JPS592381A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS592381A JPS592381A JP57111210A JP11121082A JPS592381A JP S592381 A JPS592381 A JP S592381A JP 57111210 A JP57111210 A JP 57111210A JP 11121082 A JP11121082 A JP 11121082A JP S592381 A JPS592381 A JP S592381A
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- JP
- Japan
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- type
- layer
- liquid phase
- epitaxial growth
- light
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ＧａＡＡＡｓを用い特に赤外領域で高出力の
発光ダイオードとして使用する場合に適した半導体発光
装置の製造方法に関する。
発光ダイオードとして使用する場合に適した半導体発光
装置の製造方法に関する。
フォトカブラ、光センサ等に使用される発光ダイオード
は、主としてＮ型ＧａＡｓ基板上に、液相成長法によシ
両性不純物で必るＳｌを添加し、徐冷成長によりＮ型、
Ｐ型ＧａＡｓ液相成長１−を形成することによって得ら
れている。しかるにこの場合、８１不ｉ物を発光中心と
する発光は。
は、主としてＮ型ＧａＡｓ基板上に、液相成長法によシ
両性不純物で必るＳｌを添加し、徐冷成長によりＮ型、
Ｐ型ＧａＡｓ液相成長１−を形成することによって得ら
れている。しかるにこの場合、８１不ｉ物を発光中心と
する発光は。
ＱａＡｓのバンドギヤ、ｆよりも低エネルギーとはいえ
、ＧａＡａ結晶中での光の吸収は非常に大きく。
、ＧａＡａ結晶中での光の吸収は非常に大きく。
内部発光効率に比較して、実際素子の外部に取如出され
る光は少なくなってしまう。
る光は少なくなってしまう。
七のｉ３ｃ書の一方法として、ＧａＡｔＡｍ を用い
た素子が提案されてしる。この場−＆８１不純物が、両
性を示すことは上述の場合と同様であるが、Ｎ型ＧａＡ
ｓ基板上に、Ｇａ １−ｘＡＺｘＡ ａ Ｉ−を徐冷式
液相成長法によって形成した場合、一般にＡｔの成長１
嚢中への偏析は極めて大きく、成長層中でのＡｔＡｓの
混成比は、例えば第１図に示すようなものにな９、成長
層表面でＩｄ−ＡｔＡ１混成比は極めて小さいものにな
ってしまう。この場合成長開始温度、及び成長開始時の
液相中へのムｔの添加量を制御することによ如、ＰＮ接
合形成部のＡｔ混晶比を制御することができ、従ってＬ
ＥＤ （発光ダイオード）として用いた場合に発光波長
は制御することかで趣る。しかしながら、第１図に示す
ＡｔＡｍ混晶比組成をもった素子をＬＢｉｉＤとして用
いた場合、ＰＮ接合部で発光した光は、ＧａＡ１基板、
及び液相成長層表面のＡｔＡｍ混晶比組成の低い部分で
殆んど吸収され、 ＬＥＤ外部に取シ出される光は側面
からの僅かな光にすぎない。
た素子が提案されてしる。この場−＆８１不純物が、両
性を示すことは上述の場合と同様であるが、Ｎ型ＧａＡ
ｓ基板上に、Ｇａ １−ｘＡＺｘＡ ａ Ｉ−を徐冷式
液相成長法によって形成した場合、一般にＡｔの成長１
嚢中への偏析は極めて大きく、成長層中でのＡｔＡｓの
混成比は、例えば第１図に示すようなものにな９、成長
層表面でＩｄ−ＡｔＡ１混成比は極めて小さいものにな
