JPS59211230A - ドライプロセス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般的にコンピュータ製造用の、集積回路補
作、プリント回路板の汚れ除去（ｄｅｓｃｕｍｍｉｎｇ
　）　、セラミック基板加工、に用いられるＲＦ（高周
波）スパッタ装置に関するものである。

反応性スパッタリングのようなｒライゾロセス法ニおい
ては、エツチングと堆積とが同時に起こるが、エッチン
〃゛工程ではエッチ速度の方が堆積速度よりも大きく、
他方堆積工程では堆積速度がエッチ速度より大きい。エ
ツチングと堆積の相対速度は、材料、用いられる反応性
気体、エッチされる表面形状、放電のパラメータ、にょ
って決定される。

反応性スパッタリングはエツチングと堆積のどちらでも
こなせるプロセスであり、低圧力放電の化学反応成分を
用いてよ（制御された方向性をもつエツチングを実現し
、しばしば材料間の高い癲択性な示し、または薄膜のよ
く制御された堆積を実現する。、それはマイクロエレク
トロニクスデバイスの作製に広く用いられており、特に
、「パッチ」及び「単一クエバ」方式のいずれにおいて
も８ｉウエハ上のデバイス作製によく用いられている。

後者の場合、高速度のエツチングあるいは堆積が望まし
い。平行平板型の電極を用いたシステムにおいては、約
１００Ｐａ　（１，３３Ｔｏｒｒ　）付近の圧力で高い
速度が得られる。そしてそのためほとんどの単一ウエバ
エツチング装置はこの領域で動作するようになっている
。しかし、そのような高い圧力でエツチングする場合、
大量の化学成分が存在し、基板位置でのイオンエネルギ
ーが低くなるため、エツチングの方向性の問題と、エッ
チ速度の負荷、温度、基板パターン形状依存性の問題が
あられれてくる。高エッチ速度は、走査式の磁界や熱フ
イラメントトライオード方式のどちらかを用いて低圧力
で得られている。これら両方法は共に放電中のイオン化
を促進する。

本発明は、磁界や外部イオン化源を用いずにイオン化を
促進させる別の方法を提供するものであり、しかも非常
に高速度で、一様な堆積またはエツチングを実現できる
ものである。本方法は「ホローカソード」電極を採用し
ており、それは従来、数多くの目的のために用いられて
きているものの。

ここに述べるようなＲＦ励起と併用されることもなかっ
たし、あるいは化孝的反応性のエツチングまたは堆積放
電成分と共に用いられることもなかった。

「ホローカソード電極」という用語はここでは互に向か
いあって平行に置かれ、はソ同じ電位に保たれた２つの
平板電極表面を含む構造を意味するものとして用いられ
ている。すなわち、２つの電極表面間の電位差は、エツ
チングチャンバに印加された全電圧のうちの少しの割合
（例えは６０％あるいはそれ以下）を占める。

第１表には各種の従来技術のエツチングプロセスを示し
ている。この表はまたそれらのプロセスに付随する欠点
が述べられており、それらの欠点の改善が本発明の方法
によって達成されることが示されている。

第　　１　　表 第−の面に従えば、本発明は以下のものを含むドライプ
ロセスエツチングまたは堆積チェンバにおいて実施され
る。

上で定義したようなホローカソード型の電極を含む、２
個の高周波電極を収納する真空チェンバ、上記１対の電
極間につながれた高周波電圧源、上記真空チェンバへ気
体を導入する手段であって、上記気体は高周波放電でイ
オン化された場合、化学的に反応性になり、ホローカソ
ードの内部表面上に置かれたターゲット材料上でエツチ
ング及び堆積工程を実現するようになっている、ような
導入手段。

第２の面に従えは、本発明は次の工程を含むドライプロ
セスのエツチングあるいは堆積の方法と実施例 上で定義されたようなホローカソード電極の内部表面上
にターゲット材料を置くことであり、上記ホローカソー
ド電極が真空チェンバ内に置かれた１対の高周波電極の
１方であるような、ターゲット材料の設置工程、 上記電極間に１％周波電圧を印加すること、上記チェン
バ中へ気体を導入することであって、上記気体は高周波
エネルギによって励起された場合、化学的反応性プラズ
マを形成し、上記プラズマが上記ターゲット材料上でエ
ツチング及び堆積プロセスを実現するようになった。気
体の導入工程。

