JPS59219929A - Ｓｉｃ単結晶積層体及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｉｃ単結晶積層体及びその製造方法Info
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- JPS59219929A JPS59219929A JP58096494A JP9649483A JPS59219929A JP S59219929 A JPS59219929 A JP S59219929A JP 58096494 A JP58096494 A JP 58096494A JP 9649483 A JP9649483 A JP 9649483A JP S59219929 A JPS59219929 A JP S59219929A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明はＳｉＣ単結晶積層体及びその製造方法に関する
。
。
（ロ）従来技術
現在ＳｉＣ単結晶は耐環境性素子材料として研究が進め
られ工いる。またＳｉＣは間接遷移型のＩＶ−１Ｈ化合
物であり、種々の結晶構造が存在しその禁止帯幅は２．
３９ｅＶ〜３．３３ｅＶまで多岐にわたると共にＰ−ｎ
接合形成が可能なことから赤色から青色まで全ての可視
光を発光可能な発光ダイオード材料として有望視されて
いる。
られ工いる。またＳｉＣは間接遷移型のＩＶ−１Ｈ化合
物であり、種々の結晶構造が存在しその禁止帯幅は２．
３９ｅＶ〜３．３３ｅＶまで多岐にわたると共にＰ−ｎ
接合形成が可能なことから赤色から青色まで全ての可視
光を発光可能な発光ダイオード材料として有望視されて
いる。
上述した如＜ＳｉＣは種々の結晶構造を有しており、そ
の構造を大別するとβ型とβ型とに分けられる。なかで
もβ型の６Ｈ（ヘキサゴナール）タイプ及びβ型の３Ｃ
（キュービック）タイプは再現性良く成長させることが
できる。
の構造を大別するとβ型とβ型とに分けられる。なかで
もβ型の６Ｈ（ヘキサゴナール）タイプ及びβ型の３Ｃ
（キュービック）タイプは再現性良く成長させることが
できる。
また６Ｈ−８ｉＣ及び３Ｃ−８ｉＣは夫々３．ＯｅＶ及
び２．２ｅＶ程度のバンドギャップを有しており、従っ
て６Ｈ−８ｉＣは青色発光素子材料として、また３Ｃ−
８ｉＣは赤色発光素子材料として有用である。具体的に
は例えば不純物としてＡＮ＜アルミニウム）及びＮ（窒
素）を夫々の結晶中にドープすることにより、６Ｈ−８
ｉＣのエネルギーキャップは約２．６８ｅＶとなり、ま
た３Ｃ−５ｉＣのバンドギャップは約１．８８ｅＶとな
り、夫々波長４８０ｎｍ及び６８０ｎｍの発光が可能と
なる。
び２．２ｅＶ程度のバンドギャップを有しており、従っ
て６Ｈ−８ｉＣは青色発光素子材料として、また３Ｃ−
８ｉＣは赤色発光素子材料として有用である。具体的に
は例えば不純物としてＡＮ＜アルミニウム）及びＮ（窒
素）を夫々の結晶中にドープすることにより、６Ｈ−８
ｉＣのエネルギーキャップは約２．６８ｅＶとなり、ま
た３Ｃ−５ｉＣのバンドギャップは約１．８８ｅＶとな
り、夫々波長４８０ｎｍ及び６８０ｎｍの発光が可能と
なる。
従ッテ６ ＨＳ ｊ Ｃ単結晶と３Ｃ−３ｉＣ単結晶と
を積層形成することによりマルチカラーＬＥＤが得られ
る可能性もある。
を積層形成することによりマルチカラーＬＥＤが得られ
る可能性もある。
然るに、未た斯るＳｉＣマルチＬＥＤが開発されていな
い背景としては、結晶構造の異なる６Ｈ−３ｉＣ単結晶
と３Ｃ−３ｉＣ単結晶とを積層する技術が開発されてい
ないことにある。即ち、従来既に提案されている６Ｈ−
５ｉＣ単結晶上への３Ｃ−８ｉＣ単結晶の積層方法では
、成長した３ｃｍＳｉＣ単結晶の表面平坦性等の結晶性
が悪く発光層として用いることが不可能であった。
い背景としては、結晶構造の異なる６Ｈ−３ｉＣ単結晶
と３Ｃ−３ｉＣ単結晶とを積層する技術が開発されてい