ってしまう。この場合成長開始温度、及び成長開始時の
液相中へのムｔの添加量を制御することによ如、ＰＮ接
合形成部のＡｔ混晶比を制御することができ、従ってＬ
ＥＤ （発光ダイオード）として用いた場合に発光波長
は制御することかで趣る。しかしながら、第１図に示す
ＡｔＡｍ混晶比組成をもった素子をＬＢｉｉＤとして用
いた場合、ＰＮ接合部で発光した光は、ＧａＡ１基板、
及び液相成長層表面のＡｔＡｍ混晶比組成の低い部分で
殆んど吸収され、 ＬＥＤ外部に取シ出される光は側面
からの僅かな光にすぎない。
この不都合を改書するため、液相成長終了後にＧａＡａ
基板を除去し、液相成長層部分のみを用いてＴ、ＥＤ
ｔ−製造することが行なわれている。この場合ＰＮ接合
部で発光し九九は、液相成長層表面即ちＰ型層側では殆
んど吸収されるものの、ＡｔＡｓ混晶比が発光領域より
高いＮ型１＠側では余如吸収されず、外部に光を取シ出
すことがで龜る。このような構造のＩＪＤを製造するこ
とにより、従来のＧａＡａのＬＥＤの２倍程度の発光出
力を得ることができる。
基板を除去し、液相成長層部分のみを用いてＴ、ＥＤ
ｔ−製造することが行なわれている。この場合ＰＮ接合
部で発光し九九は、液相成長層表面即ちＰ型層側では殆
んど吸収されるものの、ＡｔＡｓ混晶比が発光領域より
高いＮ型１＠側では余如吸収されず、外部に光を取シ出
すことがで龜る。このような構造のＩＪＤを製造するこ
とにより、従来のＧａＡａのＬＥＤの２倍程度の発光出
力を得ることができる。
上述したようにＳ１添〃０のＧａＡｔＡａを用いたＬＥ
Ｄは非常にも内的であるが、製造技術的に大きな問題が
おった。即ち上記素子では、実際の素子の厚さは液相成
長層の厚さを反訣したものでおるが、徐冷成長による場
合、それは高々２００μ程度が限界でおるという問題で
ある。
Ｄは非常にも内的であるが、製造技術的に大きな問題が
おった。即ち上記素子では、実際の素子の厚さは液相成
長層の厚さを反訣したものでおるが、徐冷成長による場
合、それは高々２００μ程度が限界でおるという問題で
ある。
通常のＬＥＤでは、素子厚は３００μ程度でお択２００
μ厚では素子製造工程での歩留りが極めて低くなってし
まうわけでおる。またＧＩＩＡＩ基板の除去は、エツチ
ングないしラッピングによるが、いずれの場合もＧａＡ
ａ基板のみを選択的に除去する決め手がないことも問題
である。
μ厚では素子製造工程での歩留りが極めて低くなってし
まうわけでおる。またＧＩＩＡＩ基板の除去は、エツチ
ングないしラッピングによるが、いずれの場合もＧａＡ
ａ基板のみを選択的に除去する決め手がないことも問題
である。
本発明は上記実情に罐みてなされたもので、素子特性を
損なわずに、工程から基板除去のノロセスを除くことが
でき、以って歩貿ｐ向上を図シ得る半導体発光装置の製
造方法を提供しようとするものである。
損なわずに、工程から基板除去のノロセスを除くことが
でき、以って歩貿ｐ向上を図シ得る半導体発光装置の製
造方法を提供しようとするものである。
本発明による素子は、Ｐ型ＧａＡａ基板上に、８１俺加
のＰ振Ｇａ １− ＸＡＬｘＡ畠液相成長層、Ｎ戯Ｇ
ａ 、−ｙＡＺｙＡｍ液相成長層を順次形成することに
よね得る。この場合上記Ｎ型層のバンドイヤ、ノを広げ
るため、上記ｘ、ｙの関係をｘ＜ｙと設計する。ＰＮ接
合近傍のＰ型層で発光した光は、発光領域よシも禁制帯
幅の広いＮ型層を透過してＮｆｉ層表面よシ取シ出すこ
とがで龜る。このようにして基板除去工程を必要とせず
、かつ従来素子と同等以上の性能をもつ素子が得られる
ようにしたものである。
のＰ振Ｇａ １− ＸＡＬｘＡ畠液相成長層、Ｎ戯Ｇ
ａ 、−ｙＡＺｙＡｍ液相成長層を順次形成することに
