JPS5927579A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS5927579A JPS5927579A JP57135939A JP13593982A JPS5927579A JP S5927579 A JPS5927579 A JP S5927579A JP 57135939 A JP57135939 A JP 57135939A JP 13593982 A JP13593982 A JP 13593982A JP S5927579 A JPS5927579 A JP S5927579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰ型シリコンウェハによって、ｎ＋ＰＰ十接合
とした太陽電池を製造するための方法に関する。
とした太陽電池を製造するための方法に関する。
従来から効率のよいＢ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆ
ａｃｅＦｉｅｌｄ ）化された太陽電池が用いられてい
るが、この種電池の製造は、次の如き工程を経て行なわ
れている。
ａｃｅＦｉｅｌｄ ）化された太陽電池が用いられてい
るが、この種電池の製造は、次の如き工程を経て行なわ
れている。
すなわち第１図の工程説明図が明示する如く、先ス（（
イ）にあって用意されたＰ型シリコンウェハに対し、ボ
ロン等の３価の不純物を拡散させることにより、（ロ）
の如くＰ型シリコンウェハの全表面゛にｎ子局を形成し
てＰｎ→”接合を得る。
イ）にあって用意されたＰ型シリコンウェハに対し、ボ
ロン等の３価の不純物を拡散させることにより、（ロ）
の如くＰ型シリコンウェハの全表面゛にｎ子局を形成し
てＰｎ→”接合を得る。
体に同図（ハ）に示す通論、上記の拡散済Ｐ型シ −リ
コンウエハの裏面側におけるｎ＋ Ｂを除去するのであ
るが、このためには当該ｎ十層に耐酸性レジストインク
を約２０μｍ膜厚捏度となるようスクリーン印刷して乾
燥させた後、ＨＦ−ＨＮ Ｏｓ溶液とか、）１１”−Ｈ
ＮＯ８−ＣＨ，Ｃ０ＯＨ溶液にて化学エツチング処理す
るか、研磨紙による機械研磨を施すようにしている。
コンウエハの裏面側におけるｎ＋ Ｂを除去するのであ
るが、このためには当該ｎ十層に耐酸性レジストインク
を約２０μｍ膜厚捏度となるようスクリーン印刷して乾
燥させた後、ＨＦ−ＨＮ Ｏｓ溶液とか、）１１”−Ｈ
ＮＯ８−ＣＨ，Ｃ０ＯＨ溶液にて化学エツチング処理す
るか、研磨紙による機械研磨を施すようにしている。
次にに）の如くｎ子局を除去した面に、Ａｔペースト層
＋１１をスクリーン印刷した後、空気中にて焼成するこ
とで、ＡＬをＰ型シリコンウェハに拡散させ、これによ
ってＰ 層を形成してｎＰＰ＋接合とするＢＳＦ化処理
を行なうのである０上記ＢＳＦ化処理によりＰ層の裏面
に付着残存した（ホ）に示すｈｔペースト酸化層（ｌ）
′を、ＨＣｚ。
＋１１をスクリーン印刷した後、空気中にて焼成するこ
とで、ＡＬをＰ型シリコンウェハに拡散させ、これによ
ってＰ 層を形成してｎＰＰ＋接合とするＢＳＦ化処理
を行なうのである０上記ＢＳＦ化処理によりＰ層の裏面
に付着残存した（ホ）に示すｈｔペースト酸化層（ｌ）
′を、ＨＣｚ。
ＮａＯＨ溶液により除去し、と＼でｎ 層とＰ 層との
接触による出力低下を防止するためｎ＋層に分断スリッ
トＳ％Ｓ′を入れておき、次で（へ）（ト）に示す通り
常法によってＰ＋層には裏面電極（２）を、ｎ＋層に、
は表面電極（３）を形成し、さらに要すれば表面電極（
３）を反射防止膜（４）により被覆することになる０こ
のように従来法にあっては、Ｐ型シリ１コンウェハの拡
散処理により得られたｎ 層につき、その裏面側のｎ
層を除去した後、そのＢＳＦ化処理を行なうようにして
いるから、当該除去作業に可成りの労力と時間とを要し
、このため太陽電池を安価に提供し得ない欠陥があった
。
接触による出力低下を防止するためｎ＋層に分断スリッ
トＳ％Ｓ′を入れておき、次で（へ）（ト）に示す通り
常法によってＰ＋層には裏面電極（２）を、ｎ＋層に、
は表面電極（３）を形成し、さらに要すれば表面電極（
３）を反射防止膜（４）により被覆することになる０こ
のように従来法にあっては、Ｐ型シリ１コンウェハの拡
散処理により得られたｎ 層につき、その裏面側のｎ
層を除去した後、そのＢＳＦ化処理を行なうようにして
いるから、当該除去作業に可成りの労力と時間とを要し
、このため太陽電池を安価に提供し得ない欠陥があった
。
本発明は上記従来例の難点を大中に解消しようとするも
ので、その特徴とするところは、Ｐ型シリコンウェハに
燐、ボロン等による拡散処理を施すことにより、当該ウ
ェハの全表面にｎ子局を形成し、この拡散済Ｐ型シリコ
ンウェハの裏面側におけるｎ土層に、Ａｔペーストを印
刷して、これを空気中にて焼成することにより、Ａｔペ
ーストを裏面側のｎ土層から前記Ｐ型シリコンウェハの
Ｐ層にまで拡散してＰ＋層を形成することでｎ”ＰＰ＋
接合とするＢＳＦ化処理を行ない、これによってＰ＋層
に４１着されたＡｔペースト酸化層を、ＩＩＣｔ％Ｎａ
ＯＨ溶散等により除去した後、当該Ｐ＋層に裏面電極を
