JPS59221178A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS59221178A JPS59221178A JP58096032A JP9603283A JPS59221178A JP S59221178 A JPS59221178 A JP S59221178A JP 58096032 A JP58096032 A JP 58096032A JP 9603283 A JP9603283 A JP 9603283A JP S59221178 A JPS59221178 A JP S59221178A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- section
- photosensitive
- compensation
- amount detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は例えばカメラ等に用いられる固体撮像装置に関
する。
する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕 一固体撮像装置を
カメ２等に設け、被写体光度が大きく異なる像を撮影す
る場合には、信号出力を適正に保つためにＡＧＣ（自動
利得制御）機能が要求される。このようなＡＧＣ機能を
肩する固体撮像装置として例えば第１図、第２図に示す
装置が提案されている。第２図は第１図のＡ−Ａ断面図
である。例えばＰ型７リコンの半導体基板１上にこの半
導体基板１と逆導電型の不純物を含む半導体領域により
フォトダイオード２を形成する。
カメ２等に設け、被写体光度が大きく異なる像を撮影す
る場合には、信号出力を適正に保つためにＡＧＣ（自動
利得制御）機能が要求される。このようなＡＧＣ機能を
肩する固体撮像装置として例えば第１図、第２図に示す
装置が提案されている。第２図は第１図のＡ−Ａ断面図
である。例えばＰ型７リコンの半導体基板１上にこの半
導体基板１と逆導電型の不純物を含む半導体領域により
フォトダイオード２を形成する。
フォトダイオード２にはゲート電極３と、リセット電′
＠ｉ、４とが設けられ、ゲート電極３とリセット電極４
との間には半導体基板１と逆導電型の不純物を高濃度に
含む浮遊拡散領域５が設けられ、リセット電極４に隣接
して半導体基板１と逆導電型の不純物を高濃度に含むド
レイン領域６が設けられている。フォトダイオード２は
分離配設された感光画素７−１．・・・、７−６に並列
に配置されており、感光画素７−１．・・・、７−６と
フォトダイオード２との入射光はほぼ同じ分布同じ強Ｋ
になる。感光画素７−１．・・・、７−６で発生した信
号電荷は移送ゲート８によりＣＯＤレジスタ９へ移送さ
れ、ＣＯＤレジスタ９で移送された信号電荷は順次転送
され、出力部１０で出力電圧に変換される。浮遊拡散領
域５の電位を検出するためにソースフォロワ回路１１が
設けられ、このソースフォロワ回路１１の出力を動作信
号発生部１２により検知する。動作信号発生部１２はソ
ースフォロワ回路１１の出力が所定値を超えると動作信
号を発生し、移動ゲート８を駆動するとともにリセット
電極８を動作させて浮遊拡散領域５に蓄積されたフォト
ダイオード２からの電荷をクリアする。さらに第２図に
示すように、フォトダイオード２およびドレイン領域６
の外側にはチャネルストラプス１３が設けられており、
半導体基板１上には絶縁膜１４、光遮蔽膜１５、保護膜
１６が順番に設けられている。光遮蔽膜１５はフォトダ
イオード２および感光画素７−１、・・・、７−６以外
の表面に光が入射するのを防止するために設けられてい
る。
＠ｉ、４とが設けられ、ゲート電極３とリセット電極４
との間には半導体基板１と逆導電型の不純物を高濃度に
含む浮遊拡散領域５が設けられ、リセット電極４に隣接
して半導体基板１と逆導電型の不純物を高濃度に含むド
レイン領域６が設けられている。フォトダイオード２は
分離配設された感光画素７−１．・・・、７−６に並列
に配置されており、感光画素７−１．・・・、７−６と
フォトダイオード２との入射光はほぼ同じ分布同じ強Ｋ
になる。感光画素７−１．・・・、７−６で発生した信
号電荷は移送ゲート８によりＣＯＤレジスタ９へ移送さ
れ、ＣＯＤレジスタ９で移送された信号電荷は順次転送
され、出力部１０で出力電圧に変換される。浮遊拡散領
域５の電位を検出するためにソースフォロワ回路１１が
設けられ、このソースフォロワ回路１１の出力を動作信
