JPS5922245B2 - Teiden Atsubias Cairo - Google Patents

Teiden Atsubias Cairo

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JPS5922245B2
JPS5922245B2 JP14547075A JP14547075A JPS5922245B2 JP S5922245 B2 JPS5922245 B2 JP S5922245B2 JP 14547075 A JP14547075 A JP 14547075A JP 14547075 A JP14547075 A JP 14547075A JP S5922245 B2 JPS5922245 B2 JP S5922245B2
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current
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terminal
emitter
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充利 伊藤
和夫 小笠原
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路に適したバイアス回路、とくに定電流
トランジスタを駆動するための定電圧源に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a bias circuit suitable for integrated circuits, and in particular to a constant voltage source for driving a constant current transistor.

従来のトランジスタを駆動する定電圧バイアス回路は種
々考案されているがその多くのものは単一電池電圧の如
き低電圧では全く動作不可能であるか、あるいは広い電
圧変動に対して良好な特性を維持できない。
Various conventional constant voltage bias circuits have been devised to drive transistors, but most of them are either completely inoperable at low voltages such as the voltage of a single battery, or do not have good characteristics against wide voltage fluctuations. I can't maintain it.

第1図aは従来最も一般的に使用されている定電流回路
の例である。1はダイオード接続の基準トランジスタで
あり、2、3は各各定電流トランジスタ、4は抵抗を示
す。
FIG. 1a shows an example of the most commonly used constant current circuit. 1 is a diode-connected reference transistor, 2 and 3 are constant current transistors, and 4 is a resistor.

端子5に印加する電圧と抵抗4によりトランジスタ1の
エミッタ電流は決る。もしトランジスタ2|3がトラン
ジスタ1と同一のエミッタ面積を有していれば、各トラ
ンジスタのエミッタ電流は同一になる。端子8の出力電
圧はトランジスタ1のベース・エミッタ間電圧VBE0
に等しく、トランジスタ1のエミッタ電流をIE4とす
るとよく知られているように次式であられされる。KT
1E1 VBE1=−1n−(1) ε Isl ここにIs、は飽和電流、にはボルツマン定数、εは電
子の電荷、Tは絶対温度である。
The emitter current of the transistor 1 is determined by the voltage applied to the terminal 5 and the resistor 4. If transistor 2|3 has the same emitter area as transistor 1, the emitter current of each transistor will be the same. The output voltage of terminal 8 is the base-emitter voltage of transistor 1, VBE0.
, and if the emitter current of transistor 1 is IE4, it is expressed by the following equation as well known. K.T.
1E1 VBE1=-1n-(1) ε Isl where Is is the saturation current, is the Boltzmann constant, ε is the electron charge, and T is the absolute temperature.

この回路では端子5の印加電圧が広範囲に変化するとI
E、も同じ割合で変化する。その変化は(1)式で見る
ごとくVBE、の変化をもたらし、端子8に接続された
トランジスタ2、3の電流もVBEの指数函数的変動に
よりIE、と同様に変化する。従つて電源電圧変動に対
する安定性は期待できない。また端子8から見た出力抵
抗は一般によく知られているごとくトランジスタ1の相
互コンダクタンスgmlの逆数で与えられる。例えば常
温でトランジスタ1に1mA流しても出力抵抗は26Ω
にしか机下しない。2.6Ω以下にするためには10m
A以上電流を消費させねばならない。
In this circuit, if the voltage applied to terminal 5 changes over a wide range, I
E also changes at the same rate. This change brings about a change in VBE as shown in equation (1), and the currents of transistors 2 and 3 connected to terminal 8 also change in the same way as IE due to the exponential variation in VBE. Therefore, stability against power supply voltage fluctuations cannot be expected. Further, the output resistance seen from the terminal 8 is given by the reciprocal of the mutual conductance gml of the transistor 1, as is generally well known. For example, even if 1mA is applied to transistor 1 at room temperature, the output resistance is 26Ω.
I only sit down at my desk. 10m to keep it below 2.6Ω
A current of more than A must be consumed.