本発明の１つの実施例においては、ホローカソード内の
放電はその中に置かれた石英リングのような絶縁性材料
によってとじこめられる。

本発明の好適実施例は、エツチングや堆積によって生産
された揮発性生成物をチェンバからポンプ排出するため
の手段を含んでいる。

本発明のエツチングチェンバとしての動作圧力はおよそ
０．１−５００　Ｐａの範囲であり代表的には０．１−
　Ｉ　Ｄ　Ｐａの範囲にあると考えられるが。

しかしながら、より性能の小さい真空ポンプを用いて５
−４０　Ｐａの圧力範囲で動作させるようにしてもそれ
程大きな差異なしにエツチングプロセスを実現すること
ができる。印加されるＲＦ　’！圧は０．１−４　ｋｖ
の範囲にあると考えられるが、０．５−１．５ｋｖビー
ク対ピーク値眠圧の範囲であることが望ましく、また高
周波は１００ＫＨｚ−ｉ　Ｑ　Ｑ　ＭＨｚの範囲にあり
１代表的には１３　Ｍｌｌｚ程度である。

本発明に従うエツチングチェンバに用いられる気体は水
素、またはハロゲンのイオンを供給スべきであり１代表
的にはＣＦ４、Ｓ　ｉ　Ｆ　４、Ｓ　ｉ　（Ｊ、　４等
の気体かＳ　ｉ　Ｆ　４．０２、Ｈ２の混合物である。

ここで本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１（ａ）図に示した従来技術のチェンバは１３．５６
　ＭＨｚ　テａ　作スる改良型のパーキンエルマー３１
４Ｏ−８Ｊｌ−ターゲットスパッタシステムである。

第１（→図のチェンバは、アースされたチェンバ１１中
にとりつけられたＲＦ　’４極１ｏを含んでおり、その
電極には即入カ１２を通ってＲＦ屯カが供給されており
、エッチされるべき基板１３は電極、１０上に設置され
る。反応性気体はチェンバの最上部にある入口１４を通
してチェンバ中へ供給される。

第１（→図の装置を改造することによって、本発明の実
施例が得られている。第１（ｂ）図の、改造された装置
において、ホローカソード構造１５は第１（ａ）図中の
装置のステンレス鋼ＲＦ電極板１０上に設置される。下
方ターゲット１６はアルミニウムブロック１７上に直接
置かれ、またブロック１ＴはＲＦ　’Ｆｔ極１極上０上
置されている。他方上方ターゲット１８はアルミニウム
円板１９にとりつけられており、それがホローカソード
構造１５の上方′電極を構成している。この円板１９は
アルミニウム・柱２１にボルト留めされており、柱はＲ
Ｆ電極１０上に設置されたアルミニウムリング２２ヘボ
ルト留めされている。石英リング２３が放′屯とじこめ
の役割をするようになっており、本実施例では■ＬＦ　
醒ｉｉ、　Ｉ　Ｑ上に置かれてリングと上方ターゲット
の間に１０ｍｍの間隙を作っている。第１（ｂ）図中の
８ｉターデツトウエノ・は直径５ＣｎＬのものであり、
２はの間隙を置いて置かれている。下方ウェハはＤＯ７
０４拡散ポンプ油によってＲＦ　Ｋ極へのヒートシンク
を有している。この油はまた下方Ｓ１ウエハ上に置かれ
たエツチングテストサンプル２４のヒートシンクを得る
ためにも用いられる。

他のヒートシンクを得る方法を用いることも可能であっ
たが、柔軟性に乏しい。

入力電力は、減算法によって測定され、整合回路中の電
力損失を全入力電力から差引くことによって真の放電電
力レベルを得ることができる。他のモニタリング、気体
制御、エッチ速度測定が既知の方法で行われる（　Ｊ、
　Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ。