号発生部１２により検知する。動作信号発生部１２はソ
ースフォロワ回路１１の出力が所定値を超えると動作信
号を発生し、移動ゲート８を駆動するとともにリセット
電極８を動作させて浮遊拡散領域５に蓄積されたフォト
ダイオード２からの電荷をクリアする。さらに第２図に
示すように、フォトダイオード２およびドレイン領域６
の外側にはチャネルストラプス１３が設けられており、
半導体基板１上には絶縁膜１４、光遮蔽膜１５、保護膜
１６が順番に設けられている。光遮蔽膜１５はフォトダ
イオード２および感光画素７−１、・・・、７−６以外
の表面に光が入射するのを防止するために設けられてい
る。
次にこの固体撮像装置の動作を説明する。動作信号発生
部１２からの動作信号によシ、感光画素７−１．・・・
、７−６に蓄積された信号電荷が移送ゲート８によ、９
ＣＯＤレジスタ９に移送され、浮遊拡散領域５の電荷が
クリアされた後からの動作を考える。入射光によシ感光
画素７−１．・・・、７−６にはその強度分布に応じて
信号電荷が蓄積されるがフォトダイオード２も光電流を
発生する。このフォトダイオード２は感光画素７−１．
・・・、７−６に隣接して設けられているので、この光
電流は入射光の平均値に応じたものとなる。したがって
浮遊拡散領域５の電位の下降分は、 （感光画素７−１．・・・、７−６への入射光の平均の
光強度）×（経過時間） に比例する。したがってこの下降分をソースフォロワ回
路１１で検出することによシ、各感光画素７−１．・・
・、７−６に蓄積された信°号電荷の平均値がわかる。
部１２からの動作信号によシ、感光画素７−１．・・・
、７−６に蓄積された信号電荷が移送ゲート８によ、９
ＣＯＤレジスタ９に移送され、浮遊拡散領域５の電荷が
クリアされた後からの動作を考える。入射光によシ感光
画素７−１．・・・、７−６にはその強度分布に応じて
信号電荷が蓄積されるがフォトダイオード２も光電流を
発生する。このフォトダイオード２は感光画素７−１．
・・・、７−６に隣接して設けられているので、この光
電流は入射光の平均値に応じたものとなる。したがって
浮遊拡散領域５の電位の下降分は、 （感光画素７−１．・・・、７−６への入射光の平均の
光強度）×（経過時間） に比例する。したがってこの下降分をソースフォロワ回
路１１で検出することによシ、各感光画素７−１．・・
・、７−６に蓄積された信°号電荷の平均値がわかる。
動作信号発生部１２でソースフォロワ回路１１の出力′
電圧を検出し、所定レベルに達したときに動作信号を発
生するようにすれば、ＣＣＤレジスタ９に移送される信
号電荷は絶対的な光強度によらず平均値が一定となり、
自動利得制御なされる。このときリセット電極４によシ
浮遊拡散領域５に蓄積された電荷をクリアして次の動作
に備える。
電圧を検出し、所定レベルに達したときに動作信号を発
生するようにすれば、ＣＣＤレジスタ９に移送される信
号電荷は絶対的な光強度によらず平均値が一定となり、
自動利得制御なされる。このときリセット電極４によシ
浮遊拡散領域５に蓄積された電荷をクリアして次の動作
に備える。
このようにして信号出力を自動利得制御することが可能
であるが、リセット電極４によシ浮遊拡散領域５の電荷
をクリアしてリセットするときにリセットノイズが発生
するため、浮遊拡散領域５に蓄積された光電流による電
荷量のみの信号をとシ出すことが困難で今るという問題
がある。ソースフォロワ回路１１の出力電圧を第３図に
示す。
であるが、リセット電極４によシ浮遊拡散領域５の電荷
をクリアしてリセットするときにリセットノイズが発生
するため、浮遊拡散領域５に蓄積された光電流による電
荷量のみの信号をとシ出すことが困難で今るという問題
がある。ソースフォロワ回路１１の出力電圧を第３図に
示す。
この出力波形かられかるように浮遊拡散領域５リセット
期間（Ｉ）と充電流蓄積期間α０とを繰シ返すようにし
てその電位を変化させるが、リセット期間（Ｉ）終了の
瞬間、すなわち充電流蓄積期間（６）の開始時に、リセ
ットノイズが発生するため、このリセットノイズ分ＲＮ
を考慮して零レベルを設定しないと、正しい出力電圧Ｓ
が得られない。したがって正しい出力電圧Ｓを得るため
にはリセットノイズ分ＲＮを考慮した零レベルを厳密に
定める必吸がある。このためには■非常に短い時間でサ
ンプルして充電流蓄積期間（６）の開始の瞬間にサンプ
ルするようにする方法、■リセット期間（Ｉ）の間もサ
ンプルしリセットノイズ分ＲＮを補正するようにする方
法、などが考えられる。