これは電池により動作させる装置に使用するには余りに
大き過ぎる。端子8から見た出力抵抗が大きい場合の不
都合さは次のように説明できる。いまトランジスタ2が
ある増幅素子の能動負荷として使用された場合を考え、
かつその増幅素子が出力振幅を大きくとつた場合、当然
トランジスタ2のコレクタ端子6の電位も大きく変化す
る。このコレクタ電位の変動はベース幅変調効果により
ベース電極に伝達される。このベース電位の変動は端子
8の変動であるから、トランジスタ3のベース電位をも
変動させ、そのコレクタ電流が変動することになる。こ
のトランジスタ2および3の相互干渉の悪影響は、端子
8の出力抵抗が小さいほど少なくなる。従つて端子8の
出力抵抗は可能な限り小さいことが望ましいが、第1図
aのごとき回路では消費電流が多くなり適当でない。第
1図bは従来から使用されている他のバイアス回路の回
路結線図である。
This is too large to be used in battery operated devices. The disadvantage when the output resistance seen from the terminal 8 is large can be explained as follows. Now consider the case where transistor 2 is used as an active load of an amplifying element.
In addition, when the output amplitude of the amplifying element increases, the potential of the collector terminal 6 of the transistor 2 naturally changes greatly. This collector potential variation is transmitted to the base electrode by the base width modulation effect. Since this variation in the base potential is a variation in the terminal 8, the base potential of the transistor 3 also varies, and its collector current varies. The adverse effect of this mutual interference between transistors 2 and 3 becomes smaller as the output resistance of terminal 8 becomes smaller. Therefore, it is desirable that the output resistance of the terminal 8 be as small as possible, but the circuit shown in FIG. 1a is not suitable because it consumes a large amount of current. FIG. 1b is a circuit diagram of another conventionally used bias circuit.

この回路では、トランジスタ12のベースからエミツタ
を径て、トランジスタ11のベースからコレクタと一巡
する強度の負帰還作用により、動作状態が安定化されて
いる。同回路でトランジスタ12のコレクタ電流はトラ
ンジスタ11のベース・エミツタ間電位差VBEll(
通常ほぼ0.7ボルト程度)とトランジスタ12のエミ
ツタに接続された抵抗9の値の比で与えられる。トラン
ジスタ11の電流は端子15に印加される電圧からVB
E,l+Vゎ,2を差し引いた値と抵抗14の値の比で
与えられる。従つて端子15の電圧が広範囲に変動すれ
ばトランジスタ11の電流も同様に変動するが、そのV
BE,,は(1)式に見るごとく電流変動値の対数函数
的変化になり、VBE!!の変動は抑制され、ほぼ0.
7ボルトからの変動は小さい。例えばトランジスタ11
の電流が10倍変動してもVBEl,の変動は0.06
ボルトである。前記の如く、トランジスタ12の電流は
VBE,lと抵抗9の比で与えられるので、その変動も
大幅に抑制される。
In this circuit, the operating state is stabilized by a strong negative feedback effect that circulates from the base of the transistor 12 to the emitter and then from the base to the collector of the transistor 11. In the same circuit, the collector current of transistor 12 is the base-emitter potential difference VBEll(
(usually about 0.7 volts) and the value of the resistor 9 connected to the emitter of the transistor 12. The current of transistor 11 is VB from the voltage applied to terminal 15.
It is given by the ratio of the value obtained by subtracting E,l+Vゎ,2 and the value of the resistor 14. Therefore, if the voltage at terminal 15 fluctuates over a wide range, the current in transistor 11 also fluctuates, but the V
As seen in equation (1), BE,, is a logarithmic function change in the current fluctuation value, and VBE! ! The fluctuation of is suppressed to almost 0.
The fluctuation from 7 volts is small. For example, transistor 11
Even if the current of changes by 10 times, the change of VBEl is 0.06
It's a bolt. As mentioned above, since the current of the transistor 12 is given by the ratio of VBE,l and the resistor 9, its fluctuation is also greatly suppressed.

