JPS5923613A - 圧電共振子 - Google Patents
圧電共振子Info
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- JPS5923613A JPS5923613A JP13334882A JP13334882A JPS5923613A JP S5923613 A JPS5923613 A JP S5923613A JP 13334882 A JP13334882 A JP 13334882A JP 13334882 A JP13334882 A JP 13334882A JP S5923613 A JPS5923613 A JP S5923613A
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- piezoelectric thin
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 17
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウェハーなどの基板上に圧電性薄膜を
形成するとともに圧電性薄膜と対向するシリコンウェハ
ーの他面に異方性エツチング処理で凹部を形成した、バ
ルク波を利用した高周波用圧電共振子に関する。
形成するとともに圧電性薄膜と対向するシリコンウェハ
ーの他面に異方性エツチング処理で凹部を形成した、バ
ルク波を利用した高周波用圧電共振子に関する。
このような圧電共振子は、[FUNDAMI!l!NT
ALMODK VHF/IJHF BULK ACO
USTICWAVERルEIONATOR8AND
F工LTFiRE? ON B工LニーC0NJ
1980 ULTRASON工CSYMPO8iUM
P、829〜8.1や[Zno/S io、 −DIA
PIiRAt)MCOMPO8工T凹 R1!1sON
ATORON A 8工LICONWAFKRJ
FiLECTRONIC8LET’rFRE? 9
thIu’J−V 1981 Vol、17 No、1
4 F、507〜509に開示されており、第1図およ
び第2図に示す構造をとる。
ALMODK VHF/IJHF BULK ACO
USTICWAVERルEIONATOR8AND
F工LTFiRE? ON B工LニーC0NJ
1980 ULTRASON工CSYMPO8iUM
P、829〜8.1や[Zno/S io、 −DIA
PIiRAt)MCOMPO8工T凹 R1!1sON
ATORON A 8工LICONWAFKRJ
FiLECTRONIC8LET’rFRE? 9
thIu’J−V 1981 Vol、17 No、1
4 F、507〜509に開示されており、第1図およ
び第2図に示す構造をとる。
第1図の共振子は、シリコンウニノ・−1の一方面1a
上から所定の深さだけボロン等をドープした(記号2で
示す)のち、他方面1bを異方性エツチング処理にて凹
部5を形成してシリコンウェハー1に厚みの簿い部分(
ダイアフラム)1Cを構成し、次いで、シリコンウニ・
・−1の一方向1&上にダイアフラム1C上を含んでA
Jなどを蒸着して下部電極4を形成し、この電極4を含
むシリコンウェハー1上にスパッタリングなどによりZ
nOなどの圧電性薄膜5を形成し、さらに圧電性薄膜5
上に少なくとも下部電極4と対向させ−CA1などを蒸
着し゛C上部電電極を形成したもので、電極4.6間に
電気信号を加えて圧電性薄膜5の圧電効果によりその薄
−5をJR動させることにより、圧電性薄膜5とシリコ
ンウェハー1のダイアフラム1Cとの複合体を撮動させ
、その複合体の厚み振動を利用して100MH2以上の
高周波数領域で有利に動作させ得るものである。
上から所定の深さだけボロン等をドープした(記号2で
示す)のち、他方面1bを異方性エツチング処理にて凹
部5を形成してシリコンウェハー1に厚みの簿い部分(
ダイアフラム)1Cを構成し、次いで、シリコンウニ・
・−1の一方向1&上にダイアフラム1C上を含んでA
Jなどを蒸着して下部電極4を形成し、この電極4を含
むシリコンウェハー1上にスパッタリングなどによりZ
nOなどの圧電性薄膜5を形成し、さらに圧電性薄膜5
上に少なくとも下部電極4と対向させ−CA1などを蒸
着し゛C上部電電極を形成したもので、電極4.6間に
電気信号を加えて圧電性薄膜5の圧電効果によりその薄
−5をJR動させることにより、圧電性薄膜5とシリコ
ンウェハー1のダイアフラム1Cとの複合体を撮動させ
、その複合体の厚み振動を利用して100MH2以上の
高周波数領域で有利に動作させ得るものである。
上述した圧電共填子は、シリコンウェハー1に異方性エ
ツチング処理を施してSlのダイアフラム1Cを作成し
たのち、下部1【極4、圧電(生薄膜5および下部電極
6を形成するようにしCいる。
ツチング処理を施してSlのダイアフラム1Cを作成し
たのち、下部1【極4、圧電(生薄膜5および下部電極
6を形成するようにしCいる。
しかし、そのダイアフラム1Cは4qみが数μmで機械
的強度が弱いものであるから、ダイアフラム10作成後
の、超音波洗浄の工程、上、下部電極や圧電性4談形成
の工程において、量産的に処理するとダイアフラム10
が破損する率が高いという事実が見い出された。しかも
、後工程だけでなく、異方性エツチング処理を施す際に
もダイアプラム1Cが破損し、シリコンウェハー1が使
用不能になる率も高く、全体としCの破損する率は非常
に高いものである。また、上記した構造では、工程を逆
転させ°C1圧電性薄朦5を形成したのちダイアフラム
1Cを作成しようとしだ場合、異方性エツチング処理時
に圧電性?(¥験5やj電極4,6が、ビロカテロール
、エチレンジアミンおよび水からなる異方1生エツチン
グ液におかされ圧電機11ヒを果たさなくなる。
的強度が弱いものであるから、ダイアフラム10作成後
