JPS59216128A - フアイバ形位相変調器 - Google Patents
フアイバ形位相変調器Info
- Publication number
- JPS59216128A JPS59216128A JP58090572A JP9057283A JPS59216128A JP S59216128 A JPS59216128 A JP S59216128A JP 58090572 A JP58090572 A JP 58090572A JP 9057283 A JP9057283 A JP 9057283A JP S59216128 A JPS59216128 A JP S59216128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fiber
- phase modulator
- optical fiber
- type phase
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
バ形位相変調器に関するものである。
従来、位相変調器としては、LiNbO8のような電気
光学効果の大きい材料を用い、その上にTi拡散薄膜光
導波路を作製し、導波路上または導波路の傍に電極を配
置して電圧を加えることにより、参考文献1 ) R.
V. 8ohmidt and R. O. Alf
ernessl。
光学効果の大きい材料を用い、その上にTi拡散薄膜光
導波路を作製し、導波路上または導波路の傍に電極を配
置して電圧を加えることにより、参考文献1 ) R.
V. 8ohmidt and R. O. Alf
ernessl。
” Directional Ooupler Swi
tches 、Modulators 。
tches 、Modulators 。
and Filters using Alterna
ting ΔβTechniques,”IEEE T
ranSaOtiOnS On OirOuitEl
and systems 。
ting ΔβTechniques,”IEEE T
ranSaOtiOnS On OirOuitEl
and systems 。
Vol.OAS−26 、Ia 12,PP− 1
099−1108 − 19792) J. NOda
、 ” Ti−DiffuSe(i LiNbO8
WaVegui(leaand Modulators
”、 Journal of Optical Oom
muni−cati−ons 、VOl.1 、A
2 、PP.64−78 、1980電極ギヤツプd
のときVの電圧を加えるとΔn−1/2αn8γN
(1)の実効屈折率変化が起こる。ここでαは幾何
学的係数であって、0〜1の間の値を取り、nは実効屈
折率、γは電気光学係数、E − V/(lである。
099−1108 − 19792) J. NOda
、 ” Ti−DiffuSe(i LiNbO8
WaVegui(leaand Modulators
”、 Journal of Optical Oom
muni−cati−ons 、VOl.1 、A
2 、PP.64−78 、1980電極ギヤツプd
のときVの電圧を加えるとΔn−1/2αn8γN
(1)の実効屈折率変化が起こる。ここでαは幾何
学的係数であって、0〜1の間の値を取り、nは実効屈
折率、γは電気光学係数、E − V/(lである。
位相変化Δφ一ΔβL−にΔnL − 2πΔnVλ
(2)ここでβは伝搬定数差、 k−21、 Lは電極の長さ、λは波長である。
(2)ここでβは伝搬定数差、 k−21、 Lは電極の長さ、λは波長である。
LiNbO8を用いた導波形位相変調器は、1(IGH
zまで変調可能であり、周波数特性はすぐれているが、
欠点はTi導波路作製およσ端面研磨等作製合には、ガ
ラスとの屈折率差が大きいので、反射損失が大きい点が
あげられる。
zまで変調可能であり、周波数特性はすぐれているが、
欠点はTi導波路作製およσ端面研磨等作製合には、ガ
ラスとの屈折率差が大きいので、反射損失が大きい点が
あげられる。
本発明はこれらの欠点を除去するため、ファイバとの接
続に適し、かつ作製方法が容易で財産性に畠むファイバ
形位相変調器に関するものであるd以下図面により本発
明の詳細な説明する。
続に適し、かつ作製方法が容易で財産性に畠むファイバ
形位相変調器に関するものであるd以下図面により本発
明の詳細な説明する。
第1図は本発明によるファイバ形位相変l!器の一実施
例の構成図であって、1は単一モード光ファイバ、2は
シリコン被覆、8はファイバ形位相変調器である。ファ
イバ形位相変調器は単一モード光ファイバ中央部のシリ
コン被覆を4 cmに渡って取り除き、ここに膜厚約1
00OAのNi10r薄膜6を薄膜ヒータとして蒸着し
た構造となっており、Ni10r薄膜の両端に加熱用の
高周波電m9がつながっている。Ni10r薄膜6の長
さは25間、抵抗は8.5話である。
例の構成図であって、1は単一モード光ファイバ、2は
シリコン被覆、8はファイバ形位相変調器である。ファ
イバ形位相変調器は単一モード光ファイバ中央部のシリ
コン被覆を4 cmに渡って取り除き、ここに膜厚約1
00OAのNi10r薄膜6を薄膜ヒータとして蒸着し
た構造となっており、Ni10r薄膜の両端に加熱用の
高周波電m9がつながっている。Ni10r薄膜6の長
さは25間、抵抗は8.5話である。
第2図はファイバ形位相変調器の断面図であって、4は
コアで510JG’BO2ガラスからなり、5はクラッ
ドで8102ガラスからなり、6はNi/′Or薄膜で
ある。コア4の直径は6μm1クラツド5の外径は60
/’mである。Ni10r薄膜に高周波電源9により
電圧を印加して発熱させ、屈折率を変化させることによ
り、位相を変化させることができる。温度による屈折率
変化をΔnとすると、位相変化Δφは Δφ=ΔβL−にΔrH,’−2πΔnL/λ (
8)となる。−L′はヒータ(NVOr )の長さ、λ
は波長である。
コアで510JG’BO2ガラスからなり、5はクラッ
ドで8102ガラスからなり、6はNi/′Or薄膜で
ある。コア4の直径は6μm1クラツド5の外径は60
