JPS59222580A - スパツタ装置の放電トリガ方式 - Google Patents
スパツタ装置の放電トリガ方式Info
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- JPS59222580A JPS59222580A JP9617883A JP9617883A JPS59222580A JP S59222580 A JPS59222580 A JP S59222580A JP 9617883 A JP9617883 A JP 9617883A JP 9617883 A JP9617883 A JP 9617883A JP S59222580 A JPS59222580 A JP S59222580A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- power source
- electrode
- voltage
- sputtering
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来、薄膜形成用のスパッタ装置においては、その成膜
条件から高真空雰囲気又は、コンベンショナル型電極の
使用等が要求される場合があり、このため電極と真空容
器壁（アース電位）間の高い放電インピーダンスに起因
して放電が困難となったり、又は電流密度の低いことに
起因してとかく放電が不安定となりしばしば停止するな
どの問題を生じていた。
条件から高真空雰囲気又は、コンベンショナル型電極の
使用等が要求される場合があり、このため電極と真空容
器壁（アース電位）間の高い放電インピーダンスに起因
して放電が困難となったり、又は電流密度の低いことに
起因してとかく放電が不安定となりしばしば停止するな
どの問題を生じていた。
この問題の解決策として従来は次の（１）ｔ （２）
、 （３）等の方法が採られている。
、 （３）等の方法が採られている。
即ち、（１）スパッタ電極とは別に放電トリガ電極を設
けこれに放電トリガー用電圧を印加する。
けこれに放電トリガー用電圧を印加する。
（２）熱フィラメントを真空室内に設けて熱電子を発生
させ、この熱電子で放電トリガなかける。（３）真空容
器内に一時的にアルゴンガス等を供給して容器内のガス
圧力を一時的に高め放電を容易に開始せしめ、放電後に
本来の成膜条件の真壁圧力に除々に戻す。
させ、この熱電子で放電トリガなかける。（３）真空容
器内に一時的にアルゴンガス等を供給して容器内のガス
圧力を一時的に高め放電を容易に開始せしめ、放電後に
本来の成膜条件の真壁圧力に除々に戻す。
これらは併用されることもある。
しかるに−これら従来の方法には欠配する欠点がある。
即ち、（１） ？ （２）の方法においてはスパッタ電
極とは別にトリガ電極用のポートを真空室内に設置する
必要があり、また放電停止時には放電電流の停止を検知
し、自動的にトリガをかけることかできるよ５な複雑な
装置の併設が必要となる。（３）は真空圧力を一時的に
悪化させるものであるため、放電開始後必要な成膜条件
圧力に復帰するまでの間にロスタイムを生じ、また放電
停止が頻繁になるときは成膜の諸条件に変化を来すとい
う欠点がある。
極とは別にトリガ電極用のポートを真空室内に設置する
必要があり、また放電停止時には放電電流の停止を検知
し、自動的にトリガをかけることかできるよ５な複雑な
装置の併設が必要となる。（３）は真空圧力を一時的に
悪化させるものであるため、放電開始後必要な成膜条件
圧力に復帰するまでの間にロスタイムを生じ、また放電
停止が頻繁になるときは成膜の諸条件に変化を来すとい
う欠点がある。
本発明の方式はこれらの欠点を解消するものである。
以下、この発明を実施例によって説明する。
第１図において、電極７にはダイオード４を通して主た
るスパッタ専用電源２から電力が供給されるがこの電極
７には上記と並列に面抵抗５とダイオード３を通してこ
のスパッタ専用′社源２よりも高い電圧でかつ電極７の
放電開始電圧よりも若干高い電圧を有する、トリガ用電
源１が設備されている。このように設備した場合は、正
常なスパッタ放電時には電極７にはほぼ電源２の電圧に
等しい電圧が印加されるが、トリガ用電圧源１と電極７
の間には抵抗５によって大きい電圧降下を生じ、菅Ｐ その状態で平衡状態にある。
るスパッタ専用電源２から電力が供給されるがこの電極
７には上記と並列に面抵抗５とダイオード３を通してこ
のスパッタ専用′社源２よりも高い電圧でかつ電極７の
放電開始電圧よりも若干高い電圧を有する、トリガ用電
源１が設備されている。このように設備した場合は、正
常なスパッタ放電時には電極７にはほぼ電源２の電圧に
等しい電圧が印加されるが、トリガ用電圧源１と電極７
の間には抵抗５によって大きい電圧降下を生じ、菅Ｐ その状態で平衡状態にある。
さて何かの原因で、この正常なスパッタ放電が停止する
と、電極７の電位は瞬時にして電源１の電位まで上昇す
る。従ってその高電圧にトリガされて直ちに放電が開始
される。その放電はひき続いてもとの平衡状態に復する
。従って、正常かつ安定な放電は支障なく持続されるこ
とになる。
と、電極７の電位は瞬時にして電源１の電位まで上昇す
る。従ってその高電圧にトリガされて直ちに放電が開始
される。その放電はひき続いてもとの平衡状態に復する
。従って、正常かつ安定な放電は支障なく持続されるこ
とになる。
上記は正常放電時の放電停止の場合を述べたものである
が、放電開始のときも同様であって、上記プロセスは正
常な放電の状態に達するまでＩ自動的に行なわれる。
が、放電開始のときも同様であって、上記プロセスは正
常な放電の状態に達するまでＩ自動的に行なわれる。
第２図は本発明の別の実施例であって、スパッタ装置の
主たる専用スパッタ電源２に高周波電源を用いた例であ
る。第１図と異なるのは、この高周波電源２より送られ
る電力が本発明で設備したトリガ用電源に流入するのを
防ぐためと、この電力がトリガ電源を経由して他の装置
に洩れ悪影響を及ぼすのを防止するために、フィルタ９
，８が挿入されていることである。なお４０は整合回路
である。
主たる専用スパッタ電源２に高周波電源を用いた例であ
る。第１図と異なるのは、この高周波電源２より送られ
る電力が本発明で設備したトリガ用電源に流入するのを
防ぐためと、この電力がトリガ電源を経由して他の装置
に洩れ悪影響を及ぼすのを防止するために、フィルタ９
，８が挿入されていることである。なお４０は整合回路
である。
この第２図の実施例も、その動作原理はスパッタ電源が
直流である第１図の実施例と同じであり、放電中に生ず
る電極７のセルフバイアス電圧と、トリガ用電圧源１の
間には高抵抗５による太きい電圧降下が存在し、正常ス
パッタ時にはこの系は平衡状態にある。
直流である第１図の実施例と同じであり、放電中に生ず
る電極７のセルフバイアス電圧と、トリガ用電圧源１の
