JPS59207552A - Ｘ線管回転陽極用複合ターゲットの製造法 - Google Patents
Ｘ線管回転陽極用複合ターゲットの製造法Info
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- JPS59207552A JPS59207552A JP8335083A JP8335083A JPS59207552A JP S59207552 A JPS59207552 A JP S59207552A JP 8335083 A JP8335083 A JP 8335083A JP 8335083 A JP8335083 A JP 8335083A JP S59207552 A JPS59207552 A JP S59207552A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、Ｘ線管回転陽極用複合ターゲットに係り、特
にＷ又はＷ合金等の金属又は合金と黒鉛基体とを接合し
たＸ ）Ｈ’＃回転陽極用複合ターゲントに関する。
にＷ又はＷ合金等の金属又は合金と黒鉛基体とを接合し
たＸ ）Ｈ’＃回転陽極用複合ターゲントに関する。
従来からＸ線管回転陽極用複合ターゲットとしてはＷの
単板が用いられてきた。その性能改善のためＷｖこＲｅ
’、Ｏｓなどの元素が少量加えられている。Ｗは尚融点
、高密度であるためにＸ＝看メタ−ゲットして診れてい
るが、最近医療機器用のＸ５ｌＣＴの画像の鮮明化と熾
影時間の短怖のため大容量のものが要求でれている。こ
のためターゲットの、Ｉ−＃奴としては、直径を大きく
するとともに軽量化する必要がある１、この目的のため
に、ターゲットの祇子衝匁ｍｌのみをＷ合金を用い、そ
の実間の部分に比重の小さいＭＯおよびグラファイトを
接着させたシＶ−Ｒｅ／グラファイトおよびＷ−Ｒｅ
／ Ｍ ｏ ／グラファイトの複合ターゲットが提冥さ
れてきた。しかしながら、このような複合ターゲットの
製造に問題がある。すなわち、Ｗ合金とへ４０との仮台
体は金属同志のだめ強固な接着が可能であるので問題は
ない。しかし、〜■金合金よびＭＯとグラフブイととの
接着法に問題がある。
単板が用いられてきた。その性能改善のためＷｖこＲｅ
’、Ｏｓなどの元素が少量加えられている。Ｗは尚融点
、高密度であるためにＸ＝看メタ−ゲットして診れてい
るが、最近医療機器用のＸ５ｌＣＴの画像の鮮明化と熾
影時間の短怖のため大容量のものが要求でれている。こ
のためターゲットの、Ｉ−＃奴としては、直径を大きく
するとともに軽量化する必要がある１、この目的のため
に、ターゲットの祇子衝匁ｍｌのみをＷ合金を用い、そ
の実間の部分に比重の小さいＭＯおよびグラファイトを
接着させたシＶ−Ｒｅ／グラファイトおよびＷ−Ｒｅ
／ Ｍ ｏ ／グラファイトの複合ターゲットが提冥さ
れてきた。しかしながら、このような複合ターゲットの
製造に問題がある。すなわち、Ｗ合金とへ４０との仮台
体は金属同志のだめ強固な接着が可能であるので問題は
ない。しかし、〜■金合金よびＭＯとグラフブイととの
接着法に問題がある。
従来このような複合ターゲットの接着には、まずグラフ
ァイト基体にろ９材としてＺｒ、ＭＯ。
ァイト基体にろ９材としてＺｒ、ＭＯ。
Ｒｅ 、 Ｗなどを単独あるいはに（種を用いる。これ
にエチルセルローズなどの有機溶剤を加え、ペースト状
にして塗布したものを中間）〜とじて形成する。仄いて
その上にＷ合金板をのせ、加圧しながら、高温（（加熱
して接着する方法か採用されている。この従来法では製
造中に浴剤から水分や不純物が排出しまた酸化物が解離
する。これがろう材を酸化して基板とのぬれ性全阻害す
るため、健全な接合層を形成することができないという
同項がある。
にエチルセルローズなどの有機溶剤を加え、ペースト状
にして塗布したものを中間）〜とじて形成する。仄いて
その上にＷ合金板をのせ、加圧しながら、高温（（加熱
して接着する方法か採用されている。この従来法では製