よね得る。この場合上記Ｎ型層のバンドイヤ、ノを広げ
るため、上記ｘ、ｙの関係をｘ＜ｙと設計する。ＰＮ接
合近傍のＰ型層で発光した光は、発光領域よシも禁制帯
幅の広いＮ型層を透過してＮｆｉ層表面よシ取シ出すこ
とがで龜る。このようにして基板除去工程を必要とせず
、かつ従来素子と同等以上の性能をもつ素子が得られる
ようにしたものである。
５−
〔発明の実施例〕
第１実施例
第２図（、）は同実施例の構造及び特性図でおる。
図示される如くこのものは、（１００）面を有するＺｎ
添加のＰ ｍＧａＡｇ基板上に、Ｓ１添加のＰ型Ｇル、
−、ＡＺｘＡ ｓ層を液相エピタキシャル成長法で形成
し、引き続いて該Ｐ型層上に、Ｔｏ添加のＮ型Ｇａ ４
．Ａｔ、Ａｓ層を液相エピタキシャル成長法で形成する
ことによって得た。ここで上記Ｘ、ｙは０ （ｘ （１
＊ Ｏ＜ ３’ ＜ ’でおり、ＰＮ接合近傍でｘ＝０
．１０ 、 ｙ＝０．５０とした。第２図（ｂ）に同図
（、）の素子の不純物濃度分布を示す。ここでＮＤはド
ナー濃度、Ｎ□はアクセノタ濃度である。
添加のＰ ｍＧａＡｇ基板上に、Ｓ１添加のＰ型Ｇル、
−、ＡＺｘＡ ｓ層を液相エピタキシャル成長法で形成
し、引き続いて該Ｐ型層上に、Ｔｏ添加のＮ型Ｇａ ４
．Ａｔ、Ａｓ層を液相エピタキシャル成長法で形成する
ことによって得た。ここで上記Ｘ、ｙは０ （ｘ （１
＊ Ｏ＜ ３’ ＜ ’でおり、ＰＮ接合近傍でｘ＝０
．１０ 、 ｙ＝０．５０とした。第２図（ｂ）に同図
（、）の素子の不純物濃度分布を示す。ここでＮＤはド
ナー濃度、Ｎ□はアクセノタ濃度である。
第２図（、）に示される素子におっては、ｘ＜ｙとして
、バンドギヤッノエネルイが大になるようにＡｔＡｓ混
晶比゛を上げたため、Ｐ型ＧａＡｓ基板方向への光は吸
収され−るが、Ｎ ＪｉＧａＡｔＡｓ Ｉ−を通して光
を外部へ取シ出すことができ、良好な発光が得られるも
のである。
、バンドギヤッノエネルイが大になるようにＡｔＡｓ混
晶比゛を上げたため、Ｐ型ＧａＡｓ基板方向への光は吸
収され−るが、Ｎ ＪｉＧａＡｔＡｓ Ｉ−を通して光
を外部へ取シ出すことができ、良好な発光が得られるも
のである。
６−
第２実施例
第３図（−）は同実施例の構造及び％性図でおる。
このものは、（ＩＱＯ）ＧａＡｓ基板上に、Ｚｎ添加の
第１のＰ型Ｇａ、１Ａｔ、Ａｓ層を液相エピタキシャル
成長法で形成し、該Ｐ型層上に、Ｓ１添加の第２のＰ型
Ｇａ １−ＸＡＺＸＡｍ Ｉ−を液相エピタキシャル成
長法で形成し、咳Ｐ型層上に、Ｔｏ添加のＮ型層 Ａ＋
−ｙＡＺｙ Ａ’ｉｒ層を液相エピタキシャル成長法
で形成することによって得た。ここで上記２は０くｚ
（ｌでおり、ｚ ＝０．５０ 、 ｘ＝０．１０ 、３
’＝０．５０とした。第３図（ｂ）に同図（＾）の素子
の不純物濃度分布を示す。
第１のＰ型Ｇａ、１Ａｔ、Ａｓ層を液相エピタキシャル
成長法で形成し、該Ｐ型層上に、Ｓ１添加の第２のＰ型
Ｇａ １−ＸＡＺＸＡｍ Ｉ−を液相エピタキシャル成
長法で形成し、咳Ｐ型層上に、Ｔｏ添加のＮ型層 Ａ＋
−ｙＡＺｙ Ａ’ｉｒ層を液相エピタキシャル成長法
で形成することによって得た。ここで上記２は０くｚ
（ｌでおり、ｚ ＝０．５０ 、 ｘ＝０．１０ 、３
’＝０．５０とした。第３図（ｂ）に同図（＾）の素子
の不純物濃度分布を示す。
第３図（＆）に示される素子にあっては、接合部をダブ
ルへテロ構造とした丸め、よ多発光量が上げられるもの
である。
ルへテロ構造とした丸め、よ多発光量が上げられるもの
である。
第３実施例
第４図（、）は同実施例の構造及び特性図である。
このものは、（１００） ＧａＡｍ基板上に、 ８１及
びＺｎ添加のＰ ｆｉ Ｇａ 、−ＸＡＺＸＡｍ層を液
相エピタキシャル成長法で形成し、該Ｐ型層上に、Ｔ・
