JPS5925306B2 - 磁気バブル装置 - Google Patents

磁気バブル装置

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Publication number
JPS5925306B2
JPS5925306B2 JP5675877A JP5675877A JPS5925306B2 JP S5925306 B2 JPS5925306 B2 JP S5925306B2 JP 5675877 A JP5675877 A JP 5675877A JP 5675877 A JP5675877 A JP 5675877A JP S5925306 B2 JPS5925306 B2 JP S5925306B2
Authority
JP
Japan
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bubble
pattern
propagation path
conductor pattern
magnetic
Prior art date
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Expired
Application number
JP5675877A
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English (en)
Other versions
JPS53141549A (en
Inventor
庭司 間島
誠一 岩佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP5675877A priority Critical patent/JPS5925306B2/ja
Publication of JPS53141549A publication Critical patent/JPS53141549A/ja
Publication of JPS5925306B2 publication Critical patent/JPS5925306B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブル装置特にそのバブル伝播路に関す
る。
磁気バブル装置は既知のように磁性ガーネット等一軸磁
気異方性を持つ磁性板にバイアス磁界等を加えて円筒伏
磁区即ち磁気バブルを発生させ、これを利用して情報蓄
積等を行なうものである。
かゝるバブル利用のメモリには大きく分けてメジヤーマ
イナーループ方式とシングルループ方式とがあり、前者
はアクセスタイムが速い、また予備ビットが持て例えば
一部のマイナーノーープに欠陥があつてもそのループを
除いて他の部分を使うようにすることができるため大容
量にした場合の歩留りがよい等の長所を持つ反面、メジ
ャーループと各マイナーループとの間にはゲートを設け
ねばならず、構成、機能が複雑になり、動作マージンも
低くなる等の欠点を持つ。後者は一部が蛇行した1つの
ループを持つのみであるので構成、機能が簡単であり、
ゲートのような動作マージンを阻害する因子を持たない
が、1箇所でも欠陥があれば全体が使用不可能になり、
該欠陥を避けて通る予備ループはないので大容量メモリ
においては歩留り的に極めて不利である。歩留りは欠陥
数に対してポアッソン分布で近似されるので、数個の予
備ループを持つことができれば飛躍的に向上する。
例えば16にビットのシングルループバブルメモリの製
造歩留りが50%とすると、64にビットのそれの製造
歩留りは50%の4乗つまり6.25%に低下してしま
う。しかしながら1つ、2?の欠陥はあつてもよいとい
う事であれば、この歩留りはポアッソン分布から明らか
なように50%以上と飛躍的に向上する。それ故本発明
はシングルループのバブル伝播路に、欠陥があればその
欠陥部を分路し得る予備ループを持たせて、メモリ製造
歩留りの向上を図ろうとするものである。即ち本発明の
磁気バブル装置はバブル伝播路の正常部分では該伝播路
に沿うバブル伝播を可能にし、バブル伝播不良部分では
該不良部分をバイパスしてバブルを伝播させる分路用パ
ターンを設け、そして該分路用パターンは、磁性パター
ンと導体パターンで構成し、該導体パターンは、バブル
伝播路の周辺に配設された主導体パターンと、U字状を
なして該主導体パターンからバブル伝播路内へ突出し該
U字状の両端部間で主導体パターンを切断することによ
り該主導体パターンを流れる電流を通される突出部で構
成してなることを特徴とするが、次に実施例を参照しな
がらこれを詳細に説明する。第1図はシングルループ方
式のバブルメモリの概要を示す。
1はバブル伝播路で図示の如く蛇行部分1aとその両端
をつなぐ部分1bとを有して1つのループを構成する。
通常、部分1bにバブル発生および消去器2、バブル分
割器3などが設けられ、分割器3にバブル検出器4が設
けられる。これらは図示しないが磁性基板上に形成され
、そしてバイアス磁界および1駆動?界等が加えられる
。情報書込みを行なう場合はバブル発生器2をその書込
み情報に従つて作動させてバブルを発生させ(゛1゛)
、または発生させない(゛0゛)。こうして発生された
バブルは,駆動磁界により伝播路1に沿つて順次シフト
され、情報の記憶を行なう。記憶情報の読出しを行なう
には駆動磁界を作用させてバブル転送を行ない、読出し
たい部分のバブルが分割器3に到達したとき該分割器を
作動させて各バブルを2分し、その一方は再びループ中
