CN111919383A - 体声波谐振器设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

体声波谐振器设备包括底部电极和顶部电极(120、360)。夹持在其之间的压电层(355)在有源谐振器区中具有与周围区中的厚度不同的厚度。制造设备的方法包括：将压电晶片键合到载体晶片，并通过离子切割技术将压电晶片的一部分分离。压电层在有源区和周围区中的不同厚度通过在不同深度处注入离子来实现。

Description

体声波谐振器设备及其制造方法

技术领域

本公开涉及电声谐振器设备。具体地，本公开涉及体声波谐振器设备，体声波谐振器设备具有顶部电极和底部电极以及设置在其之间的压电层。本公开还涉及制造体声波谐振器设备的方法。

背景技术

体声波(BAW)谐振器被广泛用于电子系统中来实现RF滤波器。压电层被夹持在一对电极之间。通过将电信号施加到电极，声谐振波在压电层中建立。压电材料可以是诸如氮化铝的沉积材料。最近提出的BAW谐振器使用单晶压电材料(例如，铌酸锂、钽酸锂或石英)。BAW谐振器可以是固体安装谐振器(SMR)类型，其中声有源区域被安装在包括反射器的衬底上来防止声波逸入衬底，BAW谐振器也可以是薄膜腔声谐振器(FBAR)类型，其中腔被设置在声有源区域的下方。

BAW谐振器的高质量因数需要强大的能量限制。BAW谐振器通常具有围绕声有源区域的特定结构，以防止波从压电层横向逸出。

本公开的一个目的是提供具有改进的横向能量限制结构的体声波谐振器。

本公开的另一目的是提供制造具有改进的横向能量限制结构的体声波谐振器的方法。

发明内容

上述一个或多个目的通过根据本权利要求1的特征的体声波谐振器来实现。

根据一个实施例，体声波(BAW)谐振器设备的压电层被夹持在顶部电极层和底部电极层之间。压电层横向延伸超过底部电极和顶部电极。围绕压电层的、被夹持在底部电极和顶部电极之间的部分的压电层的横向延伸部分的厚度，不同于压电层在顶部电极和底部电极之间的厚度。具体地，压电层在周围部分中的厚度可以比压电层在顶部电极和底部电极之间的声有源动区域中的厚度更大或更厚。

根据另一实施例，还可以使得压电体在周围部分中的厚度小于或薄于压电层在声有源区域中的厚度。

换言之，根据第一实施例，声有源区域中的压电层相对于周围部分中的压电层凹陷。假设压电层的表面部分是平坦的，则在声有源区域中压电层的顶部表面和底部表面之间的距离或厚度小于周围部分中压电层的顶部表面和底部表面的距离。与包围顶部电极的、压电层的顶部表面部分相比，在声有源区域中的、提供有顶部电极的顶部表面部分被凹陷。

与沉积材料相比，将单晶压电材料用于BAW谐振器设备可以提供更低的损耗。本文提出的围绕声有源区的能量限制结构与低损耗单晶压电材料有关，从而为BAW谐振器提供高质量因数或Q因数。可用于根据本公开的BAW谐振器设备的单晶压电材料是铌酸锂(LiNbO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)或石英。这些材料可以以单晶形式从市场上获得，可以从这些材料中切出薄晶片。这些材料具有限定明确且可复制的材料参数。其他单晶压电材料也可以是有用的。

BAW谐振器中的单晶压电材料层可以具有平坦的底部表面，底部电极被设置在底部表面上。单晶压电层的顶部表面包括其上设置有顶部电极的凹陷表面区。在压电层的较大厚度的部分和较小厚度的部分之间存在过渡的顶部表面。过渡表面可以相对于顶部表面的第一表面部分和第二表面部分以及相对于底部表面具有倾斜定向。顶部表面包括阶梯，其中从声有源区域中的压电层的较薄部分到包围声有源区域的较厚的压电层部分的阶梯为声谐振波提供了大量的不连续性，使得声波被限制到顶部电极和底部电极之间的有源区，并防止溢出到顶部电极和底部电极之外的周围区。因此，声波的能量被保持在声有源区中。压电材料靠近底部电极的表面是平坦的，并且压电材料远离底部电极的表面包括阶梯特征。