造中に浴剤から水分や不純物が排出しまた酸化物が解離
する。これがろう材を酸化して基板とのぬれ性全阻害す
るため、健全な接合層を形成することができないという
同項がある。
本発明の目的は、金属又は合金とグラファイト（黒鉛）
とのＪを合強度の高いＸ線管回転陽極用複合ターゲット
を提供することにある。
とのＪを合強度の高いＸ線管回転陽極用複合ターゲット
を提供することにある。
本発明者らはＸ腺骨回転陽極用複合ターゲットの製造法
として、合金共晶組成を有するろう材を用い、強制還元
２ｊ囲気又は炭素雰囲気内でＸ線営１吏用時におけるタ
ーゲット温度で、かつ接着層の温度は１３５０Ｕ以上に
なるような温度で加熱することによって生じる発生期の
炭素等により被接着金属および合金の表面酸化物を還元
し、活性な表面および共晶組成を生成させ、グラファイ
トと被接着金属および合金間のすきまから毛細官現象に
より恣けたろう材が疫透させる方法を既に出願した。こ
の方法ではグラファイトと被接着金属および合金のぬれ
はよく、かつ極めて薄い接着層るるいは中間層が形１反
される。しかし、この方法は黒鉛基体の種別、特にその
黒鉛のみかけ比重の違いによる黒鉛基体の違いによって
黒鉛基体と金属又は合金とのろう骨接合部の強度が十分
でない場合も生じる。
として、合金共晶組成を有するろう材を用い、強制還元
２ｊ囲気又は炭素雰囲気内でＸ線営１吏用時におけるタ
ーゲット温度で、かつ接着層の温度は１３５０Ｕ以上に
なるような温度で加熱することによって生じる発生期の
炭素等により被接着金属および合金の表面酸化物を還元
し、活性な表面および共晶組成を生成させ、グラファイ
トと被接着金属および合金間のすきまから毛細官現象に
より恣けたろう材が疫透させる方法を既に出願した。こ
の方法ではグラファイトと被接着金属および合金のぬれ
はよく、かつ極めて薄い接着層るるいは中間層が形１反
される。しかし、この方法は黒鉛基体の種別、特にその
黒鉛のみかけ比重の違いによる黒鉛基体の違いによって
黒鉛基体と金属又は合金とのろう骨接合部の強度が十分
でない場合も生じる。
本発明は、黒鉛基体のみかけ比重前の４７性の如１”Ｊ
にかかわらず黒鉛基体と金属又は合金との接合強度を高
くしだＸ線訂回転１窮極用複合ターケソトであって、金
、属又は合金と黒鉛基板とを接合してなるＸ線管回転陽
蜘用複合ターゲットにおいて、前記黒鉛基＆メは前記金
属又は合金との接合面９］］の表面層が内部、智よりも
黒鉛の占有率が小さく、かつ金属又は合（りが侵入して
いることを特徴とする。
にかかわらず黒鉛基体と金属又は合金との接合強度を高
くしだＸ線訂回転１窮極用複合ターケソトであって、金
、属又は合金と黒鉛基板とを接合してなるＸ線管回転陽
蜘用複合ターゲットにおいて、前記黒鉛基＆メは前記金
属又は合金との接合面９］］の表面層が内部、智よりも
黒鉛の占有率が小さく、かつ金属又は合（りが侵入して
いることを特徴とする。
以ド本光明をさらに詳＋＋ａに説明する。
本発明において黒鉛基板と接合される金属又は合金は、
Ｗ又はＷ合金をあげることができ、徒たＷ合金としてＷ
−Ｒｅ 、 Ｗ −Ｑ ｓ等をあげることができる。
Ｗ又はＷ合金をあげることができ、徒たＷ合金としてＷ
−Ｒｅ 、 Ｗ −Ｑ ｓ等をあげることができる。
これらの金属又は合金と接合される黒鉛基板は金属又は
合金との接合面側の表面層が内部層よりも黒鉛の占有率
が小さくかつその表面層にろう材やＷ又は″Ｗ金合金が
侵入されている。黒鉛基体の表面層の黒鉛占有率は１．
８ ／ ２．２より小さいことが望ましく、また黒鉛比
重の理論値は２．２であり、黒鉛基体の＠度が第１図に
示すように１．８以上のとき黒鉛基体の破壊回転数が特
に多くなるので、内部層の黒鉛占有率は１．８ ／ ２
．２以上であることが望ましい。黒鉛基体の表面層の黒
鉛占有率が１．８ ／ ２．２よりも大きい場合、その
表面ノ茜に侵入するろう材等の比率７５４＆なるためろ
う材等による錨効果が少なくなシ金橘又は合金と黒鉛基
板との接合強度が不十分なものとなる。一方黒鉛基体の
