.
13 and 14, and its command is issued from the page access control circuit 30.

41,42,43,44はそれぞれページアクセス要求
信号線31,32,33,34に対する応答信号で、各
ページからページアクセス応答信号受信制御回路40で
受信する。
41, 42, 43, and 44 are response signals to the page access request signal lines 31, 32, 33, and 34, respectively, and are received by the page access response signal reception control circuit 40 from each page.

本実施例では異速度メモリ制御方式採用していることか
ら、ページアクセス要求に対する応答時間は各ページ間
で異なつていても良い。46,4r,48,49は該当
するページの実装表示線で、実装時“1”、未実装時゛
0”となる。
Since this embodiment employs a different speed memory control method, the response time to a page access request may be different between pages. Reference numerals 46, 4r, 48, and 49 are mounting display lines of the corresponding page, which are "1" when mounted and "0" when not mounted.

これらの実装情報もページアクセス応答信号受信制御回
路40に入力さ江アクセス応答信号作成制御に使用され
る。第2図は第1図におけるページアクセス制御回路3
0を詳細に示すプロツク図である。
These implementation information are also input to the page access response signal reception control circuit 40 and used to control the creation of the access response signal. Figure 2 shows the page access control circuit 3 in Figure 1.
FIG.

61および62は中央制御裟置内のページレジスタであ
り、切替回路65により、命令フエツチ時には61を使
用し、オペランドフエツチ時には62を使用するよう切
替えられる。
Reference numerals 61 and 62 are page registers in the central control device, which are switched by a switching circuit 65 so that 61 is used during an instruction fetch and 62 is used during an operand fetch.

切替えられたページレジスタの内容はデコーダγ0によ
り展開され、Tl,r2,r3,r4のいずれか1本を
付勢状態にする。Tl,T2,T3,T4はそれぞれA
ND一0R回路56,5r,58,59の一方のAND
回路に入力される。50は入出力チヤンネル装置が記憶
装置へアクセス時送出するページ情報である。
The contents of the switched page register are expanded by decoder γ0, and any one of Tl, r2, r3, and r4 is activated. Tl, T2, T3, T4 are each A
AND of one of the ND-0R circuits 56, 5r, 58, and 59
input to the circuit. 50 is page information sent by the input/output channel device when accessing the storage device.

50はページ情報をエンコードしておらず、各ページ対
応に1ビツト割り当てられ、その各ページ対応の情報線
51,52,53,54はそれぞれAND−0R回路5
6,51,58,59のもう一方のAND回路に入力さ
れる。
Reference numeral 50 does not encode page information, and one bit is assigned to each page, and information lines 51, 52, 53, and 54 corresponding to each page are connected to the AND-0R circuit 5.
It is input to the other AND circuit of 6, 51, 58, and 59.

ページ情報50はチヤネル・コマンド・ワードCCWの
1フイールドに指定エリアを新たに設けることにより、
ソフトウエアで任意な値に設定可能である。NlOR回
路56,5r,58,59は入出力チヤネル装置の主記
憶装置アクセスを制御する制御信号55および中央制御
装置の主記憶装置アクセスを制御する制御信号R5によ
りそのゲートを制御され、それぞれページアクセス要求
信号線31,32,33,34を付勢する構成となつて
いる。第3図は第1図におけるページアクセス応答信号
受信制御回路40を詳細に示すプロツク図である。保持
フリツプフロツプ81,82,83,84はそれぞれペ
ージアクセス要求31,32,33,34が付勢される
とセツトされ、ページアクセス応答信号41,42,4
3,44が返送されるとりセツトされるように構成され
ている。更にページ実装情報を示す46,4r,48,
49により、対応するページが未実装であつても、対応
するフリツプフロツプはりセツトされる。保持フリツプ
フロツプ81,82,83,84の反転出力はAND回
路90に入力され、91は81,82,83,84がす
べてりセツト状態の時にフリツプフロツプ91を付勢す
る。91,92,93は、90の出力を微分する微分回
路であり、ページアクセス応答受信完了信号を送出する
The page information 50 is created by newly providing a specified area in one field of the channel command word CCW.
It can be set to any value using software. The gates of the N1OR circuits 56, 5r, 58, and 59 are controlled by a control signal 55 that controls the main memory access of the input/output channel device and a control signal R5 that controls the main memory access of the central control unit, respectively. The configuration is such that request signal lines 31, 32, 33, and 34 are energized. FIG. 3 is a block diagram showing in detail the page access response signal reception control circuit 40 in FIG. 1. Holding flip-flops 81, 82, 83, 84 are set when page access requests 31, 32, 33, 34 are activated, respectively, and page access response signals 41, 42, 4 are set.
3, 44 are configured to be returned and set. 46, 4r, 48, which also shows page implementation information.
49, the corresponding flip-flop is reset even if the corresponding page is not mounted. The inverted outputs of holding flip-flops 81, 82, 83, and 84 are input to AND circuit 90, which energizes flip-flop 91 when all of them are in the reset state. 91, 92, and 93 are differentiating circuits that differentiate the output of 90, and send out a page access response reception completion signal.

