JPS59211375A - イメ−ジセンサの構成法 - Google Patents
イメ−ジセンサの構成法Info
- Publication number
- JPS59211375A JPS59211375A JP58085066A JP8506683A JPS59211375A JP S59211375 A JPS59211375 A JP S59211375A JP 58085066 A JP58085066 A JP 58085066A JP 8506683 A JP8506683 A JP 8506683A JP S59211375 A JPS59211375 A JP S59211375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- light receiving
- elements
- compensation
- light
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はファクシミリや光学文字読取装置等に用いられ
るイメージセンサに関するものである。
るイメージセンサに関するものである。
従来技術と問題点
従来よりファクシミリや光学文字読取装置等には原稿か
らの情報を光電変換する多数の受光素子を一次元に配列
したイメージセンナが用いられている。
らの情報を光電変換する多数の受光素子を一次元に配列
したイメージセンナが用いられている。
第１図はこのイメージセンサの構造を示す図であ）、同
図において、１は光源、２は導光系、３は受光素子アレ
イをそれぞれ示している。
図において、１は光源、２は導光系、３は受光素子アレ
イをそれぞれ示している。
このイメージセンサは光源１から出た光で原稿４を照射
すると、原稿４からは白黒の模様を含んだ情報としそ反
射され、この光は導光系２で受光素子アレイ３上に導か
れ、ここで光量の大小が光電流の大小に光電変換され、
原稿の読み取シが行なわれるようになっている。
すると、原稿４からは白黒の模様を含んだ情報としそ反
射され、この光は導光系２で受光素子アレイ３上に導か
れ、ここで光量の大小が光電流の大小に光電変換され、
原稿の読み取シが行なわれるようになっている。
従来、このようなイメージセンサにおいて、その受光素
子プレイは温度によって特性が変化し、またスイッチン
グによる雑音の影響を受けるので、これらの補償を行な
う必要があった。
子プレイは温度によって特性が変化し、またスイッチン
グによる雑音の影響を受けるので、これらの補償を行な
う必要があった。
第２図は従来のイメージセンサにおける受光素子アレイ
の特性補償法を説明するための図である。
の特性補償法を説明するための図である。
これは基板５に多数の受光素子を１列に配置した受光素
子アレイ６と特性補供用の受光素子７とを形成しておき
、スイッチング素子８で受光素子アレイ６の受光素子を
順次走査して得た信号を、補償用素子７で得た信号と共
に比較回路９に導き、ここで温度採捕、雑音除去が行な
われ出力される。
子アレイ６と特性補供用の受光素子７とを形成しておき
、スイッチング素子８で受光素子アレイ６の受光素子を
順次走査して得た信号を、補償用素子７で得た信号と共
に比較回路９に導き、ここで温度採捕、雑音除去が行な
われ出力される。
このような従来の特性補償方法では、補償用素子７の特
性が受光素子の特性とできるだけ等しい必要があるが、
１個の素子ですべての受光素子を完全に補償することは
特性のばらつきの点で無理がらシ、また補償用素子から
離れた位置にある受光素子は補償用素子と環境条件に差
が生ずる等の欠点があった。
性が受光素子の特性とできるだけ等しい必要があるが、
１個の素子ですべての受光素子を完全に補償することは
特性のばらつきの点で無理がらシ、また補償用素子から
離れた位置にある受光素子は補償用素子と環境条件に差
が生ずる等の欠点があった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鍾み、温度補償及び雑音補償
を高精度に行なうことができるイメージセンサの構成法
を提供することを目的とするものである。
を高精度に行なうことができるイメージセンサの構成法
を提供することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、多数の受光素子を１
列に並べて形成した受光素子アレイを含んで成る一次元
のイメージセンサにおいて、前記受光素子に近接して該
受光素子と同数の特性補償用素子を配置した仁とを特徴
とするイメージセンサの構成法を提供することによって
達成される。
列に並べて形成した受光素子アレイを含んで成る一次元
のイメージセンサにおいて、前記受光素子に近接して該
受光素子と同数の特性補償用素子を配置した仁とを特徴
とするイメージセンサの構成法を提供することによって
達成される。
発明の実施例
以下本発明実施例を図面によりて詳述する。
第３図は本発明によるイメージセンサの構成法を説明す
るための図である。同図において、ｌＯは基板、ＩＬ１
＃ １１２・・・は受光素子アレイを構成する受光素子
、１１．１１１２ ・・・は特性補償用素子をそれぞれ
示している。
るための図である。同図において、ｌＯは基板、ＩＬ１
＃ １１２・・・は受光素子アレイを構成する受光素子
、１１．１１１２ ・・・は特性補償用素子をそれぞれ
示している。
本実施例は図のように受光素子と特性補償用素子とが交
互に配置され、受光素子１１−１．１１−２・・・は受
光素子アレイを構成している。そしである受光素子はそ
の旨多の補償用素子によりて補償されるようにして用に
られる。即ち第４図に示す如く受光素子１１−１がスイ
