JPS5927179B2 - 電源の突入電流制限回路 - Google Patents

電源の突入電流制限回路

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JPS5927179B2
JPS5927179B2 JP2542578A JP2542578A JPS5927179B2 JP S5927179 B2 JPS5927179 B2 JP S5927179B2 JP 2542578 A JP2542578 A JP 2542578A JP 2542578 A JP2542578 A JP 2542578A JP S5927179 B2 JPS5927179 B2 JP S5927179B2
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JP
Japan
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capacitor
charging
power supply
inrush current
circuit
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JP2542578A
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純則 水野
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、交流電源を直接整流平滑して直流電源に変
換する電源回路における突入電流制限回路に関する。
従来、この種の電源回路は、第1図に示したような構成
となつていた。
すなわち、スイッチングレギュレータ方式の如き電源回
路においては、交流電源1を直接整流器2で整流し、大
容量コンデンサ3により平滑して直流電源に変換し、負
荷4に電力を供給するので、回路インピーダンスが小さ
くなり、コンデンサ3への突入電流は非常に大きくなる
。突入電流が大き過ぎると、回路部品を破壊するだけで
なく、交流電源にも悪影響を及ぼすので、これを一定限
度内に制限する必要がある。第1図の回路においては、
突入電流を抵抗8によつて制限しており、電源スイッチ
5が閉じた直後は、抵抗6を通してトリガ電流が流れ、
トライアツク7が導通するが、抵抗8が介在するのでコ
ンデンサ3への突入電流は抑制される。一方、抵抗9、
ダイオード10及びリレー11の接点を通してコンデン
サ13が充電されて、一定時間後にコンデンサ13の端
子電圧がリレー11の動作電圧に達すると、リレー11
の接点15が閉じて抵抗16を通してトリガ電流が流れ
てトライアツク17が導通する。このときには、既にコ
ンデンサ3は相当量充電されているので、充電電流は大
幅に軽減され、また抵抗8がバイパスされるので電力損
失も殆んど生じない。なお、リレー11が作動し、接点
12が抵抗14側に接続すると、コンデンサ13が放電
してしまうので、スイッチ5を切つて再起動をかけても
、突入電流制限、機構は正常に動作する。上記した回路
の特徴は、スイッチ用パワー素子としてトライアツクを
2個使用し、段階的に電力を供給して突入電流を制限す
るものであるが、大電力をスイッチするものであるため
、放熱に特別の配慮を要する大形のパワー素子を複数個
使用することとなり、高価であると共に実装上好ましく
ない。
また、スイッチ回路の無接点化は時代のすう勢であるる
が、リレーを必須とする方式故、信頼性上も望ましくな
い。そこで、パワー素子を1個に限定し、最初にスイッ
チオンする時の交流位相を制御する方法が考えられる。
第2図はこのようにした回路の一例で、スイツチ5が閉
じると、抵抗6を通してトリガ電流がトライアツク7に
流れようとするが、A点の電位がコンデンサ28の電位
にクランプされるので、双方向性のトリガダイオード2
7は導通しない。抵抗6,22及びダイオード23〜2
6を通して充電されるコンデンサ28の電位が一定値に
達すると、トリガダイオード27が導通し、トリガ電流
が流れてトライアツク7が初めて導通する。ここで、抵
抗6,22とコンデンサ28の値を適当に選び、最初に
トライアツクが導通するタイミングを正弦波の立上り部
に合わせれば、コンデンサ3への突入電流は制限される
。第3図は、第2図に示した回路の動作波形図で、交流
波形に対応した第2図A点の電位変化を示したものであ
る。
第3図aは、スイツチ5を交流波形のP1点で閉じた場
合で、P1点からコンデンサ28が充電が開始さTLS
A点の電位がトリガダイオード27のブレークオーバ電