第１９巻１４０８頁（１９８１年）のＣ，Ｍ。

Ｈｏｒｗｉｔｚ　（ホロウィッッ）とＪ、　Ｍｅｌｎｇ
ａｉｌｉｓ　（メルンガイリス）の論文参照）。

第２（ａ）図は、標準的なＲＦスパッタシステムの動作
を示しており、実線２５がイオンの動きを、破線２６が
ターゲット２７がら放出された二次電子の動きを示Ｉ２
ている。もし電極面積比が十分大きければ、グロー電位
はより大きい上方チェンバ電極に近い値となりイオンは
より小さいターゲット（カソード）を優先的に衝撃する
ことになる。

（Ｊ、　Ｖａｃ、　Ｓｃｉ、　Ｔｅｃｈｎｏｌ、　Ａ、
　１９８３年第１巻１月〜６月号第６０−６８頁のＣ，
Ｍ、　Ｈｏｒｗｉｔｚ（ホロウイッッ）の論文参照）。

イオン衝撃によって放出される二次電子はイオンと逆の
方向へ移動する。それらの電子は高いエネルギーを持つ
が、１０Ｐａ以下の圧力では中性粒子との衝突確率は十
分小さいためにグロー２８中でそれ程イオン化を行うこ
とはできない。このようにこの圧力範囲ではこのグロー
は別の機構により保持される。第２（Ｃ）図のチェンバ
中の平均（直流分）電位変動かられかるように、この電
圧分布はビサイクル中に２度電子が通過する。バイアス
電圧（ｖｂ　）は電極間に発生する平均直流電圧である
。

明らかなように、グｎ−放電中には大きい電圧勾配があ
るが、それらは電極に接近した場所にのみ存在する。グ
ロー放電の大部分の領域ははソ同電位にあり、便宜的に
電圧基準レベルＶｇとして働く。第２（ｃ）図は第２（
ａ）図の装置の放電中の電圧変化をチェンバ２９に関し
て下方ターゲット電極からの距離の関数とｔ−て示して
いる。両電極がグロー電位■ｇよりもより負にあること
に注意されたい。図示された曲線は高速に変動している
即電圧の平均値である。重いイオン２５はこの平均値に
追随するが、電子は質量が小さいためにこの平均値のま
わりを変動する電圧の瞬時値に追随する。ターゲットか
らの二次電子２６はグローに向かって加速された後、グ
ロー中をはソ一定の速度ですすみ、より大きい方の電極
２９と衝突する前ですこし減速される。それらの衝突エ
ネルギーは、平均的に電極間で測定ｔ、　７ｊ直流バイ
アス電圧（ｖｂ）に等１〜い。

Ｆ’　２　（ｂ）図はホローカン−トスバッタシステム
の動作を示している。上方「チェンバ」３１はやはり最
も大きい電極であり、従ってグロー電位Ｖｇ（第２（ｄ
）図参照）ははソ図示されたチェンバの電位であると１
．でよい。このことから中央電極の最上部がイオン３２
によって衝撃される。更に、グロー３５がチェンバ電位
にあるため、２つの下方板３６．３７０間の「ホロー」
領域もまたイオン３３によって衝撃される。このイオン
衝撃によって放出される二次電子３４は電気的ミラーの
中に置かれることになり、それらはグロー３５へ向かっ
て加速された後対向電極へ近づくにつれて等量減速され
る（便宜上２個の電子のみが図示されている）。このサ
イクルがくりかえされ、その結果は衝突が起こるまでそ
れら二次電子が電極３６．３７間で振動することになる
。減衰を入れない電子運動の計算によれば、衝突な［２
に電子はＲＦの１サイクル間に電極３６．３７間を２０
−４０往復することになる。もし衝突が起これば、それ
はイオン化確率の高いものとなり、その結果この放電中
に高レベルのイオン化が実現されることになる。電子捕
獲以外の因子もまた放電イオン化を増大させると考えら
れる。すなわちターデッド間あるいはターゲット中のイ
オンはホローカンードシステムにおいてはチェンバ表面
３１よりもむｌ−ろターデツ）３６，３７０方向へ拡散
する傾向がある。そして高エネルギ光子は光電子を発生
しやすい。