添加のＮ型Ｇａ、□ＡＺｙＡ ａ Ｉ−を液相エピタキ
シャル成長法で形成することによって得た。ここでＸ＝
０．１０ 、 ｙ＝Ｑ、５０としだ。第４図（ｂ）に同
図（、）の素子の不純物濃度分布を示す。この場合上記
Ｚｎが入るため、Ｐ型Ｑａ１ 、ＡｔｘＡｓ ｌ−の函
度分布が安定化でき、歩留υ向上が期待できるもので必
る。
びＺｎ添加のＰ ｆｉ Ｇａ 、−ＸＡＺＸＡｍ層を液
相エピタキシャル成長法で形成し、該Ｐ型層上に、Ｔ・
添加のＮ型Ｇａ、□ＡＺｙＡ ａ Ｉ−を液相エピタキ
シャル成長法で形成することによって得た。ここでＸ＝
０．１０ 、 ｙ＝Ｑ、５０としだ。第４図（ｂ）に同
図（、）の素子の不純物濃度分布を示す。この場合上記
Ｚｎが入るため、Ｐ型Ｑａ１ 、ＡｔｘＡｓ ｌ−の函
度分布が安定化でき、歩留υ向上が期待できるもので必
る。
従って上記実施例によれば、従来例で説明したような歩
留りの低下をもたらす基板除去工程がなく、従来例では
総合歩留りが３０饅であったものが、第１実施例では５
０チ、第２、第３実施例では８０ｑｂ程度に改善された
。また従来例の方法を用いて製造された素子は、索子表
面からｐＮ接合までの深さが５０μ〜１００μと深いた
め、ＰＮ接合部の分離はダイシングによって行なわれ、
素子形状は第５図に示すようなものが一般的でおった。
留りの低下をもたらす基板除去工程がなく、従来例では
総合歩留りが３０饅であったものが、第１実施例では５
０チ、第２、第３実施例では８０ｑｂ程度に改善された
。また従来例の方法を用いて製造された素子は、索子表
面からｐＮ接合までの深さが５０μ〜１００μと深いた
め、ＰＮ接合部の分離はダイシングによって行なわれ、
素子形状は第５図に示すようなものが一般的でおった。
図中１１はＰ型Ｑａ７ＱＡａ層、１２はＮ型ＧａＡｔＡ
ｓ層、１３．１４は電極である。これに対し本発明の実
施例による素子では、 ＧａＡｓ基板が残存するため、
索子表面からＰＮ接合までの深さが３０μ程度以下でお
如、ＰＮ接合部の分離を、表面からのエツチングによっ
て行なうことが可能になりた。このような方法で得た素
子を第６図に示す。図中２１はＰ型ＧａＡｓ基板、ｓｔ
ｙはＰ型層＾ＡＡＡ壽層、２３はＮ型ＱａＡｔＡｓ Ｊ
ｉｍ、２４，２１ｊは電極である。またＧａＡｓないし
ＧｘＡｔＡｓを材料とする発光素子は、応力によってダ
ークラインが発生し、発光出力の急激な低下をもたらす
ことは広く知られている。このような現象は本構造の素
子でも観察されるが、第５図、第６図に示した各素子を
エポキシ樹脂で封止し、順方向に通電して発光出力の変
化を観察したところ、第７図に示すように発光出力の変
化に大きな相異が見られた。図中ｍは第５図に示す素子
の発光出力比の特性図、ｎは第６図に示す素子の発光出
力比特性図である。この特性の相異は、第５図の素子で
はＰＮ接合近傍に多くの欠陥が存在するのに対し、第６
図の素子では、それが殆んどないことによると思われる
。このように本発明は通電劣化にも有効であ９− ることか判明した。第８図に本発明による素子の発光効
率の初特性を、従来例と比較して示した。ここに示した
ように、第１ないしＫｃ３夾施実施いずれもが、従来例
のものより高い皿を示した。これは１発光波長に対する
表面Ｎ型層の透過率が、本発明による素子の方が高いこ
とによ如、更に第２実施例ではＧａＡｓ基板と８１添加
のＰ型層亀ＡｔＡｍ層との間に、高ＡｔＡｓ ＃Ｊ晶比
のＰ型層があるためでおる。
ｓ層、１３．１４は電極である。これに対し本発明の実
施例による素子では、 ＧａＡｓ基板が残存するため、
索子表面からＰＮ接合までの深さが３０μ程度以下でお
如、ＰＮ接合部の分離を、表面からのエツチングによっ