内部層の黒鉛占有率が１．８ ／ ２．２よシも小さい
場合、陽極ターゲットとしての回転破壊強度が低下する
ために望ましくない。また黒鉛占有率が１．８ ／ ２
．２よりも小さい表面層は黒鉛基体の表面から１０００
μｍまでの深さにあることが望ましい。金属又は合金と
黒鉛基体とのノ妾合頂度面からみれは黒鉛占有率の表面
層の深さが深くとも差異ないが陽極ターゲットとしての
回転破壊強度が低下することになる。
合金との接合面側の表面層が内部層よりも黒鉛の占有率
が小さくかつその表面層にろう材やＷ又は″Ｗ金合金が
侵入されている。黒鉛基体の表面層の黒鉛占有率は１．
８ ／ ２．２より小さいことが望ましく、また黒鉛比
重の理論値は２．２であり、黒鉛基体の＠度が第１図に
示すように１．８以上のとき黒鉛基体の破壊回転数が特
に多くなるので、内部層の黒鉛占有率は１．８ ／ ２
．２以上であることが望ましい。黒鉛基体の表面層の黒
鉛占有率が１．８ ／ ２．２よりも大きい場合、その
表面ノ茜に侵入するろう材等の比率７５４＆なるためろ
う材等による錨効果が少なくなシ金橘又は合金と黒鉛基
板との接合強度が不十分なものとなる。一方黒鉛基体の
内部層の黒鉛占有率が１．８ ／ ２．２よシも小さい
場合、陽極ターゲットとしての回転破壊強度が低下する
ために望ましくない。また黒鉛占有率が１．８ ／ ２
．２よりも小さい表面層は黒鉛基体の表面から１０００
μｍまでの深さにあることが望ましい。金属又は合金と
黒鉛基体とのノ妾合頂度面からみれは黒鉛占有率の表面
層の深さが深くとも差異ないが陽極ターゲットとしての
回転破壊強度が低下することになる。
上記のような黒鉛占有率を有する表面層を得るための方
法として例えば黒鉛は６００Ｃで燃焼をしｄ始すること
から６００Ｃ以上の１酸素を含む気体中で加熱し、直ち
に液体中にＶＵ入れる方法が好適である。この方法では
黒鉛基体の表面の遊離微粉黒鉛、葎発注成分考の不純物
が焼失するために黒船基体の表面！凶が黒鉛占有率の少
ないものとなりまた清浄かつ活性な黒鉛表面が得られる
。
法として例えば黒鉛は６００Ｃで燃焼をしｄ始すること
から６００Ｃ以上の１酸素を含む気体中で加熱し、直ち
に液体中にＶＵ入れる方法が好適である。この方法では
黒鉛基体の表面の遊離微粉黒鉛、葎発注成分考の不純物
が焼失するために黒船基体の表面！凶が黒鉛占有率の少
ないものとなりまた清浄かつ活性な黒鉛表面が得られる
。
また黒鉛基体の表面は黒鉛表面粗さが１μｍ〜１０００
μｎ】とすることが望ましい。黒鉛表面粗さが１μｍよ
りも小さい場合黒鉛基体の表面層に金橋又は合金の侵入
駿が少なくなるためにＭ層強度が小十分であり、また黒
鉛表面粗さが１０００μｍ以上となると陽極ターゲット
としての回転破壊強度が低下するノ古れかある。特に黒
鉛ん、板の黒鉛表面での黒鉛粒子の１ノミ面形状全円形
又は悄円形に近什＋ｌＡ−ふｉｋ ＩＦ ＋γｉ、ヱ、
Ｗ１＋ｆｋ Ａ−砧口吉；冬テｉ 〜Ｑ Ｑ 、＃
ｍであるとき荷に接合強度が高いものとなる。黒鉛基
体の辰面汁さを所定の１直にするための方法として、例
えば黒鉛基体の表面を做１戒研剛、ヤスリ掛ケ、サンド
ペーハー、ショツトブラスト、ホーニング、ブラスシン
グ、湿式および乾式エツチング、レーザ照射等の手段に
よって達成することができる。
μｎ】とすることが望ましい。黒鉛表面粗さが１μｍよ
りも小さい場合黒鉛基体の表面層に金橋又は合金の侵入
駿が少なくなるためにＭ層強度が小十分であり、また黒
鉛表面粗さが１０００μｍ以上となると陽極ターゲット
としての回転破壊強度が低下するノ古れかある。特に黒
鉛ん、板の黒鉛表面での黒鉛粒子の１ノミ面形状全円形
又は悄円形に近什＋ｌＡ−ふｉｋ ＩＦ ＋γｉ、ヱ、
Ｗ１＋ｆｋ Ａ−砧口吉；冬テｉ 〜Ｑ Ｑ 、＃
ｍであるとき荷に接合強度が高いものとなる。黒鉛基
体の辰面汁さを所定の１直にするための方法として、例
えば黒鉛基体の表面を做１戒研剛、ヤスリ掛ケ、サンド
ペーハー、ショツトブラスト、ホーニング、ブラスシン
