JPS59224129A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS59224129A JPS59224129A JP9781783A JP9781783A JPS59224129A JP S59224129 A JPS59224129 A JP S59224129A JP 9781783 A JP9781783 A JP 9781783A JP 9781783 A JP9781783 A JP 9781783A JP S59224129 A JPS59224129 A JP S59224129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pipe
- feed
- path
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は処理技術、特に、半導体装置の製造過程で使用
される処理装置に適用して有効な技術に関する。
される処理装置に適用して有効な技術に関する。
［背景技術］
半導体装置の製造過程で使用されるドライエツチング装
置においては、反応ガスの供給切り替え時、供給管内に
切り替え以前に供給されていたガスが残留しているため
、切り替え以後の反応初期において、反応が不安定にな
るという問題点が発生することが、本発明者によって明
らかにされた。
置においては、反応ガスの供給切り替え時、供給管内に
切り替え以前に供給されていたガスが残留しているため
、切り替え以後の反応初期において、反応が不安定にな
るという問題点が発生することが、本発明者によって明
らかにされた。
［発明の目的］
本発明の目的は、安定した反応で被処理物を処理できる
ような技術を提供することである。
ような技術を提供することである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ガス供給管に連通するガス管と、前記ガス管
と接続している排気機構を設けることにより、前記ガス
管内の残留ガスを除去して、安定した反応が起こる処理
技術を提供するものである。
と接続している排気機構を設けることにより、前記ガス
管内の残留ガスを除去して、安定した反応が起こる処理
技術を提供するものである。
［実施例］
図は本発明の一実施例である処理装置をドライエツチン
グ装置に適用した場合を示す回路図である。
グ装置に適用した場合を示す回路図である。
本実施例において、この処理装置１はドライエツチング
装置の処理室（以下、エツチング室という。）２に反応
ガスを供給する手段として構成されている。エツチング
室２内には平行平板電極３．４が設けられ、一方の電極
３には高周波発振器５が接続され、他方の電極４上には
被処理物であるウェハ６が保持されている。エツチング
室２にはガス導入ロアが開設され、この導入ロアには、
供給路としてのガス供給管８が接続されている。このガ
ス供給管８は管内残留ガスを少なくするためには短くす
ることが望ましいが、短くすると装置の配置、設計、安
全対策に大きな制約を与えることになるため、短（する
ことができない。
装置の処理室（以下、エツチング室という。）２に反応
ガスを供給する手段として構成されている。エツチング
室２内には平行平板電極３．４が設けられ、一方の電極
３には高周波発振器５が接続され、他方の電極４上には
被処理物であるウェハ６が保持されている。エツチング
室２にはガス導入ロアが開設され、この導入ロアには、
供給路としてのガス供給管８が接続されている。このガ
ス供給管８は管内残留ガスを少なくするためには短くす
ることが望ましいが、短くすると装置の配置、設計、安
全対策に大きな制約を与えることになるため、短（する
ことができない。
ガス供給管８の端部には、たとえ：ボ３本の分岐管９、
ｌ０１１１が互いに並列に接続され、各分岐管には制御
弁１２．１３．１４を介して、たとえば、フレオンガス
（ＣＦ４）供給源１５、四塩化炭素ガス（ＣＣＩ４）供
給源１６、酸素（０２）供給源１７等が接続されている
。
ｌ０１１１が互いに並列に接続され、各分岐管には制御
弁１２．１３．１４を介して、たとえば、フレオンガス
（ＣＦ４）供給源１５、四塩化炭素ガス（ＣＣＩ４）供
給源１６、酸素（０２）供給源１７等が接続されている
。
ガス供給管８の端部には、このガス供給管８および各分
岐管９．１０．１１の口径よりも大きい口径を有する排
出路としてのガス管１８が開閉弁１９を介して接続され
ている。
岐管９．１０．１１の口径よりも大きい口径を有する排
出路としてのガス管１８が開閉弁１９を介して接続され
ている。
エツチング室２には排気口２０が開設され、この排気口
２０には排気管２１が接続されている。
２０には排気管２１が接続されている。
排気管２１は、図示しないが、液体窒素トラップや流量
計、止め弁等を介設されて排気機構としてのポンプ２２
に接続されている。排気管２１の適当な途中には、ガス
管１８の他端が接続されている。
計、止め弁等を介設されて排気機構としてのポンプ２２
に接続されている。排気管２１の適当な途中には、ガス
管１８の他端が接続されている。
次に作用を説明する。
たとえば、エツチングガスとしてＣＦ４をエツチング室
２に供給してエツチングした後、エツチングガスをＣＣ
１４に切り替える場合、ＣＦＪ供給系の弁１２が閉成さ
れ、ｃｃ １４供給系の弁１３が開成される。弁１２が
閉成されても、各分岐管９．１０、Ｉｌおよびガス供給
管８に充満したＣＦ４は残留してしまう。この残留した
ＣＦ４が、弁１３の開成によりＣＣ１４と共にエツチン
グ室２内に供給されると、ＣＣ１４のエツチング反応の
初期において、反応が不安定になる。
２に供給してエツチングした後、エツチングガスをＣＣ
１４に切り替える場合、ＣＦＪ供給系の弁１２が閉成さ
れ、ｃｃ １４供給系の弁１３が開成される。弁１２が
閉成されても、各分岐管９．１０、Ｉｌおよびガス供給
管８に充満したＣＦ４は残留してしまう。この残留した
ＣＦ４が、弁１３の開成によりＣＣ１４と共にエツチン
グ室２内に供給されると、ＣＣ１４のエツチング反応の
初期において、反応が不安定になる。
そこで、前記構成にかかるドライエツチング装置におい
ては、エツチングガス切り替え時、開閉弁１９が開成さ
れる。たとえば、分岐管９．１ｏ、１１およびガス供給
管８に残留したＣＦ４はガス管１８を通じてポンプ２２
により排気される。このとき、ガス管１８が大口径に設
定されているので、この強制排出はきわめて迅速に行わ
れる。また、ガス供給管８等はエツチング室２を介して
排気口２１からも珠気されているので、残留したＣＦ４
はこちらからも強制排出される。
ては、エツチングガス切り替え時、開閉弁１９が開成さ
れる。たとえば、分岐管９．１ｏ、１１およびガス供給
管８に残留したＣＦ４はガス管１８を通じてポンプ２２
により排気される。このとき、ガス管１８が大口径に設
定されているので、この強制排出はきわめて迅速に行わ
れる。また、ガス供給管８等はエツチング室２を介して
排気口２１からも珠気されているので、残留したＣＦ４
はこちらからも強制排出される。
このようにして、ＣＦ４が迅速に排出されれば、ＣＣ１
