JPS59225577A

JPS59225577A - 半導体装置作製方法

Info

Publication number: JPS59225577A
Application number: JP58100674A
Authority: JP
Inventors: Kenji Ito; 健二伊藤; Satsuki Watabe; 渡部　五月; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1983-06-06
Filing date: 1983-06-06
Publication date: 1984-12-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は基板上に形成された導体または半導体被膜を
レーザ光を照射することにより開溝を形成し、さらにこ
の開溝に残存する絶縁物を弗化物を含む液体または気体
にて除去することにより導体または半導体被膜を電気的
に分離することを目的としている。

この発明は、光照射により光起電力を発生しうる接合を
少なくとも１つ有するアモルファス半導体を含む非単結
晶半導体を透光性絶縁基板上に設けられた光電変換素子
（単に素子ともいう）を複数個電気的に直列接峰した、
高い電圧の発生の可能な半導体装置の作、製々法に関す
る。

この発明は、複数の素子間の連結に必要な面積を従来の
マスク合わせり式のｌ／１０〜１　／１００にするため
、マスクレス、プロセスであってレーザスクライブ方式
（以下ＬＳという）を用いたことを特徴としている。　
本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設８
１仕様によって決められる。

しかし本発明の内容を簡単にするため、以下の詳細な説
明においては、第１の素子の下側（基板側）の第１の電
極と、その右隣りに配置した第２゜の素子の第２の電極
（半導体上部ら基板がら離れた側）とを電気的に直接接
続させた場合のパターンを基として記す。

かかるパターンにおいて、第１の素子および第２の素子
の非単結晶半導体を分離する開溝は、第１の素子の透光
性導電膜（以下ＣＴＦという）上にわたって設け、さら
にそれぞれの素子の第２の電−極を分離する開溝は、第
１の素子の半導体上にわたって設けることにより、製造
上の歩留り向上の冗長度を設けたことを特長としている
。

この発明は、連結部での電気的・連結を第１の素子の第
１の電極を構成する透光性導電膜の表面または側面に密
接して、第２の素子の第２の電極成分を連結用導体（以
下コネクタという）として設げている。

この際このコネクタを導電性酸化物（以下単にＣＴＯと
いう）を用い、装置としての信頼性の向上を図ったもの
である。

即ち本発明は半導体に第２の開溝を設けて、第１の素、
子領域、第２（７）’素子領域に分離する際、ＬＳを不
活性気体または大気雰囲気で行うが、このＩｌ？Ｊレー
ザ光の有する高温で、半導体を構成する珪素と、第１の
電極を構成する酸素または外気の酸素とが反応し、絶縁
性の酸化珪素′（低級酸化珪素）と酸化インジュームと
の混合体ができてしまう。

そのため第１の電極左第２の電極との電気的な連結を低
い接触抵抗にて作ることができない。

このためかかる残存物を弗化物溶液にて溶去することを
特徴とするものである。

従来、ＬＳにより集積化された光電変換装置を作製する
方法が知られている。それは例えば木兄門人の出願にな
る５Ｂ−０２８２１０，０２８２１１（昭和５８年２月
２２日）「光電変換装置」に示されている。

しかしこのＬＳを用いた方法において、さらにその特性
特に曲線因子を向上させんとする時、連結部にお番ノる
接触抵抗を十分に下げること、加えて製造歩留りを向上
させることが重要である。

かかる特性向上のための調査を十分行った結果、ＬＳに
より第１の導電膜、半導体、第２の導電膜をスクライブ
（切断）せんとすると、その構成物の酸化物また導電膜
と半導体との混合物、化合物が作製されてしまう。その
結果、連結部での接触抵抗が１０Ω〜ＩＯＭΩ／ｃｒｒ
ｌと大きくばらついて、またその値も大きく、１Ω／ｃ
ｍ以下好ましくは０．１０７ｃｍ以下にしたい光電変換
装置としてはまったく不十分なものであった。

このため本発明は、導電膜、半導体、それぞれに対して
はあまり反応性がなく、かつ生成物に対しては選択的に
溶去ゼしめることを目的としている。このためこの生成
物中に珪素酸化物が多量に含まれているため、弗化物例
えば弗酸を水で５〜５０倍に希釈した液体にＬＳの１＆
浸漬してＬＳによる生成物を除去したものである。