期間（Ｉ）と充電流蓄積期間α０とを繰シ返すようにし
てその電位を変化させるが、リセット期間（Ｉ）終了の
瞬間、すなわち充電流蓄積期間（６）の開始時に、リセ
ットノイズが発生するため、このリセットノイズ分ＲＮ
を考慮して零レベルを設定しないと、正しい出力電圧Ｓ
が得られない。したがって正しい出力電圧Ｓを得るため
にはリセットノイズ分ＲＮを考慮した零レベルを厳密に
定める必吸がある。このためには■非常に短い時間でサ
ンプルして充電流蓄積期間（６）の開始の瞬間にサンプ
ルするようにする方法、■リセット期間（Ｉ）の間もサ
ンプルしリセットノイズ分ＲＮを補正するようにする方
法、などが考えられる。
しかじ■の方法では、このように短い時間でサンプルす
るためにはきわめて高速の装置を必侠とするという問題
がある。また、■の方法では、このリセットノイズ分Ｒ
Ｎが、リセット電極４と浮遊拡散領域５の間の結合容量
やソースフォロワ回路１１の増幅率等に依存するため補
正値を予め定めることが困難であるという問題がある。
るためにはきわめて高速の装置を必侠とするという問題
がある。また、■の方法では、このリセットノイズ分Ｒ
Ｎが、リセット電極４と浮遊拡散領域５の間の結合容量
やソースフォロワ回路１１の増幅率等に依存するため補
正値を予め定めることが困難であるという問題がある。
本発明は上ｄ己事情を考慮してなされたもので、リセッ
トノイズ分を考慮した出力電圧の正しい零レベルを簡単
に検出して、正しい自動利得制御がおこなえる固体撮像
装置を提供することを目的とする。
トノイズ分を考慮した出力電圧の正しい零レベルを簡単
に検出して、正しい自動利得制御がおこなえる固体撮像
装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するために本発明による固体撮像装置は
、本来の電１荷蓄積部とほぼ同一形状の補償用電荷蓄積
部と、この補償用電荷蓄積部で蓄積された電荷量を検出
する補償用電荷量検出部を別に設け、この補償用電荷量
検出部の出力電圧を基準電圧とすることを特徴とする。
、本来の電１荷蓄積部とほぼ同一形状の補償用電荷蓄積
部と、この補償用電荷蓄積部で蓄積された電荷量を検出
する補償用電荷量検出部を別に設け、この補償用電荷量
検出部の出力電圧を基準電圧とすることを特徴とする。
また本発明による固体撮像装置は、本来の感光部の少な
くとも一部分とほぼ同一形状であって光遮蔽膜を有する
補償用擬感光部を更に別に設けることを特徴とする。
くとも一部分とほぼ同一形状であって光遮蔽膜を有する
補償用擬感光部を更に別に設けることを特徴とする。
本発明の一実施例による固体撮像装置を第５図、第６図
に示す。すでに提案されている固体撮像装置と同様に、
半導体基板１上に、フォトダイオード２、ゲート電極３
、リセット電極４、浮遊拡散領域５、ドレイン領域６、
感光画素７−１．・・・。
に示す。すでに提案されている固体撮像装置と同様に、
半導体基板１上に、フォトダイオード２、ゲート電極３
、リセット電極４、浮遊拡散領域５、ドレイン領域６、
感光画素７−１．・・・。
７−６、移送ゲート８、ＣＣＤレジスタ９、出力部１０
、ソースフォロワ回路１１が形成されている。
、ソースフォロワ回路１１が形成されている。
本実施例による固体撮像装置はさらに補償用フォトダイ
オード四、補償用ゲート電極羽、補償用リセット笥、極
別、補償用浮遊拡散領域５、補償用ドレイン領域部、補
償用ソースフォロワ回路２１１を備えている。これらは
それぞれフォトダイオード２、ゲート電極３、リセット
電極４、浮遊拡散領域５、ドレイン領域６、ソースフォ
ロワ回路１１とそれぞれ同一寸法に形成されていること
に特徴がある。しかし、第６図に示すようにフォトダイ
オード２の場合とは異なり、補償用フォトダイオードｎ
は全面が光遮蔽膜１５でおおわれ外部からの光により光
電流が発生することはないととに注意されたい。動作信
号発生部υは、本来のソースフォロワ回路１１と補償用
ソースフォロワ回路２１１の２つの出力電圧を入力し、
これら出力電圧に従って動作信号をす七ツ）１極４、補
償用リセット電極必、移送ゲート８に出力する。
オード四、補償用ゲート電極羽、補償用リセット笥、極
別、補償用浮遊拡散領域５、補償用ドレイン領域部、補
償用ソースフォロワ回路２１１を備えている。これらは
それぞれフォトダイオード２、ゲート電極３、リセット
電極４、浮遊拡散領域５、ドレイン領域６、ソースフォ
ロワ回路１１とそれぞれ同一寸法に形成されていること
に特徴がある。しかし、第６図に示すようにフォトダイ
