JPS59208832A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPS59208832A JPS59208832A JP8275283A JP8275283A JPS59208832A JP S59208832 A JPS59208832 A JP S59208832A JP 8275283 A JP8275283 A JP 8275283A JP 8275283 A JP8275283 A JP 8275283A JP S59208832 A JPS59208832 A JP S59208832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- plate
- coating
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は塗布技術、特に、半導体ウェハにレジストや現
像液等を塗布するのに利用して有効な塗布技術に関する
。
像液等を塗布するのに利用して有効な塗布技術に関する
。
［背景技術］
半導体ウェハに対してレジストまたは現像液を塗布する
場合、半導体ウェハの被塗布面を上側に向けてウェハチ
ャンクで真空吸着し、被塗布面の中心部にレジストを滴
下してウェハを高速回転させることにより、遠心力でレ
ジストを被塗布面に拡げて行く方式が提案されうる。
場合、半導体ウェハの被塗布面を上側に向けてウェハチ
ャンクで真空吸着し、被塗布面の中心部にレジストを滴
下してウェハを高速回転させることにより、遠心力でレ
ジストを被塗布面に拡げて行く方式が提案されうる。
ところが、この方式では、レジストが被塗布面の中心部
の滴下位置から遠心力で周囲に拡がるにつれて、レジス
トの表面層から溶剤が揮発し、レジストの粘度が時間の
経過につれて急速に変化することにより、ウェハの中心
部と周辺部とでレジストの膜厚にむらが生じてしまうと
いう問題がある。このことは特に大径のウェハについて
顕著にあられれる。
の滴下位置から遠心力で周囲に拡がるにつれて、レジス
トの表面層から溶剤が揮発し、レジストの粘度が時間の
経過につれて急速に変化することにより、ウェハの中心
部と周辺部とでレジストの膜厚にむらが生じてしまうと
いう問題がある。このことは特に大径のウェハについて
顕著にあられれる。
また、レジストの粘度を調整、制御する手段を設けてい
ないことにより、レジストの粘度そのものが違うことに
よる膜厚のばらつきが発生してしまうことが本発明者に
よって明らかとされた。
ないことにより、レジストの粘度そのものが違うことに
よる膜厚のばらつきが発生してしまうことが本発明者に
よって明らかとされた。
さらに、レジス１−等を被塗布面の上方から滴下する場
合、膜の形成に利用されなかった大部分のレジスト等は
無駄に廃棄されることになり、レジス１−等の浪費によ
るコストの上昇来すという問題もある。
合、膜の形成に利用されなかった大部分のレジスト等は
無駄に廃棄されることになり、レジス１−等の浪費によ
るコストの上昇来すという問題もある。
［発明の目的］
本発明の目的は、レジスト等の塗布材料の膜厚を均一化
できる塗布装置を提供することにある。
できる塗布装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、塗布材料の消費量を減少させるこ
とのできる塗布装置を提供することにある。
とのできる塗布装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要コ
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
ずなわら、被塗布物の被塗布面を下向きにして支持し、
その被塗布面の下方から塗布材料を供給することにより
、前記目的を達成することができるようにするものであ
る。
その被塗布面の下方から塗布材料を供給することにより
、前記目的を達成することができるようにするものであ
る。
［実施例コ
第１図は本発明の一実施例である塗布装置を示す概略断
面図、第２図はそのレジスト被着状態の一例を示す概略
断面図、第３図はウェハ高速回転状態を示す概略断面図
である。
面図、第２図はそのレジスト被着状態の一例を示す概略
断面図、第３図はウェハ高速回転状態を示す概略断面図
である。
本実施例においては、塗布装置は半導体ウェハの表面に
レジスト、現像液等を塗布するために適用するものであ
る。
レジスト、現像液等を塗布するために適用するものであ
る。
この塗布装置において、粘性を有する液体状のレジス＋
−２はレジスト容器１の中に所要量だけ収容されている
。レジスト２は、常に均一な膜厚を得るため常に清浄で
粘度の安定したレジストを表面層に循環供給できるよう
に、清浄化用のフィルター付きの粘度調整機構としてレ
ジスト循環装置３により循環流動できるようになってい
る。
−２はレジスト容器１の中に所要量だけ収容されている
。レジスト２は、常に均一な膜厚を得るため常に清浄で
粘度の安定したレジストを表面層に循環供給できるよう
に、清浄化用のフィルター付きの粘度調整機構としてレ
ジスト循環装置３により循環流動できるようになってい
る。
レジスト容器１の上部には、たとえば蝶番式の開閉可能
な蓋４が設けられている。
な蓋４が設けられている。
この蓋４の中心部には、筒体５が垂直方向に挿通され、
この筒体５はたとえばウオーム６とのかみ合いにより上
下動可能である。
この筒体５はたとえばウオーム６とのかみ合いにより上
下動可能である。
筒体５の下側には真空吸着により半導体ウェハ８ （板
状体）を吸着して支持するウェハチャック７ （板状体
支持手段）が配設されている。このウェハチャック７に
はたとえば二点鎖線で図示する真空ホース９が接続され
ている。
状体）を吸着して支持するウェハチャック７ （板状体
支持手段）が配設されている。このウェハチャック７に
はたとえば二点鎖線で図示する真空ホース９が接続され
ている。
本実施例では、半導体ウェハ８は真空ホース８からの真
空吸着力により、そのレジスト塗布面を下向きにして、
ウェハチャック７で真空吸着して支持される。
空吸着力により、そのレジスト塗布面を下向きにして、
ウェハチャック７で真空吸着して支持される。
ウェハチャック７は上方に設けたスピンモータ１０（駆
動手段）により低速から高速まで所望の可変速度で回転
可能である。スピンモータ１０の出力軸１１は筒体５の
中を貫通し、その下端には前記ウェハチャック７が取り
付けられている。