直流ホローカソード装置の場合と同じように、イオン化
の増大によって与えられた入力電圧に対して流れる電流
が大きくなる。ＲＦ酸成分ついては、与えられた印加防
電圧に対する放電入力電力は増大する。この電力は主と
して２つの対向するターゲットの間で消費され（それら
のターゲットは負になることがほとんどであり、それに
よってホローカンードを構成する）、ホローカンードタ
ーゲットをとりがこむグロー３５を通ｌ−でチェンバへ
戻り電流が流れる。この電流は第２（ｄ）図に示したよ
うな電圧降下をグロー中に生成する。ホローカンードタ
ーゲットの間の電位はそれらの上にあるグロー電圧（Ｖ
ｇ　）と異なる。

エツチングシステムの場合には、上方８ｉターゲツトの
エッチ速度は下方Ｓｉターケゞットのそれと同じである
。もしエッチされたＳｉが対向するターゲット上へ再堆
積されるようだと実質的にエツチングは行われないこと
になる。■、かＩ７本発明の場合には揮発性エッチ生成
物をつくる反応性気体（Ｃ’Ｆ、　）を用いるため、エ
ッチされたＳｉはチェンバの外へ排出される。

第６図はエッチ速度と放電入力電力の変化をＣＦ、の気
体圧力の関数として示しており、第６（ａ）図は基板と
それがとりつけられている電極との間に熱伝導性コンパ
ウンドを用いることによって基板の温度を制御した場合
を示し、また第６（ｂ）図はヒートシンクなしの高温基
板の場合を示している。

通常はスパッタエツチングチェンバでは電極温度は制御
されており、基板とそれがとりつけられている％極との
間にヒートシンクコンパウンドが用いられた場合には、
基板温度は電極の温度に近い値となる。第６図に示した
エツチングのふるまいは［３１なスパッタシステムにお
いてみもれるそれと異なっている。即ちここでは入力電
力とエッチ速度がほとんど一定になっており、特に０．
１から５　Ｐａ０間でそうである。このような特徴は試
料がヒートシンクを有していてもいなくても同じであり
、以下のような説明づけが与えられる。圧力が減少する
と標準的なスパッタシステムでは数少ないイオンしか生
成せず、従ってターゲットとグロー領域との間の暗領域
の大きさが増大し、８１０２等の材料のエッチ速度は一
定の印加ＲＦ雷電圧対１２て減少する。しかしホローカ
ソード構成においては、別のイオン化機構が存在し、あ
る程度のイオン化レベルが保たれ、それは本装置におい
ては気体の圧力ではなく生成率と粒子消滅機構により限
定される。このように、暗領域の大きさは第６図に示さ
れた条件においてはは’：　３　ｍｍと一定に保たれ、
そのためＳｉや５ｉ０２のエッチ速度もほぼ一定に保１
これる。０．Ｉ　Ｐａと１−５　ｋｖｐ−ｐの条ｆ’を
下で標準的なスパッタエツチングで得ら１％ろ５ｉ０２
のエッチ速度より１００倍大きいエッチ速度を得ること
が可能である。

さて　糖５　（ａ）図を参照すると、第６（ａ）図に示
した条件下で得られたエッチ断面は角度αをもつ傾犯を
もっており、その角度はターゲット温度、気体流ザ′、
放ＴＪｉ、’圧力等のパラメータを変えることによって
制御することができる。このことは、直線的な側壁４１
を得ることかで−きることと、その傾斜角αが制御可能
である点で他のプロセスと異なっている。従来技術のプ
ロセスは垂直な断面４２（第５（ｂ）図参照）を与える
か、ある℃・＆−１アンダーカットのある「等方的な」
断面４３（第５（Ｃ）図参照）を与えるか、ある場合に
はそれら２つの名もざり合った断面を与えるかであり、
そｆｔ　１−）ｋま材十斗、及び気体に強く依存１７て
いる。