オード２の場合とは異なり、補償用フォトダイオードｎ
は全面が光遮蔽膜１５でおおわれ外部からの光により光
電流が発生することはないととに注意されたい。動作信
号発生部υは、本来のソースフォロワ回路１１と補償用
ソースフォロワ回路２１１の２つの出力電圧を入力し、
これら出力電圧に従って動作信号をす七ツ）１極４、補
償用リセット電極必、移送ゲート８に出力する。
次にこの固体撮像装置の動作を説明する。自動利得制御
についてはすでに提案されている固体撮像装置と同様で
ある。すなわち、フォトダイオード２に発生した光電流
によシ浮遊拡散領域５に蓄積された電荷は感光画素７−
１．・・・、７−６の信号電荷の平均値をあられすので
、この浮遊拡散領域５の電位をωｔみ出すソースフォロ
ワ回路１１の出力を検出することにより、絶対的な光強
度によらず自動利得制御ができる。本実施例では動作信
号発生部２７における動作信号を発生させるために補償
用ソースフォロワ回路２１１の出力電圧を零レベルとし
てソースフォロワ回路１１の出力電圧を検出する点が異
なる。補償用フォトダイオードｎは光遮蔽膜１５により
リセット後も光電流を発生することがなく、かつ補償用
フォトダイオードｎ等の補償用素子は、フォトダイオー
ド等の素子と同一形状であるためほぼ同一のリセットノ
イズ分を発生すると考えられる。すなわち、第７図に示
すようにソースフォロワ回路１１の出力電圧は破線の如
くなシ、補償用ソースフ１フフ回路２１１の出力電圧は
実線の如くなる。これは同一の半導体基板上に形成され
る限シ、同一形状の素子の特性のバラツキは極めて少な
く押えることができるからである。
についてはすでに提案されている固体撮像装置と同様で
ある。すなわち、フォトダイオード２に発生した光電流
によシ浮遊拡散領域５に蓄積された電荷は感光画素７−
１．・・・、７−６の信号電荷の平均値をあられすので
、この浮遊拡散領域５の電位をωｔみ出すソースフォロ
ワ回路１１の出力を検出することにより、絶対的な光強
度によらず自動利得制御ができる。本実施例では動作信
号発生部２７における動作信号を発生させるために補償
用ソースフォロワ回路２１１の出力電圧を零レベルとし
てソースフォロワ回路１１の出力電圧を検出する点が異
なる。補償用フォトダイオードｎは光遮蔽膜１５により
リセット後も光電流を発生することがなく、かつ補償用
フォトダイオードｎ等の補償用素子は、フォトダイオー
ド等の素子と同一形状であるためほぼ同一のリセットノ
イズ分を発生すると考えられる。すなわち、第７図に示
すようにソースフォロワ回路１１の出力電圧は破線の如
くなシ、補償用ソースフ１フフ回路２１１の出力電圧は
実線の如くなる。これは同一の半導体基板上に形成され
る限シ、同一形状の素子の特性のバラツキは極めて少な
く押えることができるからである。
したがって光が入射することがない補償用フォトダイオ
ードηに隣接する補償用浮遊拡散領域δの電位を零レベ
ルとすることができる。
ードηに隣接する補償用浮遊拡散領域δの電位を零レベ
ルとすることができる。
この実施例においては補償用フォトダイオードｎはフォ
トダイオード２とはは同一寸法で形成したが、これはこ
れらフォトダイオード２，２２の暗電流成分を補償する
ためである。暗電流成分が無視できるほど小さいならば
、補償用フォトダイオードηを設けなくともよい。また
はフォトダイオード２の全部でなく一部分だけをほぼ同
一寸法にして、補償用フォトダイオードを形成すること
としてもよい。この場合構成がよシ簡単になる。
トダイオード２とはは同一寸法で形成したが、これはこ
れらフォトダイオード２，２２の暗電流成分を補償する
ためである。暗電流成分が無視できるほど小さいならば
、補償用フォトダイオードηを設けなくともよい。また
はフォトダイオード２の全部でなく一部分だけをほぼ同
一寸法にして、補償用フォトダイオードを形成すること
としてもよい。この場合構成がよシ簡単になる。
またソースフォロワ回路１１と補償用ソースフォロワ回
路２１１は必ずしも同一形状でなくともよく、要は補償
用ソースフォロワ回路２１１とソースフォロワ回路１１
の増幅特性がほぼ同一であればよい。
路２１１は必ずしも同一形状でなくともよく、要は補償
用ソースフォロワ回路２１１とソースフォロワ回路１１
の増幅特性がほぼ同一であればよい。
以上の通シ、本発明によればリセットノイズ分を考慮し
た正しい零レベルを、わずがな補償用素子を形成するだ
けで極めて簡単に検出することができる。さらに本発明
によれば感光部特有の暗電流成分をも補償することがで