の、超音波洗浄の工程、上、下部電極や圧電性4談形成
の工程において、量産的に処理するとダイアフラム10
が破損する率が高いという事実が見い出された。しかも
、後工程だけでなく、異方性エツチング処理を施す際に
もダイアプラム1Cが破損し、シリコンウェハー1が使
用不能になる率も高く、全体としCの破損する率は非常
に高いものである。また、上記した構造では、工程を逆
転させ°C1圧電性薄朦5を形成したのちダイアフラム
1Cを作成しようとしだ場合、異方性エツチング処理時
に圧電性?(¥験5やj電極4,6が、ビロカテロール
、エチレンジアミンおよび水からなる異方1生エツチン
グ液におかされ圧電機11ヒを果たさなくなる。
第2図のものは、シリコンウェハー7(7) 一方m上
にSiO,の11り8を形成し、他方面に異方性エツチ
ング処理を施して810.14913まで達する四部9
を形成することKよ#)EliO,のダイアフラム8a
を作成したのち、第1図のものと同様にF部電極4、圧
電性薄膜5および上部Y1[6を順次形成するようにし
たものである。この圧心共振子も、JiO。
にSiO,の11り8を形成し、他方面に異方性エツチ
ング処理を施して810.14913まで達する四部9
を形成することKよ#)EliO,のダイアフラム8a
を作成したのち、第1図のものと同様にF部電極4、圧
電性薄膜5および上部Y1[6を順次形成するようにし
たものである。この圧心共振子も、JiO。
のダイアフラム8aがr&慣しゃすいという欠点がある
。
。
第3図は、既に本件出願人が提案したもので、一方面上
から所定深さだけポロン等をドープした(記号11で示
す)シリコンウェハー10の一方面にSio*腰12全
12し、他方面を異方性エツチング処理してドープ層ま
で凹部16を形成することにより、Slと8102の二
層構造からなるダイアフラム14を作成したのち、第1
図のものと同様に下部電(舅4、圧T′Ii性薄IIP
5および下部電極が破(lしやすいという欠点がある。
から所定深さだけポロン等をドープした(記号11で示
す)シリコンウェハー10の一方面にSio*腰12全
12し、他方面を異方性エツチング処理してドープ層ま
で凹部16を形成することにより、Slと8102の二
層構造からなるダイアフラム14を作成したのち、第1
図のものと同様に下部電(舅4、圧T′Ii性薄IIP
5および下部電極が破(lしやすいという欠点がある。
そこで本発明は、異方性エツチング処理の工程と圧電性
薄腰杉成の工程とを逆転させて、圧電性A[の形成後に
異方性エツチング処理でき得る構造とし、同時に圧電性
薄−の保護機能をもだせて後工程での取扱いを楽にし、
なおかつリード引出しも容易にできるようにすることを
目的とする。
薄腰杉成の工程とを逆転させて、圧電性A[の形成後に
異方性エツチング処理でき得る構造とし、同時に圧電性
薄−の保護機能をもだせて後工程での取扱いを楽にし、
なおかつリード引出しも容易にできるようにすることを
目的とする。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳述する。
第3図においで、一方面20aから所定駄ボロンをドー
プした(ドープ層を21で示す)シリコンウェハー20
の一方面20a上に、0102 膜22が熱酸化処理、
スパッタリング、蒸着、イオンブレーティング、CVD
などの方法で形成され°Cいる。このSin、1192
2上K Al、 Cu、 A9. ALLなどの金属を
蒸着して下部を極23が形成され、この電極23を含む
5102膿22−日て、スパッタリング、イオングレー
ティング、CVDなどの方法K よ1)ZnO,AeN
、CdSなどの圧電性?W膜24が形成され、さらに、
下部電極26と一部を対向させ゛C圧電性薄薄談4上か
ら5102膜22上にかけ′CkC,Cu、A9.Au
などからなる下部電極25が蒸着により形成され”でい
る。Mid体膜26は異方性エツチング液におかされな
い、J7,0. 、 Si。
プした(ドープ層を21で示す)シリコンウェハー20
の一方面20a上に、0102 膜22が熱酸化処理、
スパッタリング、蒸着、イオンブレーティング、CVD
などの方法で形成され°Cいる。このSin、1192
2上K Al、 Cu、 A9. ALLなどの金属を
蒸着して下部を極23が形成され、この電極23を含む
5102膿22−日て、スパッタリング、イオングレー
ティング、CVDなどの方法K よ1)ZnO,AeN
、CdSなどの圧電性?W膜24が形成され、さらに、
下部電極26と一部を対向させ゛C圧電性薄薄談4上か
ら5102膜22上にかけ′CkC,Cu、A9.Au
などからなる下部電極25が蒸着により形成され”でい
る。Mid体膜26は異方性エツチング液におかされな
い、J7,0. 、 Si。
N4.810.で構成され、ZnO幀24および上、下
部電極23.25を覆うように、スパッタリング、イオ
ンブレーティング、CVDにより形成され′Cいる。シ
リコンウェハー20の他方面20bに、ピロカテロール
、エチレンジアミン、水からなるエツチングIFて異方
性エツチング処理を施し゛Cドープ層21までの凹部2
7が形成されている。誘屯体薄膜26に上、下部電極2
3.25に貝通する開口28.29が形成され′Cいる
。
部電極23.25を覆うように、スパッタリング、イオ
ンブレーティング、CVDにより形成され′Cいる。シ
リコンウェハー20の他方面20bに、ピロカテロール
、エチレンジアミン、水からなるエツチングIFて異方
性エツチング処理を施し゛Cドープ層21までの凹部2
7が形成されている。誘屯体薄膜26に上、下部電極2
3.25に貝通する開口28.29が形成され′Cいる
。
本実施例によれば、圧電性薄膜24および上、下部電極
23.25が誘亀体薄暎26により覆われ”Cいるので
、圧電性薄膜24の形成後に、異方性エツチング処理に
よる凹部27の形成が可能となる。しだがって、シリコ