この発明はＬＳ方式による、マスクレス工程であって、
この製造工程においては前工程で形成された開溝を５０
〜３００倍に拡大してテレビジョン等に映し、このモニ
ターされた開溝をコンピュータ（マイクロコンピュータ
）内にアドレスさせる。

さらにこのインプットされた情報を基準としてそこより
のシフト量とメモリに記憶させた情報とを合わせて、こ
の工程で作られる開溝の位置を規定する。

そしてこの規定された位置にＬＳ用のレーザー光例えば
波！１．０６μのＹＡＧレーザ（焦点距離５０ｍｍ、レ
ーザ光径５０μφ）を照射さ−せる。

さらにそれを例えば０．５〜５ｍ／分の速さで移動せし
め前工程と従属関係の開溝を作製せしめる。

かくのどと＜ＬＳをマイクロコンピュータと組み合わせ
ることにより、希望値に対して５μ以下実験的には２．
５μ以下の精度で次工程の開溝を作製することができる
。

即ち、本発明のＬＳは、実質的にコンピュータ制御され
たセルファライン方Φを行うことができる超高精度方式
であるという他の特長を有する。

このため従来より知られたマスク合わせ方式でｄ・要な
マスクのずれ、そり、合わセ精度に対する製造歩留りの
低下等の全ての製造での１ｌＩｔｉ格増、歩留り減の原
因を一気に排除ゼしめたごとを特長とする。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。

図面において透光性基板（１）例えばガラス板（例えば
Ｉｔさ０．３〜２．２ｍｎ＋例えば１．２ｍｍ　、長さ
〔図面では左右方向）　６０ｃｍ、　１１２０ｃｍ）を
用いた。

さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜（ＣＴＯ
）例えばＩＴＯ（約１５００人）　＋５ｎＯＬ（２００
〜４００人）またはハロゲン元素が添加された酸化スズ
を主成分とする透光性導電膜（１５００〜２０００人）
を真空蒸着法、ＬＰＣＶ　Ｄ法またはプラズマＣＶＤ法
または光プラズマＣＶＤ法により形成させた。

この後この基板表面を下側より、ＹＡＧレーザ加工機（
ＮＥＣ製）により出力０．３〜３Ｗ（焦点距離５０ｍｍ
）を加え、スボント）蚤２０〜６０μφ代表的には５０
μφをマイクロコンピュータにより制御して、−ト方側
よりレーザ光を照射して、その走査によりスクライブラ
イン用の第１の開？ｍ　（１３）を形成させ、各素子１
ｌｆ１領域（３４）、（１１）に第１の電極（２）を作
製した。

かかる第１の開溝を形成し、その表面をクリステツブ（
段差膜ｊＩＩ・）により測定したところ、第２図（八）
に示すごとき残存物（７）が多数存在し、レーザ光の照
射により必ずしも開溝がきれいに形成され、２つの領域
（３１）、＜　ｉｆ、）が電気的に分離されていないこ
とがわかった。

さらにこの残存物を調べたところ、この残存物はＩＴＯ
と酸化珪素との混合物であり、この基板およびその上面
の導体を弗化物を含む液体例えば弗酸を水にし、３〜１
００倍例えば１０倍に希釈した１／ｌ０ＩＩＦ　（１０
分の１希釈）にて１秒〜３分一般には３０秒浸漬した。

すると酸化スズは１　／ｌ０ＩＩＦにば溶去されにくく
、かつ生成物はきわめて液体に溶去されやすい。、そのためこの２つの領域（３１）、（１１）はその開溝
が第２図（八）に示されているが、これまでその領域間
はＩＯＫΩ〜ωΩまで大きくばらつき、まったく実用的
でなかった。しかしこれを弗化物溶液に浸漬すると、そ
の開溝中が２０μであっても、すべて■Ωの抵抗を有せ
しめることが可能になった。

その結果、第２図（Ｂ）の表面を有せしめることができ
ることを段差膜にて確認することができた。このライト
エツチングを行わない場合は、レーザ光を１００μφ以
上太くかつ強いバソーにしなければならない。結果とし
て基板ガラスへの損傷（６０）も大きくなってしまった
。

