JPS5929144B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5929144B2 JPS5929144B2 JP12704178A JP12704178A JPS5929144B2 JP S5929144 B2 JPS5929144 B2 JP S5929144B2 JP 12704178 A JP12704178 A JP 12704178A JP 12704178 A JP12704178 A JP 12704178A JP S5929144 B2 JPS5929144 B2 JP S5929144B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- gate lead
- insulating ring
- semiconductor substrate
- cut groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置に関し、特にゲート電極からゲー
トリードを外部に取出すようにした構成をもつ半導体装
置に係わるものである。
トリードを外部に取出すようにした構成をもつ半導体装
置に係わるものである。
従来のこの種の半導体装置の構成を第１図に示してある
。
。
この第１図において、１は例えばＰ−ｎ−Ｐ−ｎ接合を
もつシリコン板からなる半導体素子、２はこの半導体素
子１の陽極を兼ねて、その機械的強度を補強するために
、この半導体素子１と近似した熱膨張係数の金属、例え
ばモリブデンからなつていて、この半導体素子１の一方
の主面に鑞付け固着された支持板、３はこの半導体素子
１の他方の主面に例えばアルミ蒸着などによつて設けら
れ、前記支持板２と共に１対の主電極を構成する陰極、
４は陰極３と同様に他方の主面に設けられて補助電極と
なるゲート電極であり、これらによつて半導体基体旦を
構成している。また６は前記半導体基体旦を取り囲んで
配置された、例えばセラミックからなる絶縁リング、１
、８はこの絶縁リング６の両端面に設けられる第１およ
び第２の蓋体であり、第１の蓋体Ｉは例えば無酸素銅か
らなる円板状の陽極導電体９と、その外周囲に鑞付け固
着され、かつセラミックと近似した熱膨張係数の材料、
例えば鉄−ニッケル−コバルト合金からなつていて、前
記絶縁リング６の一端面に鑞付け固着された取付け板１
０とから構成され、第２の蓋体旦は例えば無酸素銅から
なり、かつ次に述べるゲートリード引出しのための空間
および溝を形成した円板上の陰極導電体１１と、その外
周囲に鑞付け固着され、かつセラミックと近似した熱膨
張係数の材料、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金から
なつている取付け板１２とから構成されている。さらに
１３はセラミックと近似した熱膨張係数の材料、例えば
鉄一ニッケル−コバルト合金からなつていて、前記絶縁
リング６の他端面に鑞付け固着されたフランジ、１４は
前記陰極３上に配されて陰極導電体１１との接触を良好
にするための陰極補償板、１５はセラミックと近似した
熱膨張係数の材料、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金
・ からなつていて、前記絶縁リング６の側壁に鑞付け
固着されたゲートパイプ、１６は一端を前記ゲート電極
４に圧接させ、他端をゲートパイプ１５に挿入した、例
えばバネ用ステンレス鋼線などの弾性材料からなるゲー
トリード、１７はこのゲートリード１６に挿入させた絶
縁チユーブである。
もつシリコン板からなる半導体素子、２はこの半導体素
子１の陽極を兼ねて、その機械的強度を補強するために
、この半導体素子１と近似した熱膨張係数の金属、例え
ばモリブデンからなつていて、この半導体素子１の一方
の主面に鑞付け固着された支持板、３はこの半導体素子
１の他方の主面に例えばアルミ蒸着などによつて設けら
れ、前記支持板２と共に１対の主電極を構成する陰極、
４は陰極３と同様に他方の主面に設けられて補助電極と
なるゲート電極であり、これらによつて半導体基体旦を
構成している。また６は前記半導体基体旦を取り囲んで
配置された、例えばセラミックからなる絶縁リング、１
、８はこの絶縁リング６の両端面に設けられる第１およ
び第２の蓋体であり、第１の蓋体Ｉは例えば無酸素銅か
らなる円板状の陽極導電体９と、その外周囲に鑞付け固
着され、かつセラミックと近似した熱膨張係数の材料、