間には高抵抗５による太きい電圧降下が存在し、正常ス
パッタ時にはこの系は平衡状態にある。
もし何かの原因で放電が停止する時は、電極７のセルフ
バイアスが消えて電極６には直ちにトリガ電源１の高電
圧がそのまま印加され、再放電は容易に開始される。
バイアスが消えて電極６には直ちにトリガ電源１の高電
圧がそのまま印加され、再放電は容易に開始される。
この第２図の実施例の場合には、従来から問題とされて
いる、高周波電源をスパッタ電源に使用する場合の放電
前後における整合状態の変化が少な（なり、整合の調整
が容易になるという見逃し難い効果も存在する。
いる、高周波電源をスパッタ電源に使用する場合の放電
前後における整合状態の変化が少な（なり、整合の調整
が容易になるという見逃し難い効果も存在する。
本発明の方式は以上の通りであるため、上述の説明で明
らかなように、通常のスパッタ装置に簡単にトリガー用
電源と若干の回路を追加するのみで足り、しかもその効
果は抜群である。
らかなように、通常のスパッタ装置に簡単にトリガー用
電源と若干の回路を追加するのみで足り、しかもその効
果は抜群である。
極めて安定な放電を継続的に維持することが可能となる
。従って本発明の方式で製造した薄膜製品は、その品質
が安定し、かつ歩留が向上する等々多くの利点を生むも
のである。
。従って本発明の方式で製造した薄膜製品は、その品質
が安定し、かつ歩留が向上する等々多くの利点を生むも
のである。
本発明の工業的価値は極めて高い。
第１図は、本発明の方式の実施例であって専用スパッタ
電源として直流電源を採用した場合の模式図。 第２図は他の実施例であってスパック電源として高周波
電源を用いた場合の模式図である。 １・・・トリガ電源、２・・・専用スパッタ′屯源、３
，４・・・ダイオード、５・・・高抵抗、６・・・電極
用シールド板。 ７・・・スパッタ電極、８と９・・・低域フィルタ、１
０・・・真壁容器、１１・・・サブストレートホルダ。 ４０・・・インピーダンスの整合回路。 特許出願人 日電アネルバ株式会社
電源として直流電源を採用した場合の模式図。 第２図は他の実施例であってスパック電源として高周波
電源を用いた場合の模式図である。 １・・・トリガ電源、２・・・専用スパッタ′屯源、３
，４・・・ダイオード、５・・・高抵抗、６・・・電極
用シールド板。 ７・・・スパッタ電極、８と９・・・低域フィルタ、１
０・・・真壁容器、１１・・・サブストレートホルダ。 ４０・・・インピーダンスの整合回路。 特許出願人 日電アネルバ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 薄膜を形成するに用いるスパッタ装置において。 その主となるスパゾタ専用電源のほかにこれに並列に該
専用電源の出力インピーダンスよりも高い出力インピー
ダンス及び高い電圧を有する放電トリガ用高圧電源を配
置したことを特徴とするスパッタ装置の放電トリガ方式
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9617883A JPS59222580A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | スパツタ装置の放電トリガ方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9617883A JPS59222580A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | スパツタ装置の放電トリガ方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222580A true JPS59222580A (ja) | 1984-12-14 |
| JPH0222145B2 JPH0222145B2 (ja) | 1990-05-17 |
Family
ID=14158068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9617883A Granted JPS59222580A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | スパツタ装置の放電トリガ方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59222580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142763A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| WO1995007544A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-16 | Materials Research Corporation | Soft plasma ignition in plasma processing chambers |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9617883A patent/JPS59222580A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142763A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| WO1995007544A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-16 | Materials Research Corporation | Soft plasma ignition in plasma processing chambers |
| US6190512B1 (en) | 1993-09-07 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Arizona Inc. | Soft plasma ignition in plasma processing chambers |
| KR100341376B1 (ko) * | 1993-09-07 | 2002-11-22 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 플라즈마처리실에서 캐소드를 구동하는전원회로및플라즈마처리방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222145B2 (ja) | 1990-05-17 |
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