/’mである。Ni10r薄膜に高周波電源9により
電圧を印加して発熱させ、屈折率を変化させることによ
り、位相を変化させることができる。温度による屈折率
変化をΔnとすると、位相変化Δφは Δφ=ΔβL−にΔrH,’−2πΔnL/λ (
8)となる。−L′はヒータ(NVOr )の長さ、λ
は波長である。
光ファイバを構成するS10.および810□/GeO
□ガラスの屈折率温度係数は柴田等によって求められテ
ィる( Electron、 Lett、、 Vol、
17i1981)810 、 ” RefraCti
Ve 工naex DiSpelrSiOn OfLi
ghtguide Glasses at high
tenperature ” )ように、コアガラス(
Sing−15モ/’%Gem、 )に対し、22℃−
185°Cの間で1.4 X 1 (1/”Cの値をも
つ。すなわち局部的にNj7Or薄膜ヒータにより10
0°Cに加熱すると、20°Cの光7アイバに比べて約
1.I X 10−8屈折率が大きくなる。
□ガラスの屈折率温度係数は柴田等によって求められテ
ィる( Electron、 Lett、、 Vol、
17i1981)810 、 ” RefraCti
Ve 工naex DiSpelrSiOn OfLi
ghtguide Glasses at high
tenperature ” )ように、コアガラス(
Sing−15モ/’%Gem、 )に対し、22℃−
185°Cの間で1.4 X 1 (1/”Cの値をも
つ。すなわち局部的にNj7Or薄膜ヒータにより10
0°Cに加熱すると、20°Cの光7アイバに比べて約
1.I X 10−8屈折率が大きくなる。
一方、光ファイバの膨張係数は高々10 /”Cであり
、熱による屈折率の変化の約/、。と小さいので、光フ
ァイバを局部的に加熱することにより、実効的に伝搬光
の位相変化は屈折率の温度依存性によって決定される。
、熱による屈折率の変化の約/、。と小さいので、光フ
ァイバを局部的に加熱することにより、実効的に伝搬光
の位相変化は屈折率の温度依存性によって決定される。
元ファイバすなわち石英ガラス(5in2)の比熱は0
.188 (art/9・deg )と小さく、シかモ
lCm長(外径12.5μmの旬光ファイバの熱容赦は
5.1×10 (→/deg )と小さいので、微小の
消費電力で温度を高めることができ、高速の応答特性が
得られる。
.188 (art/9・deg )と小さく、シかモ
lCm長(外径12.5μmの旬光ファイバの熱容赦は
5.1×10 (→/deg )と小さいので、微小の
消費電力で温度を高めることができ、高速の応答特性が
得られる。
第8図はヒータに交流電圧(周波数f)を印加したとき
の変調周波数fと伝搬光の位相変化Δφの関係を示した
ものである。周波数fが高くなるに従ってΔφは小さく
なっている。これはヒータとコアの間隔が27μmと大
きいので、熱伝導の応答が追随しないためであり、この
間隔を数μm以下に□すると、1〜101G(zまで平
坦な変調特性が可能となる。
の変調周波数fと伝搬光の位相変化Δφの関係を示した
ものである。周波数fが高くなるに従ってΔφは小さく
なっている。これはヒータとコアの間隔が27μmと大
きいので、熱伝導の応答が追随しないためであり、この
間隔を数μm以下に□すると、1〜101G(zまで平
坦な変調特性が可能となる。
第4図は本発明の他の実施例の構成図であって、両端は
コア4が中心にある同心円ファイバ、中央部はファイバ
形位相変調器であり、コアとNi/Qr薄膜6との間隔
は1μmまで近づけである。このような構造を実現する
には、ファイバ形位相変調器の両側に示したように、ク
ラッドが従来のクラッド5 (8i02)と810s、
/’E3 sOaガラス7 (B、08の濃度10mo
1%)の部分からなるファイバを作製し、このファイバ
をフッ酸でエツチングする。
コア4が中心にある同心円ファイバ、中央部はファイバ
形位相変調器であり、コアとNi/Qr薄膜6との間隔
は1μmまで近づけである。このような構造を実現する
には、ファイバ形位相変調器の両側に示したように、ク
ラッドが従来のクラッド5 (8i02)と810s、
/’E3 sOaガラス7 (B、08の濃度10mo
1%)の部分からなるファイバを作製し、このファイバ
をフッ酸でエツチングする。
5i02/B20aガラス7のエツチング速度が810
.に比べて約9倍速いので、選択的にエツチングされ、
コアを表面に近づけることができる。Ni、’Or薄膜
6Bこの上に蒸着すると、ファイバ形位相変調器となる
。この構造はコアとヒータが接近しているのでl〜I
U KHzまでの位相変調が可能となり、また池の通常
のボーモード光ファイバ8との接続も容易である。
.に比べて約9倍速いので、選択的にエツチングされ、
コアを表面に近づけることができる。Ni、’Or薄膜
6Bこの上に蒸着すると、ファイバ形位相変調器となる
。この構造はコアとヒータが接近しているのでl〜I
U KHzまでの位相変調が可能となり、また池の通常
のボーモード光ファイバ8との接続も容易である。
以上説明したように、本発明による7アイノく形位相変
調器は、小形であり、通常の光7アイ/<との接続が容
易であるという大きな利点がある。またLiNbO3の
ような薄膜光導波路を用いたときの端面研磨および7ア
イパと接続する場合に反射損失の点で問題がなく、作製
が容易であり、大社生・産が可能になるという利点があ
る。
調器は、小形であり、通常の光7アイ/<との接続が容
易であるという大きな利点がある。またLiNbO3の
ような薄膜光導波路を用いたときの端面研磨および7ア
イパと接続する場合に反射損失の点で問題がなく、作製
が容易であり、大社生・産が可能になるという利点があ
る。
48図+frJ(D 簡lN5− fx a 明第1図
は本発明によるファイバ形位相変調器の一実施例の構成
図、 第2図はファイバ形位相変調器の断面図、第3図は変調
周波数と伝搬光の位相変化の関係を示す図、 第4図は本発明の他の実施例で変商器部分に偏心ファイ
バを使用したときの構成図である。
は本発明によるファイバ形位相変調器の一実施例の構成
