JPS59217220A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS59217220A JPS59217220A JP9175483A JP9175483A JPS59217220A JP S59217220 A JPS59217220 A JP S59217220A JP 9175483 A JP9175483 A JP 9175483A JP 9175483 A JP9175483 A JP 9175483A JP S59217220 A JPS59217220 A JP S59217220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- dummy
- magnetic pole
- insulating layer
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
- G11B5/397—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components
- G11B5/3977—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components from different information tracks
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ１発明の技術°分野
本発明は、磁気テープ装置等の記憶装置に用いられる薄
膜磁気ヘッドに係り、特に周波数特性を高めることがで
きる薄膜磁気ヘッドに関す。
膜磁気ヘッドに係り、特に周波数特性を高めることがで
きる薄膜磁気ヘッドに関す。
（ｂ）技術の背景
近来、コンピュータ周辺装置等として各種磁気装置が開
発、実用化されているが、これらの装置の磁気記憶媒体
として、磁気テープ、磁気ディスク、磁気ドラム等が用
いられ、データの書込み。
発、実用化されているが、これらの装置の磁気記憶媒体
として、磁気テープ、磁気ディスク、磁気ドラム等が用
いられ、データの書込み。
読取りには各種の磁気ヘッドが使用されている。
磁気装置はデータ量の増大及びコンピュータの高速化に
対応して、磁気ヘッドの磁気特性を向上させることが要
請されている。
対応して、磁気ヘッドの磁気特性を向上させることが要
請されている。
（司従来技術と問題点
以下従来方法について第１図〜第４図を参照して説明す
る。第１図は本発明が通用される磁気テープ装置を例示
する斜視図、第２図はＭＲヘッドを一部破断して示す斜
？Ｍ図、第３図は従来方法を示す平面図、第４図は第３
図の一部破断して示す断１ｆＩＩ図である。
る。第１図は本発明が通用される磁気テープ装置を例示
する斜視図、第２図はＭＲヘッドを一部破断して示す斜
？Ｍ図、第３図は従来方法を示す平面図、第４図は第３
図の一部破断して示す断１ｆＩＩ図である。
第１図に示すように、磁気テープ装置１は前面上部にリ
ール台２に設けられた軸３ａ、３ｂ及びカートリッジ保
持部４にカートリッジ５に納められたリール２ａとリー
ル２ｂが装着されている。
ール台２に設けられた軸３ａ、３ｂ及びカートリッジ保
持部４にカートリッジ５に納められたリール２ａとリー
ル２ｂが装着されている。
リール２ａにはテープ１０が巻かれており、リール２ｂ
は巻取りリールである。
は巻取りリールである。
’Ｊ−ル台２の中央下部に図示していない磁気ヘッドを
有するリードライト部６が配置され、下方にコラム部８
が設けられている。
有するリードライト部６が配置され、下方にコラム部８
が設けられている。
また磁気テープ装置１の上部に制御パネルｌａが配置さ
れても入る。
れても入る。
このような構成を有するので、リール２ａから引き出さ
れた磁気テープ１ｏは装置内を所定方向に流れる空気圧
によってコラム部７内の図中右側を通り、リードライト
部６の図示していない磁気ヘッド７によって読取り、書
込みが行われ、送りローラ９に送られてコラム部８内の
図中左側を通ってリール２ｂに巻き取られる。
れた磁気テープ１ｏは装置内を所定方向に流れる空気圧
によってコラム部７内の図中右側を通り、リードライト
部６の図示していない磁気ヘッド７によって読取り、書
込みが行われ、送りローラ９に送られてコラム部８内の
図中左側を通ってリール２ｂに巻き取られる。
こ＼において磁気ヘッドについて、相互バイアス方式の
磁気抵抗効果ヘッド（以下Ｍ Ｒ−’ｚドという）を例
に説明する。
磁気抵抗効果ヘッド（以下Ｍ Ｒ−’ｚドという）を例
に説明する。
第２図はＭＲヘッド７ａを一部破１１１シてボしており