固体安装型体声波谐振器设备(BAW-SMR)包括在底部电极下方的、诸如布拉格反射镜的反射镜装置，以防止声波逸出到衬底中。布拉格反射镜被设置在可以是单晶硅晶片的衬底材料上。布拉格反射镜装置对于本技术领域的技术人员是众所周知的。它包括具有高声阻抗和低声阻抗或在声学上更硬和更软的交替层的堆叠。例如，层堆叠可以包括介电材料和金属的交替层。具体地，在声学上较硬的层部分可以由被二氧化硅层间隔开的钨制成。布拉格反射镜装置的顶部层由二氧化硅组成，二氧化硅与谐振器的底部电极接触。在布拉格反射镜装置的制造过程中，钨在二氧化硅上形成，使得薄的钛粘附层可以被设置在二氧化硅上，以在其上容纳钨层。

根据薄膜的体声波谐振器或独立式体声波谐振器类型(BAW-FBAR)包括在底部电极处的腔，使得底部电极被暴露于空气。压电层的周围底部表面与可以是二氧化硅的绝缘层接触。二氧化硅层可以由诸如单晶硅的载体衬底支撑。在BAW-FBAR设备的有源区的区域中，二氧化硅层和硅载体衬底层被移除来获得在底部电极处的腔。腔被剩余的二氧化硅和硅层包围。

靠近声学反射镜的压电材料表面(例如，SMR壳体中的布拉格反射镜装置或FBAR壳体中的腔)是平坦的并且不包括阶梯。远离底部电极并且远离布拉格反射镜装置并且远离腔的压电材料表面包括阶梯特征。过渡顶部表面部分是远端表面的一部分。

关于制造BAW谐振器设备的方法，通过根据本权利要求9的特征的方法解决了一个或多个上述目的。

根据一个实施例的制造过程包括压电晶片的制备和制备另一工件的制备以及将晶片和工件键合在一起。具体地，晶片由压电材料提供。压电材料可以是单晶压电材料，其示例在上面提及。底部电极通过沉积金属层并通过光刻步骤将金属层结构化而被形成在压电晶片上。诸如二氧化硅层的介电层被沉积在压电晶片的表面上，底部电极被设置在该表面上。二氧化硅沉积可以包括CVD或溅射工艺。然后，离子穿过二氧化硅层注入，以在压电晶片内达到预定深度。离子可以选自氢离子、氘离子或氦离子或其他低分子量离子。离子在压电晶片内所处的深度可以通过离子轰击的加速电压和底部金属电极的厚度来控制。底部电极下方和底部电极区外部的深度不同。用于底部电极的金属类型还决定了离子的穿透深度。

此外，提供了载体衬底工件。载体衬底可以是单晶硅晶片。因为压电晶片的二氧化硅表面被键合到工件晶片，所以经预处理的压电晶片被翻转并键合到载体衬底晶片。工件的表面层包括待键合到压电晶片的二氧化硅层的硅。工件的表面层可以是硅晶片本身或沉积在工件上的二氧化硅层。然后，压电晶片在注入离子所处的区域处分离。所注入的离子将损坏插入压电晶片的原始单晶结构中，使得压电材料可以沿所注入的离子线被分离。分离可以通过在压电材料内引起热应力的机械冲击和/或热能来执行。在移除经分离的压电部分之后，顶部电极通过在移除分离部分之后建立的腔中将金属电极材料沉积和结构化来形成。

电极可以由具有相对高的声硬度和相对高的电导率的钼制成。氮化铝的薄籽晶层可以沉积在压电晶片上，以促进钼晶粒的良好生长。备选地，可以使用钨层和铝层的夹层，其中具有优异的声硬度的钨被沉积在压电层上，并且具有高电导率的铝被沉积在其上。用于电极的其他金属(例如，钌、铱和铂)也可以用作这些金属中的一种或多种的单个层或多个层的夹层。