図、 第2図はファイバ形位相変調器の断面図、第3図は変調
周波数と伝搬光の位相変化の関係を示す図、 第4図は本発明の他の実施例で変商器部分に偏心ファイ
バを使用したときの構成図である。
■・・・単一モード光ファイバ
2・・・シリコン被数
3・・パファイバ形位相変WI器
4・・・コア 5・・・クラッド6−−−
Ni10r薄膜 ?−8i0./B2O3ガラス8
・・・通常の単一モード光ファイバ 9・・・高周波電源。
Ni10r薄膜 ?−8i0./B2O3ガラス8
・・・通常の単一モード光ファイバ 9・・・高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t コアおよびクラッドより構成される単一モード光フ
ァイバと該光ファイバのクラッドの周囲に装荷された薄
膜ヒータと、該薄膜ヒータに電圧を印加する高周波電源
を備えたことを特徴とするファイバ形位相変調器。 & 単一モードファイバとしてコアが7アイ/<表面近
傍に存在する偏心ファイバを用いることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のファイバ形位相変調器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58090572A JPS59216128A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | フアイバ形位相変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58090572A JPS59216128A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | フアイバ形位相変調器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59216128A true JPS59216128A (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=14002134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58090572A Pending JPS59216128A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | フアイバ形位相変調器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59216128A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0244770A2 (en) * | 1986-05-05 | 1987-11-11 | Polaroid Corporation | Thermally controllable optical devices and system |
WO2000049438A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Protodel International Limited | Polarisation control |
KR100703629B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-04-06 | 광주과학기술원 | 광 차동 위상 편이 신호 복조기 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5147440A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-23 | Sharp Kk | |
JPS5435756A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Photo switch |
JPS55164995A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | Optical sensing system |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58090572A patent/JPS59216128A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5147440A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-23 | Sharp Kk | |
JPS5435756A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Photo switch |
JPS55164995A (en) * | 1979-06-08 | 1980-12-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | Optical sensing system |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0244770A2 (en) * | 1986-05-05 | 1987-11-11 | Polaroid Corporation | Thermally controllable optical devices and system |
WO2000049438A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Protodel International Limited | Polarisation control |
KR100703629B1 (ko) | 2005-11-30 | 2007-04-06 | 광주과학기술원 | 광 차동 위상 편이 신호 복조기 |
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