、基板１１上にコ字形状に形成された磁気素子１２ａの
先端部前向を磁気テープ１ｏが矢印方向に走行する。
、基板１１上にコ字形状に形成された磁気素子１２ａの
先端部前向を磁気テープ１ｏが矢印方向に走行する。
即ら、第３図に示すように、ＭＲヘフド７ａは基板１１
に例えばパーマロイ等を蒸着して複数（ここでは３チヤ
ンネル）の磁極素子１２８〜１２Ｃが形成さている。磁
極素子１２ａ−１２ｃは所定のトランク幅す、 トラ
ックピッチｐに合せて配置されている。
に例えばパーマロイ等を蒸着して複数（ここでは３チヤ
ンネル）の磁極素子１２８〜１２Ｃが形成さている。磁
極素子１２ａ−１２ｃは所定のトランク幅す、 トラ
ックピッチｐに合せて配置されている。
第４図はＭＲヘッド７ａの磁気素子１２ａ、１２ｂの先
端部の断面を示しており、例えばセラミックの基ｉｌｌ
上に、鉄−ニッケル合金のシールド層１３ａを施し、そ
の上の厚さ数１００オンゲス］−ロームの石英をスパツ
クした絶縁層１４３〜１４Ｃの間に２層のパーマロイの
素子パターン２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂが形成さ
れ、更ニシールド層１３ｂが施されている。
端部の断面を示しており、例えばセラミックの基ｉｌｌ
上に、鉄−ニッケル合金のシールド層１３ａを施し、そ
の上の厚さ数１００オンゲス］−ロームの石英をスパツ
クした絶縁層１４３〜１４Ｃの間に２層のパーマロイの
素子パターン２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂが形成さ
れ、更ニシールド層１３ｂが施されている。
第３図の磁極素子１２ａ〜１２Ｃば矢印へ方向が容易軸
の磁気異”方性を持つように、磁場的蒸着等により形成
されており、特に先端部ａに要求される磁気特性を向上
させている。
の磁気異”方性を持つように、磁場的蒸着等により形成
されており、特に先端部ａに要求される磁気特性を向上
させている。
このような構成を有するので、第３図中２点鎖線で示す
位置を磁気テープ１０が図面に垂直方向に移動すること
により、磁気ヘッド７ａによってデータが読み取られる
。
位置を磁気テープ１０が図面に垂直方向に移動すること
により、磁気ヘッド７ａによってデータが読み取られる
。
しかしながら、磁気装置１はデータ量の増大及びコンピ
ュータの高速化に対応して、読取り性能の晶いＭＲヘッ
ド７ａが必要となり、このため一層面波数特性を改善す
ることが要請されているが、従来方法ではこれに対応で
きないという問題がある。
ュータの高速化に対応して、読取り性能の晶いＭＲヘッ
ド７ａが必要となり、このため一層面波数特性を改善す
ることが要請されているが、従来方法ではこれに対応で
きないという問題がある。
また一般的に薄膜磁気ヘッドとして、同様に磁気特性を
改善する必要性があり、例えば書込み磁気へ・７ドにお
いては高い書込み性能が要請されている。
改善する必要性があり、例えば書込み磁気へ・７ドにお
いては高い書込み性能が要請されている。
（ｄ）発明の目的
本発明の目的は、上記の問題を解決する為のもので、磁
気異方性を一層安定させて周波数特性を高めることがで
きる薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
気異方性を一層安定させて周波数特性を高めることがで
きる薄膜磁気ヘッドを提供するにある。
（ｅ）発明の構成
本発明は、複数チャンネルの各チャンネル間に少なくと
もＩＪ彊のダミー磁極を設けることを特徴とする薄膜磁
気ヘッドであり、がくすることにより目的を達成するこ
とができる。
もＩＪ彊のダミー磁極を設けることを特徴とする薄膜磁
気ヘッドであり、がくすることにより目的を達成するこ
とができる。
（ｆ１発明の実施例
以下本発明の一実施例を第５図及び第６図ｔａ）〜ｆｈ
ｌを参照して説明する。第５図は本発明による実施例を
示す平面図、第６図（ａ）〜（ｈｌは第４図の磁極素子
形成工程を示す工程図である。全図を通じて同一符号ば
同一タ・Ｊ象物を不ず。
ｌを参照して説明する。第５図は本発明による実施例を
示す平面図、第６図（ａ）〜（ｈｌは第４図の磁極素子
形成工程を示す工程図である。全図を通じて同一符号ば
同一タ・Ｊ象物を不ず。
従来例と同様に３チヤンネルの場合を例に説明すると、
第５図に不すようにＭＲヘッド’７ ｂば、磁極素子１
２ａ〜１２ｃ（磁極素子１２ｃば図示していない）の先
端部の夫々の間に、ダミー磁極４２ａ、４２ｂが設けら
れている。
第５図に不すようにＭＲヘッド’７ ｂば、磁極素子１
２ａ〜１２ｃ（磁極素子１２ｃば図示していない）の先
端部の夫々の間に、ダミー磁極４２ａ、４２ｂが設けら
れている。