かくの如くにして（Ａ）に示ずごと＜、ＬＳにより形成
された開溝（１３）は、巾約３０μ長さ２０ｃｍ深さは
第１の電極それぞれを完全に切断分離した。

かくして第１の素子（３１）および第２の素子（１１）
を構成する領域の巾は１５〜３０ｍｎ＋例えば１５ｍｍ
とした。

以上ＬＳ方式により、第１の電極を構成するＣＴＦ（２
）を切断分離して第１の開溝（１３）を形成した。

この後この上面にプラズマＣＶＤ法、フォｌ−ＣＶＤ法
、フォト・プラズマＣｖＤ法またはＬｒ’ＣＶ　Ｄ法に
より、Ｉ’ＮまたはＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体
１−（３）を０．２〜０．８μ代表的には０．５１１の
厚さに形成させた。

その゛代表例は、Ｐ型半導体（ＳｉｘＣ＋−３ｘ　−０
，８約１００人）−１型アモルファスまたはセミアモル
ファスのシリコン半導体（約０．５μ）−Ｎ型の微結晶
（約２００人）を有する半導体よりなる一つのＰＩＮ接
合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（Ｓｉｘ
Ｃ，−ｑ　）　　Ｉ型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導体−１型５
ｉｘＧａ、、半導体−Ｎ型Ｓｉ半導体よりなる２つのＩ
’ＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデム型のＰＩ
ＮＰＩＮ、、、、、ｌ”ＩＮ接合の半導体（３）である
。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開溝
（１８）を第２のＬＳＩ程により形成さセ、た。

このＬＳＩ程において、半導体の側面には酸化珪素が第
２図（Ｃ）に示すごとく残存する。この酸化物はその下
側のＣＴＦとも同時に混入し、反導電性を有している。

このため半導体の上面のＮ型半導体と下側のＰ型半導体
とがこの低級酸化珪素により導電リークしてしまった。

さらにＣＴＦと酸化珪素絶縁物との混合物（３４）は絶
縁性を有するため、第２の導体と第１の導体とを電気的
に連結せんとしても、この部分での接触抵抗が大きく、
まったく電気的には低い接触抵抗の連結を有・口しめる
ことができなかった。

このため第２図（Ｃ）に示された開溝を弗化物例えば１
１５弗酸で１分間エツチングすると、第２図（Ｄ）のご
ときプロファイルの段差Ｂ１にて有ゼしめることができ
た。

またこの弗化絶縁物はＮ型微結晶半導体層のうち特に酸
素を多量に含有するアモルファス成分をも有効にエツチ
ングすることができる。そのためこのＮ型半導体層は結
晶成分が大部分となり、ひいてはこのＮ型半導体層の項
の吸収損失を防ぐことができた。

またこのアモルファス珪素とＪＴＯの酸素との反応によ
る酸化珪素の発生を防ぐことができ、絶縁性の向上即ち
信頼性の向上を図ることができた。

即ち、ＣＴＦ　　（２）の側面（８）には低級絶縁性酸
化物を残存することを完全に防ぐことができた。

この第１図（Ｂ）では、第１および第２の開溝（１８）
は第１の電極の側面（８）、（９）を低級酸化珪素絶縁
物を除去して露出させた。

この第２の開溝の側面（９）は第１の素子の第１の電極
の側面（１６）より左側であればより、１０〜１００μ
第１の電極側にシフ１−させた。即ち第１の素子の第１
の電極位置上にわたらて設けられていることが特徴であ
る。

そし°ζこの極端な例として、第を図（Ｂ）に示される
ごとく、第１の電極（３７）の内部（９）に入ワてしま
ってもよい。

さらに本発明は、第１の電極の表面を露呈さセることは
必ずしも必要ではなく、レーザ光が０．５〜５Ｗ例えば
２Ｗで多少強すぎて、このＣＴＦ　（３７）のコネクタ
が密接しても実用上同等問題はない。

すなわちレーザ光の出力パルスの強さまた開溝の深さの
バラツキに刻し、製造上の余裕を与えることができるこ
とが本発明の工業的応用の際きわめて重要である。

さらに１５０℃で１０００時間放電しても、この半導体
の端部でのリークは１０−＠Ａ　／ｃｍ以下（周辺部の
長さがＩｃｍあたり１０−’ＡＡ以下即ち２０ｃｍ　Ｘ
　１５ｍｍの素子においては長さ４３ｃｍあたり４ＸＩ
Ｏ”Ａ以下のに示されるごとり、裏面の第２の電極（４
）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分離用の第３の
開溝（２０）を得た。