ないことにある。即ち、従来既に提案されている６Ｈ−
５ｉＣ単結晶上への３Ｃ−８ｉＣ単結晶の積層方法では
、成長した３ｃｍＳｉＣ単結晶の表面平坦性等の結晶性
が悪く発光層として用いることが不可能であった。
（ハ） 発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、６Ｈ−８ｉＣ
単結晶上に３Ｃ−３ｉＣ単結晶を積層するに際して、上
記３Ｃ−５ｉＣ単結晶の結晶性が発光素子に適用し得る
程度に良好となるＳｉＣ単結晶の積層構造及びその製造
方法を提供せんとするものである。
単結晶上に３Ｃ−３ｉＣ単結晶を積層するに際して、上
記３Ｃ−５ｉＣ単結晶の結晶性が発光素子に適用し得る
程度に良好となるＳｉＣ単結晶の積層構造及びその製造
方法を提供せんとするものである。
（ニ）発明の構成
本発明者の実験に依れば、気相成長によりＳｉＣ単結晶
を基板上に成長させる際、その成長層の結晶構造は基板
温度に依存していることが確認きれた。
を基板上に成長させる際、その成長層の結晶構造は基板
温度に依存していることが確認きれた。
即ち、基板温度が１３５０℃以下では３Ｃ−３ｉＣ多結
晶が、１３５０℃〜１５５０℃では３Ｃ−８ｉＣ単結晶
が、１５５０℃〜１６５０℃では３Ｃ−８ｉＣ結晶に６
Ｈ−３ｉＣ結晶が混入した層が、また１６５０℃以上で
は６Ｈ−８ｉＣ単結晶が夫々成長する。
晶が、１３５０℃〜１５５０℃では３Ｃ−８ｉＣ単結晶
が、１５５０℃〜１６５０℃では３Ｃ−８ｉＣ結晶に６
Ｈ−３ｉＣ結晶が混入した層が、また１６５０℃以上で
は６Ｈ−８ｉＣ単結晶が夫々成長する。
更に本発明者の他の実験によれは、６Ｈ−３ｉＣ単結晶
と３Ｃ−８ｉＣ単結晶との間に炭化層を介挿させること
により３Ｃ−３ｉＣ’！結晶の結晶性が向上し、発光層
として用いることが可能であることが確認されている。
と３Ｃ−８ｉＣ単結晶との間に炭化層を介挿させること
により３Ｃ−３ｉＣ’！結晶の結晶性が向上し、発光層
として用いることが可能であることが確認されている。
本発明は斯る知見に基づいてなされたもので、その特徴
は６Ｈ−８ｉＣ単結晶、該Ｒ結晶表面に形成きれた炭化
層、該炭化層上に積層された３Ｃ−５ｉＣ単結晶からな
ることにある。
は６Ｈ−８ｉＣ単結晶、該Ｒ結晶表面に形成きれた炭化
層、該炭化層上に積層された３Ｃ−５ｉＣ単結晶からな
ることにある。
また、静岡大学電子工学研究所研究報告第２巻第５１頁
乃至第５６頁（１９６７年）にはＳｉＣ単結晶をアルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で一定時間高
温保持すると斯る単結晶表面に黒色層が生じるという報
告がなされ、また本発明者が斯る黒色層をＸ線回折等で
調べた結果、斯る黒色層はグラファイトからなる炭化層
であることが判明した。これはＳｉＣ単結晶表面のＳｉ
原子のみが昇華するためであり、具体的には斯る炭化層
はＳｉ□−ＸＣ（０＜Ｘ＜１＞という組成となる。
乃至第５６頁（１９６７年）にはＳｉＣ単結晶をアルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で一定時間高
温保持すると斯る単結晶表面に黒色層が生じるという報
告がなされ、また本発明者が斯る黒色層をＸ線回折等で
調べた結果、斯る黒色層はグラファイトからなる炭化層
であることが判明した。これはＳｉＣ単結晶表面のＳｉ
原子のみが昇華するためであり、具体的には斯る炭化層
はＳｉ□−ＸＣ（０＜Ｘ＜１＞という組成となる。
本発明の他の特徴は、斯る知見に基づいてなされたもの
で、６Ｈ−８ｉＣ単結晶を準備する工程、上記６Ｈ−５
ｉＣ単結晶を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で高温
で保持し、上記６１（−３ｉＣ単結晶表面よりＳｌを昇
華きせ炭化層を形成する工程、上記炭化層上にシリコン
系化合物ガスと炭素系化合物ガスもしくはシリコン−炭
