JPS59222785A - 放射線検出器のシンチレ−タ結晶集合体用の光パイプ、その製造方法および放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器のシンチレ−タ結晶集合体用の光パイプ、その製造方法および放射線検出器Info
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- JPS59222785A JPS59222785A JP10245584A JP10245584A JPS59222785A JP S59222785 A JPS59222785 A JP S59222785A JP 10245584 A JP10245584 A JP 10245584A JP 10245584 A JP10245584 A JP 10245584A JP S59222785 A JPS59222785 A JP S59222785A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、放射線検出器のシンチレータ結晶集合体に
対する光パイプとその製造方法に関するものである。こ
の発明の特に適した応用分野は、多数の光電増倍管がシ
ンチレータ結晶集合体の一部を構成する光パイプに結合
されているシンチレーション・ガンマカメラである。
対する光パイプとその製造方法に関するものである。こ
の発明の特に適した応用分野は、多数の光電増倍管がシ
ンチレータ結晶集合体の一部を構成する光パイプに結合
されているシンチレーション・ガンマカメラである。
例えば米国特許第８．７２３．７３５号、米国特許第４
，０２９，９６４号明細書に記載されている従来ノ光パ
イプは、プレキシグラスと呼ばれていルアクリル系のプ
ラスチックで作られている。この光パイプには円形溝に
よってかこまれたパッドとその間の中間部分が彫刻され
ている。円形溝は光ノ々イブの本体に切り込まれる。光
電増倍管は半流動性のグリース状シリコーンゴムによっ
てパッドに結合される。光電増倍管をその位置に確保す
るためにはばねによるバイアスが必要である。
，０２９，９６４号明細書に記載されている従来ノ光パ
イプは、プレキシグラスと呼ばれていルアクリル系のプ
ラスチックで作られている。この光パイプには円形溝に
よってかこまれたパッドとその間の中間部分が彫刻され
ている。円形溝は光ノ々イブの本体に切り込まれる。光
電増倍管は半流動性のグリース状シリコーンゴムによっ
てパッドに結合される。光電増倍管をその位置に確保す
るためにはばねによるバイアスが必要である。
米国特許第３，７８４，８１９号明細書に記載されてい
る放射線検出器もアクリル系プラスチックの光バイブが
使用されている。しかし光伝送体のシンチレータ結晶側
は多数のマスキング要素を構成する反射性材料で覆われ
ている。この構造は光の分布を改善し良好なイメージ表
示を可能にする。
る放射線検出器もアクリル系プラスチックの光バイブが
使用されている。しかし光伝送体のシンチレータ結晶側
は多数のマスキング要素を構成する反射性材料で覆われ
ている。この構造は光の分布を改善し良好なイメージ表
示を可能にする。
アクリル板をカッターで彫刻して光パイプを作るという
従来の方法は比較的複雑な操作であり高価となる。更に
マスキング要素の位置合せ方法も最適のものではない。
従来の方法は比較的複雑な操作であり高価となる。更に
マスキング要素の位置合せ方法も最適のものではない。
この発明の目的は、放射線検出器のシンチレータ結晶集
合体に対する光バイブを改良することと、この改良され
た光パイプに対する効果的な製造方法を提供することで
ある。この改良された光パイプが検出ヘッドの他の部品
と簡単かつ確実に結合されている検出ヘッドを提供する
こともこの発明の目的である。
合体に対する光バイブを改良することと、この改良され
た光パイプに対する効果的な製造方法を提供することで
ある。この改良された光パイプが検出ヘッドの他の部品
と簡単かつ確実に結合されている検出ヘッドを提供する
こともこの発明の目的である。
この発明によればシンチレータ結晶集合体に対して光パ
イプが硬化後弾性的であり光透過性である接着剤によっ
て結合され、一体となっている。
イプが硬化後弾性的であり光透過性である接着剤によっ
て結合され、一体となっている。
更にこの発明によればシンチレータ結晶集合体に対する
光パイプが次の工程に従って製造される。
光パイプが次の工程に従って製造される。
（ａ） 光パイプのネガ形の鋳造型を準備し、（ｂ）
この鋳造型に硬化後弾性を示し光透過性である接着
剤を満たす、 （Ｃ） 接着剤を硬化さぜる、 （ｄ） 鋳造品を型から外して光パイプとする。
この鋳造型に硬化後弾性を示し光透過性である接着
剤を満たす、 （Ｃ） 接着剤を硬化さぜる、 （ｄ） 鋳造品を型から外して光パイプとする。
