JPS5925283A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS5925283A JPS5925283A JP57134878A JP13487882A JPS5925283A JP S5925283 A JPS5925283 A JP S5925283A JP 57134878 A JP57134878 A JP 57134878A JP 13487882 A JP13487882 A JP 13487882A JP S5925283 A JPS5925283 A JP S5925283A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- cutout
- reflection
- optical semiconductor
- light emitting
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、リードフレーム上ｌこ反射部を備えた光半
導体装置（こ関する。
導体装置（こ関する。
従来、光半導体素子の発した光を効率良く外部番こ導出
したり、九番こ指向性を持たせて前方から見た輝度を高
めるための反射部（凹面鏡）を備えた光半導体装置とし
て、例えは第１図に示すような発光ダイオードが使用さ
れている。図において、１１は電圧の印加によって発光
する発光素子、１２は発光素子１１の配線用ワイヤ、１
３は発光素子１ノの発した光を反射して物足方向に導出
する反射部、１４ ；１５はプレス切断加工によって形
成した一対のリードフレームＪ６は透明樹脂製の外囲器
である。
したり、九番こ指向性を持たせて前方から見た輝度を高
めるための反射部（凹面鏡）を備えた光半導体装置とし
て、例えは第１図に示すような発光ダイオードが使用さ
れている。図において、１１は電圧の印加によって発光
する発光素子、１２は発光素子１１の配線用ワイヤ、１
３は発光素子１ノの発した光を反射して物足方向に導出
する反射部、１４ ；１５はプレス切断加工によって形
成した一対のリードフレームＪ６は透明樹脂製の外囲器
である。
上記のような構成の発光ダイオード（こおいて、反射部
１３は瀉２図（ａｌに示すよう（こ、リードフレーム１
６の側面を１■定し、プレス切断面］７に垂直に円錐柱
状のポンチ１８を打ち込んで成形し、その後メッキを施
して第２図（１））に示すような形状とする。
１３は瀉２図（ａｌに示すよう（こ、リードフレーム１
６の側面を１■定し、プレス切断面］７に垂直に円錐柱
状のポンチ１８を打ち込んで成形し、その後メッキを施
して第２図（１））に示すような形状とする。
しかし、上記のような形成方法では、リード７Ｌ／−ム
１５を押えさらにリード切断面１７４コ垂直の方向から
ポンチ１８を打ち込むため作業性が悪く、このような反
射部１３の成形加工があるためプレス金型加工が複雑化
し、金型のコストも高くなる。また、上記のようにして
形成した反射部１３は、リードフレームのプレス切断面
１７の破断状態によってメッキの仕上がり状態が左右さ
れるうえ、この反射部１３の内面へのメッキ液のまわり
込みが悪く、反射鏡として充分な効果が得られない。さ
らには、ポンチの打ち込みによる加工歪によってメッキ
処理後の加熱時にメッキが剥離したり、加熱時（こプレ
ス切断面からメッキ処理液等の異物のしみ出しによって
メッキが変色する等多くの欠点ｆ）Ｗしている。
１５を押えさらにリード切断面１７４コ垂直の方向から
ポンチ１８を打ち込むため作業性が悪く、このような反
射部１３の成形加工があるためプレス金型加工が複雑化
し、金型のコストも高くなる。また、上記のようにして
形成した反射部１３は、リードフレームのプレス切断面
１７の破断状態によってメッキの仕上がり状態が左右さ
れるうえ、この反射部１３の内面へのメッキ液のまわり
込みが悪く、反射鏡として充分な効果が得られない。さ
らには、ポンチの打ち込みによる加工歪によってメッキ
処理後の加熱時にメッキが剥離したり、加熱時（こプレ
ス切断面からメッキ処理液等の異物のしみ出しによって
メッキが変色する等多くの欠点ｆ）Ｗしている。
この発明は上記のような事情に冗みてなされたもので、
その目的とするところは、作業性が良いうえ低コスト化
でき、かつ１ｇ１品質１１元半導体装置を提供すること
である。
その目的とするところは、作業性が良いうえ低コスト化
でき、かつ１ｇ１品質１１元半導体装置を提供すること
である。
すなわち、この発明（こおいては、リードフレームの上
部側面に設けた切欠部のＵＳＩ…に）℃半導体素子を配
設し、この光半導体素子の設置飾部ζこオケるリードフ
レームの両１１４１１ ｉ＋にそれぞれ反射板を固着し
、上記切欠部と反則板とで光半導体素子の発した亀を反
ヰＪする反射部を構成したものである、 〔発明の′４施例〕 以下、この発明の一実施例Ｏこついて図面を参照して説
明する。第３図はその構成を示すもので、リードフレー
ム１５の上部ｆｆ１．１１面１７（プレス切断面）に設
けた台）１ネ状の切欠部１９の両側向に、発光素子の発
した元を反射するための反射板ｚｏ、２ｏｙ；第４図（
ａｌ 、 （ｂｌに示すように溶接あるいは接着材等で
固着し、この切欠部１９の底面に発）”ｅ素子１ノを配
設することにより上記切欠部１９の切断面と反射板２０
．２０とで発光素子１ノの反射部を形成したものである
。
部側面に設けた切欠部のＵＳＩ…に）℃半導体素子を配
設し、この光半導体素子の設置飾部ζこオケるリードフ
レームの両１１４１１ ｉ＋にそれぞれ反射板を固着し
、上記切欠部と反則板とで光半導体素子の発した亀を反
ヰＪする反射部を構成したものである、 〔発明の′４施例〕 以下、この発明の一実施例Ｏこついて図面を参照して説
明する。第３図はその構成を示すもので、リードフレー
ム１５の上部ｆｆ１．１１面１７（プレス切断面）に設