素化合物ガスを用いて３Ｃ−３ｉＣｉ結晶を気相成長さ
せる工程からなることにある。
で、６Ｈ−８ｉＣ単結晶を準備する工程、上記６Ｈ−５
ｉＣ単結晶を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で高温
で保持し、上記６１（−３ｉＣ単結晶表面よりＳｌを昇
華きせ炭化層を形成する工程、上記炭化層上にシリコン
系化合物ガスと炭素系化合物ガスもしくはシリコン−炭
素化合物ガスを用いて３Ｃ−３ｉＣｉ結晶を気相成長さ
せる工程からなることにある。
くホ） 実施例
第１図は本発明の実施例に用いる基板水平載置型の水冷
式石英製縦型気相成長装置を示し、く１）は石英製の反
応室であり、該反応室を形成する石芙器自身は水により
冷却されている。（２）は該反応室の上部端に設けられ
たガス流入管であり、該ガス流入管は更に第１〜第３流
入管〈３）〜（５）に分岐している。（６）は反応室（
１）の底部端に設けられたガス流出管である。
式石英製縦型気相成長装置を示し、く１）は石英製の反
応室であり、該反応室を形成する石芙器自身は水により
冷却されている。（２）は該反応室の上部端に設けられ
たガス流入管であり、該ガス流入管は更に第１〜第３流
入管〈３）〜（５）に分岐している。（６）は反応室（
１）の底部端に設けられたガス流出管である。
斯る装置では、反応室（１）内をヒータ（−９）により
加熱し一定の温度に保持すると共にガス流入管（２）よ
り反応ガスを注入することにより、反応室（１）内の基
板載置台（７）上に戟１ｆきれた基板（８）表面上にＤ
［望のエピタキシャル層を成長できる。
加熱し一定の温度に保持すると共にガス流入管（２）よ
り反応ガスを注入することにより、反応室（１）内の基
板載置台（７）上に戟１ｆきれた基板（８）表面上にＤ
［望のエピタキシャル層を成長できる。
第２図は本発明の一実施例ＳｉＣ単結晶積層体を示し、
（１１）は６Ｈ−８ｉＣ単結晶からなる基板、 （１２
）は該基板（１１）上に積層された６Ｈ−３ｉＣ単結晶
層、（１３）は該単結晶層（１２）表面に形成された炭
化層、（１４）は該炭化層（１３）上に積層された３−
Ｃ−３ｉＣ単結晶層である。
（１１）は６Ｈ−８ｉＣ単結晶からなる基板、 （１２
）は該基板（１１）上に積層された６Ｈ−３ｉＣ単結晶
層、（１３）は該単結晶層（１２）表面に形成された炭
化層、（１４）は該炭化層（１３）上に積層された３−
Ｃ−３ｉＣ単結晶層である。
次に斯る第２図に示した積層体の第１図装置を用いての
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
第３図は斯る製造方法の温度プログラムを示す。以下斯
る温度プログラムを各ステップ１〜■毎に逐次説明する
。尚、このとき上記成長装置の第１〜第３流入管（３）
〜（５〉からは夫々反応ガスとしてのＣ３ＨＲガス、Ｓ
ｉＨ４ガス及びキャリアガスとしてのＨ２ガスが必要に
応じて流入される。
る温度プログラムを各ステップ１〜■毎に逐次説明する
。尚、このとき上記成長装置の第１〜第３流入管（３）
〜（５〉からは夫々反応ガスとしてのＣ３ＨＲガス、Ｓ
ｉＨ４ガス及びキャリアガスとしてのＨ２ガスが必要に
応じて流入される。
また基板載置台（７〉上には６Ｈ−３ｉＣ基板（１１）
が載置される。
が載置される。
（１）ステップＩ
斯るステップでは、５〜１ｏ分間基板（１１）の温度を
１８５０℃に保持すると共に第３流入管（５）よりＨ２
ガスを毎分３ρ注入する。これは基板（１１）表面の汚
染物質の除去を目的とする気相エンチングである。
１８５０℃に保持すると共に第３流入管（５）よりＨ２
ガスを毎分３ρ注入する。これは基板（１１）表面の汚
染物質の除去を目的とする気相エンチングである。
（１１）ステップ■
斯るステップでは基板（１１）上に６Ｈ−５ｉＣ単結晶
層（１２）を形成する。具体的には基板（１１）を１８
００℃に保持し、第１〜第３流入管（３）〜（５）より