この発明による放射線検出器は、光パイプを持つシンチ
レータ結晶集合体と硬化後弾性的であり光透過性である
接着剤によって光バイブに結合された光電増倍管から構
成される。この光バイブは光パイプと光電増倍管を結合
する接着剤と同じ材料で作られている。
レータ結晶集合体と硬化後弾性的であり光透過性である
接着剤によって光バイブに結合された光電増倍管から構
成される。この光バイブは光パイプと光電増倍管を結合
する接着剤と同じ材料で作られている。
この発明によれば鋳造によって容易に最終形態に作るこ
とができる光パイプが得られる。この場合溝の切削は最
早必要ではなくなる。更にこの光パイプは光電増倍管と
の結合に使用される材料で作られるから、シンチレータ
結晶と充電増倍管との間に極めて良好な光学的調和性を
可能にする。
とができる光パイプが得られる。この場合溝の切削は最
早必要ではなくなる。更にこの光パイプは光電増倍管と
の結合に使用される材料で作られるから、シンチレータ
結晶と充電増倍管との間に極めて良好な光学的調和性を
可能にする。
この改良された光バイブには容易にマスク要素を置くこ
とができる。
とができる。
この発明の有利な実施例では光バイブの内部に光の分布
を変えるためのマスク要素が埋め込まれる。この光パイ
プの製造次の工程によるのが有利である。
を変えるためのマスク要素が埋め込まれる。この光パイ
プの製造次の工程によるのが有利である。
（ａ） 鋳造型の予め定められた深さまで接着剤を満
たしこの接着剤を硬化させる、 （ｂ） マスク材料の適当なパターンを硬化した接着
剤の表面にシルクスクリーン法によって設ける、 （Ｃ） 上記の操作をマスク要素のパターン全体が形
成され光バイブがその最終厚さをもって形成されるまで
繰り返す。
たしこの接着剤を硬化させる、 （ｂ） マスク材料の適当なパターンを硬化した接着
剤の表面にシルクスクリーン法によって設ける、 （Ｃ） 上記の操作をマスク要素のパターン全体が形
成され光バイブがその最終厚さをもって形成されるまで
繰り返す。
図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細に説明
する。
する。
第１図、第２図に示したシンチレータ結晶集合体１０は
六角形であり、シンチレータ結晶１２、例えばＮａＩ（
Ｔｔ）結晶、アルミニウムカバー１４、ガラス盤１６お
よび光パイプ１８から構成される。光パイプ１８の本体
には円形溝２０が彫られ、円形パッド２２と中間面２４
が作られている。パッド２２にはそれぞれ一つの光電増
倍管（ＰＭ’ｌ”ｌ乃至ＰＭＴＮ）が置かれる。これに
よって例えば総数Ｎ−３７個の光電増倍管を含む検出ヘ
ッド、例えばガンマカメラ・ヘッドが作られる。
六角形であり、シンチレータ結晶１２、例えばＮａＩ（
Ｔｔ）結晶、アルミニウムカバー１４、ガラス盤１６お
よび光パイプ１８から構成される。光パイプ１８の本体
には円形溝２０が彫られ、円形パッド２２と中間面２４
が作られている。パッド２２にはそれぞれ一つの光電増
倍管（ＰＭ’ｌ”ｌ乃至ＰＭＴＮ）が置かれる。これに
よって例えば総数Ｎ−３７個の光電増倍管を含む検出ヘ
ッド、例えばガンマカメラ・ヘッドが作られる。
第１図、第２図には光電増倍管の中の３個だけが示され
ている。
ている。
各光電増倍管には底２６があり、この底が対応するパッ
ド２２に弾性透光性のシリコーンゴムによって結合され
る。このシリコーンゴムは波長４００ ｎｍにおいて１
ｃｒｎ当り０．８以上の透過率と１．４乃至１，６の屈
折率を示すものである。この種のシリコーンゴム接着剤
は例えばＲ，ＴＶ６１５又はＲＴＶ６５５という商品名
をもってＧｅｎｅｒａｌＥｌｅｃｔｒｉｃ社から市販さ
れている。その他の使用可能なシリコーンゴム接着剤と
してはＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
のＳｙｌｇａｒｄＳｉｌｉｃｏｎｅ ＥＩａｓｔｏｍｅ
ｒ１８２又は１８４が入手可能である。この発明の実施
例ではＧｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社のＲＴＶ
６１５が使用される。シリコーンゴム結合部け２８とし
て示されている。
ド２２に弾性透光性のシリコーンゴムによって結合され
る。このシリコーンゴムは波長４００ ｎｍにおいて１
ｃｒｎ当り０．８以上の透過率と１．４乃至１，６の屈
折率を示すものである。この種のシリコーンゴム接着剤
は例えばＲ，ＴＶ６１５又はＲＴＶ６５５という商品名
をもってＧｅｎｅｒａｌＥｌｅｃｔｒｉｃ社から市販さ
れている。その他の使用可能なシリコーンゴム接着剤と
してはＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
のＳｙｌｇａｒｄＳｉｌｉｃｏｎｅ ＥＩａｓｔｏｍｅ
ｒ１８２又は１８４が入手可能である。この発明の実施
例ではＧｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社のＲＴＶ
６１５が使用される。シリコーンゴム結合部け２８とし
て示されている。
この発明による光バイブ１８は光電増倍管の底２６を光
パイプに結合する接着剤と同じ材料例えばＧｅｎｅｒａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社のシリコーンゴムＲ，ＴＶ６
１５で作られる。
パイプに結合する接着剤と同じ材料例えばＧｅｎｅｒａ
ｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社のシリコーンゴムＲ，ＴＶ６
１５で作られる。
第１図、第２図に示した形状の光バイブ１８は鋳造によ
って一体として作るのが有利である。それに使用される
鋳造型を第３図に３０として示す。
って一体として作るのが有利である。それに使用される
鋳造型を第３図に３０として示す。
製造者の仕様に従いコンパウンドＡとコンパウンドＢを
ＪＯ：１の比例で混合し、容器に入れてかくはんし気泡
のない均質混合物とする。この混合物を鋳造型３ｏの内
室３２に入れる。硬化後光バイブ１８を型３ｏがら取り
出し、シンチレータ結晶集合体１０のガラス板１６に結
合する。この結合にはシリコーンゴム接着剤を使用する
。
ＪＯ：１の比例で混合し、容器に入れてかくはんし気泡
のない均質混合物とする。この混合物を鋳造型３ｏの内
室３２に入れる。硬化後光バイブ１８を型３ｏがら取り
出し、シンチレータ結晶集合体１０のガラス板１６に結
合する。この結合にはシリコーンゴム接着剤を使用する
。
光電増倍管Ｐ Ｍ ’ｌ” １乃至ＰＭＴＮがパッド２
２に結合されると、光パイプ１８と二つのシリコーンゴ
ム結合部即ち光電増倍管と光パイプの間の２８と光パイ
プとガラス板１６の間の３４が光学的に均質なユニット
を構成する。このユニットはシンチレータ結晶１２から
ガラス板１６を通して光電増倍管Ｐ′ＭＴ１乃至Ｐ Ｍ
Ｔ Ｎに到達するフラッシュ光に関して優秀な光学的
適合性を示す。
２に結合されると、光パイプ１８と二つのシリコーンゴ
ム結合部即ち光電増倍管と光パイプの間の２８と光パイ
プとガラス板１６の間の３４が光学的に均質なユニット
を構成する。このユニットはシンチレータ結晶１２から
ガラス板１６を通して光電増倍管Ｐ′ＭＴ１乃至Ｐ Ｍ
Ｔ Ｎに到達するフラッシュ光に関して優秀な光学的
適合性を示す。
この発明の有利な実施態様においては反射性又は吸収性
材料のドツト又は環の形のマスク要素が第２図、第３図
に３６として示したように光バイブ内に埋め込まれる。
材料のドツト又は環の形のマスク要素が第２図、第３図
に３６として示したように光バイブ内に埋め込まれる。
これはカメラの性能を改善するものである。マスク要素
３６は光パイプ１８を鋳造する際シリコーンゴム・コン
パウンドに加え、このコンパウンドを鋳造型の所定の深
さまで満たす。シリコーンゴム層が硬化した後その表面
に例えばシルクスクリーン法によりマスク材料のパター
ンを作る。マスク材料のパターンが全部硬化層の上に置
かれ、光パイプが所定の深さまで形成されるまで上記の
操作を繰り返す。
３６は光パイプ１８を鋳造する際シリコーンゴム・コン
パウンドに加え、このコンパウンドを鋳造型の所定の深
さまで満たす。シリコーンゴム層が硬化した後その表面
に例えばシルクスクリーン法によりマスク材料のパター
ンを作る。マスク材料のパターンが全部硬化層の上に置
かれ、光パイプが所定の深さまで形成されるまで上記の
操作を繰り返す。
有利な実施態様についてこの発明を説明して来たが、こ
の発明はこれらの実施例に限定されるものではなく特許
請求の範囲に明記したこの発明の精神から逸脱すること
なく種々の変形が可能である。
の発明はこれらの実施例に限定されるものではなく特許
請求の範囲に明記したこの発明の精神から逸脱すること
なく種々の変形が可能である。
第１図はこの発明による光パイプを含むシンチレータ結
晶集合体の平面図、第２図は第１図の集合体の断面図、
第３図は光パイプの鋳造型の断面図である。 ゛ １２・・・シンチレータ結晶、１４・・・アルミニウム
カバー、１６・・・ガラス板、１８・・・光パイプ、Ｐ
ＭＴｌ乃至ＰＭＴＮ・・・光電増倍管。 二一
晶集合体の平面図、第２図は第１図の集合体の断面図、
第３図は光パイプの鋳造型の断面図である。 ゛ １２・・・シンチレータ結晶、１４・・・アルミニウム
カバー、１６・・・ガラス板、１８・・・光パイプ、Ｐ
ＭＴｌ乃至ＰＭＴＮ・・・光電増倍管。 二一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）硬化後に弾性的であり光透過性である接着剤から成
る部品を含むことを特徴とする放射線検出器のシンチレ