４と一緒にＣＦ４がエツチング室２に供給されることは
なくなるので、ＣＣｌ４のエツチング反応は初期の段階
から安定的に行われる。したがって、各エツチング処理
室が安定化し、スルー。
４と一緒にＣＦ４がエツチング室２に供給されることは
なくなるので、ＣＣｌ４のエツチング反応は初期の段階
から安定的に行われる。したがって、各エツチング処理
室が安定化し、スルー。
プツトの向上が実現される。
［効果］
（１）、供給路に大口径の排出路を設けることにより、
この排出路を通じて供給路に残留した供給物を迅速に排
出することができるため、残留供給物による障害の発生
が回避できる。
この排出路を通じて供給路に残留した供給物を迅速に排
出することができるため、残留供給物による障害の発生
が回避できる。
（２）、排出路の排気機構として、供給路に接続したポ
ンプを共用することにより、設ＷＩ費、維持費等が節約
できる。
ンプを共用することにより、設ＷＩ費、維持費等が節約
できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、排出路の排気機構として専用のポンプを設け
てもよい。また、供給物は反応ガスに限らず、他の流体
でもよい。
てもよい。また、供給物は反応ガスに限らず、他の流体
でもよい。
さらに、ガス管をガス供給管よりも短くしたり、複数の
ガス管を設けて、よりガス管内の残留ガスを排気しやす
くしてもよい。
ガス管を設けて、よりガス管内の残留ガスを排気しやす
くしてもよい。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるドライエツチング装
置に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、ＣＶＤ装置等のガス反応装
置に適用してもよい。
をその背景となった利用分野であるドライエツチング装
置に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、たとえば、ＣＶＤ装置等のガス反応装
置に適用してもよい。
図は本発明の一実施例を示す回路図である。
１・・・供給装置、２・・・エツチング室、３゜４・・
・電極、５・・・高周波発振器、６・・・ウェハ、７・
・・ガス導入口、８・・・ガス供給管、９，１０．１１
・・・分岐管、１２．１３゜１４・・・制御弁、１５・
・・ＣＦＡの供給源、１６・・・ＣＧ ＋４供給源、１
７・・・０２供給源、工８・・・ガス管、１９・・・開
閉弁、２０・・・排気口、２１・・・排気管、２２・・
・ポンプ。
・電極、５・・・高周波発振器、６・・・ウェハ、７・
・・ガス導入口、８・・・ガス供給管、９，１０．１１
・・・分岐管、１２．１３゜１４・・・制御弁、１５・
・・ＣＦＡの供給源、１６・・・ＣＧ ＋４供給源、１
７・・・０２供給源、工８・・・ガス管、１９・・・開
閉弁、２０・・・排気口、２１・・・排気管、２２・・
・ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧状態で被処理物を処理する処理室と、前記処理
室に連通してなり、その処理室内を減圧４ｉ−態にさせ
る第１の排気機構と、前記処理室にガス供給管を通して
ガスを供給するガス供給源と、前記ガス供給管にガス管
を連通させ、そのガス管に連通している第２の排気機構
とを備えている処理装置。 ２、第１の排気機構と第２の排気機構は同一であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、前記ガス管は、前記ガス供給管よりも管径が大であ
るか、または、ガス管はガス供給管よりも短いことを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9781783A JPS59224129A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9781783A JPS59224129A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224129A true JPS59224129A (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=14202292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9781783A Pending JPS59224129A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224129A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276718A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 気相結晶成長装置 |
| JPH02202021A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH04293778A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Rohm Co Ltd | Ｃｖｄ装置のための排気装置 |
| JP2012094911A (ja) * | 2012-02-02 | 2012-05-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| US8545711B2 (en) | 2006-04-07 | 2013-10-01 | Tokyo Electron Limited | Processing method |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP9781783A patent/JPS59224129A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276718A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 気相結晶成長装置 |
| JPH02202021A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH04293778A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Rohm Co Ltd | Ｃｖｄ装置のための排気装置 |
| US8545711B2 (en) | 2006-04-07 | 2013-10-01 | Tokyo Electron Limited | Processing method |
| JP2012094911A (ja) * | 2012-02-02 | 2012-05-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
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