第４図はエッチ速度と放電電力が印加さ勇ｔたビーク対
ピーク値のＲＦ’を圧Ｖｐ１）によってどのように変化
するかを示しており、第４（ａ）図（′！、基板基板上
；がとりつけられた電極へ熱的（（接絆されてし・る場
合を示しており、また第４（ｂ）図＆１基板にヒートシ
ンクが設けられていない場合につ（・て示１７て（・ろ
。このふるまいは標準的なスフ″？ツタシスチムニおい
てＣＦ、で観察されるふるま（・と似ており、す１’ｘ
、　ｂちＶｐｐ　＜　１　ｋｖの場合Ｓ１と５ｉ０２７
５”同程度のエッチ速度を有し、より高電圧におＸ、Ｓ
て（よＳｌの方が８１０２より小さいエッチ速度を有す
る。

結論と１．て、０．Ｉ　Ｐａ　（０，７５ｍ、Ｔｏｒｒ
　）と℃゛う低い圧力において、標準的な反応性スノ々
ツタエツチングで得られるエッチ速度より１００倍程の
大きいエッチ速度が得られる。

本発明の第２の実施例が第６図に断面図で示さ゛れてい
る。すなわち真空チェンバ５１は１対の円板状ターゲッ
ト電極５２を収納１２ており、それら電極がホローＲＦ
カソード構造−に構成している。

リング５３状の第２のＲＦ電極が円板５２対をとりかこ
んでおり、ターゲット材料５４はホローカソードの内部
表面を形成する円板５２０表面上にとりつけられている
。エツチングあるいは堆積プロセスにおいてプラズマと
なる気体の供給は、チェンバ５１へその片側にある開口
部５５を通（、て行われ、エツチングあるいは堆積のプ
ロセスで生成した気体状生成物はチェンバの他の側に設
けられた第２の開口部５６を通１２て除去される。入力
及び出力の開口部５５，５６の近辺の電極５３中には孔
をあけておくことが望ましい。

第６図のスパッタチェンバは、外見は第１（ｂ）図に示
され７こチェンバと本質的に異なっているが、このチェ
ンバの動作モードは第１（ｂ）図に関して前に説明した
ものと似ており、ここではくりかえさない。

本発明の第６の実施例が第７図に断面図で示されている
。そこではチェンバ５８がホローカソード構成を形づ（
りており、カソードで定義された空胴６１は平面的には
円形であり、空胴６１の外周に密に適合した環状アノー
ド５９を収納している。このアノードはＵ字型をしてお
り、空胴６１の中心に向かって開いており、大きい活性
表面領域を提供しており、ターゲット材料６０はチェン
バ５８の内部表面上に設置されるようになっている。エ
ツチングあるいは堆積のプロセスで用いられる気体はチ
ェンバの片側に設けられた入力開口部６２を通してチェ
ンバへ入るようになっており、エツチングまたは堆積の
プロセスでの気体生成物はチェンバの反対側に設けられ
た第２の開口部６３を通ｌ−で除去される。入力及び出
力開口部６２，６３０近辺の環状電極５９には孔６４を
あげておくことが望ましい。

第６図の実施例と同じように、第７図のチェンバの動作
は第１（ｂ）図のチェンバに関して述べたものと同様で
あるので、くりかえさない。

当業者には本発明の範囲からはずれることなしに数多く
の変形や修正が可能であることは明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