例えば鉄−ニッケル−コバルト合金からなつていて、前
記絶縁リング６の一端面に鑞付け固着された取付け板１
０とから構成され、第２の蓋体旦は例えば無酸素銅から
なり、かつ次に述べるゲートリード引出しのための空間
および溝を形成した円板上の陰極導電体１１と、その外
周囲に鑞付け固着され、かつセラミックと近似した熱膨
張係数の材料、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金から
なつている取付け板１２とから構成されている。さらに
１３はセラミックと近似した熱膨張係数の材料、例えば
鉄一ニッケル−コバルト合金からなつていて、前記絶縁
リング６の他端面に鑞付け固着されたフランジ、１４は
前記陰極３上に配されて陰極導電体１１との接触を良好
にするための陰極補償板、１５はセラミックと近似した
熱膨張係数の材料、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金
・ からなつていて、前記絶縁リング６の側壁に鑞付け
固着されたゲートパイプ、１６は一端を前記ゲート電極
４に圧接させ、他端をゲートパイプ１５に挿入した、例
えばバネ用ステンレス鋼線などの弾性材料からなるゲー
トリード、１７はこのゲートリード１６に挿入させた絶
縁チユーブである。
しかしてこの半導体装置の組立ては、まず絶縁リング６
に固着した第１の蓋体Ｊの陽極導電体９上の中央に、半
導体基体旦をその陽極である支持板２を接触させるよう
にして載置させ、かつ陰極３上に陰極補償板１４を配置
させる。ついで絶縁チユーブ１７をかぶせたゲートリー
ド１６を、その折曲された一端がゲート電極４に接圧さ
れるように位置決めして、他端をゲートパイプ１５内に
挿入させた上で、このゲートパイプ１５をかしめるかあ
るいは溶接することにより、ゲートリード１６をその位
置に固定保持させておき、続いて第２の蓋体旦の陰極導
電体１１を、その空間および溝に前記ゲートリード１６
がはめこまれるように位置決めして前記陰極補償板１４
上に載置させ、これによつて相互に重ね合わされたフラ
ンジ１３と取付け板１２の外周縁部を溶接封止するので
ある。こ＼でこのように組立てられる従来の半導体装置
においては、ゲートリード１６をゲートパイプ１５に挿
入してから、正しく固定させるまでの間に、このゲート
リード１６が位置ずれしたりあるいは先端部で回転した
りして、ゲート電極４に接圧しなくなるのを防止するた
めに、第２図に示したように配置位置においてゲートリ
ード１６を保持する組立て治具１８を使用する必要があ
つた。
に固着した第１の蓋体Ｊの陽極導電体９上の中央に、半
導体基体旦をその陽極である支持板２を接触させるよう
にして載置させ、かつ陰極３上に陰極補償板１４を配置
させる。ついで絶縁チユーブ１７をかぶせたゲートリー
ド１６を、その折曲された一端がゲート電極４に接圧さ
れるように位置決めして、他端をゲートパイプ１５内に
挿入させた上で、このゲートパイプ１５をかしめるかあ
るいは溶接することにより、ゲートリード１６をその位
置に固定保持させておき、続いて第２の蓋体旦の陰極導
電体１１を、その空間および溝に前記ゲートリード１６
がはめこまれるように位置決めして前記陰極補償板１４
上に載置させ、これによつて相互に重ね合わされたフラ
ンジ１３と取付け板１２の外周縁部を溶接封止するので
ある。こ＼でこのように組立てられる従来の半導体装置
においては、ゲートリード１６をゲートパイプ１５に挿
入してから、正しく固定させるまでの間に、このゲート
リード１６が位置ずれしたりあるいは先端部で回転した
りして、ゲート電極４に接圧しなくなるのを防止するた
めに、第２図に示したように配置位置においてゲートリ
ード１６を保持する組立て治具１８を使用する必要があ
つた。
すなわち、ゲートリード１６をゲートパイプ１５に挿入
して位置決めした状態で、この治具１８によりゲートリ
ード１６を保持させることにより、その位置ずれあるい
は回転を阻止させ、ゲートパイプ１５へのかしめつけあ
るいは溶接をなして固定させたのちにこれを取外すとい
う作業を行なわなければならず、この操作は組立て工程
に大きな負坦を与え、極めて煩わしいものであつた。こ
の発明は従来のこのような欠点を改善するために、絶縁
リングのゲートパイプを開口させる内壁部分に切溝を形
成させ、かつゲートリードに対しても所定の位置決め状
態でこの切溝に係合する折曲部を形成させ、切溝に折曲