圧BOに達するP2点でトリガされる。第3図bは、P
r点でスイツチ5を閉じた場合で、この場合はA点の電
位がその半サイクルではブレークオーバ電圧VBOに達
せず、次の半サイクルの立上り部Prでトリガがかかつ
てしまうことを示している。この場合は、正弦波が殆ん
どそのままコンデンサ3に加わり、突入電流は抑制され
ない。従つて、この種の位相制御方式では、スイツチを
投入する時のタイミングを制御しない限り、突入電流を
防止することはできない。なお、抵抗29は、スイツチ
5を開いたときに、コンデンサ28を放電して再起動に
備えるためのものである。従つて、第2図に示したもの
も、第1図と同様、スイツチ投入直後の時間制御をコン
デンサの充電時間に頼つているので、スイツチを素早く
オンオフすると、コンデンサが充分放電せずに誤動作す
ることがある。この発明の目的は、上記した従来技術の
問題点を除去することであり、大型のパワースイツチ素
子を1個に限り、かつリレーの如き機械的接触部品を省
いて、電源スイツチの急激なオンオフにも効果を失うこ
となく、突入電流を抑制する電源の突入電流制限回路を
提供するものである。この発明は、平滑用コンデンサの
充電電圧が一定値に達するまでの間、その充電電圧によ
つてスイツチ素子が導通する交流位相を制御し、段階的
に位相を進めて平滑用コンデンサの充電電圧を増ノし、
突入電流を抑制するものであり、上記従来技術と異なり
、全ての制御を平滑コンデンサの充電電圧を検出して行
うので、電源スイツチの急激なオンオフにも影響される
ことがない。
以下、第4〜第6図を参照して、この発明を詳細に説明
する。
第4図は、この発明による突入電流制限回路の一実施例
で、交流電源1は、先ず全波整流器2によつて整流さ礼
メインスイツチ素子であるトライアツク7を通して平滑
用コンデンサ3を充電し、更に負荷4へ電力を供給する
連動して開閉されるスイツチ5と5′が閉じても、平滑
コンデンサ3が充分に充電されていない間は、その充電
電圧を抵抗31と32で分割した抵抗31の端子電圧V
T(第5図)がシエナダイオード34のツエナ電圧Z1
より小さい為、トライアツク7にはトリガ電流が流れな
い。一方、スイツチ5が閉じると、ダイオード35,3
7、抵抗38、コンデンサ3を通してコンデンサ36が
充電さ粍交流電源1から加わる正弦波の波高値がツエナ
ダイオード39のツエナ電圧Z2より大きい間充電が持
続する。なお、説明を簡単にする為、以下ダイオードや
トライアツクの電圧降下を無視することとする。
正弦波がピークを過ぎて、B点とC点の間の電圧がツェ
ナ電圧Z2より小さくなると、ダイオード35と37で
充電電流はカツトされ、充電は停止する。コンデンサ3
6の充電時には、抵抗38に電位差を生じてもダイオー
ド41で阻止され、トライアツク7にはトリガ電流は流
れない。充電が停止すると、コンデンサ36の電荷は、
ツエナダイオード39、ダイオード35,37あるいは
33により阻止され、全てトライアツク7のトリガ電流
となつて放電する。この発明の特徴は、以上説明したよ
うな構成により、コンデンサ36が放電を開始する時の
正弦波の波高値を、平滑用コンデンサ3の充電電圧で制
御することにある。
B点とC点間の電位差は、正弦波の波高値からコンデン
サ3の充電電圧を差引いた値であるから、充電電圧が高
くなる程、正弦波の高い方で放電を開始することになる
。第5図は、上記した動作を図示したもので、図中の実
線は交流波形に対応した平滑コンデンサ3の充電電圧、
破線は第4図のA点の電位を示したものである。平滑コ
ンデンサ3の電位は、容量がコンデンサ36に比べて充
分大きいので、電源スイツチ5を閉じても、殆んど0V
に維持され、コンデンサ36の最初の放電によつてトラ
イアツク7が導通し、その時の正弦波高値つまりツエナ
電圧VZ2まで充電される。
正弦波が更に立下ると、コンデンサ3の電位よりも低く
なり、電流は流れなくなるので、トライアツク7は非導
通となる。コンデンサ3の電位は負荷4などで放電し、
次にコンデンサ36が放電するときにV1まで下つてい
るとすれば、そのときの正弦波はVZ2+V1となり、
コンデンサ3はVZ2+V1まで充電する。第3の半サ
イクルでは、コンデンサ3の電位がV2のとき、トライ
アツク7が導通し、コンデンサ3の端子電圧はVZ2+
1になり、これを抵抗31と32で分割した時の抵抗3
1の端子電圧VTは、ツエナダイオード34のツエナ電
汗Z1よりも充分大きくなる。そこでコンデンサ3の放
電でこの条件が変らなければ、次の第4半サイクルの立
上り部でツエナダイオード34及びダイオード33を通
してトリガ電流が流れ、トライアツク7は導通する。以