反応室（１）にＣ３ＨＢカス、 ＳｉＨ４カス、 Ｈ２
ｉスを夫々送り込む。斯るカスの流入量は夫々ｏ、４７
ｖｎＱ／ ｍｉｎ 、 １．０ｍＱ／ ｍｉｎ 、 ３
ρ／ｍｉｎである。
層（１２）を形成する。具体的には基板（１１）を１８
００℃に保持し、第１〜第３流入管（３）〜（５）より
反応室（１）にＣ３ＨＢカス、 ＳｉＨ４カス、 Ｈ２
ｉスを夫々送り込む。斯るカスの流入量は夫々ｏ、４７
ｖｎＱ／ ｍｉｎ 、 １．０ｍＱ／ ｍｉｎ 、 ３
ρ／ｍｉｎである。
このような条件を約１時間保持することにより約５〜６
μｍの層厚を有する６Ｈ−８ｉＣ単結晶層（１２）が基
板（１１）表面に成長した。
μｍの層厚を有する６Ｈ−８ｉＣ単結晶層（１２）が基
板（１１）表面に成長した。
（ｉｉ）ステップ■
斯るステップでは、６Ｈ−８ｉＣ単結晶層（１２）表面
に炭化層（１３〉を形成する。
に炭化層（１３〉を形成する。
具体的にはガス流入管（２）よりＡｒガスのみを反応室
（１）に送り込むと共に基板温度を１８００”Ｃとして
約３０分間保持する。
（１）に送り込むと共に基板温度を１８００”Ｃとして
約３０分間保持する。
この結果既述した如＜６Ｈ−３ｉＣ単結晶層（１２）の
表面よりＳｉ原子が昇華し、層厚約１０００人の炭化層
（１３）ができる。
表面よりＳｉ原子が昇華し、層厚約１０００人の炭化層
（１３）ができる。
（１ｖ）ステップ■
斯るステップでは炭化層（１３）上に３Ｃ−３ｉＣ単結
晶層（１４）を形成する。
晶層（１４）を形成する。
具体的には、基板温度を１４５０°Ｃに保持すると共に
第１〜第３流入管（３）〜（５）より夫々Ｃ５Ｈｇガス
、ＳｉＨ４ガス、 Ｈ２ガスを０．４７＋ｎｌ／ ｍｉ
ｎ 、 １．０ｍＱ／ ｍｉｎ 、 ３ ｊ２／ ｍｉ
ｎの割合で反応室（１）内に送り込み約２時間保持する
。この結果、炭化層（１３）上に層厚約１３μｍの３Ｃ
−８ｉＣ単結晶層（１４）が成長した。
第１〜第３流入管（３）〜（５）より夫々Ｃ５Ｈｇガス
、ＳｉＨ４ガス、 Ｈ２ガスを０．４７＋ｎｌ／ ｍｉ
ｎ 、 １．０ｍＱ／ ｍｉｎ 、 ３ ｊ２／ ｍｉ
ｎの割合で反応室（１）内に送り込み約２時間保持する
。この結果、炭化層（１３）上に層厚約１３μｍの３Ｃ
−８ｉＣ単結晶層（１４）が成長した。
尚、上記ステップ■及び■で生じる化学反応はＣ３Ｈ８
＋ ３ Ｓ ｉＨ４→３ＳｉＣ＋１０Ｈ２というもので
ある。
＋ ３ Ｓ ｉＨ４→３ＳｉＣ＋１０Ｈ２というもので
ある。
またステップ■の３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４）の成長
における初期にはＳｉ原子の一部が上記灰化Ｊｌ！１（
１３）中のＣ原子と結びつくため斯る炭化層り１３ノの
組成がＳ １１−ｙ Ｃ（Ｙ ＞ Ｘ ）となりよりＳ
ｉＣ化されることが確認されている。
における初期にはＳｉ原子の一部が上記灰化Ｊｌ！１（
１３）中のＣ原子と結びつくため斯る炭化層り１３ノの
組成がＳ １１−ｙ Ｃ（Ｙ ＞ Ｘ ）となりよりＳ
ｉＣ化されることが確認されている。
第４図Ａは上記方法により得られた３Ｃ−３’ｉＣ単結
晶層（１４）の表面状態を示す顕微鏡写真であり、第４
図Ｂは上記方法においてステップ■を除いて成長した積
層体つまり炭化層（１３）を有さず６Ｈ−８ｉＣ単結晶
層（１２）上に直接３Ｃ−３ｉＣ単結晶層（１４）を成
長された際の断る３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４）の表面
状態を示す顕微鏡写真である。
晶層（１４）の表面状態を示す顕微鏡写真であり、第４
図Ｂは上記方法においてステップ■を除いて成長した積
層体つまり炭化層（１３）を有さず６Ｈ−８ｉＣ単結晶
層（１２）上に直接３Ｃ−３ｉＣ単結晶層（１４）を成
長された際の断る３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４）の表面