第3図の構成をとることにより複数ページに同時アクセ
スをした場合、アクセスした全てのページのうちで最も
遅いアクーピス応答を受信した時点で、アクセス応答受
信完了とするので、各ページの応答時間が異なつても中
央制御装置の制御シーケンスは乱れない。更にページ未
実装によりアクセス応答信号が返送されて来ないことに
よるアクセス応答受信回路のスタツクを防止する為、ペ
ージ未実装検出手段を設けて対処することにより、主記
憶装置の増設性を良くしている。このように、本発明に
よる複数ページ同時書込み方式を導入することにより、
1個の入出力命令でプログラムページおよびデータペー
ジにプログラムモジユールおよびデータをオーバレイ可
能である。
When multiple pages are accessed simultaneously by using the configuration shown in Figure 3, the access response reception is completed when the slowest Acoupis response among all accessed pages is received, so the response time for each page is Even if they are different, the control sequence of the central controller will not be disturbed. Furthermore, in order to prevent the access response receiving circuit from becoming stuck due to the access response signal not being returned due to unimplemented pages, a means for detecting unimplemented pages is provided to improve the expandability of the main memory. There is. In this way, by introducing the multiple page simultaneous writing method according to the present invention,
Program modules and data can be overlaid on program and data pages with a single I/O instruction.

また、従来2次記憶装置に回転体、例えば磁気ドラム等
を採用するものが多かつたため、データ転送指令に対し
て、平均数ミリ秒以上の待合せがあつたが、本発明によ
れば1回のオーバレイ処理につき数ミリ秒以上高速化で
き、システム全体の処理能力の向上が図れる。さらに、
本発明によれば、お互に異速度である任意の複数ページ
に同時書き込み可能な構成とすることによる、中小局交
換システム等でのオーバレイ処理の高速化を可能とでき
る。
In addition, since many conventional secondary storage devices employ rotating bodies such as magnetic drums, there is a waiting period of several milliseconds or more on average for a data transfer command, but according to the present invention, there is a waiting period of several milliseconds or more on average. The overlay processing speed can be increased by several milliseconds or more, and the processing capacity of the entire system can be improved. moreover,
According to the present invention, it is possible to speed up overlay processing in small and medium-sized exchange systems, etc. by providing a configuration in which simultaneous writing is possible to any plurality of pages having mutually different speeds.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すプロツク図、第2図は
第1図に示したページアクセス制御回路の詳細プロツク
図、第3図は第1図に示したページアクセス応答受信回
路の詳細プロツク図である。 10・・・・・・主記憶装置、20・・・・・・記憶装
置制御部、30・・・・・・ページアクセス制御回路、
40・・・・・・ページアクセス応答受信回路、21・
・・・・・データバス、31,32,33,34・・・
・・・ページアクセス要求信号、41,42,43,4
4・・・・・・応答信号、46,4r,48,49・・
・・・・ページ実装表示線、50・・・・・・入出力チ
ヤネル装置からのページ情報、61・・・・・仲央制御
装置命令フエツチ時のページレジスタ、62・・・・・
・中央制御装置オペランドフエツツチ時のページレジス
タ、65・・・・・・ページ切替回路、RO・・・・・
・デコーダ、56,5r,58,59・・・・・・AN
D−0R回路、81,82,83,84・・・・・・ペ
ージアクセス応答受信制御フリツプフロツプ、91,9
2,93・・・・・・微分回路。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a detailed block diagram of the page access control circuit shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a block diagram of the page access response receiving circuit shown in FIG. It is a detailed block diagram. 10...Main storage device, 20...Storage device control unit, 30...Page access control circuit,
40...Page access response receiving circuit, 21.
...Data bus, 31, 32, 33, 34...
...Page access request signal, 41, 42, 43, 4
4...Response signal, 46, 4r, 48, 49...
...Page implementation display line, 50...Page information from input/output channel device, 61...Page register when fetching central control unit command, 62...
・Page register at the time of central control unit operand fetch, 65...Page switching circuit, RO...
・Decoder, 56, 5r, 58, 59...AN
D-0R circuit, 81, 82, 83, 84... Page access response reception control flip-flop, 91, 9
2,93... Differential circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 複数ページより構成される主記憶装置と該主記憶装
置を制御する記憶装置制御部とを有するデータ処理シス
テムにおいて、上記複数ページより構成される主記憶装
置の各ページのアクセスタイムは異速度であり、上記記
憶装置制御部は上記主記憶装置の各ページよりのアクセ
ス応答信号をそれぞれ受信する手段と、上記主記憶装置
内の未実装ページを検出する手段と、未実装ページへの
アクセス検出時は該ページに対するアクセス応答受信手
段を所定時間以内にアクセス応答受信状態にする手段と
、複数ページ同時アクセス時には該アクセスされた複数
ページからのアクセス応答信号を全て受信した時点でア
クセス応答受信完了信号を発生する手段とを有すること
を特徴とする記憶装置制御方式。
1. In a data processing system having a main memory device composed of a plurality of pages and a storage device control unit that controls the main memory device, the access time of each page of the main memory device composed of the plurality of pages is different speeds. Yes, the storage device control unit includes means for receiving access response signals from each page of the main storage device, means for detecting an uninstalled page in the main storage device, and a means for detecting an access to an uninstalled page. means for bringing the access response reception means for the page into an access response reception state within a predetermined time, and when multiple pages are accessed simultaneously, an access response reception completion signal is sent when all the access response signals from the accessed multiple pages are received. 1. A storage device control method, comprising: means for generating.
JP9887178A 1978-08-14 1978-08-14 Storage device control method Expired JPS5931740B2 (en)

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JPS5525176A JPS5525176A (en) 1980-02-22
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