JPS59217346A - 沸騰冷却装置 - Google Patents
沸騰冷却装置Info
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- JPS59217346A JPS59217346A JP9268483A JP9268483A JPS59217346A JP S59217346 A JPS59217346 A JP S59217346A JP 9268483 A JP9268483 A JP 9268483A JP 9268483 A JP9268483 A JP 9268483A JP S59217346 A JPS59217346 A JP S59217346A
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- JP
- Japan
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- cooling
- heat
- liquid reservoir
- vapor
- reservoir
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、通電時に発生する半導体素子の発生熱を冷
却媒体に伝達させることにより、冷却媒体を沸騰させて
半導体素子の発生熱を処理する沸騰冷却装置に関する。
却媒体に伝達させることにより、冷却媒体を沸騰させて
半導体素子の発生熱を処理する沸騰冷却装置に関する。
従来、この種の沸騰冷却装置として第1図に示すものが
あった0図において、18〜1cは半導体素子、2は前
記半導体素子13〜1cの発生熱を処理する冷却ブロッ
ク、3は前記半導体素子1a〜1cと冷却ブロック2を
絶縁する絶縁ディスク、4は前記半導体素子1a〜1c
と冷却ブロック2、絶縁ディスク3をスタック構成する
ため(J)クランパ、5は前記スタックの圧接デルト、
6は冷却媒体1を収納する液溜部、Tは前記半導体素子
11〜1cの一発生熱を熱交換する冷却媒体、8は冷却
媒体により発生した沸騰蒸気、9は前記沸騰蒸気が通る
気相パイプ、10は沸騰蒸気8を相変化させる凝縮器、
11蚤ま空気ガどの第二次冷却媒体、12・は前記の第
二次冷却媒体11により再び相変化した凝縮液、13は
前記冷却媒体Tが通る液相パイ!である。
あった0図において、18〜1cは半導体素子、2は前
記半導体素子13〜1cの発生熱を処理する冷却ブロッ
ク、3は前記半導体素子1a〜1cと冷却ブロック2を
絶縁する絶縁ディスク、4は前記半導体素子1a〜1c
と冷却ブロック2、絶縁ディスク3をスタック構成する
ため(J)クランパ、5は前記スタックの圧接デルト、
6は冷却媒体1を収納する液溜部、Tは前記半導体素子
11〜1cの一発生熱を熱交換する冷却媒体、8は冷却
媒体により発生した沸騰蒸気、9は前記沸騰蒸気が通る
気相パイプ、10は沸騰蒸気8を相変化させる凝縮器、
11蚤ま空気ガどの第二次冷却媒体、12・は前記の第
二次冷却媒体11により再び相変化した凝縮液、13は
前記冷却媒体Tが通る液相パイ!である。
次に従来装置の冷却動作を説明する。半導体素子11〜
1cに通電することにより発生した熱は、その陽極およ
び陰極面に配置されている冷却ブロック2を介して冷却
媒体T中に放熱される。冷却媒体Iはその熱により液相
から気相へと相変化し、沸騰蒸気8が発生する。この沸
騰蒸気8は気相ノ4イf9を通り凝縮器10に至り、こ
こで空気などの第二次冷却媒体11との間で熱交換され
凝縮液12となる。この凝縮液12は液相ノ4イア”1
3を通って液溜部6に戻り、再び沸騰冷却媒体7となる
。
1cに通電することにより発生した熱は、その陽極およ
び陰極面に配置されている冷却ブロック2を介して冷却
媒体T中に放熱される。冷却媒体Iはその熱により液相
から気相へと相変化し、沸騰蒸気8が発生する。この沸
騰蒸気8は気相ノ4イf9を通り凝縮器10に至り、こ
こで空気などの第二次冷却媒体11との間で熱交換され
凝縮液12となる。この凝縮液12は液相ノ4イア”1
3を通って液溜部6に戻り、再び沸騰冷却媒体7となる
。
従来の沸騰冷却装置は以上のような構成であるから、半
導体素子1a〜1Cの発生熱を熱交換する冷却ブロック
2を半導体素子1a〜1Cの陽極および陰極の両側面に
配置しなければならず、冷却ブロック2の内部構造自体
も冷却媒体7の相変化を行なうだめの気相部、液相部と
を区別したものになっているから複雑である。また、液
溜部6と半導体素子1a〜1Cを継ないでいるため、半
導体素子1a〜1Cと冷却ブロック2間あるいは液溜部
6には絶縁を施す必要がある。そのだめ、構造が複雑な
ため、ロー付けなどの作業も必要にj ヶ0.1t1
7)fi□ゆお、工。えヵ、よニオ、ヶどの欠点があっ
た。