离子在围绕金属电极材料的外部区中以较大的深度穿透压电材料，并在通过金属电极材料的区中以较低的深度穿透压电材料。在将压电晶片翻转、键合和分离之后，与周围区相比，离子在金属电极区中的穿透深度较低，从而导致压电材料的凹陷部分，并且与周围部分相比，在底部电极之上的厚度减小。对应地，在离子的穿透深度较大的周围区域中，分离之后的压电材料的厚度较高。通过将离子切割工艺与压电晶片和载体晶片的键合结合使用，可以在有源区中以及其外部实现不同厚度的压电材料。较小和较大厚度的压电材料之间的过渡区具有限制功能，将声能限制在BAW谐振器的有源区内。

二氧化硅层被沉积在经结构化的底部金属电极和压电晶片的表面上。金属电极顶部上的二氧化硅表面可以在其余的二氧化硅表面之上突出到一定程度。为了制备用于键合的压电晶片，二氧化硅表面被平坦化来获得均匀的经平坦化的二氧化硅表面。平坦化可以通过化学机械抛光(CMP)来执行。

此外，关于制造BAW谐振器设备的方法，通过根据本权利要求15的特征的方法解决了上述一个或多个目的。

根据本实施例，掩模在底部电极被形成之前在压电晶片上被形成。离子穿透压电材料，至掩膜层下方的第一深度，并在未被掩膜覆盖的区中穿透至第二较大深度。掩模在注入步骤之后被移除，然后底部电极在未被该掩模覆盖的区中被形成。结果，分离之后实现的压电材料的厚度在设备的有源区中较大，而在周围区中较小。与压电晶片和工件的键合有关的其余处理步骤与上述第一方法相同。

应理解，前面的整体描述和下面的详细描述都仅仅是示例性的，并且旨在提供概述或框架来理解权利要求的性质和特征。包括附图来提供进一步的理解，并且附图被并入本说明书中并构成其一部分。附图图示了一个或多个实施例，并且与说明书一起用于解释各种实施例的原理和操作。

附图说明

在附图中：

图1A至图1E示出了单晶压电晶片的处理的连续过程步骤；

图2示出了具有布拉格反射镜的载体晶片；

图3A至图3C示出了制造BAW-SMR设备的连续过程步骤；

图4示出了另一载体晶片；以及

图5A至图5D示出了制造BAW-FBAR设备的连续过程步骤。

具体实施方式

现在将在下文中参考示出本公开的实施例的附图来更全面地描述本公开。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。附图不一定按比例绘制，而是被配置为清楚地图示本公开。附图中不同图中的相同元素由相同的附图标记表示。

现在转到图1A至图1E，示出了与单晶压电晶片110的制备有关的若干连续过程步骤。对于根据SMR和FBAR类型的BAW设备的制造，这些处理步骤相同。压电晶片由“A”表示。晶片110由诸如LiNbO₃、LiTaO₃或石英的单晶压电材料制成。

在LiNbO₃压电晶片的情况下，压电材料可以沿优选方向而被切割，以实现期望的压电性质。压电晶片的单晶压电材料可以具有从(0°,90°,0°)、(0°,300°,0°)和(0°,120°,0°)中选择的切割角。在这种情况下，欧拉角(λ,μ,θ)被限定如下：首先，将作为衬底的结晶轴的一组轴x、y、z作为基。第一角度λ指定x轴和y轴绕z轴旋转的量，x轴沿y轴的方向旋转。因此出现一组新的轴x'、y'、z'，其中z＝z'。在进一步旋转中，z'轴和y'轴绕x'轴旋转角度μ。在这种情况下，y'轴沿z'轴方向旋转。因此出现一组新的轴x”、y”、z”，其中x’＝x”。在第三旋转中，x”轴和y”轴绕z”轴旋转角度θ。在这种情况下，x”轴沿y”轴方向旋转。这样出现了第三组轴x”’、y”’、z”’，其中z”＝z”’。在这种情况下，x”’轴和y”’轴平行于衬底表面。z”’轴是衬底表面的法线。X”’轴指定了声波的传播方向。该限定符合国际标准IEC 62276,2005-05,Annex A1。给定的角度λ、μ和θ的公差为±5°或±10°：(0°±5°,90°±5°,0°±5°)、(0°±5°,300°±5°,0°±5°)和(0°±5°,120°±5°,0°±5°)或(0°±10°,90°±10°,0°±10°)、(0°±10°,300°±10°,0°±10°)和(0°±10°,120°±10°,0°±10°)。

