JPS59225606A - 圧電振動子 - Google Patents
圧電振動子Info
- Publication number
- JPS59225606A JPS59225606A JP10110583A JP10110583A JPS59225606A JP S59225606 A JPS59225606 A JP S59225606A JP 10110583 A JP10110583 A JP 10110583A JP 10110583 A JP10110583 A JP 10110583A JP S59225606 A JPS59225606 A JP S59225606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- adjusting part
- piezoelectric substrate
- melting point
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(11発明の技術分野
本発明は圧電振動子、詳しくは駆動電極の下地金属とし
て高融点金属を用い高速で周波数調整を行いうる圧電振
動子の構造に関する。
て高融点金属を用い高速で周波数調整を行いうる圧電振
動子の構造に関する。
(2)技術の背景
水晶、リチウムタンタレート(LiTa03) 、リチ
ウムナイオベート(LiNb03)等の圧電体に適当な
駆動電極(以下単に電極という)を形成し、この電極に
交流電界を印加すると、圧電体2は印加電界と等しい周
波数の応力を生じ、かつ、印加電界の周波数が圧電体の
固有周波数に一致すると共振して強勢な振動が得られる
。かかる振動子は小型で高性能であるため、通信装置等
の発振回路、フィルタ、遅延回路等として広く用いられ
ている。
ウムナイオベート(LiNb03)等の圧電体に適当な
駆動電極(以下単に電極という)を形成し、この電極に
交流電界を印加すると、圧電体2は印加電界と等しい周
波数の応力を生じ、かつ、印加電界の周波数が圧電体の
固有周波数に一致すると共振して強勢な振動が得られる
。かかる振動子は小型で高性能であるため、通信装置等
の発振回路、フィルタ、遅延回路等として広く用いられ
ている。
(3)従来技術と問題点
第1図は圧電物質としてLiTaO3の単結晶を用いた
圧電振動子(圧電ストリップ型厚みすべり振動素子)の
主要構成を示す斜視図であり、結晶のX軸に垂直な面を
もつX板より矩形断面に切り出された圧電基板2には、
X軸に直角な対向主面の幅全体に対向電極3.3が形成
されている。これら電極3,3に高周波電界を印加する
と、圧電基板2は矢印方向に厚みすべり振動を生じ、そ
の大きさは中央部で最大で両端に行くほど小になる。
圧電振動子(圧電ストリップ型厚みすべり振動素子)の
主要構成を示す斜視図であり、結晶のX軸に垂直な面を
もつX板より矩形断面に切り出された圧電基板2には、
X軸に直角な対向主面の幅全体に対向電極3.3が形成
されている。これら電極3,3に高周波電界を印加する
と、圧電基板2は矢印方向に厚みすべり振動を生じ、そ
の大きさは中央部で最大で両端に行くほど小になる。
電極3は第2図に詳細に示される構造のもので、金(A
u)または銀(Ag)の駆動電極膜5と、その下地とな
るクロム(Cr)またはニッケル(Ni)の下地金属膜
4から成る多層構造体である。
u)または銀(Ag)の駆動電極膜5と、その下地とな
るクロム(Cr)またはニッケル(Ni)の下地金属膜
4から成る多層構造体である。
かかる圧電振動子1において、単結晶のウェハから圧電
基板2を切り出し対向電極3,3を形成する等の作成技
術のみにより所望の周波数を得ることは困難である。す
なわち、圧電振動子の周波数はそれの加工精度からバラ
ツキが生じていた。そこで前記したバラツキを取り除き
、一定周波数に合せ込むため共振周波数のi整工程を必
要とするが、そのために一般に用いられる方法は電極の
質量により調整をなす方法で、その方法においてはメッ
キ、サンドブラスト、蒸着等が用いられる。
基板2を切り出し対向電極3,3を形成する等の作成技
術のみにより所望の周波数を得ることは困難である。す
なわち、圧電振動子の周波数はそれの加工精度からバラ
ツキが生じていた。そこで前記したバラツキを取り除き
、一定周波数に合せ込むため共振周波数のi整工程を必
要とするが、そのために一般に用いられる方法は電極の
質量により調整をなす方法で、その方法においてはメッ
キ、サンドブラスト、蒸着等が用いられる。
なお、電極質量が小(大)になると共振周波数は高(低
)の方向に調整される。近年ではYAGレーザを使用し
て電極質量を小にし、周波数を°高の方向に調整する方
法が一般化し、この方法では、駆動電極にレーザビーム
を照射して電極を構成する金属膜(Au、 Ag等の膜
)を飛散させるが、金属膜の反射係数が大であるのでレ
ーザビームのパワーを大にする必要がある。そうなると
、圧電基板が損傷等価直列抵抗が増大し、Q特性が低下
する問題が発生する。更には、圧電基板はレーザビーム
に透明であるので、圧電基板の下に設けられた図示しな
い配線体が切断され、圧電振動子が使用しえなくなる問
題もある。
)の方向に調整される。近年ではYAGレーザを使用し
て電極質量を小にし、周波数を°高の方向に調整する方
法が一般化し、この方法では、駆動電極にレーザビーム
を照射して電極を構成する金属膜(Au、 Ag等の膜
)を飛散させるが、金属膜の反射係数が大であるのでレ
ーザビームのパワーを大にする必要がある。そうなると
、圧電基板が損傷等価直列抵抗が増大し、Q特性が低下
する問題が発生する。更には、圧電基板はレーザビーム
に透明であるので、圧電基板の下に設けられた図示しな
い配線体が切断され、圧電振動子が使用しえなくなる問
題もある。
(4)発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、圧電ストリンプ型の厚
みすべり振動子において、圧電基板を損傷することなく
、高速に周波数調整を行うことが可能な圧電振動子を提
供することを目的とする。
みすべり振動子において、圧電基板を損傷することなく