導体素子1a〜1Cの発生熱を熱交換する冷却ブロック
2を半導体素子1a〜1Cの陽極および陰極の両側面に
配置しなければならず、冷却ブロック2の内部構造自体
も冷却媒体7の相変化を行なうだめの気相部、液相部と
を区別したものになっているから複雑である。また、液
溜部6と半導体素子1a〜1Cを継ないでいるため、半
導体素子1a〜1Cと冷却ブロック2間あるいは液溜部
6には絶縁を施す必要がある。そのだめ、構造が複雑な
ため、ロー付けなどの作業も必要にj ヶ0.1t1
7)fi□ゆお、工。えヵ、よニオ、ヶどの欠点があっ
た。
この発明は上記従来装置のもつ欠点を解消し、複雑構造
の要因となる冷却ブロックを必要とせず、絶縁処理構成
を簡単にして信頼性の高い沸騰冷却装置を提供するもの
で、その構成は・冷却媒体を収納する液溜部の下部に半
導体素子を直付けしたことを特徴とする。
の要因となる冷却ブロックを必要とせず、絶縁処理構成
を簡単にして信頼性の高い沸騰冷却装置を提供するもの
で、その構成は・冷却媒体を収納する液溜部の下部に半
導体素子を直付けしたことを特徴とする。
以下、この発明の第1の実施例を第2図により説明する
。第2図はその全体構成図で、図において、14は半導
体素子1a〜1Cの一端面と液溜部6の間に挿入される
熱伝達率が高く、かつ電気的絶縁性に優れた絶縁シート
、15は半導体素子1a〜1cの他端面とバネ受板16
との間に挿入される絶縁シート14と同様な特性を有す
る絶縁シート、17は皿ばね、18は圧力板、19は圧
接ボルト、20は半導体素子11〜1cの圧接面である
。これらの取付構造の詳細は、第3図の第2の実施例を
示す構成図のものと同様である。その他の符号に対応す
る構成要素は第1図のものと同一構成要素であ・る。
。第2図はその全体構成図で、図において、14は半導
体素子1a〜1Cの一端面と液溜部6の間に挿入される
熱伝達率が高く、かつ電気的絶縁性に優れた絶縁シート
、15は半導体素子1a〜1cの他端面とバネ受板16
との間に挿入される絶縁シート14と同様な特性を有す
る絶縁シート、17は皿ばね、18は圧力板、19は圧
接ボルト、20は半導体素子11〜1cの圧接面である
。これらの取付構造の詳細は、第3図の第2の実施例を
示す構成図のものと同様である。その他の符号に対応す
る構成要素は第1図のものと同一構成要素であ・る。
第2図において、半導体素子18〜1cの発生熱は半導
体素子1a〜1Cの両側圧接面により放熱するが、半導
体素子1&〜1Cが冷却媒体Tを収納する液溜部6の下
部に配置されているため、熱放散はほとんど液溜部6と
半導体素子13〜1cの圧接面20で行なわれる。半導
体素子1a〜1cの圧接面20での発生熱量は絶縁シー
ト14を介して液溜部6中に放熱される。発生熱の放散
により冷却媒体は相変化し、沸騰蒸気8が発生し、気相
パイプ9を通り凝縮部10に至り、空気等の第二次冷却
媒体11との間で熱交換により沸騰蒸気は凝縮され、凝
縮液12は液相パイプ13を通り液溜部6に戻り、再び
沸騰冷却に供する。
体素子1a〜1Cの両側圧接面により放熱するが、半導
体素子1&〜1Cが冷却媒体Tを収納する液溜部6の下
部に配置されているため、熱放散はほとんど液溜部6と
半導体素子13〜1cの圧接面20で行なわれる。半導
体素子1a〜1cの圧接面20での発生熱量は絶縁シー
ト14を介して液溜部6中に放熱される。発生熱の放散
により冷却媒体は相変化し、沸騰蒸気8が発生し、気相
パイプ9を通り凝縮部10に至り、空気等の第二次冷却
媒体11との間で熱交換により沸騰蒸気は凝縮され、凝
縮液12は液相パイプ13を通り液溜部6に戻り、再び
沸騰冷却に供する。
このように、従来装置の優れた沸騰冷却効果を損なうこ
となく、従来使用していた半導体素子の両側圧接面に隣
接していた冷却ブロックを無くすことができる。
となく、従来使用していた半導体素子の両側圧接面に隣
接していた冷却ブロックを無くすことができる。
第3図はこの発明の第2の実施例を示す図で、第2図に
おける液溜部6の断面A−Aを示す。図において、21
は液溜蓋、22は冷却フィン22′を設けた冷却板、2
3は液溜蓋21と冷却板22との接続部である。半導体
素子1a〜1Cによる発生熱は液溜部6において熱放散
されるが、放散熱量をより大きくするために、半導体素
子1a〜1Cを直付けする液溜部6には、冷却フィン2
2′を設けた冷却板22と液溜蓋21により構成し、そ
の接続部23は溶接またはロー付により液溜部6を構成
する。
おける液溜部6の断面A−Aを示す。図において、21
は液溜蓋、22は冷却フィン22′を設けた冷却板、2
3は液溜蓋21と冷却板22との接続部である。半導体
素子1a〜1Cによる発生熱は液溜部6において熱放散
されるが、放散熱量をより大きくするために、半導体素
子1a〜1Cを直付けする液溜部6には、冷却フィン2