、■十層に表面電極を夫々常法によや形成することにあ
る。
ので、その特徴とするところは、Ｐ型シリコンウェハに
燐、ボロン等による拡散処理を施すことにより、当該ウ
ェハの全表面にｎ子局を形成し、この拡散済Ｐ型シリコ
ンウェハの裏面側におけるｎ土層に、Ａｔペーストを印
刷して、これを空気中にて焼成することにより、Ａｔペ
ーストを裏面側のｎ土層から前記Ｐ型シリコンウェハの
Ｐ層にまで拡散してＰ＋層を形成することでｎ”ＰＰ＋
接合とするＢＳＦ化処理を行ない、これによってＰ＋層
に４１着されたＡｔペースト酸化層を、ＩＩＣｔ％Ｎａ
ＯＨ溶散等により除去した後、当該Ｐ＋層に裏面電極を
、■十層に表面電極を夫々常法によや形成することにあ
る。
本発明を第２図に示す工程説明図によって、詳細に説示
すると、例えば同図（イ）の如く直径３インチ、厚さ３
００１１ｍ、比抵抗１１ΩαのＰ型シリコンウェハを用
意し、従来例の如く燐拡散によって同図（→のように、
当該ウェハの全面にわたり０＋層を形成するのであり、
この際形成された＋１＋層の面抵抗は５０Ω／ｌ：１１
厚さは０．２μｍであった。
すると、例えば同図（イ）の如く直径３インチ、厚さ３
００１１ｍ、比抵抗１１ΩαのＰ型シリコンウェハを用
意し、従来例の如く燐拡散によって同図（→のように、
当該ウェハの全面にわたり０＋層を形成するのであり、
この際形成された＋１＋層の面抵抗は５０Ω／ｌ：１１
厚さは０．２μｍであった。
次に本発明では上記拡散処理により得られたれ＋層の９
ち同図の（ハ）に示す如く、その裏面側だけにＡ７ペー
スト＋１１をスクリーン印刷するのであり、この際使用
した当該ペーストとしては、２００メツシユのアルミニ
ウム粉であり、印刷により得られたもの＼膜厚は２０〜
４０μｍとした。
ち同図の（ハ）に示す如く、その裏面側だけにＡ７ペー
スト＋１１をスクリーン印刷するのであり、この際使用
した当該ペーストとしては、２００メツシユのアルミニ
ウム粉であり、印刷により得られたもの＼膜厚は２０〜
４０μｍとした。
さらに上記のものを、空気中にて８００℃〜９００℃の
温度、望ましくは８２５℃〜８５０℃により、４分〜６
分藺焼成する。
温度、望ましくは８２５℃〜８５０℃により、４分〜６
分藺焼成する。
この焼成処理によって、ＡＡペース）ｌｆｆ面側の計°
層を突き破って、Ｐ型シリコンウェハのＰ層に拡散して
行き、この結果同図の←）に示す通り、Ｐ層に隣接した
Ｐ＋層を形成することができるのであり、かくてｎ＋Ｐ
Ｐ＋ 接合となるＢＳＦ化処理が進行し、この際Ｐ＋層
の面にはＡｔペースト酸化層（１）′が形成されるが、
このに）において前述常法の通りｎ＋層に分断スリ７）
８，８’ を切設しておくのがよい。
層を突き破って、Ｐ型シリコンウェハのＰ層に拡散して
行き、この結果同図の←）に示す通り、Ｐ層に隣接した
Ｐ＋層を形成することができるのであり、かくてｎ＋Ｐ
Ｐ＋ 接合となるＢＳＦ化処理が進行し、この際Ｐ＋層
の面にはＡｔペースト酸化層（１）′が形成されるが、
このに）において前述常法の通りｎ＋層に分断スリ７）
８，８’ を切設しておくのがよい。
そこで上記のものを１０％ＨＣｔ溶液に１０分〜１５分
浸漬することにより、Ａ４ペースト酸化層（１）′ を
除去してＰ＋層を露呈させ、その後は常法によって、当
該Ｐ＋層に裏面電極（２）を同図（罰のように形成する
と共に、ｎ土層には同図（へ）の如く表面電極（３１を
形成し、要すれば反射防止膜１４１１に被装するのであ
るが、因に裏面には１’ ｉ −Ａ ｇ電極またはＡｇ
電極を、表面にはＴ’ｉ−Ａｇ電電極影形成、ＴｉＡｇ
電極ニ、ｔ）つてはアニーリング温度６ｏｏ′ｃにて窒
素ガス中１０分間、Ａｇ電極ではアニーリング温度６５
０℃にて窒素ガス中１０分間の蒸着処理を行なった。
浸漬することにより、Ａ４ペースト酸化層（１）′ を
除去してＰ＋層を露呈させ、その後は常法によって、当
該Ｐ＋層に裏面電極（２）を同図（罰のように形成する
と共に、ｎ土層には同図（へ）の如く表面電極（３１を
形成し、要すれば反射防止膜１４１１に被装するのであ
るが、因に裏面には１’ ｉ −Ａ ｇ電極またはＡｇ
電極を、表面にはＴ’ｉ−Ａｇ電電極影形成、ＴｉＡｇ
電極ニ、ｔ）つてはアニーリング温度６ｏｏ′ｃにて窒
素ガス中１０分間、Ａｇ電極ではアニーリング温度６５
０℃にて窒素ガス中１０分間の蒸着処理を行なった。
上記のようにして得られた太陽１ｕ池につき、そのＩ−
Ｖ特性値により短絡電流、開放電圧を求めたところ、Ｂ
ＳＦ化しないｒＩＰ接合のものよりも下表の如く優れた
結果が得られることを確認した。
Ｖ特性値により短絡電流、開放電圧を求めたところ、Ｂ
ＳＦ化しないｒＩＰ接合のものよりも下表の如く優れた
結果が得られることを確認した。
［
また上記の如〈従来のｎ子局除去作業を消去して、その
製造を可能としたことにより、従来法にあって化学エツ
チングによるときで４０枚／２時間３０分、機械研磨の
場合４０枚／３時間しか生産し得なかったものが、本発
明によるときは、４０枚／１時間と大中にその生産能率
を向上することができた。
製造を可能としたことにより、従来法にあって化学エツ
チングによるときで４０枚／２時間３０分、機械研磨の