この第２の電極（４）は導電酸化（ＣＴＯ）＜１５）膜
を５０〜１４００人の厚さに形成させた。

このＣＴＯとして、ここではＩＴＯ（Ｍ化インジューム
スズ＞（４５）を形成した。さらにまたこのＣＴＯの上
面に反射用金属（４６）の銀またはアルミニュームを３
００〜３０００人の厚さに形成して、裏面での光の反射
をさせて効率の向上を行うことが有効である。

さらにその上面にニッケルを外部接続用電極として、゛
またアルミニュームの酸化防止用として形成させること
は有効である。

イ列えばＩＴＯを１０５０人、銀またはアルミニューム
を５００人、さらにニッケルを５００人の三重構造とし
た。

このＩＴＯと反射用金属は裏面側での長波長光の反射を
促し、６００〜８００ｎｍの長波長光を有効に光電６換
させるためのものである。

これらは電子ビーム蒸着法またはＣＶＤ法を用いて半導
体層を劣化させないため、３００℃以下の温度で形成さ
せた。

かくのごとく第２の電極をレーザ光を上方より照射して
切断分離して開溝（２０）を形成した場合を示している
。

こΦレーザ光は半導体特に上面に密着する１００〜３０
０人のＮまたはＰ型の薄い半導体層を少しえぐり出しく
４０）隣合った第１の素子（３１）第２の素子（ＩＩ）
間の開溝部での残存導体または導電性　　“半導体によ
るクロストーク（リーク電流）の発生を防止した。

特にこの半導体（３）がＰ型半導体層（４２）、■型半
導体層（４３）　、Ｎ型半導体１ｆｉ　（４４）と例え
ば１つのＰＩＮ接合を有せしめ、このＮ型半導体層、が
微結晶または多結晶構造を有する、いわゆるその電気伝
導度が１〜２００（Ωｃ　ｍ　）’と高い伝導度を持つ
場合、本発明のＮ型半導体層をえぐり出し、四部（４０
）を真性半導体とし、リーク電流発生を防止することは
、高信頼性のためにきわめて有効であった。

このえぐりだしは■型半導体層を越え、第１の電極用の
ＣＴＦを切断しない範囲で制御させることが好ましかっ
た。

かかる被膜作製においては半導体上には酸化珪素が形成
され、かつその中にアルミニューム、ＩＴＯの金属成分
が同時に混入し、２つの領域（３０，（１１）を電気的
に十分絶縁することができない。そのためにはかかる工
程においても、Ｉ、Ｓの後１　／ｌ０ＩＩＦにて１〜３
０秒ライトうッヂングをしてＬＳによって発生した酸化
物を溶去することが同様に有効であっの素子（３１）、
（１１）を連結部で直接接続する光電変換装置を作るこ
とができた。

第を図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちパンシヘイシジン膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を３００〜
２０００人の厚さ１こ均一に形成させ、各素子間のリー
ク電流の湿気等の吸着による発生を防いだ。

さらに外部引出し端子（２３）を周辺部（５）にて設け
た。

これらにポリイミド、ポリアミド、カブ１〜ンまたはエ
ポキシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

かくして照射光（１０）に対しこの実施例のごとき基板
（６０ｃｍ　Ｍ　２０ｃｍ）において各素子を中１４．
３５ｍｍ連結部のｒｌＪ１５０μ、外部引出し電極部の
中１０ｍｍ、周辺部４ｍｍにより、実質的に５８０ｍｍ
　Ｘ　１９２ｍｍ内に４０段を有し、有効面積（１９２
ｍｍ　ｘ　１４．３５ｍｍ　４０段１１０２ｃａｌ即ち
９１．８％）を得ることができた。

その結果、セグメントが１０．９％（１，０５ｃＪ）　
（Ｄ変換効率を有する場合、パネルにて６．８％（理論
的には９．７％になるが、４０段連結の抵抗により実効
変換効率が低下した）（八Ｍ１．　　（１００ｍＷ　／
ｃｎｌ）　）　ニて、７３．８Ｗの出力電力を有せしめ
ることができた。