2′を設けた冷却板22と液溜蓋21により構成し、そ
の接続部23は溶接またはロー付により液溜部6を構成
する。
第4図はこの発明の第、3の実施例を示す部分図で、2
4は受熱ブロック、25はヒートパイグー26は放熱ブ
ロック、27はその取付ボルトである。半導体素子1a
〜1Cの発生熱の多くは液溜部6で放散されるが、液溜
1部6と反対側圧接面での発生熱もあなどれない。そこ
で、液溜部6に圧接した半導体素子1a〜1Cの反対側
圧接面にヒートパイプ25の受熱ブロック24を設けて
、液溜部6で熱放散できなかった熱量をヒートパイプの
熱輸送効果を利用し熱輸送を行ない、ヒートパイプの放
熱部に放熱ブロック26を設け、液溜部6下部に?ルト
21により取付けて、再び液溜部6内に熱放散させる。
4は受熱ブロック、25はヒートパイグー26は放熱ブ
ロック、27はその取付ボルトである。半導体素子1a
〜1Cの発生熱の多くは液溜部6で放散されるが、液溜
1部6と反対側圧接面での発生熱もあなどれない。そこ
で、液溜部6に圧接した半導体素子1a〜1Cの反対側
圧接面にヒートパイプ25の受熱ブロック24を設けて
、液溜部6で熱放散できなかった熱量をヒートパイプの
熱輸送効果を利用し熱輸送を行ない、ヒートパイプの放
熱部に放熱ブロック26を設け、液溜部6下部に?ルト
21により取付けて、再び液溜部6内に熱放散させる。
以上説明したように、この発明は、沸騰冷却装置におい
て、冷却媒体を収納する液溜部の下部に半導体素子を直
付けしたから、従来装置のように半導体素子の発生熱を
熱交換するための複雑でスペースを必要とする冷却ブロ
ックを別途設ける必要がなく、従来装置における沸騰冷
却効果を維持しつつ、かつ装置全体が小形になり、製作
が容易になるという効果がある。
て、冷却媒体を収納する液溜部の下部に半導体素子を直
付けしたから、従来装置のように半導体素子の発生熱を
熱交換するための複雑でスペースを必要とする冷却ブロ
ックを別途設ける必要がなく、従来装置における沸騰冷
却効果を維持しつつ、かつ装置全体が小形になり、製作
が容易になるという効果がある。
第1図は従来の沸騰冷却装置の構成図、第2〜4図は、
この発明による各実施例を示す構成図である。 1i〜1c・・・・・・半導体素子 2・・・・・−冷却ブロック 6・・・・・・液溜部
7・・・・−・冷却媒体 10・・・・・・凝縮器1
4.15・・・・・・絶縁シート 16・・・・・・
バネ受板22・・・・・・冷却板 22′・・・・・
・冷却フィン24・・・・・・受熱ブロック 25・・・・・・ヒートパイプ 26・−・・・・放熱ブロック なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
この発明による各実施例を示す構成図である。 1i〜1c・・・・・・半導体素子 2・・・・・−冷却ブロック 6・・・・・・液溜部
7・・・・−・冷却媒体 10・・・・・・凝縮器1
4.15・・・・・・絶縁シート 16・・・・・・
バネ受板22・・・・・・冷却板 22′・・・・・
・冷却フィン24・・・・・・受熱ブロック 25・・・・・・ヒートパイプ 26・−・・・・放熱ブロック なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (3)
- (1)冷却媒体の沸騰作用により半導体素子を冷却する
沸騰冷却装置において、冷却媒体を収納する液溜部の下
部に半導体素子を直付けしたことを特徴とする沸騰冷却
装置。 - (2)液溜部は、その下部冷却板に冷却フィンを有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の沸騰冷却
装置。 - (3)半導体素子の反液溜部側にヒート・ソイゾの受熱
ブロックを設けた特許請求の範囲第1項又は第2項記載
の沸騰冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9268483A JPS59217346A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 沸騰冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9268483A JPS59217346A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 沸騰冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59217346A true JPS59217346A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14061312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9268483A