従つて、トランジスタ13も同12と同一素子寸法で、
抵抗10の値が抵抗9と同一ならば、その電流値はトラ
ンジスタ12のそれと同一になる。また端子18から見
た出力抵抗は前記した強度の負帰還作用により、第1図
aの場合と比べて、そのループ利得(ほぼ抵抗14の値
とトランジスタ11のエミツタ抵抗の比)分の一だけ小
さくなつている。従つて第1図bの回路は同aの回路に
比べて特性上格段に安定でありすぐれているが、唯一の
欠点は端子15に印加する電圧が必ず2×VBE(ほぼ
164ボルト)以上なければならないことである。通常
は2ボルト以上であることが望ましい。従つて単一電池
で動作するような装置には使用不可能である。本発明の
目的は、低電圧源、例えば、1.3ボルトの単一電池で
使用でき、消費電流が小さく、電源電圧の広範囲な変動
に対して一定の出力電圧を確保できる定電圧バイアス回
路を提供することである。
Therefore, transistor 13 has the same element dimensions as transistor 12,
If the value of resistor 10 is the same as that of resistor 9, its current value will be the same as that of transistor 12. Also, due to the strong negative feedback effect described above, the output resistance seen from the terminal 18 is only one part of the loop gain (approximately the ratio of the value of the resistor 14 to the emitter resistance of the transistor 11) compared to the case of FIG. It's getting smaller. Therefore, the circuit shown in Figure 1b is much more stable and superior in terms of characteristics than the circuit shown in Figure 1a, but the only drawback is that the voltage applied to terminal 15 must be at least 2 x VBE (approximately 164 volts). It is a must. Normally, it is desirable that the voltage be 2 volts or more. Therefore, it cannot be used in devices that operate on a single battery. An object of the present invention is to provide a constant voltage bias circuit that can be used with a low voltage power source, such as a 1.3 volt single battery, has low current consumption, and can ensure a constant output voltage over a wide range of variations in power supply voltage. It is to provide.

本発明の他の目的は、出力インピーダンスの極めて小さ
な定電圧バイアス回路を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a constant voltage bias circuit with extremely low output impedance.

換言すれば、相互間の干渉を最小限におさえつつ複数個
の定電流トランジスタを駆動することが可能な定電圧バ
イアス回路を提供することである。以下実施例をあげて
本発明の説明を行なう。
In other words, the objective is to provide a constant voltage bias circuit that can drive a plurality of constant current transistors while minimizing mutual interference. The present invention will be explained below with reference to Examples.

第2図は本発明の実施例を示す回路結線図である。図に
おいてトランジスタ19のコレクタは抵抗25を介して
印加電圧端子31に接続され、またエミツタは共通端子
として接地されていて全体としてエミツタ接地型増幅回
路を形成している。トランジスタ22はトランジスタ1
9とは反対導電型でありエミツタは端子31に接続され
、コレクタは抵抗27を介して接地されており、エミツ
タ接地型増幅回路を形成してトランジスタ22のコレク
タはトランジスタ19のベース電極に接続されている。
一方トランジスタ20とトランジスタ21は相互に反対
導電型であり、トランジスタ20はトランジスタ19と
、トランジスタ21はトランジスタ22とそれぞれ同一
導電型である。かつトランジスタ20とトランジスタ2
1は共にコレクタ間が直列に接続されており、またトラ
ンジスタ21のコレクタはベースと直結され、エミツタ
を陽極とするコレクタ・ベース接続のダイオードを形成
しており、このダイオードがトランジスタ20のコレク
タ負荷となり端子31との間に接続されている。また同
ダイオードの陰極はトランジスタ22のベースに接続さ
れている。一方トランジスタ20のエミツタは抵抗26
を介して接地されており、ベースはトランジスタ19の
コレクタに接続されている。前記の如き接続にすると、
トランジスタ22のベースからはじまつて同コレクタを
とおりトランジスタ19のベースへ、更にトランジスタ
19のコレクタよりトランジスタ20のベースをへて、
同コレクタ、即ちトランジスタ22のベースへ帰る負帰
還回路が形成される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, the collector of the transistor 19 is connected to an applied voltage terminal 31 via a resistor 25, and the emitter is grounded as a common terminal, forming a common emitter type amplifier circuit as a whole. Transistor 22 is transistor 1
The emitter is connected to the terminal 31 and the collector is grounded via the resistor 27, forming a common emitter type amplifier circuit, and the collector of the transistor 22 is connected to the base electrode of the transistor 19. ing.
On the other hand, the transistors 20 and 21 have opposite conductivity types, and the transistor 20 and the transistor 19 have the same conductivity type, and the transistor 21 and the transistor 22 have the same conductivity type. and transistor 20 and transistor 2
1 have their collectors connected in series, and the collector of transistor 21 is directly connected to its base, forming a collector-base connected diode with its emitter as an anode. This diode serves as the collector load of transistor 20. It is connected between the terminal 31 and the terminal 31. Further, the cathode of the diode is connected to the base of the transistor 22. On the other hand, the emitter of the transistor 20 is a resistor 26
The base is connected to the collector of the transistor 19. If you connect as above,
Starting from the base of the transistor 22, passing through the collector thereof to the base of the transistor 19, and further passing from the collector of the transistor 19 to the base of the transistor 20,
A negative feedback circuit returning to the collector, ie, the base of the transistor 22, is formed.