ンウェハー20.5iO111922、ZnO腰24、
上、下部電極23.25からなる多層構造の状態で異方
性エツチング処理を施すことができ、しかもドープ層2
1にSin!膜22が接着され、とのslo、膿22に
圧電性薄膜24などが接着され、かつその接着がスパッ
タリングなどで強固になされているので、異方性エツチ
ング処理時にドープ層21や810. 聯22のダイア
フラムの部分が破損する率が非常に少なくなる。また、
ダイアフラムがドープ層21 、810゜−22,圧電
性薄膜24の多層構造で構成され、かつ異方性エツチン
グ処理した後の工程数が少なくなるので、後工程におけ
る破損の確率が大巾に小さくなり、収率が向上する。t
た、圧電性薄膜24が誘電体薄[11126にて覆われ
ているので、圧電性薄s24の保護がはかれ、経時変化
が少なくなる。さらに、コンタクトホールとなる開口2
8゜29を通してリード接続が簡単に行える。
23.25が誘亀体薄暎26により覆われ”Cいるので
、圧電性薄膜24の形成後に、異方性エツチング処理に
よる凹部27の形成が可能となる。しだがって、シリコ
ンウェハー20.5iO111922、ZnO腰24、
上、下部電極23.25からなる多層構造の状態で異方
性エツチング処理を施すことができ、しかもドープ層2
1にSin!膜22が接着され、とのslo、膿22に
圧電性薄膜24などが接着され、かつその接着がスパッ
タリングなどで強固になされているので、異方性エツチ
ング処理時にドープ層21や810. 聯22のダイア
フラムの部分が破損する率が非常に少なくなる。また、
ダイアフラムがドープ層21 、810゜−22,圧電
性薄膜24の多層構造で構成され、かつ異方性エツチン
グ処理した後の工程数が少なくなるので、後工程におけ
る破損の確率が大巾に小さくなり、収率が向上する。t
た、圧電性薄膜24が誘電体薄[11126にて覆われ
ているので、圧電性薄s24の保護がはかれ、経時変化
が少なくなる。さらに、コンタクトホールとなる開口2
8゜29を通してリード接続が簡単に行える。
上記実施例では基板としてドープ層を作成しかつEli
O,膜を形成したシリコンウエノ・−を示しているが、
本発明によれば、ドープ層を作成しただけのシリコンウ
ェハー−1あるいは81oz1#を形成したシリコンウ
エノ・−を用いてもよく、要は少なくともシリコンウエ
ノ・−を含む基板であればよい。
O,膜を形成したシリコンウエノ・−を示しているが、
本発明によれば、ドープ層を作成しただけのシリコンウ
ェハー−1あるいは81oz1#を形成したシリコンウ
エノ・−を用いてもよく、要は少なくともシリコンウエ
ノ・−を含む基板であればよい。
さらに本発明では、特にシリコンウエノ・−にドープ層
を作成した場合には、そのドープ層を下部電極として動
作させ、AI蒸着などによる下部電原を省略することが
できる。
を作成した場合には、そのドープ層を下部電極として動
作させ、AI蒸着などによる下部電原を省略することが
できる。
第1図、第2図および第3図は従来の圧電共1辰子の断
面図、第4図は本発明に基づく圧電共1辰子の断面図で
ある。 20tiシ!Jコンウエノ・−124は圧雪、性薄映、
23.25は電極、26は誘電体薄膜、27は凹部、2
8.29は開口である。 特許出願人 株式会社村田製作所 第 l 図 躬?霞 躬30
面図、第4図は本発明に基づく圧電共1辰子の断面図で
ある。 20tiシ!Jコンウエノ・−124は圧雪、性薄映、
23.25は電極、26は誘電体薄膜、27は凹部、2
8.29は開口である。 特許出願人 株式会社村田製作所 第 l 図 躬?霞 躬30
Claims (1)
- 少なくともシリコンウェハーを含む基板の一方面上に、
下部電極、圧電性薄膜および上部電極が順次形成され、
圧電性薄膜および上、下部電極を覆うように誘電体薄聯
が形成され、基板の他方面に圧電性薄膜と対向する四部
が形成され、誘電体薄膜に電極に貫通する開口が形成さ
れたことを特徴とする圧電共振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13334882A JPS5923613A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13334882A JPS5923613A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 圧電共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5923613A true JPS5923613A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15102615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13334882A Pending JPS5923613A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 圧電共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5923613A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104560A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-22 | Toshiba Corp | マイクロ波放電光源装置 |
JPH04241505A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜振動子 |
US5283458A (en) * | 1992-03-30 | 1994-02-01 | Trw Inc. | Temperature stable semiconductor bulk acoustic resonator |