ダミー磁極４２ａ、４２ｂと磁極素子１２ａ〜１２ｃの
間隙ｄば微小に設定され、対向部Ｃは磁束が集中するよ
うに幅狭く形成されている。
間隙ｄば微小に設定され、対向部Ｃは磁束が集中するよ
うに幅狭く形成されている。
第６図（ｈ）に示すように、磁極素子１２ａ、１２ｂば
素子パターン２２ａ、２２ｂと素子パターン３２ａ、３
２ｂで構成され、ダミー磁極４２ａ。
素子パターン２２ａ、２２ｂと素子パターン３２ａ、３
２ｂで構成され、ダミー磁極４２ａ。
４２ｂば夫々パーマロイ層のダミーパターン５２ａ、５
２ｂとダミーパターン６２ａ、６２ｂの２層を対向面で
連結して構成されている。
２ｂとダミーパターン６２ａ、６２ｂの２層を対向面で
連結して構成されている。
ダミー磁極４２ａ、４２ｂの形成方法を第６図（，３１
〜（１１）によって簡単の為にダミー磁極を１個として
説明すると、まず第６図（ａｌにおいて基板１１にシー
ルド層１３ａが形成され、次に第６図（ｂｌにおいて絶
縁層１４ａが形成される。第６図（Ｃ１において絶縁層
１４ａの上に、例えばパーマロイを蒸着して素子パター
ン２２ａ、２２ｂ及びダミーパターン５２ａが形成され
る。
〜（１１）によって簡単の為にダミー磁極を１個として
説明すると、まず第６図（ａｌにおいて基板１１にシー
ルド層１３ａが形成され、次に第６図（ｂｌにおいて絶
縁層１４ａが形成される。第６図（Ｃ１において絶縁層
１４ａの上に、例えばパーマロイを蒸着して素子パター
ン２２ａ、２２ｂ及びダミーパターン５２ａが形成され
る。
これに第６図（ｄ）において絶縁層１４ｄが形成され、
第６図（ｅ）においてダミーパターン５２ａの部分の絶
縁Ｎ１４ｄに孔１５を明げて絶縁層１４ｄを除去する。
第６図（ｅ）においてダミーパターン５２ａの部分の絶
縁Ｎ１４ｄに孔１５を明げて絶縁層１４ｄを除去する。
第６図（ｆ）において素子パターン３２ａ、３２ｂ及び
ダミーパターン６２ａが形成されると、ダミーパターン
５２ａ、６２ａは結合されてダミー磁極４２ａとなる。
ダミーパターン６２ａが形成されると、ダミーパターン
５２ａ、６２ａは結合されてダミー磁極４２ａとなる。
第６図（ｇ）において絶縁層１４Ｃを形成し、更に第６
図（ｈｌにおいてシールド層１３ｂを施すことによって
工程は完了し、磁気素子１２ａ、１２ｂおよダミー磁極
４２ａが形成される。
図（ｈｌにおいてシールド層１３ｂを施すことによって
工程は完了し、磁気素子１２ａ、１２ｂおよダミー磁極
４２ａが形成される。
このような構成を有するので、磁気素子１２ａ。
１２ｂの形状による反俳界を少なくすることができ、従
って磁気異方性が安定し読取りの周波数時、
性が改善されて、高周波領域での出力を増大すること
ができる。
って磁気異方性が安定し読取りの周波数時、
性が改善されて、高周波領域での出力を増大すること
ができる。
このように磁極素子１２ａ−１２ｂの間にダミー磁極４
２ａ、４２ｂを設けることによってＭＲヘッド７ｂの磁
気特性を改善することができる。
２ａ、４２ｂを設けることによってＭＲヘッド７ｂの磁
気特性を改善することができる。
上記例は相互バイアス方式のＭＲヘッドの例について説
明したが、他の薄膜磁気ヘッドに一般的に適用して同様
の効果が得られる。即ら、書込み磁気ヘッドの場合には
、磁気異方性が安定することにより記録密度を高めるこ
とができ、また書込み特性を改善することができる。
明したが、他の薄膜磁気ヘッドに一般的に適用して同様
の効果が得られる。即ら、書込み磁気ヘッドの場合には
、磁気異方性が安定することにより記録密度を高めるこ
とができ、また書込み特性を改善することができる。
また何れの場合にもデータの転送速度の高速化の対応に
寄与できるという効果がある。
寄与できるという効果がある。
ｆｇ）発明の詳細
な説明したように本発明によれば、複数の磁極素子の間
にダミー磁極を設けることにより、磁気異方性を安定さ
せることができるので、周波数特性が改善され、書込み
、読取り性能を商めることができ、また記録密度を高め
ることが可能であるばかりでなく、データの転送速度の
高速化の対応に寄与できるという効果がある。
にダミー磁極を設けることにより、磁気異方性を安定さ
せることができるので、周波数特性が改善され、書込み
、読取り性能を商めることができ、また記録密度を高め
ることが可能であるばかりでなく、データの転送速度の
高速化の対応に寄与できるという効果がある。
第１図は本発明が適用される磁気テープ装置を例示する
斜視図、第２図はＭＲヘッドを一部破断してボず斜視図
、第３図は従来方法を不す平面図、第４図は第３図の一
部破断して示す断面図、第５図は本発明による実施例を
ボず平面図、第６図（ａ）〜（ｂｌは第５図のダミー磁
極形成工程を示す工程図である。 図において、１は磁気テープ装置、７ａ、７ｂば磁気ヘ
