JPS59196447A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPS59196447A JPS59196447A JP58071238A JP7123883A JPS59196447A JP S59196447 A JPS59196447 A JP S59196447A JP 58071238 A JP58071238 A JP 58071238A JP 7123883 A JP7123883 A JP 7123883A JP S59196447 A JPS59196447 A JP S59196447A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンビーータ・トモグラフィ装置（以下ＣＴ
装置という）に用いられる放射線検出器に関するもので
ある。更に詳しくは、本発明は、散乱Ｘ線ノイズによる
影響を、簡単な構成で除去することのできる放射線検出
器に関するものである。
装置という）に用いられる放射線検出器に関するもので
ある。更に詳しくは、本発明は、散乱Ｘ線ノイズによる
影響を、簡単な構成で除去することのできる放射線検出
器に関するものである。
第１図は、公知ＯＣＴ装置を説明するための説明図で、
（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図である。この装置は、
偏平な扇状の７アンビームＸ線Ｆを曝射するＸ線源１と
、このＸ線を検出する複数のＸ線検出素子で構成される
Ｘ線検出器２とを、被検体５を挾んで対峙して配置させ
、Ｘ線源１およびＸ線検出器２を被検体３を中心に、互
いに同方向に一定角速度で回転移動させて、被検体３の
断面の種々の方向に対するＸ線吸収データをＸ線検出器
２から収集する。そして光分なデータを収集した後、こ
れらの各データを電子計算機等で演算処理して、被検体
６の断層像を得るものである。なお、１０はファンビー
ムＦの幅（スライス幅）Ｗを決めるコリメータである。
（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図である。この装置は、
偏平な扇状の７アンビームＸ線Ｆを曝射するＸ線源１と
、このＸ線を検出する複数のＸ線検出素子で構成される
Ｘ線検出器２とを、被検体５を挾んで対峙して配置させ
、Ｘ線源１およびＸ線検出器２を被検体３を中心に、互
いに同方向に一定角速度で回転移動させて、被検体３の
断面の種々の方向に対するＸ線吸収データをＸ線検出器
２から収集する。そして光分なデータを収集した後、こ
れらの各データを電子計算機等で演算処理して、被検体
６の断層像を得るものである。なお、１０はファンビー
ムＦの幅（スライス幅）Ｗを決めるコリメータである。
このよう々ＣＴ装置に使用されているＸ線検出器として
は、これまで、主としてｘｅ電離箱が用いられている。
は、これまで、主としてｘｅ電離箱が用いられている。
この検出器は、チャンネル間のはらつきが少なく、指向
性が良好である等の特長力；ある反面、製造時の機械加
工や組立作業７５Ｘ複雑である等の欠点がおる。このこ
とから、最近はＮａＩやＢＧＯ等のシンチレータ−に、
ホトマルチフ゛ライアー又はＳｉ ｐｉｎ ホトダイオ
ード°を組合せた検出器や、ＳｉやＣｄＴｅ等の半導体
を用いた放射線検出器も提案されている。
性が良好である等の特長力；ある反面、製造時の機械加
工や組立作業７５Ｘ複雑である等の欠点がおる。このこ
とから、最近はＮａＩやＢＧＯ等のシンチレータ−に、
ホトマルチフ゛ライアー又はＳｉ ｐｉｎ ホトダイオ
ード°を組合せた検出器や、ＳｉやＣｄＴｅ等の半導体
を用いた放射線検出器も提案されている。
であっても、第１図（ｂ）において、被検体３カ・らの
散乱によるＸ線（破線矢印で示す）はノイズとなり、鮮
明な断層像を得るうえで障害となる。
散乱によるＸ線（破線矢印で示す）はノイズとなり、鮮
明な断層像を得るうえで障害となる。
ここにおいて、本発明は、散乱Ｘ線ノイズによる影響を
、簡単な構成で除去することのできる放射線検出器を実
現しようとするものである０本発明に係る放射線検出器
は、被検体を５ｍつだ線源からの透過Ｘ線を受けるよう
に被検体のスライス面と同一平面上に配設された第１の
多チャンネル放射線検出器と、被検体からの散乱Ｘ線を
受けるように第１の多チャンネル放射線検出器に沿って
並設した第２の放射線検出器とで構成される点に構成上
の特徴がある。
、簡単な構成で除去することのできる放射線検出器を実
