JPS59201625A - 保護装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、′に気回路に異常に大きな電流力玉流れたと
きに遮断するようにした保護装置に関する。

背景技術 このような従来からの保詐装置は、たとえば−くイメタ
ルやダッシュポットなど全備えている。したがって構成
が大型化し、また応答速度が遅い。

目　　　的 本発明の目的は、小型化が可能であり、応答速度の向上
された保護装置を提供することである。

実施例 第１図は本発明の一実施例の電気回路図である〇三相交
流電源からの電力は、スイッチング手段１からライン２
．３．４’ｒ介して負荷に供給される。

ライン２，３．４には変流器Ｃ’ＴＩ、ＣＴ２．ＣＴ３
がそれぞれ介在される。変流器ＣＴＩ、ＣＴ２、Ｃｒ２
の１次導体は、ライン２，３．４全１ターンだけそれぞ
れ外囲するリングであり、この１次導体には２次巻線が
それぞれ巻回される。変流器ＣＴＩ、ＣＴ２．ＣＴ３か
らの出力は、直列に接続された整流回路５．６．７１Ｃ
よってそ力、ぞれ全波整流される。ライン２．３．４に
電流が流れると、整流回路５，６．７からの直流電圧は
スイッチング手段１のトリップコイル８からライン９お
よび抵抗Ｒ３に介してトランジスタＴｒｉのベースに与
えられてベース電流が流れる。そのためトランジスタＴ
ｒｉが導通する０これによって整流回路５，６．７から
の電流は、抵抗Ｒ１，Ｒ２％　トランジスタＴｒ１％ツ
ェナダイオードＺＤ１および抵抗Ｒ４を介して流れる。

これによってトランジスタＴｒ２が導通ずる。

抵抗Ｒ１，Ｒ２は数１０Ωの低抵抗である。またトラン
ジスタＴｒ２は、ツェナダイオードＺＤ１のブーレーク
ダウン電圧と抵抗Ｒ４の電圧降下分との和である１０数
Ｖを発生する低抵抗となっている。したがって整流回路
５，６．７からの電流の大半は抵抗Ｒ１，Ｒ２およびト
ランジスタＴｒ２の経路全経て流れる。このようにして
ライン２゜３．４にツェナダイオードＺＤＩのブレーク
ダウン電圧に対応する予め定めた値を越える異常な大電
流が流れたとき、トリガ信号発生回路１０はライン１１
における整流回路５，６．７からの電圧に応答してサイ
リスクＳＣＲのゲートにライン１２を介してトリガ信号
を発生する。サイリスクＳＣＲのゲートには、抵抗１３
とコンデンサ１４とから成る並列回路が接続さ力、る。

サイリスクＳＣＲが導通すると、整流回路５．６．７か
らの電流の大半はトリップコイル８からライン９を介し
てサイリスクＳＣＲに流れる。そのためスイッチング手
段１は遮断し、電気回路の安全が保たれる。

このとき抵抗Ｒ３を通して流れでいたトランジスタＴｒ
ｉのベース電流が流れなくなり、したがってトランジス
タＴｒｉ、Ｔｒ２け遮断する。

この実施例によれば、整流回路５．６．７からの出カバ
トリップコイル８を経てトランジスタＴｒ１のベースに
与えられるので、トリップコイル８によってノイズが除
去され、誤動作が防がれる。

第２図は、本発明の他の実施例の電気回路図である。こ
の実施例は前述の実施例に類似し、対応する部分には同
一の参照符を付す。注目すべきｄ、トリガ信号発生回路
１５ＶＣおいてツェナダイオードＺＤＩおよび抵抗Ｒ４
からの電圧は１分圧抵抗１７．１８．１９によって分圧
されて、比較回路ＣＰ３．ＣＰ２．ＣＰ１４）ための基
準電圧Ｖ２゜Ｖ３．Ｖ４がそれぞれ得られる。電圧ｖ１
は、比較回路ＣＰＩ、ＣＰ２．ＣＰ３を駆動する。