ータ結晶集合体用の光パイプ。 ２）接着剤がシリコーンゴムであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光パイプ。 ３）接着剤で作られた部品にシンチレーション光の分布
を変えるマスキング要素が埋め込まれていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光パイプ。 ４）次の工程： （ａ） 光バイブの陰画を構成する鋳造型を準備する
、 （ｂ） 硬化抜弁性的であり光透過性である接着剤を
鋳造型に満たす、 （Ｃ） 接着剤を硬化させる、 （ｄ） 鋳造品を型から外して光パイプとするによる
ことを特徴とする放射線検出器のシンチレータ結晶集合
体用の光パイプの製造方法。 ５）シリコーンゴムを接着剤として使用する接着段階が
含まれることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
方法。 ６）次の工程段； （ａ） 鋳造型の所定の深さまで接着剤を満たしそれ
を硬化させる、 Φ） シンチレーション光の分布を変えるためのマスキ
ング要素を形成するマスク材料のパターンを硬化した接
着剤表面に置く、（Ｃ） 上記のステップをマスキン
グ要素の全バ匙、ヵ１ゎＭｔＪ！。２、イアがえ。□６
つまで形成されるまで繰り返す が含まれることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の製造方法。 ７）マスク材料のパターンがシルクスクリーン法によっ
て硬化接着剤表面に設けられる工程段が含まれることを
特徴とする特許請求の範囲第６項記載の製造方法。 ８）光パイプを備えるシンチレータ結晶集合体および硬
化後弾性的で光透過性となる接着剤によって光パイプに
結合された光電増倍管を含み、光パイプは光電増倍管と
の結合に使用されたのと同じ接着剤で作られていること
を特徴とする放射線検出器。 ９）シンチレータ結晶集合体がそのシンチレータ結晶を
カバーするガラス板を備え、光パイプはそれを構成する
接着剤と同じ材料によってガラス板に結合されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の放射線検出
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US49748683A | 1983-05-24 | 1983-05-24 | |
| US497486 | 1983-05-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222785A true JPS59222785A (ja) | 1984-12-14 |
Family
ID=23977081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10245584A Pending JPS59222785A (ja) | 1983-05-24 | 1984-05-21 | 放射線検出器のシンチレ−タ結晶集合体用の光パイプ、その製造方法および放射線検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP0221503B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59222785A (ja) |
| DE (2) | DE3469603D1 (ja) |
| DK (1) | DK96784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288186A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレ−タ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0147561A3 (en) * | 1983-11-09 | 1985-08-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Scintillation crystal for a radiation detector and method for producing the same |
| WO1991009326A1 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-27 | Wallac Oy | Elastic scintillator material |
| US5059798A (en) * | 1991-05-21 | 1991-10-22 | Siemens Gammasonics, Inc. | Frangible bonding of photomultiplier tubes for use in scintillation cameras and PET scanners |
