JPS59197569A - スパツタリング装置の電極部構造 - Google Patents
スパツタリング装置の電極部構造Info
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- JPS59197569A JPS59197569A JP7352083A JP7352083A JPS59197569A JP S59197569 A JPS59197569 A JP S59197569A JP 7352083 A JP7352083 A JP 7352083A JP 7352083 A JP7352083 A JP 7352083A JP S59197569 A JPS59197569 A JP S59197569A
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- shaped magnet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明（Ｊ１磁界中の放電を利用して被膜を形成するス
パッタリング装置の電極部構造の改良に関するものであ
る。
パッタリング装置の電極部構造の改良に関するものであ
る。
従来より、磁界を利用して電子を磁界【こ閉じ込めて放
電効率を向上し、高密度のプラズマ牽発生させて被膜形
成速度を増大し、かつ被処理物の温度」二昇を抑制する
マグネトロン放電を利用したスパッタリング装置が提案
されている。
電効率を向上し、高密度のプラズマ牽発生させて被膜形
成速度を増大し、かつ被処理物の温度」二昇を抑制する
マグネトロン放電を利用したスパッタリング装置が提案
されている。
その−例として、ターゲット内に両端部がＮ。
Ｓ極となるような７個の永久磁石（あるいｉＪ電磁石）
を配し、また、真空装置外（こ電磁石を設け、ターゲッ
ト近傍に磁界を発生させるようＥこしたものがある。し
かるに、上記構造のもので！Ｊ 、、永久磁石（あるい
は電磁石）の端部効果により端部のＮ、Ｓ極近傍の電界
に直交する磁界が弱く、中央部の磁界が相対的に強くな
ることから、磁界分布か不均一となる。・その結果、タ
ーゲット表面（Ｊ不均一なイオン衝撃により局部的な侵
蝕消耗を受け、ターゲットの寿命はその局部的な侵蝕ｆ
ｌ ｋこよって決定され、高価なターゲットの有効利用
ができない問題がある。
を配し、また、真空装置外（こ電磁石を設け、ターゲッ
ト近傍に磁界を発生させるようＥこしたものがある。し
かるに、上記構造のもので！Ｊ 、、永久磁石（あるい
は電磁石）の端部効果により端部のＮ、Ｓ極近傍の電界
に直交する磁界が弱く、中央部の磁界が相対的に強くな
ることから、磁界分布か不均一となる。・その結果、タ
ーゲット表面（Ｊ不均一なイオン衝撃により局部的な侵
蝕消耗を受け、ターゲットの寿命はその局部的な侵蝕ｆ
ｌ ｋこよって決定され、高価なターゲットの有効利用
ができない問題がある。
また、上記磁界分布（こよるターゲットの侵蝕度の差Ｇ
コ、ターゲットに対向した被処理物側のスパッタリング
被膜の厚さ分布（こ影響を与え、侵蝕度の大きい部分〔
こ対向した位置Ｇ７形成される被膜も厚く、全体として
被膜厚さが不均一となる不具合を有している。
コ、ターゲットに対向した被処理物側のスパッタリング
被膜の厚さ分布（こ影響を与え、侵蝕度の大きい部分〔
こ対向した位置Ｇ７形成される被膜も厚く、全体として
被膜厚さが不均一となる不具合を有している。
上記問題点を解消するものとして、数個の永久磁石（あ
るい（ｊ電磁石）をその極性を交互にして配列し、端部
効果を分散し、スパッタリング被膜の厚さ分布の均一化
を図ることが考えられるが、基本的しこ（Ｊ磁界分布の
不拘−性Ｌｌ是正されず、この磁界分布に大きな影響を
受けるターゲットの侵蝕消耗についてＯＡ、その不均一
性（Ｊ解消されずに残るものである。
るい（ｊ電磁石）をその極性を交互にして配列し、端部
効果を分散し、スパッタリング被膜の厚さ分布の均一化
を図ることが考えられるが、基本的しこ（Ｊ磁界分布の
不拘−性Ｌｌ是正されず、この磁界分布に大きな影響を
受けるターゲットの侵蝕消耗についてＯＡ、その不均一
性（Ｊ解消されずに残るものである。
一方、上記のようＦこ、磁界を利用した放電の安定Ｆｔ