けた台）１ネ状の切欠部１９の両側向に、発光素子の発
した元を反射するための反射板ｚｏ、２ｏｙ；第４図（
ａｌ 、 （ｂｌに示すように溶接あるいは接着材等で
固着し、この切欠部１９の底面に発）”ｅ素子１ノを配
設することにより上記切欠部１９の切断面と反射板２０
．２０とで発光素子１ノの反射部を形成したものである
。
図において、第１図と同一構成部は同じ符号をイ；１し
てその説明は省略する。上記反射板２０゜２０は、例え
は００５〜０２あ厚の板壮あるいは【フール彷の金属素
材（鉄、銅系）をプレス成形したものである。ここで、
反射板２０．２０の材料上して鉄を使用する場合Ｑこは
、リードフレーム１５に固着する前に予め銀Ａｙメッキ
を施す。また、銅系の素材を使用する場合、発光素子１
１の発する光が可視光領域４００〜６００雇ｌでは銀メ
ッキを施す必要があるが、可視光領域６００〜９００ｍ
では反射率が９３〜９８係（銀の反射率は９５〜９７％
）あるためメッキ処理を施す必要はない。
てその説明は省略する。上記反射板２０゜２０は、例え
は００５〜０２あ厚の板壮あるいは【フール彷の金属素
材（鉄、銅系）をプレス成形したものである。ここで、
反射板２０．２０の材料上して鉄を使用する場合Ｑこは
、リードフレーム１５に固着する前に予め銀Ａｙメッキ
を施す。また、銅系の素材を使用する場合、発光素子１
１の発する光が可視光領域４００〜６００雇ｌでは銀メ
ッキを施す必要があるが、可視光領域６００〜９００ｍ
では反射率が９３〜９８係（銀の反射率は９５〜９７％
）あるためメッキ処理を施す必要はない。
このような構成によれは、反射部形成のためのポンチの
打ち込み作業が不要となるため、プレス加工速度を向上
できるととも薯こ、金型も簡素化できるので低コスト化
できる。また、リードフレームと反射部に別々にメッキ
処理を１ｍ Ｔ４−ため、プレス切断面からメッキ処理
液等の異物のしみ出しくこよって反射部のメッキが変色
することはなく、ポンチの打ち込みによって発生する歪
により反射部のメッキが剥離することもないので高品質
化できる。
打ち込み作業が不要となるため、プレス加工速度を向上
できるととも薯こ、金型も簡素化できるので低コスト化
できる。また、リードフレームと反射部に別々にメッキ
処理を１ｍ Ｔ４−ため、プレス切断面からメッキ処理
液等の異物のしみ出しくこよって反射部のメッキが変色
することはなく、ポンチの打ち込みによって発生する歪
により反射部のメッキが剥離することもないので高品質
化できる。
なお、上記実施例では光半導体装置が発光ダイオードの
場合について説明したが発光素子をこ限定されるもので
はなく、受光素子Ｏこ反射部を設けて集光効率を１％め
でも良い。また、反射板２０．２０を金属系の材料で形
成したが、樹脂系あるいはセラミック系の材料で形成し
ても良いのはもちろんである。
場合について説明したが発光素子をこ限定されるもので
はなく、受光素子Ｏこ反射部を設けて集光効率を１％め
でも良い。また、反射板２０．２０を金属系の材料で形
成したが、樹脂系あるいはセラミック系の材料で形成し
ても良いのはもちろんである。
以上説明したようにこの発明によれば、作業性が艮いう
え低コスト化でき、かつ高品質な光半導体装置が得られ
る。
え低コスト化でき、かつ高品質な光半導体装置が得られ
る。
２′Ａ１図は従来の光半導体装置の構成を示す図、第２
図（ａｌ 、 （ｂｌは上記第１図の装置における反射
部の形成方法を説明するための図、第３図はこの発明の
一実施例に係る光半導体装置の構成を示す図、第４図（
ａ） 、 （ｂｌはそれぞれ上記第３図の装置における
反射部の形成方法を説明するための図である。 １１・・・発光素子（ｙｆＳ半導体素子）、１４゜１６
・・・リードフレーム、１９・・・切欠部、２０゜２０
・・・反則板。
図（ａｌ 、 （ｂｌは上記第１図の装置における反射
部の形成方法を説明するための図、第３図はこの発明の
一実施例に係る光半導体装置の構成を示す図、第４図（
ａ） 、 （ｂｌはそれぞれ上記第３図の装置における
反射部の形成方法を説明するための図である。 １１・・・発光素子（ｙｆＳ半導体素子）、１４゜１６
・・・リードフレーム、１９・・・切欠部、２０゜２０
・・・反則板。
Claims (1)
- リードフレームの側面に設けた切欠部の底面に配設され
る光半導体素子さ、上記光半導体素子の設置部における
リードフレームの両側面にそれぞれ固着される反射板と
を具備し、上記切欠部と反射板とで光半導体素子の発光
あるいは受光用の反射部を構成したことを特徴とするｙ
Ｉｓ半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57134878A JPS5925283A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57134878A JPS5925283A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925283A true JPS5925283A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15138602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57134878A Pending JPS5925283A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP57134878A patent/JPS5925283A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
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