根据图1B，金属电极120在压电材料110的表面上形成。该表面在电极被形成的位置以及在电极附近是平坦的。优选地，钼的金属层被沉积在晶片110的表面上。金属电极通过形成光致抗蚀剂掩模并通过蚀刻移除多余的金属而被结构化。氮化铝的籽晶层可以被设置在晶片110和电极层120之间。备选金属的电极也是可能的，例如，钨和铝的夹层或钌、铱或铂的层或上述金属中的一个或多个的夹层。

现在转到图1C，诸如二氧化硅的绝缘材料层121被沉积。二氧化硅可以通过化学气相沉积(CVD)或诸如溅射的物理过程而被沉积。在金属电极之上的区中，因为沉积过程是可保形的，所以二氧化硅的表面稍微突出。另一籽晶层可以被沉积在金属电极上，以利于在其上形成绝缘层。该籽晶层可以是氮化铝。

现在转到图1D，二氧化硅层的表面被平坦化来实现二氧化硅层的均匀平坦表面130。平面化可以通过化学机械抛光(CMP)过程来进行。

现在转到图1E，如箭头140所示，离子被注入到经处理的晶片中。用于注入的合适离子可以是氢离子(H+)、氦离子(He+)或氘离子(D+)。低分子范围的其他离子也是可能的。离子穿透二氧化硅121并到达单晶压电层110内的、如虚线141处所示的一定深度。离子的穿透深度基本上包括三个部分142、143、144。在金属底部电极120覆盖的区中，当金属电极120从离子吸收一定量的动能时，离子穿透到压电晶片中减小的深度144处。在金属电极120周围的区中，穿透深度142大于电极所覆盖的区中的穿透深度。在穿透部分142、144之间是过渡部分143，在过渡部分143中，穿透深度在水平142和144之间并且从水平144增加到水平142。

穿透深度可以由离子的加速电压和金属电极的厚度来确定。用于底部电极120的金属材料的类型还确定了穿透深度，使得对于不同金属材料的电极，深度不同。在水平142、143、144处存在注入的离子在一定程度上损坏了压电晶片的晶体结构，使得弱点在压电材料中被插入。尽管穿透深度水平141使用虚线来描绘，但深度并不精确，但深度可以被相对良好地控制为具有如虚线141所示的所限定的最大浓度。

现在转到图2，提供了使用“B”描绘的载体晶片210。载体晶片210可以是适用于承载布拉格反射镜装置220的衬底。晶片210可以是单晶硅晶片。布拉格反射镜220包括具有声学上较软和声学上较硬的特性的层的交替序列或堆叠。例如，布拉格反射镜220包括最下面的二氧化硅层223、其上设置的金属层(例如，钨层)222、其上设置的另一二氧化硅224以及其上设置的另一钨层221。布拉格反射镜220的顶部表面被形成为具有平坦化表面230的二氧化硅层225。二氧化硅层具有低声阻抗或在声学上柔软。钨层具有高声阻抗或在声学上坚硬。层之间的合适距离或层厚度与谐振声波的谐振频率的波长有关，并且确保通过二氧化硅表面230进入的声波被反射并且不会深度传播到材料中。在二氧化硅层和钨层之间，可以提供薄的钛层作为粘附层来促进钨的沉积。高声阻抗层的备选材料(例如，其他金属或氮化铝)也可以被使用。