を伝播させ(非破壊読出し)、他方は検出器4へ送つて
バブル読出しを行なう。このようにバブル書込みおよび
読出しに際してはバブルをループ内で循環させる必要が
あるので、1個所でも、例えばP点で結晶欠陥などによ
りバブル転送不可能部分があると、バブルはP点に来た
ときすべて消滅または散逸してしまい、記憶情報は破壊
されてしまう。
従つてシングルループ方式では1個所でも欠陥があれば
全体が使用不能である。ところでループ1の蛇行部分1
aの両端等ではバブルはUターンすることになるが、こ
の折返し部の伝播路は第2図に示す如くなつている。
この図で5はハーフデイスクと呼ばれる伝播パターン、
6はIバ一と呼ばれる伝播パターンである。添字A,b
・・・・・・は相互を区別するためのものである。この
伝播路では磁気バブルが矢印F1方向に転送されてきて
パターン5aから5bの端の5b1に達したとすると、
そしてバブルは基板表面側がS極であると、回転,駆動
磁界Hi)が1の状態のときパターン5bの端5b1に
N極ができてバブルは該端5b1にあり、そして駆動磁
界が2の方向を向くときIバ一6aの端6a1に強いN
極ができてバブルは該端6a1に移る。以下同様で、駆
動磁界HDが順次3,4,1,2,3,4,1・・・・
・・の方向を向くときバブルは順次1バ一6bの端6b
1、ハーフデイスク5cの端5C1、同中央5C2、同
端5C3、Iバ一6cの端6C1、Iバ一6dの端6d
1、ハーフデイスク5dの端5d1に移り、矢印F2方
向へ転送されてゆく。この折返し部分L1の隣りL2で
も同様である。そして上記説明から明らかなようにIバ
一6a,6b・・・・・・はバブルのUターンを案内す
る役割を持ち、そして両折返し部分Ll,L2に跨るバ
一6dは各部分Ll,L2に1つず\計2つ設けるべき
所を、同じ位置にあるのでそれらを一体化している。第
2図には図示しないがバブル伝播路の矢印F2方向の端
においても同様な折返し部が設けられ、これに第1図に
示したような蛇行伝播路1が構成され、バブルは該伝播
路に沿つて伝送されてゆく。そして折返し部分L,から
折返し部分L2へ直接、例えばIバ一6dを通つて伝播
することはないから、蛇行部分の1個所にでも欠陥部が
あればバブル伝播は不可能になる。本発明はこの点を改
善するものであつて、その実施例を第3図に示す。
この図で1,2,3および4は第1図と同様にバブル伝
播路、バブル発生器、バブル分割器およびバブル検出器
である。10はシングルループのバブル伝播路1の外周
を囲むように設けられた導体パターンであつて、本例で
はコ字状の主導体パターン部10aとそれより伝播路1
の折り返し部へ突出す環状突出部11からなる。
この突出部は本例では折り返し部の各各に対応させて設
けているが、これは1つ置きその他であつてもよい。突
出部11が設けられた折り返し部には隣りの折り返し部
への分路用磁性パターン12が設けられる。第4図は折
り返し部の詳細を示す。
この図で5a,5b・・・・・・は第2図に示した伝播
路1を構成するバブル伝播パターンであつて、6bはU
ターンを案内するバータンーン、11が導体パターン1
0の環状突出部、12が分路用パターンである。分路用
パターン12は折り返し部Ll,L2の間に、第2図で
言えばIバ一6c,6dの位置に設けられ、図示の如く
ハーフデイスクにバ一を付加した形状を持つ。第5図は
導体パターン10の詳細を示す。
導体パターン10の主導体パターン部10aには電流i
が常時流されるが、主導体パターン部は巾W1が突出部
の巾W2に比べて極めて大きく、また電流路の長さは主
導体パターン10aではL1、突出部11ではL2とな
つてL2〈くL1であるので、この状態では突出部を流
れる電流は殆どなく、無視して差支えない。しかし、同
図bに示すように第n区分において主導体パターン10
aを突出部11の内部開口部において網線を付して示す
如く切断すると、電流1はすべて第n区分の突出部11
を通ることになり、この部分に強い磁界を作る。主導体
パターン10aを網線部分10bにおいて切断する作業
は、レーザビームを用いる、あるいはフオトレジストを
塗布したのちスポツト顕微鏡で部分10bを露光し、現
像し、次いでエツチングする等の方法により容易に行な
うことができる。次に主として第4図を参照しながら本
発明装置の動作を説明するに、主導体パターン10aが
切断されなくて突出部11に電流が流れない状態ではバ
ブル伝播は次の如くなる。即ち矢印F1方向にバブルが
伝播してきてパターン5aに入り、次いでパターン5b
,5cを通つてその端5C3に達したとする。この状態
では,駆動磁界HDは2の方向を向いている。次に磁界
HDが3の方向を向くと、パターン12のバ一部12A
の影響で強いN極が該パターンの端12aにできるので
バブルは該端12aに移る。次に磁界が4の方向を向く
とN極はやはりこの端12a1詳しくはその図面右端に
できるのでバブルは該端にとどまる。次に磁界が1の方
向を向くと強いN極がIバ一部12Aの端12A1にで
きるが、この端12A1はバブルの現在位置から可成り
遠い。一方、N極はパターン5dの端5d1にもでき、
こちらの方が近いので強い吸引力をバブルに与え、該バ
ブルはパターン5dに移る。以後は前述の説明の通りで
あり、1駆動磁界が方向を変えるにつれてバブルは矢印
F2方向へ転送されてゆく。つまり電流が流れない状態
では突出部11の影響はなく、そして分路用磁性パター
ン12はバ一6c,6dと同様に単にバブルのUターン