、高速に周波数調整を行うことが可能な圧電振動子を提
供することを目的とする。
(5)発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、圧電振動予め駆動電
極は、その微関部が下地金属に高融点金属膜を含゛む多
層構造体であることを特徴とする圧電振動子を提供する
ことによって達成される。
極は、その微関部が下地金属に高融点金属膜を含゛む多
層構造体であることを特徴とする圧電振動子を提供する
ことによって達成される。
(6)発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
本発明にかかる圧電振動子は、YAGレーザ照射時にお
ける高融点金属(タングステン(W)、タンタル(Ta
)等)と、駆動電極膜(Au、へg等)および下地金属
膜(Ni、 Cr等)の飛散温度の違いを利用し、より
高速で、かつ、圧電基板を傷つけることなく周波数調整
が可能なものである。
ける高融点金属(タングステン(W)、タンタル(Ta
)等)と、駆動電極膜(Au、へg等)および下地金属
膜(Ni、 Cr等)の飛散温度の違いを利用し、より
高速で、かつ、圧電基板を傷つけることなく周波数調整
が可能なものである。
YAGレーザを利用し電極質量を調整するに適した圧電
振動子は第3図(a)の側断面図と第3図(b)の平面
図に示され(なお同図以下において、既に図示した部分
と同じ部分は同一符号を付して表示する)、電極3は、
微調部3aと高速調部3bとからなる。
振動子は第3図(a)の側断面図と第3図(b)の平面
図に示され(なお同図以下において、既に図示した部分
と同じ部分は同一符号を付して表示する)、電極3は、
微調部3aと高速調部3bとからなる。
高速調部3bはいわばデジタル式に電極質量を調整する
ために用いられ、レーザビーム軌跡は矢印Iに示される
如くにレーザ照射をなし、高速調部3bの一つを切断し
離散させる。このレーザ照射においてはレーザビームの
パワーが大であることを要しないので圧電基板2の損傷
はないが、たといレーザビームで圧電基板が損傷された
としても、そこは圧電基板の厚みすべり振動には影響が
ない915分であるから、前記の問題が発生することは
ない。
ために用いられ、レーザビーム軌跡は矢印Iに示される
如くにレーザ照射をなし、高速調部3bの一つを切断し
離散させる。このレーザ照射においてはレーザビームの
パワーが大であることを要しないので圧電基板2の損傷
はないが、たといレーザビームで圧電基板が損傷された
としても、そこは圧電基板の厚みすべり振動には影響が
ない915分であるから、前記の問題が発生することは
ない。
電極質量の微調整は、微調部3aの一部にレーザスポッ
トを照射し、その部分の電極材料を蒸発飛散させること
によって電極質量従って共振周波数を微調整する。この
とき微調部3aには孔が穿孔されるが、この孔が圧電基
板2に達したとき前記しの平面図に示され、電極3には
従来例の場合と同様に微調部3aと高速調部3bが設け
られている。そして、微調部3aの下地金属としては、
従来のCrまたはNiの下地金属膜4の下に、タングス
テン(W)またはタンタル(Ta)の如き高融点金属の
膜6が形成されている。
トを照射し、その部分の電極材料を蒸発飛散させること
によって電極質量従って共振周波数を微調整する。この
とき微調部3aには孔が穿孔されるが、この孔が圧電基
板2に達したとき前記しの平面図に示され、電極3には
従来例の場合と同様に微調部3aと高速調部3bが設け
られている。そして、微調部3aの下地金属としては、
従来のCrまたはNiの下地金属膜4の下に、タングス
テン(W)またはタンタル(Ta)の如き高融点金属の
膜6が形成されている。
YAGレーザを用いて電極3の質量調整を行う場合、高
速調整(粗調整)は従来通り高速調部3bの切断、離散
によって行う。このとき圧電基板2の損傷は前述した如
く小であり、またそれがあったとしても悪影響は発生し
ない。
速調整(粗調整)は従来通り高速調部3bの切断、離散
によって行う。このとき圧電基板2の損傷は前述した如
く小であり、またそれがあったとしても悪影響は発生し
ない。
次に、?jkm整をレーザスポットを微関部3aに照射
して行う。このとき、従来例では孔が1個開き、レーザ
のパワーが大であると圧電基板2も損傷することがあっ
たのであるが、高融点金属膜6が設けられているので、
レーザ光が圧電基板2に達することなく、等個直列抵抗
の増大、Q特性の低下が回避されるのである。
して行う。このとき、従来例では孔が1個開き、レーザ
のパワーが大であると圧電基板2も損傷することがあっ
たのであるが、高融点金属膜6が設けられているので、
レーザ光が圧電基板2に達することなく、等個直列抵抗
の増大、Q特性の低下が回避されるのである。
上記の実施例においては、電極の微調部3aには高融点
金属膜6が最下層に設けられたが、それはAuまたはA
gの駆動電極膜5と下地金属膜4との間に形成してもよ
い。
金属膜6が最下層に設けられたが、それはAuまたはA
gの駆動電極膜5と下地金属膜4との間に形成してもよ
い。
または、上記した多層構造は電極3のずぺてにわたって
形成し、電極の高速調部3bも微調部3aと同じ構造に
してもよい。
形成し、電極の高速調部3bも微調部3aと同じ構造に
してもよい。
(7)発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明によれば、圧電基板を
損傷することなく電極質量、従って共振周波数の高速微
開整が可能な圧電振動子が提供され、等個直列抵抗の増
大とQ特性の低下が防止され、周波数調整工程が容易に
かつ正確になされる効果がある。
損傷することなく電極質量、従って共振周波数の高速微
開整が可能な圧電振動子が提供され、等個直列抵抗の増
大とQ特性の低下が防止され、周波数調整工程が容易に
かつ正確になされる効果がある。
べり振動子)の主要構成を示す斜視図、集合図+a)と
(blは第1図の圧電振動子の従来変型例の側断面+ 図と平面図、第寺図(alと(b)は本発明実施例の側
断面図と平面図である。