Pending JPS59217346A (ja) | 1983-05-26 | 1983-05-26 | 沸騰冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59217346A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4941530A (en) * | 1989-01-13 | 1990-07-17 | Sundstrand Corporation | Enhanced air fin cooling arrangement for a hermetically sealed modular electronic cold plate utilizing reflux cooling |
US5198889A (en) * | 1990-06-30 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cooling apparatus |
US5924481A (en) * | 1995-06-22 | 1999-07-20 | Calsonic Corporation | Cooling device for electronic component |
US20110192574A1 (en) * | 2008-10-29 | 2011-08-11 | Minoru Yoshikawa | Cooling structure, electronic device using same, and cooling method |
US20130319639A1 (en) * | 2011-02-22 | 2013-12-05 | Nec Corporation | Cooling device and method for making the same |
JPWO2016031186A1 (ja) * | 2014-08-27 | 2017-06-08 | 日本電気株式会社 | 相変化冷却装置および相変化冷却方法 |
-
1983
- 1983-05-26 JP JP9268483A patent/JPS59217346A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4941530A (en) * | 1989-01-13 | 1990-07-17 | Sundstrand Corporation | Enhanced air fin cooling arrangement for a hermetically sealed modular electronic cold plate utilizing reflux cooling |
US5198889A (en) * | 1990-06-30 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cooling apparatus |
US5924481A (en) * | 1995-06-22 | 1999-07-20 | Calsonic Corporation | Cooling device for electronic component |
US20110192574A1 (en) * | 2008-10-29 | 2011-08-11 | Minoru Yoshikawa | Cooling structure, electronic device using same, and cooling method |
US9557117B2 (en) | 2008-10-29 | 2017-01-31 | Nec Corporation | Cooling structure, electronic device using same, and cooling method |
US20130319639A1 (en) * | 2011-02-22 | 2013-12-05 | Nec Corporation | Cooling device and method for making the same |
JPWO2016031186A1 (ja) * | 2014-08-27 | 2017-06-08 | 日本電気株式会社 | 相変化冷却装置および相変化冷却方法 |
US20170280590A1 (en) * | 2014-08-27 | 2017-09-28 | Nec Corporation | Phase-change cooling device and phase-change cooling method |
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