きる。
た正しい零レベルを、わずがな補償用素子を形成するだ
けで極めて簡単に検出することができる。さらに本発明
によれば感光部特有の暗電流成分をも補償することがで
きる。
第１図はすでに提案されている固体撮像装置の平面図、
第２図は同固体撮像装置のＡ−Ａ’断面図、第３図は第
２図の断面に沿ったポテンシャルの状態を示す図、第４
図は同固体撮像装置の動作を示すタイムチャート、 第５図は本発明の一実施例による固体撮像装置の平面図
、第６図は同固体撮像装置のＢ−Ｂ’断面図、第７図は
同固体撮像装置の動作を示すタイムチャートである。 １・・・半導体基板、２・・・フォトダイオード、３・
・・ゲート電極、４・・・リセット電極、５・・・浮遊
拡散領域、６・・・ドレイン領域、７−１．・・・、７
−６・・・感光画素、８・・・移送ゲート、９・・・Ｃ
ＣＤレジスタ、１゜・°°出力電圧、１１・・・ソース
フォロワ回路、１２・・・動作信号発生部、１３・・・
チャネルストラプス、１４・・・絶縁膜、１５・・・光
遮蔽膜、１６・・・保護膜、２２・・・補償用フォトダ
イオード、２３川補償用ゲート電極、潤・・・補償用リ
セット電極、５・・・補償用浮遊拡散領域、２６・・・
補償用ドレイン領域、ｎ・・・動作信号発生部、２１１
・・・補償用ソースフォロワ回路。 出願人代理人 猪 股 清手続補正書（方
式） 昭和閏年９月２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和閏年４’！ｒ’ ｔｉ’ｌ’願第９６０３２号２、
発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係勃許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社
第２図は同固体撮像装置のＡ−Ａ’断面図、第３図は第
２図の断面に沿ったポテンシャルの状態を示す図、第４
図は同固体撮像装置の動作を示すタイムチャート、 第５図は本発明の一実施例による固体撮像装置の平面図
、第６図は同固体撮像装置のＢ−Ｂ’断面図、第７図は
同固体撮像装置の動作を示すタイムチャートである。 １・・・半導体基板、２・・・フォトダイオード、３・
・・ゲート電極、４・・・リセット電極、５・・・浮遊
拡散領域、６・・・ドレイン領域、７−１．・・・、７
−６・・・感光画素、８・・・移送ゲート、９・・・Ｃ
ＣＤレジスタ、１゜・°°出力電圧、１１・・・ソース
フォロワ回路、１２・・・動作信号発生部、１３・・・
チャネルストラプス、１４・・・絶縁膜、１５・・・光
遮蔽膜、１６・・・保護膜、２２・・・補償用フォトダ
イオード、２３川補償用ゲート電極、潤・・・補償用リ
セット電極、５・・・補償用浮遊拡散領域、２６・・・
補償用ドレイン領域、ｎ・・・動作信号発生部、２１１
・・・補償用ソースフォロワ回路。 出願人代理人 猪 股 清手続補正書（方
式） 昭和閏年９月２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和閏年４’！ｒ’ ｔｉ’ｌ’願第９６０３２号２、
発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係勃許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に互いに分離配置され、入射光の強度
分布に応じた信号電荷を発生する複数の感光画素と、こ
れら感光画素に並列に配置され、前記感光画素で発生し
た信号電荷を格納して順次転送するＣＣＤレジスタと、
前記感光画素で発生した信号電荷を、前記感光画素から
前記ＣＣＤレジスタに移送する移送ゲートと、前記感光
画素に並列に配置され、前記入射光の平均強度に応じた
電荷を発生する感光部と、この感光部で発生した電荷を
蓄積する電荷蓄積部と、この電荷蓄積部で蓄積された電
荷量を検出する電荷量検出部と、この電荷量検出部の出
力電圧が所定値を超えたときに動作信号を発生する動作
信号発生部とを備え、この動作信号により前記移送ゲー
トを動作させて前記信号電荷を前記感光画素から前記Ｃ
ＣＤレジスタに移送するとともに、前記電荷蓄積部に蓄
積された電荷をクリアすることにより、前記ＣＣＤレジ
スタに移送された前記信号電荷の平均電荷量を常に一定
に保持する固体撮像装置において、 前記電荷蓄積部とほぼ同一形状で形成された補償用電荷
蓄積部と、前記電荷量検出部とほぼ同一特性であって、
この補償用電荷蓄積部で蓄積された電荷量を検出する補