動手段）により低速から高速まで所望の可変速度で回転
可能である。スピンモータ１０の出力軸１１は筒体５の
中を貫通し、その下端には前記ウェハチャック７が取り
付けられている。
なお、レジスト容器１内のレジスト２の液面より上方に
おいては、レジスト被着後のウェハ８の回転により周囲
にはね飛ばされた不要レジストが容器上方および外部に
飛散するのを防止するための飛散防止板１２が容器内壁
から容器中心に向りてやや上向きに傾斜した傾斜リング
状に設けられている。
おいては、レジスト被着後のウェハ８の回転により周囲
にはね飛ばされた不要レジストが容器上方および外部に
飛散するのを防止するための飛散防止板１２が容器内壁
から容器中心に向りてやや上向きに傾斜した傾斜リング
状に設けられている。
次に、本実施例の作用について説明する。
本実施例の塗布装置で半導体ウェハ８へのレジスト塗布
を行う場合、まず、蓋４を開いて容器１内に送り込まれ
たウェハ８のレジスト塗布面を下向きにして、第１図に
示す如くウェハチャック７で真空吸着する。そして、第
２図に示すように、ウオーム６の回転により筒体５を下
降させることによって、ウェハチャック７および該ウェ
ハチャック７で支持された半導体ウェハ８の下側のレジ
スト塗布面をレジスト容器１内のレジスト２の液面と接
触させ、レジス１−２をレジスト塗布面の全面に被着さ
せる。この時、ウェハ８ばスピンモータ１０によりウェ
ハチャック７と共に、低速で回転されるが、必ずしも回
転していなくてもよい。
を行う場合、まず、蓋４を開いて容器１内に送り込まれ
たウェハ８のレジスト塗布面を下向きにして、第１図に
示す如くウェハチャック７で真空吸着する。そして、第
２図に示すように、ウオーム６の回転により筒体５を下
降させることによって、ウェハチャック７および該ウェ
ハチャック７で支持された半導体ウェハ８の下側のレジ
スト塗布面をレジスト容器１内のレジスト２の液面と接
触させ、レジス１−２をレジスト塗布面の全面に被着さ
せる。この時、ウェハ８ばスピンモータ１０によりウェ
ハチャック７と共に、低速で回転されるが、必ずしも回
転していなくてもよい。
ソノ後、ウェハ８は第３図に示すように、レジスト２の
液面よりも高い位置まで持ち上げられ、スピンモータ１
ｏの高速回転により所要の高速度で回転し、そのレジス
ト塗布面の全面に被着したレジスト２を所望の均一な膜
厚にする。この際、本実施例では、レジスト２はウェハ
８のレジスト塗布面の全面にほぼ均一に被着されている
ので、スピンモータ１０の回転数を急速に上昇させても
よく、またレジスト２の膜厚の均一化に要する時間はレ
ジスト滴下方式に比べて短くてよく、レジスト中の溶剤
の揮発による粘度変化に起因する膜厚のむらち大巾に減
少する。
液面よりも高い位置まで持ち上げられ、スピンモータ１
ｏの高速回転により所要の高速度で回転し、そのレジス
ト塗布面の全面に被着したレジスト２を所望の均一な膜
厚にする。この際、本実施例では、レジスト２はウェハ
８のレジスト塗布面の全面にほぼ均一に被着されている
ので、スピンモータ１０の回転数を急速に上昇させても
よく、またレジスト２の膜厚の均一化に要する時間はレ
ジスト滴下方式に比べて短くてよく、レジスト中の溶剤
の揮発による粘度変化に起因する膜厚のむらち大巾に減
少する。
レジスト膜の形成に使用されなかったレジスト２は容器
１内に落下し、レジスト循環装置３によって循環流動さ
せられ、図示しない清浄化用フィルタで清浄化されかつ
常に一定の粘度となるよう粘度調整されるので、レジス
ト２０表層部には、常に清浄で一定の粘度を持つレジス
トが供給されている。
１内に落下し、レジスト循環装置３によって循環流動さ
せられ、図示しない清浄化用フィルタで清浄化されかつ
常に一定の粘度となるよう粘度調整されるので、レジス
ト２０表層部には、常に清浄で一定の粘度を持つレジス
トが供給されている。
また、本実施例では、前記の如（、レジスト膜の形成に
利用されなかったレジスト２はすべて容器１内に回収さ
れ、循環再使用されるので、レジスト２が無駄に消費さ
れることがなく、材料費の大巾な低減が可能である。
利用されなかったレジスト２はすべて容器１内に回収さ
れ、循環再使用されるので、レジスト２が無駄に消費さ
れることがなく、材料費の大巾な低減が可能である。
レジスト塗布終了後のウェハ８は蓋４を開（ことにより
容器外に取り出して次の処理工程に送られる。
容器外に取り出して次の処理工程に送られる。
［効果］
（１）、板状体の被塗布面を下向きにして支持し、塗布
材料をその被塗布面の全面または大部分に被着して回転
させることにより、短い時間で塗布を行うことができる
。
材料をその被塗布面の全面または大部分に被着して回転
させることにより、短い時間で塗布を行うことができる
。
（２）４前記（１）により、均一な膜厚を得ることがで
きる。
きる。
（３）、塗布に利用されなかった余剰の塗布材料は容器
内に回収して再利用できるので、塗布材料の無駄な消費
が防止され、材料費を大巾に低減させることができる。
内に回収して再利用できるので、塗布材料の無駄な消費
が防止され、材料費を大巾に低減させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、ウェハチャック７の昇降手段としては前記実
施例以外のものを使用でき、容器１が昇降してもよい。
施例以外のものを使用でき、容器１が昇降してもよい。
また、一度つエバ８に被着されたレジスト２は容器１を
二重槽構造として一方の槽に回収して粘度調整した後に
再利用してもよく、また蓋４も二重蓋構造とし、容器１
内へのウェハ出し入れ時の溶剤の揮発によるレジスト２
の粘度変化をより減少させるようにしてもよい。
二重槽構造として一方の槽に回収して粘度調整した後に
再利用してもよく、また蓋４も二重蓋構造とし、容器１
内へのウェハ出し入れ時の溶剤の揮発によるレジスト２
の粘度変化をより減少させるようにしてもよい。
さらに、被塗布面へのレジストの供給はノズルを用いて
行うこと等も可能である。
行うこと等も可能である。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハへのレ
ジスト塗布装置に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではな（、たとえば、ウェハへの現
像液の塗布、あるいはウェハ以外の板状体への粘性塗布
材料の塗布に広（適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウェハへのレ
ジスト塗布装置に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではな（、たとえば、ウェハへの現
像液の塗布、あるいはウェハ以外の板状体への粘性塗布
材料の塗布に広（適用できる。
第１図は本発明の一実施例で、レジスト塗布装置に適用
した塗布装置を示す概略断面図、第２図はそのレジスト
被着状態の一例を示す概略断面図、 第３図はウェハ高速回転状態を示す概略断面図である。 １・・・レジスト容器（容器）、２・・・レジスト（塗
布材料）、３・・・レジスト循環装置、４・・・蓋、５
・・・筒体、６・・・ウオーム、７・・・ウェハチャッ
ク（板状体支持手段）、８・・・半導体ウェハ（板状体
）、９・・・真空ホース、１０・・・スピンモータ（駆
動手段） 、１１・・・出力軸、１２・・・飛散防止板
。 第 １ 図 第 ２ 図
した塗布装置を示す概略断面図、第２図はそのレジスト
被着状態の一例を示す概略断面図、 第３図はウェハ高速回転状態を示す概略断面図である。 １・・・レジスト容器（容器）、２・・・レジスト（塗
布材料）、３・・・レジスト循環装置、４・・・蓋、５
・・・筒体、６・・・ウオーム、７・・・ウェハチャッ
ク（板状体支持手段）、８・・・半導体ウェハ（板状体
）、９・・・真空ホース、１０・・・スピンモータ（駆
動手段） 、１１・・・出力軸、１２・・・飛散防止板
。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、板状体の表面に粘性を有する塗布材料を塗布する装
置において、塗布材料を収容する容器と、この容器内の
塗布材料の上方に設けられ、板状体の被塗布面を下向き
にして該板状体を支持する板状体支持手段と、この板状
体支持手段を回転させる駆動手段とを備えてなることを
特徴とする塗布装置。 ２、板状体支持手段が上下移動可能であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の塗布装置。 ３、塗布材料が板状体支持手段の回転の前に被塗布面の
全面に予め被着されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の塗布装置。 ４、板状体が半導体ウェハであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275283A JPS59208832A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8275283A JPS59208832A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208832A true JPS59208832A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13783162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8275283A Pending JPS59208832A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858088B1 (en) | 1999-02-16 | 2005-02-22 | Steag Hama Tech Ag | Method and apparatus for treating substrates |
| JPWO2010116654A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-10-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099472A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-07 | ||
| JPS5216172A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Hitachi Ltd | Rotatory treatment device |
| JPS5473576A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Spin coating method and spin coater |
| JPS5656261A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for rotary coating |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8275283A patent/JPS59208832A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099472A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-07 | ||
| JPS5216172A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Hitachi Ltd | Rotatory treatment device |
| JPS5473576A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Spin coating method and spin coater |
| JPS5656261A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for rotary coating |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858088B1 (en) | 1999-02-16 | 2005-02-22 | Steag Hama Tech Ag | Method and apparatus for treating substrates |
| JPWO2010116654A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-10-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
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