を案内する役割を果す。しかしながら主導体パターン1
0aを部分10bにおいて切断すると該パターンを流れ
る電流はすべて環状突出部11を通り、この部分に?界
を生じる。
この突出部11はパターン12と5dとの間を通り、そ
して電流方向から明らかなように本例では環状突出部1
1の内側ではN極、外側ではS極を作るので、5駆動磁
界HDが1の方向を向いて前述のようにバブルがパター
ン5dの端5d1に移ろうとするとき、該突出部の磁界
により妨げられてバブルはパターン5dに移ることがで
きず、代つて突出部11の?界と共に比較的強いN極を
作つているパターン12の中央部12bに移る。次に磁
界HDが2の方向を向くとき強いN極がパターン12の
端12cに生じ、バブルは該端12cに移る。以後は通
常の伝播動作が行なわれ、バブルは矢印F3の経路で転
送されてゆく。従つて折り返し部L1の図面左側の伝播
路部分ゎよび折り返し部L2の図面右側部分のいずれか
、例えば第3図のP点で欠陥B5あつてもこの部分を側
路して他の部分を利用することができる。バブル伝播路
の蛇行部の他の部分例えばQ点で欠陥がある場合その部
分を側路するように当該分路用パターン10〜12を作
動状態におけばよく、こうして磁気バブル装置の製造歩
留りを大巾に向上させることが可能である。欠陥部の発
見は目視観察、バブルの伝播試験などにより発見できる
また図示の例では環状突出部に電流を流してバブルのバ
イパスを行なうが、これはその逆つまり通電を停止して
バイパスするようにしてもよい。また実施例ではシング
ルループのバブルメモリを挙げたが、本発明はこれに限
らず、例えばPROMの如き半固定的な使用例、つまり
プログラムに従つて導体パターンの一部を切断し又は切
断しないでバブル伝播路を主方向又は分路方向に固定的
にセツトするのにも利用できるO以上詳細に説明したよ
うに本発明によれば、バブル伝播路を磁気バブル装置の
製造後に変更し得て、欠陥部のバイパスによる歩留り向
上等に大きな利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はシングルループバブルメモリの概要を示す説明
図、第2図は第1図の折り返し部の詳細を示す平面図、
第3図は本発明の実施例を示す説明図、第4図は第3図
の一部の詳細を示す平面図、第5図A,bは導体パター
ンの使用方法を説明する図である。 図面で1はバブル伝播路、10〜12は分路用マターン
で12はその磁性パターン、10aは主7体パターン、
11は環状突出部である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 バブル伝播路の正常部分では該伝播路に沿うバブル
    伝播を可能にし、バブル伝播不良部分では該不良部分を
    バイパスしてバブルを伝播させる分路用パターンを設け
    、そして該分路用パターンは、磁性パターンと導体パタ
    ーンで構成し、該導体パターンは、バブル伝播路の周辺
    に配設された主導体パターンと、U字状をなして該主導
    体パターンからバブル伝播路内へ突出し該U字状の両端
    部間で主導体パターンを切断することにより該主導体パ
    ターンを流れる電流を通される突出部で構成してなるこ
    とを特徴とする磁気バブル装置。 2 バブル伝播路が蛇行部を持ち、分路用パターンが隣
    り合う蛇行部の折り返し部間に設けられたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の磁気バブル装置。
JP5675877A 1977-05-17 1977-05-17 磁気バブル装置 Expired JPS5925306B2 (ja)

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JP5675877A JPS5925306B2 (ja) 1977-05-17 1977-05-17 磁気バブル装置

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JP5675877A JPS5925306B2 (ja) 1977-05-17 1977-05-17 磁気バブル装置

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JPS53141549A JPS53141549A (en) 1978-12-09
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104515328A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 荏原冷热系统株式会社 压缩式制冷机用冷凝器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5644186A (en) * 1979-09-19 1981-04-23 Fujitsu Ltd Magnetic bubble memory device

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CN104515328A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 荏原冷热系统株式会社 压缩式制冷机用冷凝器

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