さらにこのパネルを１５０”ｃの高温放置テストを行う
と、２０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０
枚にて最悪１０％、Ｘ＝５．５％の低下しがみられなか
った。

第３図は３回のＬＳＩ程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
（端部）である。

番号およびその工程は第を図と同様である。

第３図（Ａ）は第１の開溝（１３）　、第１の素子（３
１）　、第２の素子（１１）　、連結部（１２）を有し
ている。

図面より明らかなごとく、第１の開溝（１３）　＆よ基
板（１）を少しえくっている。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設−けら
れ、第１の導電膜の一部を除去さゼでいる。そのため、
この第１の素子（３１）の第１の電極（２）と第２の素
子（１１）の第２の電極とが連結部（１２）にてこの第
２の電極（３８）よリノで・ノシベイション膜（３３＞
、（３４）上にそって延びたＣＴＯによるコネクタ（３
０）に、より、第１の電極（２）の側面（８）で電気的
に連結され、２つの素子が直列接続されている。

さらに図面において、ＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくと
も１つ有する半導体（３）ここでは１つの５ｔｘＣ１−
ｚ　（０≦ｘく１）Ｐ型−１型Ｓｉ−微結晶化したＮ型
Ｓｉ　（４４）よりなる１つのＰＩＮ接合を有する半導
体が設けられている。

この第３の開溝（２０）が、約３０μのわたり深さに第
１の素子（３１）側にシフトしてし）る。

このため、第３の開溝（２０）の右端部は、コネクタ部
（３０）をうがって設けられている。

かくして第１および第２の素子（３１）、（１１）のそ
れぞれの第２の電極（４）を電気的に切断分離し、かつ
この電極間のリークをも１０−Ｇへ／ｃｍ　（１ｃｍ　
Ｉｌｌあたり１Ｏ−ＧＡのオーダーの意）以下に小さく
することができた。

第３図（Ｂ）は平坦図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１、第２、第３の開溝（１３）、＜１８
）、＜２０）が設けられている。

この方向でのリークをより少なくするため、半導体（３
）が第１（７）電極（２）を覆う構造にして第１、第２
の電極間のショートを少なくさせることが特徴である。

加えて素子の端部は第１の電極（２）、半導体、第２の
電極（４）を一度にＬＳによりスクライブ（５０）　ｔ
、た。

この場合においても半導体の側面に同様にツマ・ノシベ
イション膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝中は６０〜
２０μを有し、連結部の１１５０〜８０μ代表的には１
２０μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット層をその出力０．３〜０
．５Ｗ　（２０μφ）０．４〜２Ｗ　（５０μφ）を用
いた場合であるが、さらにそのスポット径を技術思想に
おいて、小さくすることにより、この連結部に必、要な
面積をより小さく、ひいては光電変換装置としての有効
面積（実効効率）をより向上させることができるという
進歩性を有している。

本発明においては、このパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　４
０ｃｍまたは６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍを３ケまたは４ヶ
直列にアルミサツシ枠内に組み合わせることによりパッ
ケージされ、１２０ｃｍ　Ｘ　４０ｃｍのＮＥＤＯ規格
の大電力用のパネルを設けることが可能である。

ま□たこのＮＥＤＯ規格のパネルはシーフレックスによ
り弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側（図
面では上側）に張り合わセ、風圧、雨等に対し機械強度
の増加を図ることも有効である。

本発明において、基板は透光性絶縁基板のうら特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として絶縁膜コートがされた可曲性金属
膜よりなる複合基板を用いることは自効である。

特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、集積
化構造を作るに加えて酸化アルミニ！、−ム、酸化珪素
または窒化珪素がこの上面のＣＴＯを損傷して、基板と
ＣＴＯとの混合物を作ってしまうことを防ぐ、いわゆる
プロ・ノキング効果を有して特に有効であった。

さらに本発明の実施例を以１に記してその詳細を補完す
る。

実施例１第を図の図面に従、てこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス、厚さ１．
１ｍｍ　、長さ６０ｃｍ、　４１２０ｃｍを用いた。