後、コンデンサ3の端子電圧が極端に下らない限り、正
弦波の立上り部でトライアツク7が導通して定常動作を
行う。なお、スイツチ5′を開放すれば非導通となる。
以上のごとく、スイツチ5,5′を閉じた後、平滑コン
デンサには段階的に位相制御された正弦波交流が加わり
、過大な突入電流は流れなくなる。
また、第4図の実施例においては平滑用コンデンサの充
電電圧を基準として位相制御部35〜41が動作するか
ら、スイツチ5,5′の投入タイミングや操作方法には
影響を受けることなく、突入電流を制限できる。第6図
は、スイツチ素子と制御回路を交流電源側に配置した実
施例で、この例においては位相制御部35〜41が動作
するのは、ダイオード35,37が導通する半サイクル
に限られるから、平滑コンデンサ3が一定の充電電圧に
達するまでの時間は長くなる。
しかし、平滑コンデンサ3の充電電圧によつて段階的に
交流位相を制御する機構は、第4図のものと全く同じで
ある。なお、第6図においては、位相制御部35〜41
が動作してコンデンサ3の充電電圧が充分な大きさにな
るまでの時間をコンデンサ56の充電時間で調整してい
る。すなわち、スイツチ5が閉じると、抵抗51、ダイ
オード52〜55を通してコンデンサ56が充電さぺ双
方向性のトリガダイオード57のブレークオーバ電圧B
Oに達するまでは、トリガダイオード57によつてトラ
イアツク7は導通されない。第6図の実施例においては
、スイツチ5を開放した後、抵抗58によつてコンデン
サ56を放電しなければならないので、スイツチ5の操
作方法には条件が付くが、整流器2を通さないトランス
59のような負荷が並置される場合に効果がある。
以上説明したように、この発明によれば、スイツチング
レギユレータ方式のごとく、交流電源を直接直流電源に
変換する電源回路において、起動時に過大な突入電流を
生ずることなく、大電力用スイツチ素子1個でスイツチ
動作を行うことができ、またリレーの如き高価かつ信頼
性上問題の多い接触部品を省いて制御回路を無接点化す
ることができる。また、用途によつては電源スイツチの
操作スピードに制約条件のつかない突入電流制限回路が
実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はスイツチ素子を2個使用し、リレーで制御回路
を構成した従来回路図、第2図(オスイツチ素子を1個
使用して位相制御により突入電流を防止する従来回路図
、第3図は第2図の回路の動作波形図、第4図はこの発
明による突入電流制限回路の実施例の図、第5図は第4
図の実施例の動作波形図、第6図は整流回路と並列にト
ランスの如き負荷を接続した用途におけるこの発明の他
の実施例の図である。 2・・・・・・整流器、3・・・・・・平滑コンデンサ
、4・・・・・・負荷、5,5′・・・・・・スイツチ
、7・・・・・・トライアツク、33,35,37,4
1・・・・・・ダイオード、34,39・・・・・・ツ
エナダイオード、57・・・・・・双方向性トリガダイ
オードV59・・・・・・トランス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 交流電源を整流器と平滑コンデンサにより直接直流
    電源に変換する電源回路において、一旦交流電源で充放
    電コンデンサを充電する手段と、交流正弦波の立下り部
    において上記充電を中断するダイオードを含む回路手段
    と、上記充電の中断により上記充放電コンデンサの電荷
    を放電する手段と、上記放電による電流をトリガ電流と
    してメインスイッチ素子に与える回路手段とから構成さ
    れ、上記メインスイッチ素子が導通する時の上記正弦波
    へ波高値を上記平滑コンデンサの充電量により制御する
    ことを特徴とする電源の突入電流制限回路。
JP2542578A 1978-03-08 1978-03-08 電源の突入電流制限回路 Expired JPS5927179B2 (ja)

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JPS61227632A (ja) * 1985-03-29 1986-10-09 電子磁気計機株式会社 充電装置
JPH0333181Y2 (ja) * 1985-04-08 1991-07-15
JP2629585B2 (ja) * 1993-12-13 1997-07-09 日本電気株式会社 突入電流抑制回路

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