(blは第1図の圧電振動子の従来変型例の側断面+ 図と平面図、第寺図(alと(b)は本発明実施例の側
断面図と平面図である。
i−m−圧電振動子、2・・・圧電基板、3−電極、3
a−・・電極3の微調部、3b−・・電極3の高速調部
、4−下地金属膜、5−駆動 電極膜、6・・・高融点金属膜
a−・・電極3の微調部、3b−・・電極3の高速調部
、4−下地金属膜、5−駆動 電極膜、6・・・高融点金属膜
Claims (1)
- 圧電振動子の駆動電極は、その微調部が下地金属に高融
点金属膜を含む多層構造体であることを特徴とする圧電
振動子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10110583A JPS59225606A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 圧電振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10110583A JPS59225606A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 圧電振動子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59225606A true JPS59225606A (ja) | 1984-12-18 |
Family
ID=14291794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10110583A Pending JPS59225606A (ja) | 1983-06-07 | 1983-06-07 | 圧電振動子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59225606A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1187323A1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-03-13 | Daishinku Corporation | Crystal vibration device |
-
1983
- 1983-06-07 JP JP10110583A patent/JPS59225606A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1187323A1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-03-13 | Daishinku Corporation | Crystal vibration device |
EP1187323A4 (en) * | 2000-03-03 | 2005-04-06 | Daishinku Corp | CRYSTAL VIBRATION DEVICE |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100200179B1 (ko) | 표면파 장치 | |
EP0092427B1 (en) | Piezoelectric resonator chip and a method for adjusting its resonant frequency | |
US7320164B2 (en) | Method of manufacturing an electronic component | |
US5152864A (en) | Method of manufacturing surface acoustic wave device | |
JP3800959B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
KR100427188B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 | |
US11108375B2 (en) | Acoustic wave device, method of fabricating the same, filter, and multiplexer | |
JP2001332953A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JPS59225606A (ja) | 圧電振動子 | |
JP2006238211A (ja) | 弾性表面波素子及びその製造方法 | |
JP2020170983A (ja) | 表面弾性波デバイス及びその製造方法 | |
JP4039230B2 (ja) | 音叉型振動子の発振周波数調整方法、及びその方法によって発振周波数が調整された音叉型振動子 | |
JP7259940B2 (ja) | 圧電振動子とその製造方法 | |
JP2008301111A (ja) | エッジモード圧電振動片及びその周波数調整方法 | |
JPH08125486A (ja) | 圧電振動子 | |
JP2995550B2 (ja) | 水晶振動片の製造方法 | |
JP7079607B2 (ja) | 圧電振動片、圧電振動子、及び製造方法 | |
JP3341596B2 (ja) | 表面波装置 | |
JPS58190112A (ja) | 振動素子の共振周波数調整方法 | |
JP2000332573A (ja) | 圧電振動子 | |
WO2021045094A1 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
WO2021059581A1 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
JPH04332212A (ja) | 厚み辷り圧電振動子及び厚み辷り圧電振動子の製造方法 | |
JPS58141021A (ja) | 厚みすべり水晶振動子 | |
JPS5824503Y2 (ja) | 幅すべり結晶振動子 |