この上面に窒化珪素膜を０．１　μの厚さに形成してブ
ロッキング層とした。

さらｃ：　＋（７）上＆：：ＣＴＯをテ″′チア−ま？
、：　ＬＪ：参１゛１尺　　　　　　、。

構造を有せしめ、かつＩＴ（ｌ　ｔａｏｏ人＋５ｎＯＬ
３００人の平均厚さに電子ビーム蒸着法により作製した
。

さらにこの後、第１の開溝をスボ・）１−径５０μφ、
出力ＩＷ（７）ＷＡＧレーザーをマイクロコンピュータ
により制御して１箱／分の走査速度にて作製した。

さらに１　／ｌ０ＨＦ中にて３０秒これらを浸積した。

さらに純水にて十分洗浄し、乾燥した。

素子領域（３１）、（１１）は１５ｍｍ中とした。

この後公知のフォ１−ＰＣＶＤ法またはＰＣＶＤ法によ
り第ｔＵＡ６．示、え、１、接合を１つ有す、非単結晶
半導体を作製した。

その全厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝をテレビにてモニターして、そこ
より５０μ第１の素子（３１）をシフトさせた。

さらに１１５１Ｆ中に１分浸漬し、残存物を溶去した。

加えて十分洗浄して、第１の電極の側面に低級酸化珪素
絶縁膜が残存しないようにした。

さらにこの全体をＣＴＯとしてＩＴＯを電子ビーム蒸着
法により平均膜厚１０５０人に加えて＾ｌを５００人作
Ｌｕて、第２の電極（４５＞、コネクタ（３０）を構成
せしめた。

さらに第３の開溝（２０）をＬＳにより第２の開溝（１
８）より約５０μのわたり深さに第１の素子（３１）側
にシフトして形成さセ、第２図（Ｃ）を得た。

レーザー光は出力０．７Ｗとし、他は第２の開講の作製
と同一条件とした。

さらに１／１０旺に浸漬して同様に酸化物を溶去した。

ザ光出力ＩＷにて第１の電極、半導体、第２の電極のす
べてをガラス端より４ｍｍ内側で長方形に走査し、パネ
ルの枠との電気的短絡を防止した。

この後、パッジベイ、ジョン膜（２１）をＰＣｖｏ法ま
たは水銀励起のフォＩ−ＣＶＤ法により窒化珪素膜を１
０００人の厚さに２００℃の温度にて作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ１ｌ
ｌの素子を４０段作ることができ′た。

パネルの実効効率としてＡＭＩ　　（１００ｍＷ１０Ｊ
）にて６．７％、出カフ３．８Ｗを得ることができた。

有効面積は１１０２ｃＪであり、パネル全体の９１．８
％を有効に利用することができた。

実施例２基板ガラスとして厚さ１．１ｍｍ大きさ２０ｃｍ　Ｘ　
６０ｃｍを用いた。さらに一つの電卓用光電変換装置を
４ｃｔｎＸ１．Ｏｃｏ＋として複数個同一基板上に作製
した。ここでは素子形状を９ｍｍＸ７ｍｍ５段連続アレ
ーとした。裏面はＩＴＯ（１００人）およびアルミニュ
ーム（５００人）とした。

すると３００ケの電卓用装置を一度に作ることができた
。

４．５％の実効変換効率として螢光灯下２００１χでテ
ストをした。

その結果７３％の最終製造歩留１りを得ることができた
。

これは従来方法においては４０〜５０％しか得られず、
かつ連結部の必要面積が大きく　、３．２％までしかそ
の実効変換効率が得られなかったことを考えると、きわ
めて有効なものであった。

その他は実施例１と同様である。

実施例３この実施例は実施例１と同様の２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍ
の大きさの基板であって、基板を１５０μの厚さの可曲
性のアルミニューム金属箔とした。

