JPS5927579A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS5927579A JPS5927579A JP57135939A JP13593982A JPS5927579A JP S5927579 A JPS5927579 A JP S5927579A JP 57135939 A JP57135939 A JP 57135939A JP 13593982 A JP13593982 A JP 13593982A JP S5927579 A JPS5927579 A JP S5927579A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はP型シリコンウェハによって、n+PP十接合
とした太陽電池を製造するための方法に関する。
とした太陽電池を製造するための方法に関する。
従来から効率のよいB S F (Back 5urf
aceField )化された太陽電池が用いられてい
るが、この種電池の製造は、次の如き工程を経て行なわ
れている。
aceField )化された太陽電池が用いられてい
るが、この種電池の製造は、次の如き工程を経て行なわ
れている。
すなわち第1図の工程説明図が明示する如く、先ス((
イ)にあって用意されたP型シリコンウェハに対し、ボ
ロン等の3価の不純物を拡散させることにより、(ロ)
の如くP型シリコンウェハの全表面゛にn子局を形成し
てPn→”接合を得る。
イ)にあって用意されたP型シリコンウェハに対し、ボ
ロン等の3価の不純物を拡散させることにより、(ロ)
の如くP型シリコンウェハの全表面゛にn子局を形成し
てPn→”接合を得る。
体に同図(ハ)に示す通論、上記の拡散済P型シ −リ
コンウエハの裏面側におけるn+ Bを除去するのであ
るが、このためには当該n十層に耐酸性レジストインク
を約20μm膜厚捏度となるようスクリーン印刷して乾
燥させた後、HF−HN Os溶液とか、)11”−H
NO8−CH,C0OH溶液にて化学エツチング処理す
るか、研磨紙による機械研磨を施すようにしている。
コンウエハの裏面側におけるn+ Bを除去するのであ
るが、このためには当該n十層に耐酸性レジストインク
を約20μm膜厚捏度となるようスクリーン印刷して乾
燥させた後、HF−HN Os溶液とか、)11”−H
NO8−CH,C0OH溶液にて化学エツチング処理す
るか、研磨紙による機械研磨を施すようにしている。
次にに)の如くn子局を除去した面に、Atペースト層
+11をスクリーン印刷した後、空気中にて焼成するこ
とで、ALをP型シリコンウェハに拡散させ、これによ
ってP 層を形成してnPP+接合とするBSF化処理
を行なうのである0上記BSF化処理によりP層の裏面
に付着残存した(ホ)に示すhtペースト酸化層(l)
′を、HCz。
+11をスクリーン印刷した後、空気中にて焼成するこ
とで、ALをP型シリコンウェハに拡散させ、これによ
ってP 層を形成してnPP+接合とするBSF化処理
を行なうのである0上記BSF化処理によりP層の裏面
に付着残存した(ホ)に示すhtペースト酸化層(l)
′を、HCz。
NaOH溶液により除去し、と\でn 層とP 層との
接触による出力低下を防止するためn+層に分断スリッ
トS%S′を入れておき、次で(へ)(ト)に示す通り
常法によってP+層には裏面電極(2)を、n+層に、
は表面電極(3)を形成し、さらに要すれば表面電極(
3)を反射防止膜(4)により被覆することになる0こ
のように従来法にあっては、P型シリ1コンウェハの拡
散処理により得られたn 層につき、その裏面側のn
層を除去した後、そのBSF化処理を行なうようにして
いるから、当該除去作業に可成りの労力と時間とを要し
、このため太陽電池を安価に提供し得ない欠陥があった
。
接触による出力低下を防止するためn+層に分断スリッ
トS%S′を入れておき、次で(へ)(ト)に示す通り
常法によってP+層には裏面電極(2)を、n+層に、
は表面電極(3)を形成し、さらに要すれば表面電極(
3)を反射防止膜(4)により被覆することになる0こ
のように従来法にあっては、P型シリ1コンウェハの拡
散処理により得られたn 層につき、その裏面側のn
層を除去した後、そのBSF化処理を行なうようにして
いるから、当該除去作業に可成りの労力と時間とを要し
、このため太陽電池を安価に提供し得ない欠陥があった
。
本発明は上記従来例の難点を大中に解消しようとするも
ので、その特徴とするところは、P型シリコンウェハに
燐、ボロン等による拡散処理を施すことにより、当該ウ
ェハの全表面にn子局を形成し、この拡散済P型シリコ
ンウェハの裏面側におけるn土層に、Atペーストを印
刷して、これを空気中にて焼成することにより、Atペ
ーストを裏面側のn土層から前記P型シリコンウェハの
P層にまで拡散してP+層を形成することでn”PP+
接合とするBSF化処理を行ない、これによってP+層