ライン２，３．４に異常に大きな電流が流れると、前述
の実施例と同様にツェナダイオードＺＤ１が導通する。

こｆ′Ｌによって比較回路ＣＰＩ、ＣＰ２には抵抗Ｒ，
５，Ｒ６によって分圧された電流が流れて比較回路ＣＰ
１．ＣＰ２の出力は高インピーダンスとなる。そのため
抵抗Ｒ７，Ｒ９お、１：び逆流防止のためのダイオード
Ｄｌｋ介して、または抵抗Ｒ８，ＲＩＯおよびダイオー
ドＤ２を介して、コンデンサＣが充電される。コンデン
サＣには５放電抵抗Ｒ］、　１が接続される。コンデン
サＣとサイリスクＳＣＲのゲートとの間には、半導体ス
イッチング素子ＳＢＳが介在される。この半導体スイッ
チング素子５ＢＳｆ／ｉ、その両端の電圧が８ｖ程度以
上となったときにはトリガ信号が無くても導通し、また
ゲートにトリガ信号が与えられて接地されたときにも、
導通する。したがってコンデンサＣの基準電圧がＶ４（
たとえば４Ｖ程度）未満では、比較回路ＣＰ３の出力は
高インピーダンスである。コンデンサＣの出力電圧が基
準電圧■４を越えると、比較回路ＣＰ３の出力は接地さ
れて低インピーダンスとなシ、シたがって半導体スイッ
チング素子ＳＢＳのゲートが接地されることになり、導
通する。この半導体スイッチング素子ＳＢＳの導通によ
ってコンデンサＣが放電はれ、この放電電流はサイリス
クＳＣＲ’を導通させる。このようにしてトリップコイ
ル８に電流が流れてスイッチング手段１が遮断し、安全
が保たれる。

なお、正常時には、比較回路ＣＰＩ、ＣＰ２の出力は接
地されて低インピーダンスとなっている。

第２図に示された実施例では、比較回路ＣＰＩ。

ＣＦ２．ＣＦ２が故障していても半導体スイッチング素
子ＳＢＳはコンデンサＣの電圧が８ｖ程度を越えたとき
に導通してサイリスタ５ＣＲｆｆｉ導通させるので、安
全性が向上される。

第３図は、本発明の一実施例の一部の電気回路図である
。この実施例では、変流器ＣＴＩと整流回路５との間に
低抵抗でちるシャント抵抗２３が介在されている。変流
器ＣＴＩはライン２の電流に対応した低電流源となって
いる。したがってシヤント抵抗２３が介在されることに
よって、後続の回路である整流回路５の出力電流が変化
してしまって悪影響が及ぼされることはない。この抵抗
２３に電流計２４を接続することによって、ライン２を
流力、る電流を検出することができる。

第４図１は、本発明の他の実施例の電気回路図である。

この実施例ではシャント抵抗２３には表示用発光ダイオ
ード２５と電流制限用の抵抗２６とから成る直列回路が
並列に接続されている。この表示用発光ダイオード２５
全目視することによってライン２に通電されていること
を知ることができる。

第５図は１本発明のさらに他の実施例の一部の電気回路
図である。整流回路５，６．７の出力が導出されるライ
ン１１には、ブレークダウン電圧が相互に異なるツェナ
ダイオードＺＤ２〜ＺＤ４と１表示用発光ダイオード２
７．２８．２９と、電流制限用の抵抗３０，３１．３２
とから成る３つの直列回路が並列にそれぞれ接続されて
いる。

したがってライン２，３．４に流れる電流のレベルに応
じてツェナダイオードＺＤ２〜ＺＤ４が選択的に導通ず
る。これによって表示用発光ダイオード２７，２８．２
９が選択的に点灯する。そのためライン２，３．４に流
れる電流の大きさ全知ることができる。

効果 以上のように本発明によれば、全体の構成を半導体など
の電子回路素子によって実現することができ、したがっ
て構成が小型化されるとともに。

異常電流が流れたと＠に迅速にスイッチング手段を遮断
することができ、応答速度全向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の電気回路図、第２図は本発
明の他の実施例の電気回路図％第３図は本発明の他の実
施例の一部の電気回路図、第４図は本発明のさらに他の
実施例の一部の電気回路図。 第５図は本発明の他の実施例の一部の電気回路図である
。 １・・・スイッチング手段、２，３．４・・・ライン、
５．６．７・・・整流回路、１０．１５・・トリガ信号
発生回路、ＺＤＩ〜ＺＤ４・・・ツェナダイオード、Ｔ
ｒｉ、Ｔｒ２−）ランジスク、ＣＴ１〜ＣＴ３・・・変
流器、ＳＣＲ・・・サイリスク代理人　　　弁理士　西
教圭一部 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 電気回路の電流を検出する回路と。 電流検出回路からの出力を整流する回路と。 整流回路からの直流電圧が予め定めた＠を越えることを
   検出する回路と、 電気回路の前記電流検出回路よシも電源側に介在されて
   いるスイッチング手段と。 前記直流電圧検出回路からの出力に応答してスイッチン
   グ手段全遮断するルス動回路とを含むことを特徴とする
   保護装置。