ッド、ｌＯば磁気テープ、１１は基板、１２ａ 〜１２
ｃは磁極素子、１３ａ、１３ｂはシールド層、１４ａ−
１４ｃは絶縁層、２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂは素
子パターン、４２ａ。 ４２ｂばダミー磁極、５２ ａ、 ５２ ｂ、 ６
２ ａ。 ６２ｂはダミーパターンを示す。 ｌ ｊニー 、、−１
斜視図、第２図はＭＲヘッドを一部破断してボず斜視図
、第３図は従来方法を不す平面図、第４図は第３図の一
部破断して示す断面図、第５図は本発明による実施例を
ボず平面図、第６図（ａ）〜（ｂｌは第５図のダミー磁
極形成工程を示す工程図である。 図において、１は磁気テープ装置、７ａ、７ｂば磁気ヘ
ッド、ｌＯば磁気テープ、１１は基板、１２ａ 〜１２
ｃは磁極素子、１３ａ、１３ｂはシールド層、１４ａ−
１４ｃは絶縁層、２２ａ、２２ｂ、３２ａ、３２ｂは素
子パターン、４２ａ。 ４２ｂばダミー磁極、５２ ａ、 ５２ ｂ、 ６
２ ａ。 ６２ｂはダミーパターンを示す。 ｌ ｊニー 、、−１
Claims (1)
- 複数チャンネルを有する薄膜磁気ヘッドであって、各チ
ャンネル間に少なくとも１層のダミー磁極を設けること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9175483A JPS59217220A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9175483A JPS59217220A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217220A true JPS59217220A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14035322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9175483A Pending JPS59217220A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287412A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッド |
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6792670B2 (en) * | 2000-03-21 | 2004-09-21 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetoresistive element substructure |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9175483A patent/JPS59217220A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287412A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッド |
| JP2596934B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1997-04-02 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッド |
| US6792670B2 (en) * | 2000-03-21 | 2004-09-21 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetoresistive element substructure |
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323A (en) * | 2000-05-25 | 2003-03-05 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6597545B2 (en) | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323B (en) * | 2000-05-25 | 2003-12-24 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
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