に41着されたAtペースト酸化層を、IICt%Na
OH溶散等により除去した後、当該P+層に裏面電極を
、■十層に表面電極を夫々常法によや形成することにあ
る。
ので、その特徴とするところは、P型シリコンウェハに
燐、ボロン等による拡散処理を施すことにより、当該ウ
ェハの全表面にn子局を形成し、この拡散済P型シリコ
ンウェハの裏面側におけるn土層に、Atペーストを印
刷して、これを空気中にて焼成することにより、Atペ
ーストを裏面側のn土層から前記P型シリコンウェハの
P層にまで拡散してP+層を形成することでn”PP+
接合とするBSF化処理を行ない、これによってP+層
に41着されたAtペースト酸化層を、IICt%Na
OH溶散等により除去した後、当該P+層に裏面電極を
、■十層に表面電極を夫々常法によや形成することにあ
る。
本発明を第2図に示す工程説明図によって、詳細に説示
すると、例えば同図(イ)の如く直径3インチ、厚さ3
0011m、比抵抗11ΩαのP型シリコンウェハを用
意し、従来例の如く燐拡散によって同図(→のように、
当該ウェハの全面にわたり0+層を形成するのであり、
この際形成された+1+層の面抵抗は50Ω/l:11
厚さは0.2μmであった。
すると、例えば同図(イ)の如く直径3インチ、厚さ3
0011m、比抵抗11ΩαのP型シリコンウェハを用
意し、従来例の如く燐拡散によって同図(→のように、
当該ウェハの全面にわたり0+層を形成するのであり、
この際形成された+1+層の面抵抗は50Ω/l:11
厚さは0.2μmであった。
次に本発明では上記拡散処理により得られたれ+層の9
ち同図の(ハ)に示す如く、その裏面側だけにA7ペー
スト+11をスクリーン印刷するのであり、この際使用
した当該ペーストとしては、200メツシユのアルミニ
ウム粉であり、印刷により得られたもの\膜厚は20〜
40μmとした。
ち同図の(ハ)に示す如く、その裏面側だけにA7ペー
スト+11をスクリーン印刷するのであり、この際使用
した当該ペーストとしては、200メツシユのアルミニ
ウム粉であり、印刷により得られたもの\膜厚は20〜
40μmとした。
さらに上記のものを、空気中にて800℃〜900℃の
温度、望ましくは825℃〜850℃により、4分〜6
分藺焼成する。
温度、望ましくは825℃〜850℃により、4分〜6
分藺焼成する。
この焼成処理によって、AAペース)lff面側の計°
層を突き破って、P型シリコンウェハのP層に拡散して
行き、この結果同図の←)に示す通り、P層に隣接した
P+層を形成することができるのであり、かくてn+P
P+ 接合となるBSF化処理が進行し、この際P+層
の面にはAtペースト酸化層(1)′が形成されるが、
このに)において前述常法の通りn+層に分断スリ7)
8,8’ を切設しておくのがよい。
層を突き破って、P型シリコンウェハのP層に拡散して
行き、この結果同図の←)に示す通り、P層に隣接した
P+層を形成することができるのであり、かくてn+P
P+ 接合となるBSF化処理が進行し、この際P+層
の面にはAtペースト酸化層(1)′が形成されるが、
このに)において前述常法の通りn+層に分断スリ7)
8,8’ を切設しておくのがよい。
そこで上記のものを10%HCt溶液に10分〜15分
浸漬することにより、A4ペースト酸化層(1)′ を
除去してP+層を露呈させ、その後は常法によって、当
該P+層に裏面電極(2)を同図(罰のように形成する
と共に、n土層には同図(へ)の如く表面電極(31を
形成し、要すれば反射防止膜1411に被装するのであ
るが、因に裏面には1’ i −A g電極またはAg
電極を、表面にはT’i−Ag電電極影形成、TiAg
電極ニ、t)つてはアニーリング温度6oo′cにて窒
素ガス中10分間、Ag電極ではアニーリング温度65
0℃にて窒素ガス中10分間の蒸着処理を行なった。
浸漬することにより、A4ペースト酸化層(1)′ を
除去してP+層を露呈させ、その後は常法によって、当
該P+層に裏面電極(2)を同図(罰のように形成する
と共に、n土層には同図(へ)の如く表面電極(31を
形成し、要すれば反射防止膜1411に被装するのであ
るが、因に裏面には1’ i −A g電極またはAg
電極を、表面にはT’i−Ag電電極影形成、TiAg
電極ニ、t)つてはアニーリング温度6oo′cにて窒
素ガス中10分間、Ag電極ではアニーリング温度65
0℃にて窒素ガス中10分間の蒸着処理を行なった。
上記のようにして得られた太陽1u池につき、そのI−
V特性値により短絡電流、開放電圧を求めたところ、B
SF化しないrIP接合のものよりも下表の如く優れた
結果が得られることを確認した。
V特性値により短絡電流、開放電圧を求めたところ、B
SF化しないrIP接合のものよりも下表の如く優れた
結果が得られることを確認した。
[
また上記の如〈従来のn子局除去作業を消去して、その
製造を可能としたことにより、従来法にあって化学エツ
チングによるときで40枚/2時間30分、機械研磨の