部を係合させることにより、位置決めされたゲートリー
ドの位置ずれあるいは回転を阻止できるようにして、治
具などを必要とせずに組立てし得るようにしたものであ
る。以下この発明に係わる半導体装置の一実施例につき
、第３図を参照して詳細に説明する。
して位置決めした状態で、この治具１８によりゲートリ
ード１６を保持させることにより、その位置ずれあるい
は回転を阻止させ、ゲートパイプ１５へのかしめつけあ
るいは溶接をなして固定させたのちにこれを取外すとい
う作業を行なわなければならず、この操作は組立て工程
に大きな負坦を与え、極めて煩わしいものであつた。こ
の発明は従来のこのような欠点を改善するために、絶縁
リングのゲートパイプを開口させる内壁部分に切溝を形
成させ、かつゲートリードに対しても所定の位置決め状
態でこの切溝に係合する折曲部を形成させ、切溝に折曲
部を係合させることにより、位置決めされたゲートリー
ドの位置ずれあるいは回転を阻止できるようにして、治
具などを必要とせずに組立てし得るようにしたものであ
る。以下この発明に係わる半導体装置の一実施例につき
、第３図を参照して詳細に説明する。
第３図において前記第１図と同一符号は同一または相当
部分を示しており、この実施例では前記絶縁リング６の
ゲートパイプ１５を開口させる内壁部分に、下方に向か
う僅かな長さの切溝１９を形成させておき、またゲート
リード１６に対しても、前記したように一端をゲート電
極４に接圧させ、他端をゲートパイプ１５に挿入させた
所定の位置決め状態で、前記切溝１９に係合し得るよう
に僅かに下方に折曲げた折曲部１６ａを形成させ、組立
て時、より詳しくはゲートリード１６の位置決めに際し
て折曲部１６ａを切溝１９に係合させ、この状態のま＼
ゲートパイプ１５をかしめるかあるいは溶接することに
より、このゲートリード１６を位置ずれあるいは回転さ
せることなしに、その位置に固定できるのである。
部分を示しており、この実施例では前記絶縁リング６の
ゲートパイプ１５を開口させる内壁部分に、下方に向か
う僅かな長さの切溝１９を形成させておき、またゲート
リード１６に対しても、前記したように一端をゲート電
極４に接圧させ、他端をゲートパイプ１５に挿入させた
所定の位置決め状態で、前記切溝１９に係合し得るよう
に僅かに下方に折曲げた折曲部１６ａを形成させ、組立
て時、より詳しくはゲートリード１６の位置決めに際し
て折曲部１６ａを切溝１９に係合させ、この状態のま＼
ゲートパイプ１５をかしめるかあるいは溶接することに
より、このゲートリード１６を位置ずれあるいは回転さ
せることなしに、その位置に固定できるのである。
なお前記実施例での切溝１９および折曲部１６ａの方向
および長さについては、特に限定されるものでないが、
実施例構成のように下方に向かう適当な長さとすること
により、組立て後のゲートリードに対する弾性付与を一
層効果的とし、その一端のゲート電極への接圧力助長に
役立たせることができる。
および長さについては、特に限定されるものでないが、
実施例構成のように下方に向かう適当な長さとすること
により、組立て後のゲートリードに対する弾性付与を一
層効果的とし、その一端のゲート電極への接圧力助長に
役立たせることができる。
以上詳述したようにこの発明によるときは、絶縁リング
のゲートパイプを開口させる内壁部分に切溝を形成させ
、かつゲートリードに所定の位置決め状態でこの切溝に
係合する折曲部を形成するだけの極めて簡単な構成と、
切溝に折曲部を係合させるだけの頗る容易な作業による
のみにて、従来は組立て治具を必要としていたゲートリ
ードの位置決めを、何等このような治具を必要とせずに
行なうことができ、組立て工程の簡略化に役立つと共に
、折曲部の形成によつてゲートリードに腰を与え、その
弾性を高められるのは勿論のこと、使用中に外部からの
振動などにより、ゲート電極との接圧がずれたりするこ
ともないなどの特長を有するものである。
のゲートパイプを開口させる内壁部分に切溝を形成させ
、かつゲートリードに所定の位置決め状態でこの切溝に
係合する折曲部を形成するだけの極めて簡単な構成と、
切溝に折曲部を係合させるだけの頗る容易な作業による
のみにて、従来は組立て治具を必要としていたゲートリ
ードの位置決めを、何等このような治具を必要とせずに
行なうことができ、組立て工程の簡略化に役立つと共に
、折曲部の形成によつてゲートリードに腰を与え、その
弾性を高められるのは勿論のこと、使用中に外部からの
振動などにより、ゲート電極との接圧がずれたりするこ