術のチェンバと類似のスパッタエツチングチェンバであ
るが、本発明に従ったホローカンードを構成するように
修正されたＲＦ電極が用いられているようなチェンバを
示している図である。 第２（ａ）図は従来技術の２電極ゴ反応性スパッタシス
テムの動作を図示している。 第２（ｂ）図は、第１（ｂ）図に示されたのと類似のホ
ローカソード反応性スパッタシステムの動作を図示１７
ている。 第２（ｃ）図は、第２（ａ）図のエツチングチェンバ内
の平均（直流分）の電位変動をターゲットから上部チェ
ンバ壁へ内力・つた距離の関数で示したグラフである。 第２（ｄ）図は、第２（ｂ）図のエツチングチェンバ内
の平均（直流分）の電位変動を下側のターゲットから上
部チェンバ壁へ向かっての距離の関数として示１７たグ
ラフである。 第３（ａ）図と第６（ｂ）図は、ホローカソード反応性
スパッタシステムについて、一定の訃電圧及び一定の気
体流量において各種材料のエッチ速度と放電入力電力を
圧力の関数として示しており、第３（ａ）図では基板が
ヒートシンクを有しており、第３（ｂ）図では基板がヒ
ートシンクを有していない場合をそれぞれ示している図
である。 ｍ　４　（ａ）　図と第４　（ｂ）図は、ホローカソー
ド反応性スパッタシステムにおいて、一定の気体圧力及
び気体流量に対して各種材料のエッチ速度と放電入力電
力なＲＦ電極のピーク対ピーク値電圧の関数として描い
ており、第４（ａ）図では基板がヒートシンクを有して
おり、第４（ｂ）図では基板がヒートシンクを有ｔ、て
いない場合をそれぞれ示している図である。 第５図は（ａ）　Ｋ本発明の装置によって得られた可変
傾斜角を有する直線的な断面を示しており、（ｂ）には
従来技術のプロセスで得られた垂直断面を示１７ており
、（Ｃ）には従来技術のプロセスで得られたアンダーカ
ットを有する断面を示している図である。 第６図と第７図は１本発明に従うホローカソードスーツ
ｌ　ノチング及び堆積チェンバの第２及１ろ５０フオト
レジストのことである。 （符号） １０・・・・・・・・・電極板 １１・・・・・・・・・チェンバ １２・・・・・・・・・■入力 １３・・・・・・・・・基板 １４・・・・・・・・・気体導入口 １５・・・・・・・・・ホローカンード構造１６・・・
・・・・・・下方ターゲット１７・・・・・・・・・ア
ルミニウムブロック１８・・・・・・・・・上方ターゲ
ット１９・・・・・・・・・アルミニウム円板２１・・
・・・・・・・アルミニウム柱２２・・・・・・・・・
アルミニウムリング２３・・・・・・・・・石英リング ２４・・・・・・・・・テストサンプル２５・・・・・
・・・・実線（イオンの動き）２６・・・・・・・・・
破線（二次電子の動き）２７・・・・・・・・・ターゲ
ット ２８・・・・・・・・・クロー ２９・・・・・・・・・チェンバ ３１・・・・・・・・・上方チェンバ ３２・・・・・・・・・イオン ３３・・・川・・・イオン ３４・・・・・・・・・二次電子 ３５・・・・・・・・・グロー ３６・・・・・・・・・平板電極 ３７・・・・・・・・・　　１ ４１・・・・・・・・・直線的側壁 ４２・・・・・・・・・垂直な断面 ４３・・・・・・・・・アンダーカットのある断面５１
・・・・・・・・・真空チェンバ ５２・・・・・・・・・円板 ５３・・・・・・・・・リング ５４・・・・・・・・・ターゲット拐料５５・・・・・
・・・・開口部 ５６・・・・・・・・・第２の開口部 ５７・・・・・・・・・孔 ５８・・・・・・・・・チェンバ ５９・・・・・・・・・環状アノード ６０・・・・・・・・・ターゲット材料６１・・・・・
・・・・空胴 ６２・・・・・・・・・入口開口部 ６３・・・・・・・・・出口開口部 ６４・・・・・・・・・孔 代理人　浅　村　　　皓 図面の浄書（内容に変更なし） ｆ７Ｇ−１（ａ） Ｆ／Ｃｙ、Ｒｂノ 斥か　（−） Ｆ／θ、町ψ 死力　（Ｐａ　） Ｆｌ（ｙ、３〜 Ｆｌθ、４〜　　　　　Ｆｌ６．４（ｂ）手続補正書（
方式） 昭和５９　年６月　２１日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５９　　年特Ｗ「願第　　４４８０６　　　号２、
発明の名称 ト屑物必１１ ３、補正をする者 事１′１との関１系　特、１′１出願人住　　所 ４、代理人 ５、補正命令の日刊 昭和５９年　５月　２９日 ６、補正により増加する発明の数