グ、湿式および乾式エツチング、レーザ照射等の手段に
よって達成することができる。
上記のようにして表面層が所定の黒鉛占有率とした黒鉛
基板をＷ又はＷ合金と接合する方法としでは、ろう付方
法が挙げられる。ろう材としてはＺｒ、Ｔｊ、１ｓ４０
１ Ｗおよび几ｅ等の従来公知のろう材が使用できる。
基板をＷ又はＷ合金と接合する方法としでは、ろう付方
法が挙げられる。ろう材としてはＺｒ、Ｔｊ、１ｓ４０
１ Ｗおよび几ｅ等の従来公知のろう材が使用できる。
特にろう材としてはガス抜き時及びターゲット稼動温度
以上で合金共晶組成を有するろう材が好ましい。ろう骨
法によって溶けたろ９材は黒鉛基板の表面層に浸透する
結果、表面層に浸透したろう材が錨としての効果を有し
接層°強度が極めて高いものとなる。着た金属又は又 合金と黒鉛基板とを接合する手段としてＷはＷ合△ 釜を化学気相めっき法によって直接黒鉛基板と接合させ
ることもできる。この場合化学気相めっきによるν■又
はＷ合笠が黒鉛基体の表面層内に浸透する舶来接層強度
がイ枢めて高いものとなる。
以上で合金共晶組成を有するろう材が好ましい。ろう骨
法によって溶けたろ９材は黒鉛基板の表面層に浸透する
結果、表面層に浸透したろう材が錨としての効果を有し
接層°強度が極めて高いものとなる。着た金属又は又 合金と黒鉛基板とを接合する手段としてＷはＷ合△ 釜を化学気相めっき法によって直接黒鉛基板と接合させ
ることもできる。この場合化学気相めっきによるν■又
はＷ合笠が黒鉛基体の表面層内に浸透する舶来接層強度
がイ枢めて高いものとなる。
なお本発明において黒鉛基体の内部の黒鉛占有率として
１．８ ／ ２．２以上を望ましい例として説明したが
、本発明においては後記した第１表に例示された品押か
らなる黒鉛基板を用いることもできる。絹１衣の黒鉛基
体の品欅内にはみかけ比重が１．８以下のものも例示さ
れており、従ってこの場合！！Ｓ鉛占イ１イ・；は１．
８ ／ ２．２よりも小さいものも例示されているが、
このような黒鉛基体の表面層を上述した手段によって表
面層の黒鉛占有率を小さくすることにより黒鉛基体とＷ
又はＷ合金等の金、積）又は合金との接合強度を高める
ことができる。
１．８ ／ ２．２以上を望ましい例として説明したが
、本発明においては後記した第１表に例示された品押か
らなる黒鉛基板を用いることもできる。絹１衣の黒鉛基
体の品欅内にはみかけ比重が１．８以下のものも例示さ
れており、従ってこの場合！！Ｓ鉛占イ１イ・；は１．
８ ／ ２．２よりも小さいものも例示されているが、
このような黒鉛基体の表面層を上述した手段によって表
面層の黒鉛占有率を小さくすることにより黒鉛基体とＷ
又はＷ合金等の金、積）又は合金との接合強度を高める
ことができる。
寸た６３１表において州脂含伏タイプおよび金属含ｒシ
タイグの黒鉛部；体も例示されているが、特に金ξ「罎
ツタイブの黒鉛基体の場合黒鉛基体の機械的実１ｉｊ咲
が高い点では有オリであるが、ターゲットの軽量化とい
う点から与かけ比重金調乎する必要がある。
タイグの黒鉛部；体も例示されているが、特に金ξ「罎
ツタイブの黒鉛基体の場合黒鉛基体の機械的実１ｉｊ咲
が高い点では有オリであるが、ターゲットの軽量化とい
う点から与かけ比重金調乎する必要がある。
〔発明の実、Ｉ世１（川〕
実施例
別表の＠ １ 辰の品名Ｈ−２６０品揮からなる黒鉛基
板（３０ΦＸ５ｍ厚）をアセトン中で３０分ｍＪ洗浄し
、次に真空中１６００Ｃで１時＋ＷＪから焼きし、揮発
性物質を取り除いた。次にからノ亮きした黒鉛基板を大
気中１２０００で１５分１＃ｉ］加熱した後水中に焼入
れだ。この焼入れによって黒鉛基板表面層のグラファイ
ト粉末が飛散した。これを大気中３００Ｃから４００Ｃ
で乾燥した。この結果内部の黒鉛占有率が２．０ ／
２．２ 、表面から深さ９００μｍまでの表面層の黒鉛
占有率が１．６ ／ ２．２となった黒鉛基板が得られ
た。
板（３０ΦＸ５ｍ厚）をアセトン中で３０分ｍＪ洗浄し
、次に真空中１６００Ｃで１時＋ＷＪから焼きし、揮発