さらにその上にブロッキング層として５μの酸化アルミ
ニュームを陽極化成法により作製して、ＬＳにより基板
金属が損傷を受けないようにした。

その他は実施例１と同様である。

かかる方法においては、基板の価格が実施例２において
は６０円／Ｗかかっていたが、これを７１１Ｊ／Ｗにま
ですることができた。

加えてシートより各電卓用素子を分離するのに裁断また
は鋏を用いて行うことができるため、きわめて加工性に
冨み、安価であった。

さらにこのシートより切断する場合、１０〜１５Ｗの強
いパルス光を用いたＬＳにより自動切断が可能となった
。

この実施例においては、入射光側の上側の保護用透光性
ガラス基板をはり合わせることにより、可曲性基板とガ
ラス基板との間に光電変換装置をはさむ構造とすること
ができ、可曲性を自し、きわめて安価で多量生産が可能
になった。５．１％の実効変換効率を２０ｃｍ　Ｘ　６
０ｃｍのパネルの下限として得ることができた。

実施例１においては基板側から光入射を行った。

しか、し実施例３においては上側よりの光入射を行うこ
とはいうまでもない。そのため実施例１と比べて第２の
電極をＩＴＯのみとして反射光の少ないテクスチャー構
造とし、かつその平均厚さを約７００人として透過率の
向上に努力する必要のあることはいうまでもない。

本発明においては、弗化物溶液は水で希釈した弗酸を用
いた。しかしここにアルミニュームをさらに溶去しやず
くするため、リン酸を同時に混入したり、またＩＴＯ酸
化珪素化合物を溶去しやすくするため、塩酸を少し加え
ることは同様に有効である。

また本発明の実施例においては、ＬＳ及び弗酸エツチン
グを３回行った。しかし第１または第２の開溝の形成の
みに本発明方法を適用することば有効である。

本発明において、ＬＳは大気または不活性気体中にて行
った。しかしＣｌＩＦ５　、　ＣＦ、Ｂｒ等のハロケン
元素を有する気体雰囲気とすることにより、本発明のエ
ツチングが必要な残存物をほとんど’ｆＪＪ期状態でな
くすことができ、本発明の効果をさらに助長さ゛せるこ
とができる。

また発明の詳細な説明においては、液体を用いた。しか
し液体の場合は処理する水溶液にしなければならず、工
業上多量生産に不十分である。そのため、無水弗化水素
、塩化水素気体雰囲気にて処理することは同様に可能で
ある。しかしかかる気体においては開溝部の残存物と選
択的に十分反応するのに時間が１時間以上かかるという
欠点を有していた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。第２図は従来方法（Ａ　＞、（Ｃ）および本発明方法（
Ｂ＞ズＤ）により得られたレーザ・スクライブした縦断
面のプロファイルである。第３図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。特許出願人３４２テ９＋　　　　１２　１＋１９ω

Claims

【特許請求の範囲】１、基板上に形成された導電膜または半導体膜にレニザ
光を照射してスクライブすることにより開溝を形成する
工程と、該開溝の残存物を弗化物を有する液体または気
体により除去する工程とを有することを特徴とする半導
体装置作製方法。２、基板の絶縁表面上に第１の電極と、該電極上にツ接
して光照射により光起電力を発生させうるノ、Ｆ−単結
晶半導体と、該半導体上に密接して第２の電極とを有す
る光電変換素子を複数個圧いＧ÷電気的に直列接続ゼル
めで前記絶縁基板上に配設した光電変換装置の製造方法
において、基板上に第１の導電膜を形成する工程と、該
導電膜に所定の形状にレーザ光を照射してスクライブし
第１の開溝を形成する工程と、該第１の開溝の残存物を
弗化物を有する液体または気体により除去する工程と、
前記電極上および前記第１の開溝上に光照射により光起
電力を発生させる非単結晶半導体を形成する工程と、該
半導体に所定の形状にレーザ光を照射して第２の開溝を
形成する工程と、該第２の開溝の残存物を弗化物を有す
る液体または気体により除去する工程と、該第２の開溝
上および前記半導体上に第２の導電膜を所定の形状にレ
ーザ光を照射してスクライブして第３の開溝を形成する
工程と、該第３の開溝の残存物を弗化物を有する液体ま
たは気体により除去することにより第２の電極を形成す
る工程とを有せしめることを特徴とする半導体装置作製
方法。、特許請求の範囲第１項または第２項において、弗化物
を有する液体は水で希釈された弗化水素酸が用いられる
ことを特徴とする半導体装置作製方法。、特許請求の範囲第１項または第２項において、弗化物
を有する気体は無水弗化水素または塩化水素が用いられ
たことを特徴とする半導体装置作製方法。