ともないなどの特長を有するものである。
第１図は従来例による半導体装置の構成を示す断面図、
第２図は同上ゲートリードを組立て治具により保持して
いる状態を示す断面図、第３図はこの発明に係わる半導
体装置の一実施例による構成を示す断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・支持板、３
・・・・・・陰極、４・・・・・・ゲート電極、５・・
・・・・半導体基体、６・・・・・・絶縁リング、Ｊ，
旦・・・・・・第１、第２の蓋体、９，１１・・・・・
・陽極、陰極導電体、１０，１２・・・・・・取付け板
、１３・・・・・・フランジ、１４・・・・・・陰極補
償板、１５・・・・・・ゲートパイプ、１６・・・・・
・ゲートリード、１６ａ・・・・・・ゲートリードの折
曲部、１７・・・・・・絶縁チューブ、１９・・・・・
・切溝。
第２図は同上ゲートリードを組立て治具により保持して
いる状態を示す断面図、第３図はこの発明に係わる半導
体装置の一実施例による構成を示す断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・支持板、３
・・・・・・陰極、４・・・・・・ゲート電極、５・・
・・・・半導体基体、６・・・・・・絶縁リング、Ｊ，
旦・・・・・・第１、第２の蓋体、９，１１・・・・・
・陽極、陰極導電体、１０，１２・・・・・・取付け板
、１３・・・・・・フランジ、１４・・・・・・陰極補
償板、１５・・・・・・ゲートパイプ、１６・・・・・
・ゲートリード、１６ａ・・・・・・ゲートリードの折
曲部、１７・・・・・・絶縁チューブ、１９・・・・・
・切溝。
Claims (1)
- １ 半導体基体と、この半導体基体を取り囲んで配置し
た絶縁リングと、前記半導体基体の両主面に接する１対
の主電極を有して、前記絶縁リングの両端面に固着され
る蓋体と、一端を前記半導体基体のゲート電極に接圧さ
せ、他端を前記絶縁リングの側壁に貫通固着したゲート
パイプに挿入固着させたゲートリードとを備えた半導体
装置において、前記絶縁リングのゲートパイプを開口さ
せる内壁部分に切溝を形成すると共に、前記ゲートリー
ドには所定の位置決め状態でこの切溝に係合する折曲部
を形成し、前記切溝への折曲部の係合により、ゲートリ
ードを保持させるようにしたことを特徴とする半導体装
置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12704178A JPS5929144B2 (ja) | 1978-10-16 | 1978-10-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12704178A JPS5929144B2 (ja) | 1978-10-16 | 1978-10-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5553430A JPS5553430A (en) | 1980-04-18 |
| JPS5929144B2 true JPS5929144B2 (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=14950159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12704178A Expired JPS5929144B2 (ja) | 1978-10-16 | 1978-10-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929144B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100426522C (zh) * | 2006-10-20 | 2008-10-15 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 阴电极分叉式半导体器件 |
-
1978
- 1978-10-16 JP JP12704178A patent/JPS5929144B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5553430A (en) | 1980-04-18 |
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