性物質を取り除いた。次にからノ亮きした黒鉛基板を大
気中１２０００で１５分１＃ｉ］加熱した後水中に焼入
れだ。この焼入れによって黒鉛基板表面層のグラファイ
ト粉末が飛散した。これを大気中３００Ｃから４００Ｃ
で乾燥した。この結果内部の黒鉛占有率が２．０ ／
２．２ 、表面から深さ９００μｍまでの表面層の黒鉛
占有率が１．６ ／ ２．２となった黒鉛基板が得られ
た。
次に第２図に示すように得られた黒鉛基板１およびＷ−
几ｅ合霊２をセットし、その間に７．ｒ−３１ＭＯのイ
谷製合金を入れて約５×１０″’５ ｌ１ｌＯｒ ｒ真
壁中で静圧を加えながら１６００Ｃ１１０分間保持して
接合した。
几ｅ合霊２をセットし、その間に７．ｒ−３１ＭＯのイ
谷製合金を入れて約５×１０″’５ ｌ１ｌＯｒ ｒ真
壁中で静圧を加えながら１６００Ｃ１１０分間保持して
接合した。
実施例２
別表の第１表の品名Ｈ−２０の品４市からなる黒鉛基板
（３０φ×５ｒｕｎ厚）についても同様にしてアセトン
洗浄後１６００Ｃで３０分間から焼きし、大気中１００
０Ｕで２５分＋ｔｊＪ加熱し水中に焼入れ次いで乾燥し
た。この結果内部の黒鉛占有率が１．６２／２．２表面
から深さ９００μｍまでの表面層の黒鉛占有率が１．４
５／２．２となった黒鉛基板が得られ１ζ。このように
して得られた黒鉛基板を実施例１同様にしてｗ−ｕｅ＠
金と接合した。
（３０φ×５ｒｕｎ厚）についても同様にしてアセトン
洗浄後１６００Ｃで３０分間から焼きし、大気中１００
０Ｕで２５分＋ｔｊＪ加熱し水中に焼入れ次いで乾燥し
た。この結果内部の黒鉛占有率が１．６２／２．２表面
から深さ９００μｍまでの表面層の黒鉛占有率が１．４
５／２．２となった黒鉛基板が得られ１ζ。このように
して得られた黒鉛基板を実施例１同様にしてｗ−ｕｅ＠
金と接合した。
実施例３
別表の第２表のＰ−１からなる黒鉛基板（３０φＸ ５
０ ｍｎＩ厚）についても実施例１と同様の方法で内部
と表面層の黒鉛占有率の異なる黒鉛基板を製造し次いで
Ｗ−１ｌ（ｅ合金とを接合させた。
０ ｍｎＩ厚）についても実施例１と同様の方法で内部
と表面層の黒鉛占有率の異なる黒鉛基板を製造し次いで
Ｗ−１ｌ（ｅ合金とを接合させた。
実施例
別表の第１表の品名Ｈ−２６の品４」からなる黒鉛基板
（６０φ×１０ｗｎ厚）についても実施例１同僚にして
内部と表面層の黒鉛占有率の異なる黒鉛基板ケ製遺し、
次いでＷ−Ｒｅ合金との接合を行なった。
（６０φ×１０ｗｎ厚）についても実施例１同僚にして
内部と表面層の黒鉛占有率の異なる黒鉛基板ケ製遺し、
次いでＷ−Ｒｅ合金との接合を行なった。
実施例５
別表の第１表の）！−２６の品イ却からなる焦Ｖ］基４
反（６０φＸ１０ｍｍ厚）について実施例１同、詠にし
て内部と表面！曽の黒鉛占有率の異なる黒鉛暴板金製造
した麦その表面層にνＶの化学気相めっきを施した。
反（６０φＸ１０ｍｍ厚）について実施例１同、詠にし
て内部と表面！曽の黒鉛占有率の異なる黒鉛暴板金製造
した麦その表面層にνＶの化学気相めっきを施した。
実施例１〜実施例５で得られた試料についてＳｌｌ１９
乱試彫ミを行なつ１こ。
乱試彫ミを行なつ１こ。
剥離試験
ｉｌｌ １ ｍの高さから自然落下父は尚速切断イ虚に
よる１≦Ｉに骸力の１１加、ｆ２＋ １３５０ Ｃ−至
温のヒートサークルを３回実施した。実施例１〜笑施例
５で得ら才したターゲット（Ｉま（１）および（２）の
剥品試；瑛においていずれも■比Ｗすることなく良好な
扱府強度を示した。
よる１≦Ｉに骸力の１１加、ｆ２＋ １３５０ Ｃ−至
温のヒートサークルを３回実施した。実施例１〜笑施例
５で得ら才したターゲット（Ｉま（１）および（２）の
剥品試；瑛においていずれも■比Ｗすることなく良好な
扱府強度を示した。
引張試１鋏
別派の第１衣のＨ−２６からなる品捗の黒鉛基ＭＡ （
３０φＸ ５０ ｉｒ、、ｍＪ学）について実施例１同
様の方法によって内部層と表１．ｆｉ層の黒船占有率の
異なる黒鉛基板を＄！遣した後、表面、署に〜Ｖの化学
気千目めっきを施した試料について引張り試、・瑛を実