状態を示す顕微鏡写真である。
第４図Ａ、Ｂより明らかな如く本実施例により得られた
３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４〉の表面状態が平坦となる
。また斯る平坦性によりその結晶性も良好となっている
ことが推察でき、かつ電子線回折、Ｘ線回折、エッチビ
ットの形状等の総合的評価より本実施例により得られた
３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４）の結晶性が数段優ってい
るという結果を得た。
３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４〉の表面状態が平坦となる
。また斯る平坦性によりその結晶性も良好となっている
ことが推察でき、かつ電子線回折、Ｘ線回折、エッチビ
ットの形状等の総合的評価より本実施例により得られた
３Ｃ−８ｉＣ単結晶層（１４）の結晶性が数段優ってい
るという結果を得た。
これは、格子定数等の結晶構造が異なる６Ｈ−３ｉＣ？
ｔｌ結晶層（１２）と３Ｃ−３ｉＣ＃ｉ結晶層（１４）
との間に位置する炭化層（１３）が格子定数等の差を吸
収するバッファ層の役目をしているからだと推察きれる
。
ｔｌ結晶層（１２）と３Ｃ−３ｉＣ＃ｉ結晶層（１４）
との間に位置する炭化層（１３）が格子定数等の差を吸
収するバッファ層の役目をしているからだと推察きれる
。
尚、本発明者の実験によれば上記炭化層（１３）の層厚
は２００人〜１０００人が好ましいことが判明している
。即ち２００Å以下では斯る炭化層（１３）がない場合
と全く同じ結果となり、１０００Å以上では成長した３
Ｃ−３ｉＣ層は表面平坦性がくずれ、結晶性が悪くなっ
た。
は２００人〜１０００人が好ましいことが判明している
。即ち２００Å以下では斯る炭化層（１３）がない場合
と全く同じ結果となり、１０００Å以上では成長した３
Ｃ−３ｉＣ層は表面平坦性がくずれ、結晶性が悪くなっ
た。
また、本実施例では反応ガスとしてＣ１Ｈ８及びＳｉＨ
４ガスを用いたが、Ｃ３ＨＲガスに換えてＣＨ４，Ｃ２
Ｈ１ｌ 、 Ｃ４Ｈ，１０，Ｃ５Ｈ１２、Ｃ２Ｈ４等の
ガスを、またＳｉＨガスに換えてＳ ＩＨ３Ｃ１＋ Ｓ
ｒＨ，Ｃｊ２２．．５ｉＨＣｊ２３，５ｉＣｊ２４等
のガスを用いることも可能である。更に反応ガスとして
ＣＨ３Ｓ Ｉ ＨＢｒ ＣＨ３Ｓ Ｉ ＨＣｊ２＋＋
＋ ＣＨ３Ｓ Ｉ Ｈ２Ｃρ等のようなシリコン−炭素
化合物ガスを用いることが可能である。
４ガスを用いたが、Ｃ３ＨＲガスに換えてＣＨ４，Ｃ２
Ｈ１ｌ 、 Ｃ４Ｈ，１０，Ｃ５Ｈ１２、Ｃ２Ｈ４等の
ガスを、またＳｉＨガスに換えてＳ ＩＨ３Ｃ１＋ Ｓ
ｒＨ，Ｃｊ２２．．５ｉＨＣｊ２３，５ｉＣｊ２４等
のガスを用いることも可能である。更に反応ガスとして
ＣＨ３Ｓ Ｉ ＨＢｒ ＣＨ３Ｓ Ｉ ＨＣｊ２＋＋
＋ ＣＨ３Ｓ Ｉ Ｈ２Ｃρ等のようなシリコン−炭素
化合物ガスを用いることが可能である。
くべ）発明の効果
本発明によれば６Ｈ−３ｉＣ単結晶上に表面平坦でかつ
結晶性の優れた３Ｃ−８ｉＣ単結晶を形成で″きるので
、ＳｉＣ単結晶を用いたマルチＬＥＤ等の作成が可能と
なる。
結晶性の優れた３Ｃ−８ｉＣ単結晶を形成で″きるので
、ＳｉＣ単結晶を用いたマルチＬＥＤ等の作成が可能と
なる。
第１図は気相成長装置の断面図、第２図は本発明の実施
例積層体を示す断面図、第３図は第２図積層体を製造す
るための温度プログラム図、第４図Ａ 、 Ｂは本発明
による積層体の結晶性を示す電子顕微鏡写真である。 （１２）・・・６Ｈ−３’ｉＣ単結晶（層−）、（１３
〉・・・炭化層、（１４）・・・３Ｃ−８ｉＣ単結晶（
層、）第３図 時 間 第４図
例積層体を示す断面図、第３図は第２図積層体を製造す
るための温度プログラム図、第４図Ａ 、 Ｂは本発明
による積層体の結晶性を示す電子顕微鏡写真である。 （１２）・・・６Ｈ−３’ｉＣ単結晶（層−）、（１３