て行なうことが可能になりた。このような方法で得た素
子を第６図に示す。図中２１はＰ型ＧａＡｓ基板、ｓｔ
ｙはＰ型層＾ＡＡＡ壽層、２３はＮ型ＱａＡｔＡｓ Ｊ
ｉｍ、２４，２１ｊは電極である。またＧａＡｓないし
ＧｘＡｔＡｓを材料とする発光素子は、応力によってダ
ークラインが発生し、発光出力の急激な低下をもたらす
ことは広く知られている。このような現象は本構造の素
子でも観察されるが、第５図、第６図に示した各素子を
エポキシ樹脂で封止し、順方向に通電して発光出力の変
化を観察したところ、第７図に示すように発光出力の変
化に大きな相異が見られた。図中ｍは第５図に示す素子
の発光出力比の特性図、ｎは第６図に示す素子の発光出
力比特性図である。この特性の相異は、第５図の素子で
はＰＮ接合近傍に多くの欠陥が存在するのに対し、第６
図の素子では、それが殆んどないことによると思われる
。このように本発明は通電劣化にも有効であ９− ることか判明した。第８図に本発明による素子の発光効
率の初特性を、従来例と比較して示した。ここに示した
ように、第１ないしＫｃ３夾施実施いずれもが、従来例
のものより高い皿を示した。これは１発光波長に対する
表面Ｎ型層の透過率が、本発明による素子の方が高いこ
とによ如、更に第２実施例ではＧａＡｓ基板と８１添加
のＰ型層亀ＡｔＡｍ層との間に、高ＡｔＡｓ ＃Ｊ晶比
のＰ型層があるためでおる。
なお本発明は上記実施例のみに限られることなく、種々
の応用が可能である。例えば上記第２、第３の実施例で
は、Ｐ型不純物としてＺｎＯ代シに、Ｇｏ不純物を用い
た場合でも同様の結果が得られている。
の応用が可能である。例えば上記第２、第３の実施例で
は、Ｐ型不純物としてＺｎＯ代シに、Ｇｏ不純物を用い
た場合でも同様の結果が得られている。
以上説明した如く本発明によれば、バンドイヤ、ゾエネ
ルイが大になるようにＡｔＡ ｓ混晶比を上げるもので
おるから、基板除去工程が不要となって歩留わが向上し
、また通電劣化１発光効率％性に優れる等の利点を有し
た半導体発光装１０− 蝋の製造方法が提供でらるものである。
ルイが大になるようにＡｔＡ ｓ混晶比を上げるもので
おるから、基板除去工程が不要となって歩留わが向上し
、また通電劣化１発光効率％性に優れる等の利点を有し
た半導体発光装１０− 蝋の製造方法が提供でらるものである。
第１図は従来の千尋体発光装置の構成及び特性説明図、
第２図ないし第４図は本発明の実施例の構成及び特性説
明図、第５図は従来の千尋体発光装置ｆの構成図、第６
図は本発明の実施例の素子構成図、第７図、第８図は同
構成の特性図である。 ２１ ・・・Ｐ 型ＧａＡｓ 周板、２ Ｊ ・” Ｐ
ｍＧａＡｔＡｇ層、２ Ｂ −” Ｎ ＃１Ｇａ
＾！Ａｉ １ｌｌｉ 。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 （ａ） ６０ｐ へ条匁簡 第４図 （ａ） ＰＷＧａＡｓ＆ａ ０ ５０μ 成゛長方崎 （ｂ） ６０ＩＪ 広長方簡 （ｂ） ５ＯＩＪ へ長万勉 第５図 第７図 通電時■ ワ■ 第 ６ 図 Ｌり神第 ８ 図 （
第２図ないし第４図は本発明の実施例の構成及び特性説
明図、第５図は従来の千尋体発光装置ｆの構成図、第６
図は本発明の実施例の素子構成図、第７図、第８図は同
構成の特性図である。 ２１ ・・・Ｐ 型ＧａＡｓ 周板、２ Ｊ ・” Ｐ
ｍＧａＡｔＡｇ層、２ Ｂ −” Ｎ ＃１Ｇａ
＾！Ａｉ １ｌｌｉ 。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 （ａ） ６０ｐ へ条匁簡 第４図 （ａ） ＰＷＧａＡｓ＆ａ ０ ５０μ 成゛長方崎 （ｂ） ６０ＩＪ 広長方簡 （ｂ） ５ＯＩＪ へ長万勉 第５図 第７図 通電時■ ワ■ 第 ６ 図 Ｌり神第 ８ 図 （