图3A至图3C示出了与预制晶片A和B的键合相关联并在其键合之后的连续过程步骤。如图3A所示，晶片A被翻转，使得最顶部二氧化硅层121的平坦化表面130与布拉格反射镜的二氧化硅层的平坦化表面230相对。使得两个表面130、230彼此接触并由此键合在一起。两个二氧化硅表面的键合是已知并已理解的方法。二氧化硅表面在键合之前可以被清洁。键合可以在限定量的压力下、优选在升高的温度下(例如，在150℃至300℃的范围内)执行。

现在转到图3B，设备的单晶压电晶片的、远离其他层的部分350被移除。部分350与部分355的分离通过机械冲击来实现。例如，机械冲击可以通过插入刀片以将层350从层355机械脱层而引起。备选地或附加地，晶片可以被加热来生成热应力，以增强脱层。部分350与355的脱层沿注入离子的水平144发生。该过程也被称为离子切割。由于离子在晶片之上的穿透深度不同，因此键合至设备的单晶压电层355的厚度在底部电极120的区352中更小或更薄，而在围绕底部电极120的区353中更大或更厚。从图3B可以看出，单晶压电层在底部电极120之上的有源区中的厚度小于在有源区外部的厚度。压电层保留在设备上的部分355保持与二氧化硅材料356连接，并在其底部表面处承载底部电极120。

现在转到图3C，金属顶部电极360形成在有源区352的表面上，该表面位于区352中，在区352中单晶压电材料凹陷，在区352中单晶压电材料具有减小的厚度。顶部金属电极360可以包括与底部电极120相同的一个或多个金属。电极被沉积在压电层的表面上并且被结构化为期望的形状和尺寸。压电层的底部表面是平坦的，并且与二氧化硅层356和底部电极120接触。如虚线矩形370、371所示，在薄有源区和较厚的周围区之间存在单晶压电层355的过渡部分。形成阶梯特征的过渡部分370、371被设置在压电层355远离布拉格反射镜装置270的表面上。过渡区370中深度的增加具有针对声谐振波的横向能量限制特征的功能，声谐振波在设备的操作期间，在顶部电极360和底部电极120之间建立。在电极边缘附近的压电层中，厚度迅速增加的不连续性防止了声波从有源区逸出。横向能量限制结构由单个过程步骤(例如，在跨压电晶片注入不同深度的离子)限定。压电层355与布拉格反射镜接触的表面是平坦的，而压电层远离布拉格反射镜的相对表面包括能量限制阶梯特征。通过使用单晶压电材料，可以实现高压电耦合和较低的材料损耗。声波在有源区中的强烈限制确保了声能保留在有源区中。结果，BAW谐振器设备具有高质量因数和低损耗。这些优点通过结合使用单晶压电材料和上述离子切割技术来实现。

注意，其他横向限制结构(诸如有源区边缘处的凹口和突起)经常被用于BAW谐振器。在根据本实施例的BAW谐振器(未示出)中，这样的其他横向能量限制特征也可以借助例如具有限定尺寸、形状、厚度、质量和重叠/突出区的质量层而被实现，以在谐振器区与其外部之间提供增强的匹配。这些质量层可以由金属、诸如氧化硅的氧化物或氮化物制成。它们需要结构化，结构化包括在有源区和顶部电极处进行蚀刻。但是，这样的附加横向能量限制特征变得过时或可以具有比常规设备更小的尺寸和复杂度，因为如在370、371处所示，本设备已表现出以增加压电层厚度的步骤形式的有效横向能量限制结构。在这种情况下，用于形成附加能量限制结构和将其结构化的附加关键步骤很少且不太复杂，使得谐振器区和顶部电极的表面受到很少影响或几乎没有受到影响。

图4和图5示出了用于BAW-FBAR设备的一个实施例。现在转到图4，示出了标记为“B”的载体衬底晶片410，载体衬底晶片410在其表面处具有薄的二氧化硅层421。二氧化硅421通过CVD或溅射而被生成，以实现预定的厚度和表面质量。