ｉ；Ｊ ｓ磁界の強さ【こ依存し、磁界が強いほどス
パッタリングが行われる真空度（／ ０−’〜１Ｏ−２
Ｔｏｒｒ）の広い範囲τこおいて放電を安定して発生さ
せることができる。
ｉ；Ｊ ｓ磁界の強さ【こ依存し、磁界が強いほどス
パッタリングが行われる真空度（／ ０−’〜１Ｏ−２
Ｔｏｒｒ）の広い範囲τこおいて放電を安定して発生さ
せることができる。
そこで、本発明−かかる点に鑑み、ターゲット表面を均
一の強さでイオン衝撃し、クーゲットがＪ４２ ）こ
消１：口するようＥこ磁界分布の平均化を図るととも〔
こ、彼処］ガ１物上に形成されるスパッタリング被膜の
厚さ分布を均−Ｅこし、かつ、永久磁石から発生ずる磁
界をイ１゛効（こ作用させて大きな磁界強さを得てグロ
ー放電を安定させ、被膜形成効率の向上を図ったスパッ
タリング装置の電極部構造を提供することを目的として
いる。
一の強さでイオン衝撃し、クーゲットがＪ４２ ）こ
消１：口するようＥこ磁界分布の平均化を図るととも〔
こ、彼処］ガ１物上に形成されるスパッタリング被膜の
厚さ分布を均−Ｅこし、かつ、永久磁石から発生ずる磁
界をイ１゛効（こ作用させて大きな磁界強さを得てグロ
ー放電を安定させ、被膜形成効率の向上を図ったスパッ
タリング装置の電極部構造を提供することを目的として
いる。
上記目的を達成する本発明＋Ｊ ％真空容器内に配設さ
れたターゲットとこのターゲットの近傍に磁界を形成す
る磁界形成手段とを備え、上記磁界形成手段（コ、永久
磁石と継鉄とを軸芯回りに交互に配設した棒状磁石体を
有するとともに、該棒状磁石体を回転させる回転装置を
備えてなり、上記棒状磁石体の永久磁石（Ｊ、同極を相
対して配置され、磁界強さを時間的に変動せしめて平均
化するようにしたものである。
れたターゲットとこのターゲットの近傍に磁界を形成す
る磁界形成手段とを備え、上記磁界形成手段（コ、永久
磁石と継鉄とを軸芯回りに交互に配設した棒状磁石体を
有するとともに、該棒状磁石体を回転させる回転装置を
備えてなり、上記棒状磁石体の永久磁石（Ｊ、同極を相
対して配置され、磁界強さを時間的に変動せしめて平均
化するようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図面Ｅこ沿って説明する。
第１因Ｏｊマグネトロン型スパッタリング装置１の基本
構成を示し、２８−ｊ真空容器で、該真空容器２ｉｈ底
部のベースプレー）２ａと上部の炉体２ｂとからなり、
この真空容器２の中心部にＧｊ円筒状ターゲット３が配
設される一方、該ターゲット８の外周部（こ被処理物４
が支持枠５を介して配設されている。もちろん、上記タ
ーゲット３と支持枠５と（Ｊ互いに絶縁され、また、真
空容器２とも絶縁されて配設されている。
構成を示し、２８−ｊ真空容器で、該真空容器２ｉｈ底
部のベースプレー）２ａと上部の炉体２ｂとからなり、
この真空容器２の中心部にＧｊ円筒状ターゲット３が配
設される一方、該ターゲット８の外周部（こ被処理物４
が支持枠５を介して配設されている。もちろん、上記タ
ーゲット３と支持枠５と（Ｊ互いに絶縁され、また、真
空容器２とも絶縁されて配設されている。
また、上記真空容器２に一５真空容器２を所定の真空度
（／ Ｏ−’ 〜／ ０−２Ｔ ｏ ｒ ｒ）に排気す
る真空ポンプ等を備えた排気装置６、真空容器２内【こ
Ａｒ 、 Ｈ２、２Ｊ２等の処理ガスを導入するガス導
入装置７、ターゲット３を陰極、被処理物４を陽極とし
て両者間に電圧を印加する電源装置ｆ８がｆ」設されて
いる。
（／ Ｏ−’ 〜／ ０−２Ｔ ｏ ｒ ｒ）に排気す
る真空ポンプ等を備えた排気装置６、真空容器２内【こ
Ａｒ 、 Ｈ２、２Ｊ２等の処理ガスを導入するガス導
入装置７、ターゲット３を陰極、被処理物４を陽極とし
て両者間に電圧を印加する電源装置ｆ８がｆ」設されて
いる。
さらに、上記真空容器２には、ターゲット８の周辺に磁
界を形成する磁界形成手段９が付設されてスパッタリン
グ装置１が構成されている。
界を形成する磁界形成手段９が付設されてスパッタリン
グ装置１が構成されている。
上記Ｉ〃磁界形成手段Ｇ＝、ターゲット３の内周部（こ
永久磁石による棒状磁石体１０が配設され、さらしこ、
この棒状磁石体１０を回転する回転装置１１が設けられ