| EP0583844B1 (en) * | 1992-08-18 | 1999-07-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | X-ray examination apparatus with light concentration means and plural image sensors |
| US6369391B1 (en) | 1999-05-02 | 2002-04-09 | Elgems Ltd. | Light output optimization |
| US10690785B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-06-23 | General Electric Company | Systems and methods for nuclear medicine imaging using sodium based crystals |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3072973A (en) * | 1959-04-24 | 1963-01-15 | Barnette Stanley Ronald | Method of making cast plastic laminates |
| SE301380B (ja) * | 1965-11-10 | 1968-06-04 | Philips Nv | |
| US3774032A (en) * | 1971-10-22 | 1973-11-20 | Nuclear Data Ltd | Attenuated light coupling between scintillator and photomultiplier |
| FR2446491A1 (fr) * | 1979-01-09 | 1980-08-08 | Radiologie Cie Gle | Camera a scintillation a resolution spatiale amelioree |
| DE2916722A1 (de) * | 1979-04-25 | 1980-11-06 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur randversiegelung von fluessigkristallzellen |
-
1984
- 1984-02-24 DK DK96784A patent/DK96784A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-05-14 EP EP19860114991 patent/EP0221503B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-14 DE DE8484105464T patent/DE3469603D1/de not_active Expired
- 1984-05-14 DE DE8686114991T patent/DE3483162D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-14 EP EP19840105464 patent/EP0130325B1/en not_active Expired
- 1984-05-21 JP JP10245584A patent/JPS59222785A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288186A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレ−タ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0221503A2 (en) | 1987-05-13 |
| DE3469603D1 (en) | 1988-04-07 |
| DK96784D0 (da) | 1984-02-24 |
| DK96784A (da) | 1984-11-25 |
| EP0130325B1 (en) | 1988-03-02 |
| EP0221503B1 (en) | 1990-09-05 |
| EP0221503A3 (en) | 1988-01-27 |
| EP0130325A1 (en) | 1985-01-09 |
| DE3483162D1 (de) | 1990-10-11 |
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