ッチング素子１３でＯＮになった場合には、スイッチン
グ素子１４は補償用素子１２−１をＯＮとし、比較回路
１５にそれぞれ信号を送る。また受光素子１１−２がＯ
Ｎの場合は補償用素子は１２−２がＯＮされる。このよ
うに受光素子はその隣に配置された補償用素子によって
補償され出力される。
互に配置され、受光素子１１−１．１１−２・・・は受
光素子アレイを構成している。そしである受光素子はそ
の旨多の補償用素子によりて補償されるようにして用に
られる。即ち第４図に示す如く受光素子１１−１がスイ
ッチング素子１３でＯＮになった場合には、スイッチン
グ素子１４は補償用素子１２−１をＯＮとし、比較回路
１５にそれぞれ信号を送る。また受光素子１１−２がＯ
Ｎの場合は補償用素子は１２−２がＯＮされる。このよ
うに受光素子はその隣に配置された補償用素子によって
補償され出力される。
以上の如く構成された本実施例は受光素子と補償用素子
とが隣接して配置されているため、特性のばらつきや、
ホトリソグラフィ工程でのパターン精度のばらつきを低
減でき、且つ環境条件の差異も低減することができる。
とが隣接して配置されているため、特性のばらつきや、
ホトリソグラフィ工程でのパターン精度のばらつきを低
減でき、且つ環境条件の差異も低減することができる。
従って高精度の特性補償が可能となる。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明によるイメージセン
サの構成法は、受光素子アレイの各受光素子にそれぞれ
隣接して特性補償用素子を配置することにより、素子作
成時のばらつきの低減及び環境条件の差を低減して高精
度の特性補償を可能にし得るといった効果大なるもので
ある。
サの構成法は、受光素子アレイの各受光素子にそれぞれ
隣接して特性補償用素子を配置することにより、素子作
成時のばらつきの低減及び環境条件の差を低減して高精
度の特性補償を可能にし得るといった効果大なるもので
ある。
第１図は従来のイメージセンサを説明するブζめの図、
第２図は従来のイメージセンサの４与性祁１償法を説明
するための図、第３図及び第４図は本発明によるイメー
ジセンサの構成法を説明するための図である３、 図面において、】０は基板、１１−１１１１−２ ・・
・は受光素子、１２．、、□１１２−２・・・は特性補
償用素子をそれぞれ示す。
第２図は従来のイメージセンサの４与性祁１償法を説明
するための図、第３図及び第４図は本発明によるイメー
ジセンサの構成法を説明するための図である３、 図面において、】０は基板、１１−１１１１−２ ・・
・は受光素子、１２．、、□１１２−２・・・は特性補
償用素子をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １、多数の受光素子を１列に並べて形成した受光素子ア
レイを含んで成る一次元のイメージセンサにおいて、前
記受光素子に近接して該受光素子と同数の特性補償用素
子を配置したことを特徴とするイメージセンサの構成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085066A JPS59211375A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | イメ−ジセンサの構成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58085066A JPS59211375A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | イメ−ジセンサの構成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211375A true JPS59211375A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13848250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58085066A Pending JPS59211375A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | イメ−ジセンサの構成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211375A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262870A (en) * | 1989-02-10 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor in which reading and resetting are simultaneously performed |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP58085066A patent/JPS59211375A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262870A (en) * | 1989-02-10 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor in which reading and resetting are simultaneously performed |
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