現しようとするものである０本発明に係る放射線検出器
は、被検体を５ｍつだ線源からの透過Ｘ線を受けるよう
に被検体のスライス面と同一平面上に配設された第１の
多チャンネル放射線検出器と、被検体からの散乱Ｘ線を
受けるように第１の多チャンネル放射線検出器に沿って
並設した第２の放射線検出器とで構成される点に構成上
の特徴がある。
第２図は本発明に係る放射線検出器の一伊」を示す構成
説明図で、ここで＋′１ＣｄＴｅのような半導体を利用
したものを示す。第６図は第２図におけるＹ−Ｙ断面図
である。
説明図で、ここで＋′１ＣｄＴｅのような半導体を利用
したものを示す。第６図は第２図におけるＹ−Ｙ断面図
である。
これらの図において、２０は半導体基板で、例ｊえばＣ
ｄＴｅ、 ＧａＡｓ等が用いられる。４１．４２．４３
．、、及び５１、５２．５３．、、はそれぞれ半導体基
板２０上に設けられた例えば６４個あるいはそれ以上の
複数個の障壁電極（ショットキー又はｐｎ接合）で、こ
こでは、いずれの電極とも同一形状でおって、放射線を
良く透過させる例えばＮ１層を真空蒸着して形成される
。これらの各障壁電極が設けられた半導体基板部分は、
それぞれ放射線に対して有感となり、それぞれがひとつ
のチャンネルを担当する放射線検出器となっている。
ｄＴｅ、 ＧａＡｓ等が用いられる。４１．４２．４３
．、、及び５１、５２．５３．、、はそれぞれ半導体基
板２０上に設けられた例えば６４個あるいはそれ以上の
複数個の障壁電極（ショットキー又はｐｎ接合）で、こ
こでは、いずれの電極とも同一形状でおって、放射線を
良く透過させる例えばＮ１層を真空蒸着して形成される
。これらの各障壁電極が設けられた半導体基板部分は、
それぞれ放射線に対して有感となり、それぞれがひとつ
のチャンネルを担当する放射線検出器となっている。
ここで、障壁電極４１．、４２．４３ 、、、で形成さ
れる各放射線検出器は、被検体３を透過した線源１〃為
らの透過放射線（実線矢印で示す）を受けるように、被
検体６のスライス面３０と１１ ＃！同一平面上に並ん
で配列されており、これらは第１の多チャンネルらの散
乱放射線（破線矢印で示す）を受けるように第１の多チ
ャンネル放射線検出器２ａＫ＆ってその近傍に並設され
ており、これらは第２の多チャンネル放射線検出器２ｂ
を構成している。
れる各放射線検出器は、被検体３を透過した線源１〃為
らの透過放射線（実線矢印で示す）を受けるように、被
検体６のスライス面３０と１１ ＃！同一平面上に並ん
で配列されており、これらは第１の多チャンネルらの散
乱放射線（破線矢印で示す）を受けるように第１の多チ
ャンネル放射線検出器２ａＫ＆ってその近傍に並設され
ており、これらは第２の多チャンネル放射線検出器２ｂ
を構成している。
このような放射線検出器において、第１の多チヤンネル
放射線検出器２ａ側の各チャンネル出力は、それぞれリ
ード線６１（６２，６３，、、）を介して各チャンネル
ごとに設けられているアンプ゛８１（８２，、、）
の一方の入力端に印加され、また、第２の多チヤンネル
放射線検出器２ｂ側の各チャンネル出力は、それぞれリ
ード線７１（７２，７３，、、）を介してアンプ゛８１
（８２１６，）の他方の入力端に印加されている。従っ
て、ひとつのチャンネルに相当する放射線検出器を夕。
放射線検出器２ａ側の各チャンネル出力は、それぞれリ
ード線６１（６２，６３，、、）を介して各チャンネル
ごとに設けられているアンプ゛８１（８２，、、）
の一方の入力端に印加され、また、第２の多チヤンネル
放射線検出器２ｂ側の各チャンネル出力は、それぞれリ
ード線７１（７２，７３，、、）を介してアンプ゛８１
（８２１６，）の他方の入力端に印加されている。従っ
て、ひとつのチャンネルに相当する放射線検出器を夕。
イオードで示せば、第１．第２の多チャンネル放射線検
出器２ａ、２ｂは、第４図の等価回路で示すことができ
る。すなわち、第１の多チャンネル放射線検出器と、第
２の多チャンネル放射線検出器の各チャンネルは、それ
ぞれの放射線検出器２ａ、２ｂが互いに逆極性で直列接
続され、両数射線検出器の差動的な出力が、アンプ８１
に印加されている。
出器２ａ、２ｂは、第４図の等価回路で示すことができ
る。すなわち、第１の多チャンネル放射線検出器と、第
２の多チャンネル放射線検出器の各チャンネルは、それ
ぞれの放射線検出器２ａ、２ｂが互いに逆極性で直列接
続され、両数射線検出器の差動的な出力が、アンプ８１
に印加されている。
第５図は、第１の多チャンネル放射線検出器２ａと、第