、一方、真空容器２外（こ電磁石２９が配設されている
。この棒状磁石体１０とターゲット８とで電極部３１が
形成されている。本実〃ｍ例の場合のターゲット３−陰
極【こなっているＯ上記スパッタリング装置’ｌ Ｇｊ
、ターゲット３周辺に磁界を形成した状態【こおいて
、ターゲット３と被処理物４との間に電源装置８Ｑこよ
って電圧を印加すると、両者間の空間で放電（グロー放
電が発生し、この放電によってガスがイオン化し、陽イ
オンが陰極であるターゲット８（こ衝突してターゲット
材料の金属原子が飛び出し、被処理物４表面に何着して
スパッタリング被膜を形成するものである。
永久磁石による棒状磁石体１０が配設され、さらしこ、
この棒状磁石体１０を回転する回転装置１１が設けられ
、一方、真空容器２外（こ電磁石２９が配設されている
。この棒状磁石体１０とターゲット８とで電極部３１が
形成されている。本実〃ｍ例の場合のターゲット３−陰
極【こなっているＯ上記スパッタリング装置’ｌ Ｇｊ
、ターゲット３周辺に磁界を形成した状態【こおいて
、ターゲット３と被処理物４との間に電源装置８Ｑこよ
って電圧を印加すると、両者間の空間で放電（グロー放
電が発生し、この放電によってガスがイオン化し、陽イ
オンが陰極であるターゲット８（こ衝突してターゲット
材料の金属原子が飛び出し、被処理物４表面に何着して
スパッタリング被膜を形成するものである。
第２図に（」、上記磁界形成手段９ （第１図参照）の
うち棒状磁石体ｌＯおよび回転装置１１の構造を示して
いる。真空容器２ （第１図参照）のベースプレー）２
ａに対し、取付け７ランジ１２ａを有する収納管１２を
下方から貫通して配設し、この収納管１２の取付はフラ
ンジ１２ａが支持プレート１８とともに、締付はポル）
１４．によってベースプレー）２ａの下面に固着され
、取付はフランジ１２＆とベースプレー）２ａとの間１
−ｒＯリング１５１こよって真空シールが行われる。
うち棒状磁石体ｌＯおよび回転装置１１の構造を示して
いる。真空容器２ （第１図参照）のベースプレー）２
ａに対し、取付け７ランジ１２ａを有する収納管１２を
下方から貫通して配設し、この収納管１２の取付はフラ
ンジ１２ａが支持プレート１８とともに、締付はポル）
１４．によってベースプレー）２ａの下面に固着され
、取付はフランジ１２＆とベースプレー）２ａとの間１
−ｒＯリング１５１こよって真空シールが行われる。
上記収納管１２の外周下部（こＣｊ、ベースプレー）２
ａ上に絶縁材による支持台１６が配設される一方、該支
持台１６上に絶縁付番こよる筒体１７が収納管］−２を
囲んで配設されるとともに、該筒体Ｊ７の夕十周にｏＪ
チタン、クロム等の所望金属による筒状のターゲット８
が」二記支持台１６上に装着されている。
ａ上に絶縁材による支持台１６が配設される一方、該支
持台１６上に絶縁付番こよる筒体１７が収納管］−２を
囲んで配設されるとともに、該筒体Ｊ７の夕十周にｏＪ
チタン、クロム等の所望金属による筒状のターゲット８
が」二記支持台１６上に装着されている。
また、前記収納管１２の下端部を閉塞する支持プレー１
−１３ Ｌこ、棒状磁石体１ｏが回転自在に支持さＩ′
１ている。この棒状磁石体ＩＣＮゴ、管状の回転！Ｉ！
１１１１８の上方細径部１１３ａ（７）外周【こ、［ａ
定Ａ２１によって固定され、軸芯を中心として連続回転
するようＥこ支持されている。上記回転軸１８の細径部
１．８ ａ上端は収納管１２の上端内面←こ設けられた
軸受２２【こ嵌挿される一方、回転軸１８の下部（Ｊ鍔
部１８ ｂて支持プレート１３上面（こ回転自在ｔこ支
Ｊ、ｒさ２″１、支持プレート１３ｔこ配設された水シ
ール体２８でシールされている。この回転軸１８０ド端
（ｊ支持プレート１３を過通し、先端（こ（Ｊ回転ｍ、
手２４・が設置され、冷Ｊコｊ水排水慎・２５が接続さ
れている。
−１３ Ｌこ、棒状磁石体１ｏが回転自在に支持さＩ′
１ている。この棒状磁石体ＩＣＮゴ、管状の回転！Ｉ！
１１１１８の上方細径部１１３ａ（７）外周【こ、［ａ
定Ａ２１によって固定され、軸芯を中心として連続回転
するようＥこ支持されている。上記回転軸１８の細径部
１．８ ａ上端は収納管１２の上端内面←こ設けられた
軸受２２【こ嵌挿される一方、回転軸１８の下部（Ｊ鍔