画した。引張り試Ｆ、；（ｉの結果、黒鉛自体から破壊
し、その黒鉛自体の引値シ強度値ケ示した。［／、ｌみ
に内部と表面ｉ曽との熊鉛占泪率を叢えるだめの処理を
施さない従来例の場合１． ＯＹｙｙ／ ｍｍ”で黒鉛
と〜■の界面から剥離した。
３０φＸ ５０ ｉｒ、、ｍＪ学）について実施例１同
様の方法によって内部層と表１．ｆｉ層の黒船占有率の
異なる黒鉛基板を＄！遣した後、表面、署に〜Ｖの化学
気千目めっきを施した試料について引張り試、・瑛を実
画した。引張り試Ｆ、；（ｉの結果、黒鉛自体から破壊
し、その黒鉛自体の引値シ強度値ケ示した。［／、ｌみ
に内部と表面ｉ曽との熊鉛占泪率を叢えるだめの処理を
施さない従来例の場合１． ＯＹｙｙ／ ｍｍ”で黒鉛
と〜■の界面から剥離した。
第３図は実施列１によって得られたターゲットの断面組
、Ｈａ ’ｆ：示す光学眠Ｍ写Ａ−（倍率２００倍）、
第４図は実施ｉりｌ ｌにおける黒鉛基板の加熱処理を
除いた他は実施！！／１１１と同様にして・得られたタ
ーゲットの断面組懺を示す光学電顕写真（ｉ＠率２００
１音）である。第３図から明らかなように実施例１のタ
ーゲットではろう拐ＡがグラファイトＢの表面層内に侵
入しておシ、比較例を示す第４図ではろう材Ａがグラフ
ァイトに侵入してないことが分かる。なお、ｌ尼３図及
び第４図中、Ｃはタングステンである。匠って本発明は
黒鉛板の表面層にろう材が侵入することによって接看強
汲が向上していることがわかる。
、Ｈａ ’ｆ：示す光学眠Ｍ写Ａ−（倍率２００倍）、
第４図は実施ｉりｌ ｌにおける黒鉛基板の加熱処理を
除いた他は実施！！／１１１と同様にして・得られたタ
ーゲットの断面組懺を示す光学電顕写真（ｉ＠率２００
１音）である。第３図から明らかなように実施例１のタ
ーゲットではろう拐ＡがグラファイトＢの表面層内に侵
入しておシ、比較例を示す第４図ではろう材Ａがグラフ
ァイトに侵入してないことが分かる。なお、ｌ尼３図及
び第４図中、Ｃはタングステンである。匠って本発明は
黒鉛板の表面層にろう材が侵入することによって接看強
汲が向上していることがわかる。
以上のように本発明によれば黒鉛内部層に比べて黒鉛占
有率のはい表面層してろう材又はＷおよびＷ合金前の金
Ａ４又は合金が侵入しているため強度的に讃れ、黒鉛基
板の回転破壊強度も高いために大口径の高性目ヒターゲ
ントとすることができる。
有率のはい表面層してろう材又はＷおよびＷ合金前の金
Ａ４又は合金が侵入しているため強度的に讃れ、黒鉛基
板の回転破壊強度も高いために大口径の高性目ヒターゲ
ントとすることができる。
第１図は黒鉛密度と破壊回転数との関係図、第２図はＸ
詠ぎ回転悶極用腹合ターゲットの断面を示す説明〉１、
第３図は本発明の実／ＡＩＩしｌｌにおけるターゲット
の断面組織を示す光学Ｉ＋Ｊ、顯与真、紀４図は比較例
におけるターゲットの断面、Ｉｔｌ、戦を示ず光学１Ｌ
顕写兵である。 １・・・黒鉛基板、２・・・金践部、３・・・ろう材。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 茅 １ 目 ／、ｇ ／、７ ／δ ／ｑ ２
θ黒黒鉛体・２席（５／昨り 第２ 口
詠ぎ回転悶極用腹合ターゲットの断面を示す説明〉１、
第３図は本発明の実／ＡＩＩしｌｌにおけるターゲット
の断面組織を示す光学Ｉ＋Ｊ、顯与真、紀４図は比較例
におけるターゲットの断面、Ｉｔｌ、戦を示ず光学１Ｌ
顕写兵である。 １・・・黒鉛基板、２・・・金践部、３・・・ろう材。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 茅 １ 目 ／、ｇ ／、７ ／δ ／ｑ ２
θ黒黒鉛体・２席（５／昨り 第２ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属又は合金と黒鉛基板とを接合してなるＸ線ぎ回
転陽極用仮台ターゲットにおいて、前記黒鉛基板は前記
金属又は合金との泉合面側の表面層が内部層よりも黒鉛
