JPS59206830A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
- Publication number
- JPS59206830A JPS59206830A JP8219583A JP8219583A JPS59206830A JP S59206830 A JPS59206830 A JP S59206830A JP 8219583 A JP8219583 A JP 8219583A JP 8219583 A JP8219583 A JP 8219583A JP S59206830 A JPS59206830 A JP S59206830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- developer
- film
- ipa
- latent image
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は各種の放射線にて描画さＴ′したレジスト潜像
を現像する現像方法に関する。
を現像する現像方法に関する。
（ロ）従来技術
一般に集積回路、バブルメモリ素子等の微ｆｉｉ１１な
加工を必要とする素子の製造にはレジス）Ｋよるパター
ン形成が不可欠である。このレジストパターンを形成す
るには、まず基板上にレジストを適当な方法にて被覆し
てレジスト膜を形成し、熱処理後、こｎに電子線等を照
射して所望の潜像を描画する０次にそのレジストに適し
た現像液で現像処理を行い、レジスト膜に描画さｌｒＬ
九潜像からレジストパターンを形成している。
加工を必要とする素子の製造にはレジス）Ｋよるパター
ン形成が不可欠である。このレジストパターンを形成す
るには、まず基板上にレジストを適当な方法にて被覆し
てレジスト膜を形成し、熱処理後、こｎに電子線等を照
射して所望の潜像を描画する０次にそのレジストに適し
た現像液で現像処理を行い、レジスト膜に描画さｌｒＬ
九潜像からレジストパターンを形成している。
潜像に忠実なレジストパターンを形成するにはで視像さ
ｎている。
ｎている。
プロセス的にはスプレー法が最適であるが、現像液の温
度コントロールが難かしく、寸法制御に影響することも
考えらｎ、また現像時間も短かいことが要求さｎ全ての
種類のレジストに適用することは困難である。また、浸
漬法や攪拌法は間便であるが、再現性に乏しく寸法制御
やレジスト再付着等問題点が多い。一方、バブル法に解
像性が良く、寸法制御も良好であるが、レジストの種類
やパターン占有率によってはレジストの再付着に問題が
ある。
度コントロールが難かしく、寸法制御に影響することも
考えらｎ、また現像時間も短かいことが要求さｎ全ての
種類のレジストに適用することは困難である。また、浸
漬法や攪拌法は間便であるが、再現性に乏しく寸法制御
やレジスト再付着等問題点が多い。一方、バブル法に解
像性が良く、寸法制御も良好であるが、レジストの種類
やパターン占有率によってはレジストの再付着に問題が
ある。
（ハ） 発明の目的
本発明ぼ上述の問題点に鑑みて為さｎたものであって、
解像性が良く、寸法制御が良好で且つレジスト再付着の
ない現像方法を提供する事を目的としている。
解像性が良く、寸法制御が良好で且つレジスト再付着の
ない現像方法を提供する事を目的としている。
（ロ）発明の構成
本発明は、レジスト膜に描かｎた潜像を現像するに際し
てバルブ決と多段法とを並用するところに特徴を有する
。
てバルブ決と多段法とを並用するところに特徴を有する
。
（ホ）実施例
以下実施例にもとすいて詳細に説明する。レジストとし
ては添加剤を加えて増感作用を付加し７ｔＮ量平均分子
量約６００万のポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭム）レ
ジストを使用し４インチ角のクロム基板上に膜厚０．５
關のレジスト膜を形成し１８０℃で６０分間熱処理後、
電子ａ露光機で印加電圧ＩＱＫＶ、電流６ ＱｎＡで電
子ａ、ＩＩ光を行い、パターン占有率６０１ｓの潜像を
描画した。次に第１現像液としてエチレングリコールモ
ノメチルエーテル（以下ＭＯと略ｌｉ２＞とイソプロピ
ルアルコール（以下ＩＰＡと略記）をａ＠／Ｓ Ｓ容量
比で混合した液を用い、第２現像液として同様にＭΦ／
ｆｐ耕Ｔ・ｔｌを用い、更にリンス亡してｆＰＡ’ｔ−
用いて現像処理を行う◎ この現像処理に直径１５０”の円筒形現像タンク６個に
第１現像液、第２現像液、リンス液を夫々１．５１ずつ
入几て温度を夫々２２℃に設定し現像タンク底部に設置
したガラスフィルクー（４０穴ｎ３）からＮ意ガスを１
．５ｖ分の流量で流して気泡を発生させ、ガラスフィル
ター上２０關の位置Ｋｆｆｉｉ像を描画したレジスト膜
面を水平に対置し、第１現像液で８分６０秒、続いて第
２現像液で１分間現像後、リンス液で１分間リンスして
現像処理を施してレジストパターンを形成した。
ては添加剤を加えて増感作用を付加し７ｔＮ量平均分子
量約６００万のポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭム）レ
ジストを使用し４インチ角のクロム基板上に膜厚０．５
關のレジスト膜を形成し１８０℃で６０分間熱処理後、
電子ａ露光機で印加電圧ＩＱＫＶ、電流６ ＱｎＡで電
子ａ、ＩＩ光を行い、パターン占有率６０１ｓの潜像を
描画した。次に第１現像液としてエチレングリコールモ
ノメチルエーテル（以下ＭＯと略ｌｉ２＞とイソプロピ
ルアルコール（以下ＩＰＡと略記）をａ＠／Ｓ Ｓ容量
比で混合した液を用い、第２現像液として同様にＭΦ／
ｆｐ耕Ｔ・ｔｌを用い、更にリンス亡してｆＰＡ’ｔ−
用いて現像処理を行う◎ この現像処理に直径１５０”の円筒形現像タンク６個に
第１現像液、第２現像液、リンス液を夫々１．５１ずつ
入几て温度を夫々２２℃に設定し現像タンク底部に設置
したガラスフィルクー（４０穴ｎ３）からＮ意ガスを１
．５ｖ分の流量で流して気泡を発生させ、ガラスフィル
ター上２０關の位置Ｋｆｆｉｉ像を描画したレジスト膜