部１８ ｂて支持プレート１３上面（こ回転自在ｔこ支
Ｊ、ｒさ２″１、支持プレート１３ｔこ配設された水シ
ール体２８でシールされている。この回転軸１８０ド端
（ｊ支持プレート１３を過通し、先端（こ（Ｊ回転ｍ、
手２４・が設置され、冷Ｊコｊ水排水慎・２５が接続さ
れている。
Ｉ）す記支持プレー）１３ｆこ開口した冷却水供給管１
３ａより供給された冷却水ｃＪ５収納管１２内を通って
、回転軸］、８上端の排水口１８ｃがら回転軸１８内を
流下して冷却水排水管２５より流出するように構成され
、棒状磁石体、１０を冷却して永久磁石１９が放電に伴
う熱によって消磁するのを防止する。なお、取ｆｑはフ
ランジ１２ａと支持プレー） ’＋−３との間ｉｊ ％
水シール体８ｏによってシールされている。
３ａより供給された冷却水ｃＪ５収納管１２内を通って
、回転軸］、８上端の排水口１８ｃがら回転軸１８内を
流下して冷却水排水管２５より流出するように構成され
、棒状磁石体、１０を冷却して永久磁石１９が放電に伴
う熱によって消磁するのを防止する。なお、取ｆｑはフ
ランジ１２ａと支持プレー） ’＋−３との間ｉｊ ％
水シール体８ｏによってシールされている。
また、上記棒状磁石体１０を回転作動する回転装置１
］−ｉｐ 、回転軸１８の下部外周に被駆動歯車２−６
が固着される一方、この被駆動歯車２６に噛み合ってモ
ータ２７ （第１図参照）【こよって回転駆動されるＪ
ｐ動両歯車２８設けられてなる。
］−ｉｐ 、回転軸１８の下部外周に被駆動歯車２−６
が固着される一方、この被駆動歯車２６に噛み合ってモ
ータ２７ （第１図参照）【こよって回転駆動されるＪ
ｐ動両歯車２８設けられてなる。
一方、上記棒状磁石体１０ Ｇ１ ％横断面が略扇形状
の永久磁石１９ （第３図参照）がその１司じ極を相対
するようにして軸芯回りに複数個配設され、この永久磁
石１９間に継鉄２０を介装して形成されている。
の永久磁石１９ （第３図参照）がその１司じ極を相対
するようにして軸芯回りに複数個配設され、この永久磁
石１９間に継鉄２０を介装して形成されている。
上記第３図に示す構造の棒状磁石体１０でＯＪ５上下方
向の磁界分布Ｇｊ均一であるが、回転（こ伴う軸芯回り
方向の電界に直交する磁界分布およびり一ゲット８の侵
蝕度分布（Ｊ第５図に示す状態となる。
向の磁界分布Ｇｊ均一であるが、回転（こ伴う軸芯回り
方向の電界に直交する磁界分布およびり一ゲット８の侵
蝕度分布（Ｊ第５図に示す状態となる。
第５図（ｊ、、棒状磁石体１０を平面から見た場合の軸
芯位置を原点０とし、この原点０を中心として全方位的
＋、：ｍれる程電界に直交する磁界強さＨＩ−Ｊ強く、
逆ｔこ侵蝕度Ｄｉは小さくなるようトこ表示した場合の
図である。
芯位置を原点０とし、この原点０を中心として全方位的
＋、：ｍれる程電界に直交する磁界強さＨＩ−Ｊ強く、
逆ｔこ侵蝕度Ｄｉは小さくなるようトこ表示した場合の
図である。
第、５図中実線（Ｊ第ｊ図Ａの回転位置においてその軸
芯回り（こ形成される電界（こ直交する磁界強さとター
ゲット３の侵蝕度を示すものであり、また破８ｉｊ−同
様に第グ図Ｂの回転位置（第７図Ａの回転位置から／７
５度回転した位置）【こおいてその軸芯回りＩこ形成さ
れる磁界強さとターゲット３の侵。
芯回り（こ形成される電界（こ直交する磁界強さとター
ゲット３の侵蝕度を示すものであり、また破８ｉｊ−同
様に第グ図Ｂの回転位置（第７図Ａの回転位置から／７
５度回転した位置）【こおいてその軸芯回りＩこ形成さ
れる磁界強さとターゲット３の侵。
１’ｉ！Ｉ：度を示すものであり、これを連続回転させ
ると所定１１３間内における平均的な電界に直交する磁
界強さくゴ、一点Ａ線で示すように均一化され、こイユ
（こ伴いターゲット８の侵蝕度（イオン衝撃の強さ）も
平均化されてＳ被処理物４上に形成されるスパッタリン
グ被膜のＢ％さ分布か一定となる。
ると所定１１３間内における平均的な電界に直交する磁
界強さくゴ、一点Ａ線で示すように均一化され、こイユ
（こ伴いターゲット８の侵蝕度（イオン衝撃の強さ）も
平均化されてＳ被処理物４上に形成されるスパッタリン
グ被膜のＢ％さ分布か一定となる。
なお、上記永久磁石１９の大きさ、分割数等ｉｊ５上記
第３図（こ示すような構造に限定されることなく任意し