場合４０枚／３時間しか生産し得なかったものが、本発
明によるときは、４０枚／１時間と大中にその生産能率
を向上することができた。
第１図の（イ）〜（１）は従来のＢＳＦ化による太陽電
池の製造方法を示す工程説明図、第２図は本発明に係る
製造方法の工程説明図である。 Ｐ ＠−・・・Ｐｌｊｌシリコンウェハｎ＋ ｏ・・・
ｎ中層 Ｐ＋・・・・・Ｐ中層 （１） ・・・・・ＡＬペースト層 （１）′ ・・◆・−ＡＬペースト酸化層（２）
・・・・・裏面電極 （３） ・・・・・表面電極 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
池の製造方法を示す工程説明図、第２図は本発明に係る
製造方法の工程説明図である。 Ｐ ＠−・・・Ｐｌｊｌシリコンウェハｎ＋ ｏ・・・
ｎ中層 Ｐ＋・・・・・Ｐ中層 （１） ・・・・・ＡＬペースト層 （１）′ ・・◆・−ＡＬペースト酸化層（２）
・・・・・裏面電極 （３） ・・・・・表面電極 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
Claims (1)
- Ｐ型シリコンウェハに燐、ボロン等による拡散処理を施
すことにより、当該ウェハの全表面にｎ子局を形成し、
乙の拡散済Ｐ型シリコンウェハの裏面側におけるｎ子局
に、Ａｔペーストを印刷して、これを空気中にて焼成す
ることにより、Ａｔペーストを裏面側のｎ子局から前記
Ｐ型シリコンウェハのＰ層にまで拡散してＰ十層を形成
することで、ｎ＋ＰＰ＋接合とするＢＳＦ化処理を行な
い、これによってＰ十層に付着されたＡｔペースト酸化
層を、ＨＣｔ、ＮａＯＨ溶液等により除去した後、当該
Ｐ十層に裏面電極を、ｎ子局に表面電極を夫々常法によ
り形成したことを特徴とする太陽１．１１池の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135939A JPS5927579A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135939A JPS5927579A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927579A true JPS5927579A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15163370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135939A Pending JPS5927579A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927579A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296126U (ja) * | 1989-01-23 | 1990-07-31 | ||
| US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
| JP2001313402A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Kyocera Corp | 太陽電池用ペースト材料 |
| JP2010272890A (ja) * | 2010-08-21 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
| JP2012023227A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498189A (en) * | 1977-12-30 | 1979-08-02 | Mobil Tyco Solar Energy Corp | Method of fabricating solar battery having shallow deep composite junction unit |
| JPS5655039A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP57135939A patent/JPS5927579A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498189A (en) * | 1977-12-30 | 1979-08-02 | Mobil Tyco Solar Energy Corp | Method of fabricating solar battery having shallow deep composite junction unit |
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| JP2010272890A (ja) * | 2010-08-21 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
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