場合40枚/3時間しか生産し得なかったものが、本発
明によるときは、40枚/1時間と大中にその生産能率
を向上することができた。
製造を可能としたことにより、従来法にあって化学エツ
チングによるときで40枚/2時間30分、機械研磨の
場合40枚/3時間しか生産し得なかったものが、本発
明によるときは、40枚/1時間と大中にその生産能率
を向上することができた。
第1図の(イ)〜(1)は従来のBSF化による太陽電
池の製造方法を示す工程説明図、第2図は本発明に係る
製造方法の工程説明図である。 P @−・・・Pljlシリコンウェハn+ o・・・
n中層 P+・・・・・P中層 (1) ・・・・・ALペースト層 (1)′ ・・◆・−ALペースト酸化層(2)
・・・・・裏面電極 (3) ・・・・・表面電極 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
池の製造方法を示す工程説明図、第2図は本発明に係る
製造方法の工程説明図である。 P @−・・・Pljlシリコンウェハn+ o・・・
n中層 P+・・・・・P中層 (1) ・・・・・ALペースト層 (1)′ ・・◆・−ALペースト酸化層(2)
・・・・・裏面電極 (3) ・・・・・表面電極 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
Claims (1)
- P型シリコンウェハに燐、ボロン等による拡散処理を施
すことにより、当該ウェハの全表面にn子局を形成し、
乙の拡散済P型シリコンウェハの裏面側におけるn子局
に、Atペーストを印刷して、これを空気中にて焼成す
ることにより、Atペーストを裏面側のn子局から前記
P型シリコンウェハのP層にまで拡散してP十層を形成
することで、n+PP+接合とするBSF化処理を行な
い、これによってP十層に付着されたAtペースト酸化
層を、HCt、NaOH溶液等により除去した後、当該
P十層に裏面電極を、n子局に表面電極を夫々常法によ
り形成したことを特徴とする太陽1.11池の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57135939A JPS5927579A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57135939A JPS5927579A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5927579A true JPS5927579A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15163370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57135939A Pending JPS5927579A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927579A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0296126U (ja) * | 1989-01-23 | 1990-07-31 | ||
US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
JP2001313402A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Kyocera Corp | 太陽電池用ペースト材料 |
JP2010272890A (ja) * | 2010-08-21 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
JP2012023227A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5498189A (en) * | 1977-12-30 | 1979-08-02 | Mobil Tyco Solar Energy Corp | Method of fabricating solar battery having shallow deep composite junction unit |
JPS5655039A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP57135939A patent/JPS5927579A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010272890A (ja) * | 2010-08-21 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
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