こ設計変更司能であるが、分割＠！ｊ必ず偶数個でなけ
ればならず、また、分割数が多くなると磁界が弱くなる
問題がある。さら【こ、継鉄２０の作用として（・ｊ永
久磁石１９の配列を容易ならしめることと、磁界強さを
増大させることで、継鉄２０の材料として（Ｊ透磁率の
高いものほど有効である。
第３図（こ示すような構造に限定されることなく任意し
こ設計変更司能であるが、分割＠！ｊ必ず偶数個でなけ
ればならず、また、分割数が多くなると磁界が弱くなる
問題がある。さら【こ、継鉄２０の作用として（・ｊ永
久磁石１９の配列を容易ならしめることと、磁界強さを
増大させることで、継鉄２０の材料として（Ｊ透磁率の
高いものほど有効である。
ここで、参考に、第５図および第５図の永久磁石１９の
形態とそれに伴う電界と直交する磁界強さと侵蝕度との
関係に対し、第３図および第７図【こ（、コ１つの永久
磁石Ｍの場合を永し、電界と直交する磁界の分布は磁石
Ｍの端部効果により両端部で弱く不均一となる。これに
応じ、ターゲット８のイオン衝撃の強さすなわち侵蝕度
の分布ｉＪ２両端部で小さく、中央部で大きくなる。
形態とそれに伴う電界と直交する磁界強さと侵蝕度との
関係に対し、第３図および第７図【こ（、コ１つの永久
磁石Ｍの場合を永し、電界と直交する磁界の分布は磁石
Ｍの端部効果により両端部で弱く不均一となる。これに
応じ、ターゲット８のイオン衝撃の強さすなわち侵蝕度
の分布ｉＪ２両端部で小さく、中央部で大きくなる。
以上説明したよう〔こ、本発明スパッタリング装置の電
極部構造Ｅこよれば、ターゲット近傍【こ磁界を形［戊
する磁界形成手段を、永久磁石と継鉄とを軸芯回り〔こ
交互に配設した棒状磁石体を設けるとともしこ、この棒
状磁石体を回転させる回転装置を設けて構成し、磁界強
さを時間的に変動せしめて平均化し、ターゲットの侵蝕
度を均一化してターゲットの表面が均等Ｅこ消耗するよ
う【こして高価なターゲットのイＴ効利用を図って処理
コストを低減することができる。
極部構造Ｅこよれば、ターゲット近傍【こ磁界を形［戊
する磁界形成手段を、永久磁石と継鉄とを軸芯回り〔こ
交互に配設した棒状磁石体を設けるとともしこ、この棒
状磁石体を回転させる回転装置を設けて構成し、磁界強
さを時間的に変動せしめて平均化し、ターゲットの侵蝕
度を均一化してターゲットの表面が均等Ｅこ消耗するよ
う【こして高価なターゲットのイＴ効利用を図って処理
コストを低減することができる。
また、永久磁石と継鉄とを交互【こ配設したことにより
永久磁石の磁界を有効に作用させて強い磁界を発生させ
ることができ、この磁界強さしこ依存するグロー放電の
安定性を向上し、磁界の強さか大きいほど放電７ド圧が
低く、かつ高電流密度の放゛市か得られ、被膜形成効率
の向上を図ることができ、前記スパッタリング被膜の均
一化と相俟って優れた利点をイｆするものである。
永久磁石の磁界を有効に作用させて強い磁界を発生させ
ることができ、この磁界強さしこ依存するグロー放電の
安定性を向上し、磁界の強さか大きいほど放電７ド圧が
低く、かつ高電流密度の放゛市か得られ、被膜形成効率
の向上を図ることができ、前記スパッタリング被膜の均
一化と相俟って優れた利点をイｆするものである。
４・、１図面の簡単な説明
第１図ないし第Ｓ図＋ｊ本発明の実施態様を例示し、第
１図（コスパッタリング装置の基本構成を示す中央縦断
ｍ図、第２図ζコターゲットおよび棒状性、石に周辺４
’ｉｆｉ芦を示す縦断面図、第３図Ｌｌ棒状磁石体の斜
視ｌス、第を図Ａ、、Ｂ−棒状磁石体の回転位置を示す
説明図、第ｊ図Ｌ１回転位置の変動（こ対応した磁界強
さおよびターゲットの侵蝕度の分布を示す図、第乙図Ｇ
ゴ参考例の永久磁石を示す図、第７図（Ｊ第２図におけ
る磁界強さおよびターゲットの侵蝕度の分布を示す図で
ある。
１図（コスパッタリング装置の基本構成を示す中央縦断
ｍ図、第２図ζコターゲットおよび棒状性、石に周辺４
’ｉｆｉ芦を示す縦断面図、第３図Ｌｌ棒状磁石体の斜
視ｌス、第を図Ａ、、Ｂ−棒状磁石体の回転位置を示す
説明図、第ｊ図Ｌ１回転位置の変動（こ対応した磁界強
さおよびターゲットの侵蝕度の分布を示す図、第乙図Ｇ
ゴ参考例の永久磁石を示す図、第７図（Ｊ第２図におけ
る磁界強さおよびターゲットの侵蝕度の分布を示す図で
ある。