の占有率が小さく、かつ金属又は合金が侵入しているこ
とを特徴とするＸｍ管回転陽極用複合ターゲット。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記表面層の黒鉛
占有率が１．８ ／ ２．２よシ小さく前記内部層の黒
鉛占有率が１．８ ／ ２．２以上であることを特徴と
するＸ勝背回転陽極用複合ターゲット。 ３、特許請求の範囲第２項において、黒鉛占有率が１．
８ ／ ２．２よシ小さい表面層が表面から１０００μ
ｍまでの深さにあることを特徴とするＸ勝管回転陽極用
復合ターゲット。 ４、％計ａｌＩ求の範囲第１項において、黒鉛基体の表
面粗さが１〜１０００μｍであることを％徴とするＸ線
贅回転陽極用値合ターゲット。 ５、特許請求の範囲りＳ４項において、黒鉛基板の表面
の黒鉛粒子の〜１面形状を円形乃至楕円形に近似したと
きにβ子の大きさが前記円形乃至楕円形の直径で１〜３
０μｍであることを％ Ｌ’ＪとするＸ掴１７回転１′
ＪＦｊ、隊用複合ターゲット。 ６、待１ｌｆｆｆ４求の範囲第１項において、前記黒鉛
基＃ｉカニ、黒鉛基体を酸素を含む気体中、６０’ＯＣ
以上で加熱した後液体中で焼入れしたものであることを
特徴とするＸ森庁回転陽極用複合ターゲット。 ７、特許請求の範囲第１項において、前記金属又は合金
と前記黒鉛基体の表面層にろう材が侵入していることを
特徴とするＸ紛管回転陽極用複合ターゲット。 ８、特、＊ａ青氷の範囲第１項において、前肥金為がＷ
右しくはＷ合金、又は■＼４０であることを特徴とする
Ｘｉ・庁回転陽極用複合ターゲット。 ｇ、 ％、計ｄｎ求の範囲第１項において、前１己■
合金がＷ−Ｂｅであることを特徴とするＸイ侭音回転陽
極用複合ターゲット。 １０、 ％許請求の範囲第１項において、前記黒鉛基
板上に前記Ｗ又ＶｉＷ合金の化学気相めっき層を設けた
ことを特徴とするＸ線管回転陽極用複合ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8335083A JPS59207552A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Ｘ線管回転陽極用複合ターゲットの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8335083A JPS59207552A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Ｘ線管回転陽極用複合ターゲットの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207552A true JPS59207552A (ja) | 1984-11-24 |
| JPH0480493B2 JPH0480493B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=13799982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8335083A Granted JPS59207552A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | Ｘ線管回転陽極用複合ターゲットの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59207552A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0302552A2 (de) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Metallwerk Plansee Gesellschaft M.B.H. | Drehanode für Röntgenröhren |