かかるループにおけるループ利得を考えると、トランジ
スタ22と同19がエミツタ接地型増幅回路であるため
、かなりの高ループ利得が期待でき、強度の負帰還回路
が形成されている。したがつて各トランジスタの動作点
は非常に安定化されている。かかる安定化した状態では
、各トランジスタのベース電流を無視すると、トランジ
スタ22のコレクタ電流は、トランジスタ19のベース
・エミツタ間電圧VBEl9と抵抗27の値の比で決定
されている。かつダイオード接続トランジスタ21とト
ランジスタ22のエミツタ面積が等しければ各々のコレ
クタ電流、即ちトランジスタ20のコレクタ電流もトラ
ンジスタ22のコレクタ電流も等しい。したがつてトラ
ンジスタ21および22の共通ベース端子28と印加電
圧端子31との間に各々ベース、エミツタを接続された
トランジスタ23および24のコレクタ電流も、トラン
ジスタ21および22と同一エミツタ面積ならば、各々
同様に等しくなる。またトランジスタ19を流れる電流
は端子31の電圧からVBE2Oと抵抗26の両端の電
圧降下(通常0.1ボルト程度に設定される。)を差し
引いた値と抵抗25の比で与えられる。したがつてこの
値は端子31の印加電圧が広範囲に変化すれば、同じ割
合で変化する。しかしながら第1図bの回路に関して説
明したごとく、トランジスタ19のベース・エミツタ間
電圧VBEl,はあまり変化せず、ほぼ一定のままであ
る。したがつてトランジスタ22のコレクタ電流もほぼ
一定となる。よつてトランジスタ23および24のコレ
クタ電流も電源電圧変動に対して非常に安定化されてい
る。またこの回路を安定に動作させるための最低限の電
源電圧はトランジスタ21のVBEとトランジスタ20
のコレクタ・エミツタ間電圧VCEと抵抗26の両端電
圧降下VR26の和であるから、約0.7+0.1+0
.1=約0.9ボルトあればよい。上限値はトランジス
タの耐圧できまるので通常は最低でも7ボルト以上はあ
る。したがつて本回路構成によれば非常に広範囲の電源
電圧に対して動作可能である。次に端子28から見た出
力抵抗を考えると、強度の負帰還ルーブにより、本質的
にダイオード接続トランジスタ21のエミツタ抵抗(相
互コンダクタンスGm2lの逆数)のループ利得分の一
になるので非常に小さくできる。
Considering the loop gain in such a loop, since the transistors 22 and 19 are emitter-grounded amplifier circuits, a fairly high loop gain can be expected, forming a strong negative feedback circuit. Therefore, the operating point of each transistor is extremely stabilized. In such a stabilized state, the collector current of the transistor 22 is determined by the ratio of the base-emitter voltage VBEl9 of the transistor 19 and the value of the resistor 27, if the base current of each transistor is ignored. Moreover, if the emitter areas of diode-connected transistor 21 and transistor 22 are equal, their respective collector currents, that is, the collector current of transistor 20 and the collector current of transistor 22 are equal. Therefore, the collector currents of the transistors 23 and 24 whose bases and emitters are connected between the common base terminal 28 of the transistors 21 and 22 and the applied voltage terminal 31, respectively, are also the same if the emitter area is the same as that of the transistors 21 and 22. Similarly, they are equal. Further, the current flowing through the transistor 19 is given by the ratio of the voltage at the terminal 31 minus VBE2O and the voltage drop across the resistor 26 (usually set to about 0.1 volt) and the resistor 25. Therefore, this value will change at the same rate if the voltage applied to terminal 31 changes over a wide range. However, as explained with respect to the circuit of FIG. 1b, the base-emitter voltage VBE1 of transistor 19 does not change much and remains almost constant. Therefore, the collector current of transistor 22 is also approximately constant. Therefore, the collector currents of transistors 23 and 24 are also highly stabilized against fluctuations in the power supply voltage. Also, the minimum power supply voltage for stable operation of this circuit is VBE of transistor 21 and transistor 20.
Since it is the sum of the collector-emitter voltage VCE and the voltage drop VR26 across the resistor 26, it is approximately 0.7+0.1+0
.. 1 = approximately 0.9 volts is sufficient. The upper limit is determined by the withstand voltage of the transistor, so it is usually at least 7 volts or more. Therefore, this circuit configuration can operate over a very wide range of power supply voltages. Next, considering the output resistance as seen from the terminal 28, it can be made very small because it is essentially one part of the loop gain of the emitter resistance (the reciprocal of the mutual conductance Gm2l) of the diode-connected transistor 21 due to the strong negative feedback loop. .