償用電荷量検出部とを備え、前記動作信号発生部は、こ
の補償用電荷量検出部の出力電圧を基準電圧として前記
電荷量検出部の出力電圧が前記所定値を超えたときに動
作信号を発生することを特徴とする固体撮像装置。 ２、半導体基板上に互いに分離配置され、入射光の強度
分布に応じた信号電荷を発生する複数の感光画素と、こ
れら感光画素に並列に配置され、前記感光画素で発生し
た信号電荷を格納して順次転送するＣＣＤレジスタと、
前記感光画素で発生した信号電荷を、前記感光画素から
前記ＣＯＤレジスタに移送する移送ゲートと、前記感光
画素に並列に配置され、前記入射光の平均強度に応じた
電荷を発生する感光部と、この感光部で発生した電荷を
蓄積する電荷蓄積部と、この電荷蓄積部で蓄積された電
荷量を検出する電荷量検出部と、この電荷量検出部の出
力電圧が所定値を超えたときに動作信号を発生する動作
信号発生部とを備え、この動作信号によシ前記移送ゲー
トを動作させて前記信号電荷を前記感光画素から前記Ｃ
ＯＤレジスタに移送するとともに、前記電荷蓄積部に蓄
積された電荷をクリアすることにより、前記ＣＯＤレジ
スタに移送された前記信号電荷の平均電荷量を常に一定
に保持する固体撮像装置において、 前記感光部の少なくとも一部分とｔ丘ホ同−形状であっ
て、前記入射光を遮蔽する光遮蔽膜を梅する補償用擬感
光部と、前記電荷蓄積部とほぼ同一形状であって、この
補償用擬感光部で発生した電荷を蓄積する補償用電荷蓄
積部と前記電荷量検出部とほぼ同一特性であって、この
補償用電荷蓄積部で蓄積された電荷量を検出する補償用
電荷蓄積部とを備え、前記動作信号発生部は、この補償
用電荷量検出部の出力電圧を基準電圧として前記電荷量
検出部の出力電圧が前記所定値を超えたときに動作信号
を発生することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096032A JPS59221178A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096032A JPS59221178A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59221178A true JPS59221178A (ja) | 1984-12-12 |
| JPH0437629B2 JPH0437629B2 (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=14154080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096032A Granted JPS59221178A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59221178A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56154880A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-30 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor |
| JPS59131177A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 送電線故障位置検出装置 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096032A patent/JPS59221178A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56154880A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-30 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor |
| JPS59131177A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 送電線故障位置検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0437629B2 (ja) | 1992-06-19 |
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