Ｊ−・・・・・・ス／ぐンタリング装置、２・・・・・
・真空容器・３・・・・・・ターゲット、４・・・・・
・被処理物、］ｏ・・・・・・棒状磁石体、１１・・・
・・・回転装置、１９・・・・・・永久磁石、２０・・
・・・・継鉄 躬 １ 図 ２７ ｄ も ２ 図 集 ６ 図 秦 ７ 図
・真空容器・３・・・・・・ターゲット、４・・・・・
・被処理物、］ｏ・・・・・・棒状磁石体、１１・・・
・・・回転装置、１９・・・・・・永久磁石、２０・・
・・・・継鉄 躬 １ 図 ２７ ｄ も ２ 図 集 ６ 図 秦 ７ 図
Claims (1)
- （１）真空容器内（こ配設されたターゲットとこのター
ゲット近傍に磁界を形成する磁界形成手段とを備え、上
記磁界形成手段＋１、永久磁石と継鉄とを軸芯回り（こ
交互に配設した棒状磁石体を有するとともに、該棒状磁
石体を回転させる回転装置を備えてなり、上記棒状磁石
体の永久磁石泪、同極を相対して配置されていることを
特徴とするスパッタリング装置の電極部構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7352083A JPS59197569A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | スパツタリング装置の電極部構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7352083A JPS59197569A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | スパツタリング装置の電極部構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197569A true JPS59197569A (ja) | 1984-11-09 |
| JPS6154870B2 JPS6154870B2 (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=13520597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7352083A Granted JPS59197569A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | スパツタリング装置の電極部構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107815661A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-03-20 | 陈立国 | 圆形磁力电极装置及包括其的卷绕式表面改性设备 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037179A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-14 | Nippon Atsuken Sueeji Kogyo Kk | 複合バット及びその製造法 |
| JPH06182010A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-07-05 | Mizuno Corp | Ｆｒｐ製バット |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP7352083A patent/JPS59197569A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107815661A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-03-20 | 陈立国 | 圆形磁力电极装置及包括其的卷绕式表面改性设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154870B2 (ja) | 1986-11-25 |
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