面を水平に対置し、第１現像液で８分６０秒、続いて第
２現像液で１分間現像後、リンス液で１分間リンスして
現像処理を施してレジストパターンを形成した。
このようにして現像さ−ｒＬ、ｆｃレジストパターンに
はレジストの再付着もなく、また寸法精度も極めて高い
。
はレジストの再付着もなく、また寸法精度も極めて高い
。
次に本発明実施例と比較例■、■との結果を記尚、比較
例Ｉは、第２現像液を用いずに第１現像液のみで現像後
、直接リンス液でリンス処理したもの、比較例ＩＩは、
ガラスフィルタに依るＮ２バブリングを行わず、回奸翼
式攪拌機で攪拌しつつ現像したものである。上記した表
ヵ・ら明らかな如く、比較例Ｉでｔｌ、 Ｎｇガスによ
る気泡でレジスト膜面が効率よく攪拌さｎまた気泡がレ
ジスト而に衝突する際の力学的作用によって溶解か促進
さｎるため、レジスト膜近傍に存在する溶解分のレジス
トが殆んどな（溶解途中のレジスト分がリンスによって
少し付着するものと思ゎｎる。
例Ｉは、第２現像液を用いずに第１現像液のみで現像後
、直接リンス液でリンス処理したもの、比較例ＩＩは、
ガラスフィルタに依るＮ２バブリングを行わず、回奸翼
式攪拌機で攪拌しつつ現像したものである。上記した表
ヵ・ら明らかな如く、比較例Ｉでｔｌ、 Ｎｇガスによ
る気泡でレジスト膜面が効率よく攪拌さｎまた気泡がレ
ジスト而に衝突する際の力学的作用によって溶解か促進
さｎるため、レジスト膜近傍に存在する溶解分のレジス
トが殆んどな（溶解途中のレジスト分がリンスによって
少し付着するものと思ゎｎる。
ま之比較例１でけ攪拌効果が悪いために現像液中にとけ
だした露光部のレジストの一部が現像液中に十分拡散さ
ｎずレジスト膜近傍に存在しリンス処理によって数μｍ
−数＋μｍの大きさの付着物となってレジスト膜面に再
付着しクロムエツチング後のクロム浅りとなるものと思
ゎｎる。
だした露光部のレジストの一部が現像液中に十分拡散さ
ｎずレジスト膜近傍に存在しリンス処理によって数μｍ
−数＋μｍの大きさの付着物となってレジスト膜面に再
付着しクロムエツチング後のクロム浅りとなるものと思
ゎｎる。
こｎに対して未発＃Ｊ実施例では、第１現像液に依る現
像後に更に第２現像液で現像しているので、新友な溶解
を抑制して第１現像液による醪解途上分のみを溶解除去
した後にリンス処理するため付着物の発生なく現像する
ことが出来るもの亡思われる。
像後に更に第２現像液で現像しているので、新友な溶解
を抑制して第１現像液による醪解途上分のみを溶解除去
した後にリンス処理するため付着物の発生なく現像する
ことが出来るもの亡思われる。
（へ）発明の効果
末完明灯以上の説明から明らかな如く、レジストパター
ンの現像にバブル決と多段法とを並用しているので、寸
法精度に良く、且っ残渣のないレジストパターンを得る
事が出来る。
ンの現像にバブル決と多段法とを並用しているので、寸
法精度に良く、且っ残渣のないレジストパターンを得る
事が出来る。
Claims (1)
- １）紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線にて描
画さｎたレジスト膜の潜像を現像処理してレジスト像を
得るに際して、上記現像処理は／電プル法と多段法とを
並用して行わｎる事を特徴としたレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8219583A JPS59206830A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8219583A JPS59206830A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59206830A true JPS59206830A (ja) | 1984-11-22 |
Family
ID=13767642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8219583A Pending JPS59206830A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59206830A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843701B1 (ja) * | 1967-08-18 | 1973-12-20 | ||
| JPS5236445A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Wave divider |
| JPS5529459B2 (ja) * | 1975-02-18 | 1980-08-04 | ||
| JPS55140843A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and apparatus for developing ps plate |
-
1983
- 1983-05-11 JP JP8219583A patent/JPS59206830A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843701B1 (ja) * | 1967-08-18 | 1973-12-20 | ||
| JPS5529459B2 (ja) * | 1975-02-18 | 1980-08-04 | ||
| JPS5236445A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Wave divider |
| JPS55140843A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and apparatus for developing ps plate |
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