| EP0305547A1 (en) * | 1987-03-18 | 1989-03-08 | Hitachi, Ltd. | Target for x-ray tube, a process for producing the same, and an x-ray tube |
| FR2625033A1 (fr) * | 1987-12-22 | 1989-06-23 | Thomson Cgr | Procede de fabrication d'une anode de tube a rayons x et anode obtenue par ce procede |
| JPH05217533A (ja) * | 1991-11-04 | 1993-08-27 | General Electric Co <Ge> | 焦点トラック領域に拡散障壁層を持つｘ線管の陽極 |
| JPH05217532A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-08-27 | General Electric Co <Ge> | Ｘ線管陽極の焦点トラック構造とその製造法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102689A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-07 | Toshiba Corp | Manufacture for target for x-ray tube |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP8335083A patent/JPS59207552A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102689A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-07 | Toshiba Corp | Manufacture for target for x-ray tube |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0305547A1 (en) * | 1987-03-18 | 1989-03-08 | Hitachi, Ltd. | Target for x-ray tube, a process for producing the same, and an x-ray tube |
| EP0302552A2 (de) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Metallwerk Plansee Gesellschaft M.B.H. | Drehanode für Röntgenröhren |
| FR2625033A1 (fr) * | 1987-12-22 | 1989-06-23 | Thomson Cgr | Procede de fabrication d'une anode de tube a rayons x et anode obtenue par ce procede |
| JPH05217532A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-08-27 | General Electric Co <Ge> | Ｘ線管陽極の焦点トラック構造とその製造法 |
| JPH05217533A (ja) * | 1991-11-04 | 1993-08-27 | General Electric Co <Ge> | 焦点トラック領域に拡散障壁層を持つｘ線管の陽極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480493B2 (ja) | 1992-12-18 |
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