现在转到图5A，衬底晶片410被键合到沿结合图1A至图1E描述的过程制造的经翻转的离子注入单晶压电晶片“A”。

现在转到图5B，根据上述离子切割过程，经离子注入的压电晶片的最顶部550从剩余的经键合的压电晶片部分555中移除并分离。压电层部分555在底部电极120处具有薄的凹陷的压电部分552，并且在凹陷部分552和底部电极部分120周围具有突出的较厚的部分551。

现在转到图5C，顶部电极560通过沉积和结构化来形成，使得顶部电极560位于压电层的凹陷区内。

现在转到图5D，腔580在有源区下方和底部电极120下方被形成。腔可以通过从设备的底侧执行若干蚀刻步骤而被形成。蚀刻步骤在声有源区区域中移除单晶硅晶片410和介电层121，以到达底部电极120的表面。底部电极120被暴露于空气，使得不需要附加的反射镜元件。硅晶片410可以在涉及六氟化硫(SF₆)的反应离子蚀刻过程中被蚀刻。二氧化硅层121可以在氟化氢(HF)气相蚀刻过程中被蚀刻。蚀刻过程在金属底部电极120的表面处停止。在底部电极上提供例如氮化铝的籽晶层，蚀刻过程在该籽晶层处停止，而不是直接在金属电极上停止。

所得的BAW-FBAR设备包括横向能量限制结构570、571，横向能量限制结构570、571在单晶压电层的厚度上呈现出阶梯。可选地和附加地，如结合图3C已描述的，附加的匹配特征(未示出)可以在区570、571中形成。

在另一实施例中(在附图中未示出)，离子在压电衬底材料中在有源区周围的区域中的穿透深度可以小于在有源区的区域中的穿透深度。为了实现该效果，掩模层在压电晶片上形成，掩模层覆盖将针对有源区的区域围绕的区域，使得该掩模从所注入的离子吸收动能，使得穿透深度小于在针对未被掩模覆盖的有源区的区域中的深度。掩模材料可以是延迟离子的材料。在一个实施例中，掩模可以是金属。金属可以是与掩模步骤之后形成的电极的材料相同的金属。例如，掩模材料可以是钼。

然后，掩模被移除，并且底部电极在未被掩模覆盖的区中形成。此后，晶片被提供有绝缘层(例如，二氧化硅)来准备将其键合。该过程以与结合图2至图5D所解释的相同方式进行。在将压电晶片材料分离之后，电极周围或有源区周围的区域中的压电材料比有源区区域中的压电材料更薄。

总之，具有高质量因数的经改进的BAW谐振器采用具有低固有损耗的低损耗单晶压电材料。通过使用离子注入的离子切割技术，单晶压电材料的薄的层到形成BAW谐振器的晶片上的转移被实现。该过程允许利用由金属电极构成的区中和周围区中离子到单晶压电材料中的不同穿透深度，在同一单个过程步骤内限定横向能量限制结构。离子切割技术采用将H+/D+/He+离子注入到预先装有金属电极并嵌入二氧化硅的单晶压电晶片中的方法。金属电极用作掩模，导致与仅覆盖有二氧化硅的金属电极之外的区相比，离子进入压电材料的穿透深度较低。在压电晶片分离之后，与被金属电极覆盖的区(即，谐振器区)相比，压电层在谐振器区外部更厚。在谐振器区内和外部的不同压电膜厚度用作横向载体，从而导致谐振器内的声能的横向能量限制。谐振器区与外部之间的膜薄膜厚度差可以通过电极的厚度、电极材料和离子被注入到压电材料中的加速电压来调节。附加的横向能量限制特征可以可选地借助重叠/突出区来添加，以在谐振器区与外部之间提供最佳匹配。然而，这些附加的限制特征需要比常规设备更简单。

对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离如所附权利要求书限定的本公开的精神或范围的情况下，可以进行各种修改和变型。由于本领域技术人员可以想到并入本公开的精神和实质的所公开的实施例的修改、组合、子组合和变型，因此本公开应被解释为包括所附权利要求的范围内的所有内容。

Claims (15)