例えばトランジスタ21(従つてトランジスタ22も)
の電流が100μAとしてそのときのループ利得が約4
0dBとすると、トランジスタ21のエミツタ抵抗は2
60Ωとなり、端子28から見た出力抵抗は、そのルー
プ利得分の一、即ち1/100となり、2.6Ωとなる
。第1図aにおいてこの値を得るためには、10mA流
さなければならない。これに比べると格段に消費電流を
少なくできる。実際にこの回路で40dB程度のループ
利得を得るのは比較的容易であり抵抗25に高抵抗、例
えば集積回路でよく使用されるピンチ抵抗を用いれば、
ループ利得を大きくするとともに消費電流を低減するこ
とができる。一般にピンチ抵抗は初期偏差が大きい(−
50〜+100%)が、抵抗値がバラツイても、トラン
ジスタ21および22の電流値にさしたる影響がないの
は前述したとおりである。尚、コンデンサ32は負帰還
ループの発振防止用であり、抵抗26とともにループ回
路を安定化している。その容量値は各トランジスタの電
流値と必要とされるループ利得により異なるが、数PF
〜数10PFである。各トランジスタの電流をやや多く
して、かつ抵抗26を大きく選んで、ループ利得を小さ
くしてやれば、コンデンサ32は不必要の場合もある。
電源電圧が広範囲に変動してもコンデンサ32の両端の
電位差はほぼVBEl個分にたもたれるので、集積回路
化する場合にはP−N接合容量を用いることができ、余
り不都合は生じない。以上の説明はトランジスタ23お
よび24がPNPの場合について述べたが、定電流トラ
ンジスタがNPNの場合についても、第2図のトランジ
スタの導電型をすべて逆導電型にすれば、そのままあて
はまることは説明するまでもない。
For example, transistor 21 (and therefore transistor 22)
Assuming that the current is 100 μA, the loop gain at that time is approximately 4.
If it is 0 dB, the emitter resistance of transistor 21 is 2
The output resistance as seen from the terminal 28 is 1/100, that is, 1/100 of the loop gain, and is 2.6Ω. To obtain this value in FIG. 1a, 10 mA must be applied. Compared to this, current consumption can be significantly reduced. Actually, it is relatively easy to obtain a loop gain of about 40 dB with this circuit, and if a high resistance is used as the resistor 25, for example, a pinch resistor often used in integrated circuits,
It is possible to increase the loop gain and reduce current consumption. In general, pinch resistance has a large initial deviation (−
50 to +100%) has no significant effect on the current values of the transistors 21 and 22 even if the resistance values vary. Incidentally, the capacitor 32 is used to prevent oscillation of the negative feedback loop, and together with the resistor 26, stabilizes the loop circuit. The capacitance value varies depending on the current value of each transistor and the required loop gain, but it is several PF
~ several tens of PF. The capacitor 32 may be unnecessary if the current of each transistor is increased slightly and the resistor 26 is selected to be large to reduce the loop gain.
Even if the power supply voltage fluctuates over a wide range, the potential difference across the capacitor 32 remains approximately equal to VBE1, so that when integrated circuits are implemented, a P-N junction capacitance can be used without much inconvenience. The above explanation has been given for the case where the transistors 23 and 24 are PNP, but it will also be explained that the same applies to the case where the constant current transistor is NPN if all the conductivity types of the transistors in Fig. 2 are set to opposite conductivity types. Not even.