〉・・・炭化層、（１４）・・・３Ｃ−８ｉＣ単結晶（
層、）第３図 時 間 第４図
Claims (3)
- （１）６Ｈ−８ｉＣ単結晶、該単結晶表面に形成された
炭化層、該炭化層上に積層された３Ｃ−８ｉＣ単結晶か
らなることを特徴とするＳｉＣ単結晶積層体。 - （２）６Ｈ−８ｉＣ単結晶を準備する工程、上記６Ｈ−
ＳｉＣ単結晶を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で高
温保持し、上記６Ｈ−８ｉＣ単結晶表面よりＳｌを昇華
きせ炭化層を形成する工程、上記炭化層上にシリコン系
化合物ガスと炭素系化合物ガスもしくはシリコン−炭素
化合物ガスを用いて３Ｃ−３ｉＣ単結晶を気相成長させ
る工程からなることを特徴とするＳｉＣ単結晶積層体の
製造方法。 - （３）特許請求の範囲第２項におりて、上記気相成長工
程では基板温度を１３５０℃〜１５５０°Ｃにすること
を特徴とするＳｉＣ単結晶積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096494A JPS59219929A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | Ｓｉｃ単結晶積層体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096494A JPS59219929A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | Ｓｉｃ単結晶積層体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59219929A true JPS59219929A (ja) | 1984-12-11 |
| JPH0572740B2 JPH0572740B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14166635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096494A Granted JPS59219929A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | Ｓｉｃ単結晶積層体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59219929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008543037A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-11-27 | エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ | 反応ガスを反応チャンバに導入するデバイス、および前記デバイスを使用するエピタキシャル反応炉 |
-
1983
- 1983-05-30 JP JP58096494A patent/JPS59219929A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008543037A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-11-27 | エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ | 反応ガスを反応チャンバに導入するデバイス、および前記デバイスを使用するエピタキシャル反応炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572740B2 (ja) | 1993-10-12 |
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