1.一种体声波谐振器设备，包括：

底部电极(120)和顶部电极(360)；

压电层(355)，具有第一部分(352)和第二部分(353)：所述第一部分设置在所述底部电极和所述顶部电极之间，所述第一部分具有厚度，所述第二部分围绕所述第一部分，所述第二部分具有与所述第一部分的所述厚度不同的厚度。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器设备，其中所述压电层(355)在所述第二部分(353)中的所述厚度大于所述压电层在所述第一部分(352)中的所述厚度。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器设备，其中所述压电层的所述第一部分(352)相对于所述第二部分(353)凹陷。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的体声波谐振器设备，其中所述压电层(355)包括单晶压电材料。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的体声波谐振器设备，其中所述压电层(355)具有与所述底部电极(120)接触的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面具有：第二表面部分和与所述顶部电极(360)接触的第一表面部分、以及过渡表面部分，所述第二表面部分从所述第一表面部分突出，所述过渡表面部分设置在所述第二表面的所述第一表面部分和所述第二表面部分之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的体声波谐振器设备，还包括设置在载体衬底(210)上的布拉格反射镜装置(220)，其中所述布拉格反射镜装置与所述底部电极(120)相对设置。

7.根据权利要求6所述的体声波谐振器设备，其中所述布拉格反射镜装置包括高声阻抗和低声阻抗的交替层(221、222、223、224、225)的堆叠。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的体声波谐振器设备，其中所述压电层具有与所述底部电极(120)接触的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且其中绝缘材料层(121)被设置在所述压电层的所述第一表面上，所述压电层围绕所述底部电极(120)处的腔(580)，其中所述底部电极(120)在所述腔(580)中被暴露。

9.一种制造体声波谐振器的方法，包括以下步骤：

提供包括压电材料的晶片(110)；

在所述晶片上沉积金属材料并将所述金属材料结构化来形成底部电极(120)；

在所述晶片上和所述底部电极上形成绝缘材料的介电层(121)；

通过介电层(121)，将离子注入到所述晶片(110)的所述压电材料中；

提供包括至少一个层(230、420、421)的工件，所述至少一个层包括硅；

将所述晶片的所述介电层键合到所述工件的所述至少一个层；

将所述晶片的所述压电材料分离并移除所述压电材料的分离部分(350、550)；以及

在所述晶片的所述压电材料的、与所述底部电极相对的所分离的表面上形成顶部电极(360、560)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中注入离子的步骤包括在所述底部电极(120)的区域中的第一深度(144)处并且在围绕所述底部电极的区域中的第二深度(142)处，将所述离子注入到所述晶片的所述压电材料中，其中所述第二深度大于所述第一深度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中将所述压电材料分离的步骤包括在所述第一深度处和所述第二深度处，沿所注入的离子的区域(141)将所述压电材料分离。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中提供工件的步骤包括：向所述工件提供在载体衬底上形成的布拉格反射镜装置(220)。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法，还包括：在与所述底部电极相对的区域中，移除绝缘材料的所述介电层(121)和所述工件的所述至少一个层(420、421)，以在所述底部电极处获得腔。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其中所述晶片的所述压电材料是单晶压电材料，其中所述晶片的绝缘材料的所述介电层(121)和所述工件的所述至少一个层(230、421)各自包括二氧化硅层，并且其中键合步骤包括将所述晶片和所述工件的二氧化硅层键合在一起。

15.一种制造体声波谐振器的方法，包括以下步骤：

提供包括压电材料的晶片；

在所述晶片上沉积掩模材料；

将离子注入到所述晶片的所述压电材料中；

移除所述掩模材料；

在所述晶片上沉积金属材料并将所述金属材料结构化来形成底部电极；

在所述晶片和所述底部电极上形成绝缘材料的介电层；

提供包括至少一个层的工件，所述至少一个层包括硅；

将所述晶片的所述介电层键合到所述工件的所述至少一个层；

将所述晶片的所述压电材料分离并移除所述压电材料的分离部分；以及

在所述晶片的所述压电材料的、与所述底部电极相对的所分离的表面上形成顶部电极。

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