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　ドライプロセスエツチングまたは堆積の方法
   であって、次の工程、 ターゲット材料を、真空チェンバ内に設置された１対の
   高周波電極のうちの１方のホローカソード電極の内部表
   面上に設置すること、 上記電極の間に高周波電圧を印加１−ること、上記チェ
   ンバ中へ、気体であって、篩周波エネルギーによって励
   起された場合に化学的に反応性（７）　７’ラズマを形
   成し、上記ターゲット材料上でエツチングまたは堆積の
   プロセスを実現する気体を導入すること、を含む方法。 （２）特許請求のｔｆｉα囲嘱１項の方法であって、上
   記気体が上記真空チェンバ内で０−１−５００Ｐａの範
   囲内の圧力に保たれている方法。 （３）特許請求の範囲ｉ１＠１項の方法であって、上記
   気体力０．１−１０　Ｐａの範囲内の圧力に保たれてい
   る方法。 （４）特許請求の範囲第１項の方法であって、上記気体
   が５−４０　Ｐａの範囲内の圧力に保たれている方法。 （５）特許請求の範囲第１項から第４項のうちの任意の
   方法であって、高周波電圧が０−１−４　ｋｖの範囲内
   の値である方法８ （６）特許請求の範囲第１項から第４項のうちの任意の
   方法であって、高周波電圧が０．５−１．５　ｋＶの範
   囲内の値である方法。 （力　特許請求の範囲第１項から第６狛のうちの任意の
   方法であって、高周波電圧の周波数が１００　ＫＨｚ　
   −１００Ｍｌｌｚの範囲内の値である方法。 （８）％許請求の範囲第１項から第６項のうちの任意の
   方法であって、周波数が１３　ＭＨｚ程度の値である方
   法。 （９）特許請求の範囲第１項から第８項のうちの任意の
   方法であって、上記気体が、高周波放電によって励起さ
   れた場合にノ・ロデンイオンを供給することのできる気
   体である方法。 （１０）特許請求の範囲第１項から第８項のうちの任意
   の方法であって、気体がＣＦ４を含んでいる方法。 ０υ　特許請求の範囲第７項の方法であって、気体がＳ
   ｉＦ４を含んでいる方法。 （ｔ２、特許請求の範囲第７項の方法であって、気体が
   Ｓ　ｉ　Ｃ１０を含んでいる方法。 ０３）％許請求の範囲第１項から第８項のうちの任意の
   方法であって、上記気体が、高周波放電によって励起さ
   れた場合に水素イオンを供給する気体である方法。 Ｏａ　　ドライプロセスエツチングまたは堆積チェンバ
   であって、 １方が以下に定義されるようなホローカッ−Ｐを形成す
   る。２個の高周波電極を収納する真空チェンバ、 上記１対の電極の間につながれた高周波電圧源真空チェ
   ンバ中へ、気体であって、高周波放電により（イオン化
   された場合に化学的に反応性となってホローカソードの
   内部表面上に設置されたターデッド材料上にエツチング
   または堆積プロセスを実現するような気体を導入するだ
   めの入力手段、 を含むチェンバ。 （１５）　　％許請求の範囲第１４項のエツチングまた
   は堆積チェンバであって、上記チェンバに出口が設けら
   れており、それを通ってエツチング及び堆積プロセスで
   の生成物が除去されるチェンバ。 Ｏｅ　　％許開求の範囲第１４項または第１５項のエツ
   チングまたは堆積チェンバであって、上記真空チェンバ
   が閉じた金橋の容器であって、ホローカッ−１電極を構
   成する本質的に平行な１対の内部表面を有しているチェ
   ンバ。 （１η　特許請求の範囲第１４項から第１６項のうちの
   任意のエツチングまたは堆積チェンバであって、アノ−
   Ｐが環状であるチェンバ。 賭　特許請求の範囲第１７項のエツチングまたは堆積チ
   ェンバであって、アノードが本質的に平行なホローカソ
   ードの表面の間に位置しているチェンバ。 （２）特許請求の範囲第１８項のエツチングまたは堆積
   チェンバであって、アノ−げの断面がＵ字型をしており
   、ホローカソードの内部に向かって開いた形をしている
   チェンバ。