US5852337A (en) * | 1996-05-27 | 1998-12-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric film-type element |
US7009328B2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device made of piezoelectric/electrostrictive film and manufacturing method |
US7091651B2 (en) * | 2003-06-19 | 2006-08-15 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and method of manufacture of a piezoelectric device |
US7958608B2 (en) * | 2007-09-12 | 2011-06-14 | Fujifilm Corporation | Process for manufacting a piezoelectric device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54134981A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Nec Corp | Formation method of highly-integrated element |
JPS5549020A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Piezoelectric vibrator |
JPS55109020A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-21 | Fujitsu Ltd | Piezoelectric oscillator |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13334882A patent/JPS5923613A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54134981A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Nec Corp | Formation method of highly-integrated element |
JPS5549020A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Piezoelectric vibrator |
JPS55109020A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-21 | Fujitsu Ltd | Piezoelectric oscillator |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104560A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-22 | Toshiba Corp | マイクロ波放電光源装置 |
JPH04241505A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜振動子 |
US5283458A (en) * | 1992-03-30 | 1994-02-01 | Trw Inc. | Temperature stable semiconductor bulk acoustic resonator |
US5852337A (en) * | 1996-05-27 | 1998-12-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric film-type element |
US7091651B2 (en) * | 2003-06-19 | 2006-08-15 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and method of manufacture of a piezoelectric device |
US7849572B2 (en) | 2003-06-19 | 2010-12-14 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric device |
US7009328B2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device made of piezoelectric/electrostrictive film and manufacturing method |
US7559128B2 (en) | 2003-06-20 | 2009-07-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a piezoelectric/electrostrictive device |
US7958608B2 (en) * | 2007-09-12 | 2011-06-14 | Fujifilm Corporation | Process for manufacting a piezoelectric device |
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