かかるごとく、本発明によれば、単一電池電圧で動作し
、広範囲の電源電圧変動に対しても、ほぼ一定の出力電
圧を有し、かつ低電力で出力抵抗も十分に小さい定電圧
バイアス回路が得られる。
As described above, according to the present invention, there is provided a constant voltage bias circuit that operates on a single battery voltage, has a substantially constant output voltage even over a wide range of power supply voltage fluctuations, has low power consumption, and has a sufficiently small output resistance. is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図aおよびbは従来の定電圧バイアス回路の代表例
を示す回路結線図、第2図は本発明の実施例を示す回路
結線図である。 1,2,3,11,12,13,19,20・・・・・
・NPNトランジスタ、21,22,23,24・・・
・・・・・・PNPトランジスタ、4,14,9,10
,25,26,27・・・・・・抵抗、5,15,31
・・・・・・印加電圧端子、8,18,28・・・・・
・出力電圧端子、29,30・・ ・・・出力電流端子
1A and 1B are circuit wiring diagrams showing typical examples of conventional constant voltage bias circuits, and FIG. 2 is a circuit wiring diagram showing an embodiment of the present invention. 1, 2, 3, 11, 12, 13, 19, 20...
・NPN transistor, 21, 22, 23, 24...
...PNP transistor, 4, 14, 9, 10
, 25, 26, 27...Resistance, 5, 15, 31
...Applied voltage terminal, 8, 18, 28...
・Output voltage terminal, 29, 30... Output current terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 たがいに反対導電型の第1のトランジスタと第2の
トランジスタが抵抗負荷のエミッタ接地増幅回路をそれ
ぞれ形成し、第2のトランジスタと同じ導電型の第3の
トランジスタが、第1のトランジスタと同じ導電型の第
4のトランジスタをダイオード接続したものを負荷とし
たエミッタ接地増幅回路を形成し、かつ第1、第2、第
3のトランジスタを縦続する負帰還ループを形成し、上
記第4のトランジスタのベースから出力をうることを特
徴とする定電圧バイアス回路。
1 A first transistor and a second transistor having opposite conductivity types each form a common emitter amplifier circuit with a resistive load, and a third transistor having the same conductivity type as the second transistor has the same conductivity type as the first transistor. A common emitter amplifier circuit is formed with a diode-connected conductivity type fourth transistor as a load, and a negative feedback loop is formed in which the first, second, and third transistors are connected in cascade, and the fourth transistor A constant voltage bias circuit characterized by receiving an output from the base of.
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