Claims (3)
- （１）Ｐ型ＧａＡａ基板上に、Ｓ１添加のＰ型Ｇａ １
＋ ｘＡＬｘＡ ａ層を液相エピタキシャル成長法で
形成し、前記Ｐ型Ｇａ、−ｘＡｔＸＡＩＩ層上に、Ｎ型
Ｇａ 、−ｙＡｔ、Ａｓ層を液相エピタキシャル成長法
で形成し、前記Ｘとｙにはｘ＜ｙの関係があることを特
徴とする半導体発光装置の製造方法。 - （２）Ｐ型ＧａＡｓ基板上に、Ｚｎ ｔたはＧｏ添加の
Ｐ型Ｇ ａ １− ｚＡｔ、Ａ １層を液相エビタキ７
ヤル成長法で形成し、前記Ｇ ａ 、１ｋｔｋ ｍ層上
に８１添加のＰ型Ｇ ａ 、−ｘＡＺｘＡ ａ ｍを液
相エピタキシャル成長法で形成し、前記Ｐ型Ｇ ａ １
− ｘＡＬｘＡ ｓ Ｊ−上にＮ型Ｇ ａ 、−ｙＡＬ
ｙＡ ｓ層を液相エピタキシャル成長法で形成し、前記
Ｘとｙにはｘ＜ｙの関係があることを特徴とする半導体
発光装置の製造方法。 - （３）Ｐ型ＧＡＡＩ基板上に、旧とＺｎまたはＧ。 とを添加したＰ型Ｇ＆、−ｘＡＬｒＡ畠層を液相エピタ
キシャル成長法で形成し、前記Ｐ型Ｇ ａ １−ＸＡＬ
ＸＡ ｓ ｊｅｔ上にＮ型Ｇ ａｌ−ｙＡＬｙＡ ｓ
／−を液相エピタキシャル成長法で形成し、前記Ｘとｙ
にはｘ＜ｙの関係があることを特徴とする半導体発光装
置の製造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111210A JPS592381A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111210A JPS592381A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592381A true JPS592381A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14555311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111210A Pending JPS592381A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592381A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103373A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light emitting diode and preparation thereof |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111210A patent/JPS592381A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103373A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | Light emitting diode and preparation thereof |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247670A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-09-03 | Telefunken Electronic Gmbh | 半導体装置 |
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