２の多チャンネル放射線検出器２．との配列位置方向に
対する放射線強度の分布図である。スライス幅Ｗの外側
にも散乱による放射線があり、その強度は透過放射線強
度の１０〜２０％でフラットな特性を示している。
２の多チャンネル放射線検出器２．との配列位置方向に
対する放射線強度の分布図である。スライス幅Ｗの外側
にも散乱による放射線があり、その強度は透過放射線強
度の１０〜２０％でフラットな特性を示している。
第１の多チャンネル放射線検出器２は、スライス幅Ｗの
中心位置に配置され、被検体を透過した放射線及び散乱
した放射線の両方が検出される。
中心位置に配置され、被検体を透過した放射線及び散乱
した放射線の両方が検出される。
また、第２の多チャンネル放射線検出器２ｂは、第１の
多チャンネル放射線検出器２よυスライス面３０に直交
する方向にＬだけ離れ、かつスライス幅Ｗの外側の位置
に配置されているので、散乱による放射線だけを検出す
る。ここで、第５図の特性から明らかなように第１．第
２の放射線検出器には、はぼ同じ強度の散乱放射線が入
射している。
多チャンネル放射線検出器２よυスライス面３０に直交
する方向にＬだけ離れ、かつスライス幅Ｗの外側の位置
に配置されているので、散乱による放射線だけを検出す
る。ここで、第５図の特性から明らかなように第１．第
２の放射線検出器には、はぼ同じ強度の散乱放射線が入
射している。
従って、本発明に係る放射線検出器によれば、アンフ８
１からは、散乱放射線によるノイズが各チャンネルごと
に自動的に打消された信号を得ることができる０よって
、各アンプからの各信号を従来のものと全く同様に信号
処理、演算することによって散乱放射線の影響を受けな
い、鮮明な断層像を得ることができる。
１からは、散乱放射線によるノイズが各チャンネルごと
に自動的に打消された信号を得ることができる０よって
、各アンプからの各信号を従来のものと全く同様に信号
処理、演算することによって散乱放射線の影響を受けな
い、鮮明な断層像を得ることができる。
第６図〜第９図は本発明に係る放射線検出器の他の例を
示す構成説明図である。
示す構成説明図である。
第６図の実施例においては、半導体基板２ｏ上に、第１
．第２の多チャンネル放射線検出器２ａ、 ２ｂ及び、
第３の多チャンネル放射線検出器２を形成させたもので
ある。第２．第６の多チャンネル放射線検出器２ｂ ｒ
２８は、第１の多チャンネル放射線検出器２を挾んで
上下（スライス面と直交する方向の上下位置）に位置す
るように設置されておシ、それぞれの位置における散乱
による放射線を検出する。
．第２の多チャンネル放射線検出器２ａ、 ２ｂ及び、
第３の多チャンネル放射線検出器２を形成させたもので
ある。第２．第６の多チャンネル放射線検出器２ｂ ｒ
２８は、第１の多チャンネル放射線検出器２を挾んで
上下（スライス面と直交する方向の上下位置）に位置す
るように設置されておシ、それぞれの位置における散乱
による放射線を検出する。
第７図の実施例においては、第２の放射線検出器２ｂを
、いくつかのチャンネル分を共用としたひとつの放射線
検出器で形成させたものである。
、いくつかのチャンネル分を共用としたひとつの放射線
検出器で形成させたものである。
第８図の実施例においては、各放射線検出器をシンチレ
ータ−３ＮにホトダイオードＰＩＮを組合せたものを並
べて構成したものである。
ータ−３ＮにホトダイオードＰＩＮを組合せたものを並
べて構成したものである。
第９図の実施例においては、各放射線検出器を電離箱を
並べて構成するとともに、各検出器を逆極性に並列接続
したものである。
並べて構成するとともに、各検出器を逆極性に並列接続
したものである。
第ｉ、ｏ図は、各放射線検出器からの出力信号の極性が
逆極性となるように並列接続し、散乱放射線によるノイ
ズ信号を除去する場合の第９区の例による等価回路図を
示す。
逆極性となるように並列接続し、散乱放射線によるノイ
ズ信号を除去する場合の第９区の例による等価回路図を
示す。
以上説明したように、本発明によれば、散乱放射線によ
る影響を簡単な構成で除去することのできる放射線検出
器が実現できる。
る影響を簡単な構成で除去することのできる放射線検出
器が実現できる。
第１図は公知ＯＣＴ装置の説明図、第２図は本発明に係
る放射線検出器の一例を示す構成斜視図、第３図は第２
図におけるＹ−Ｙ断面図、第４図は等価回路、第５図は
放射線検出器の設置位置と放射線強度の分布図、第６図
〜第９図は本発明の他の構成例の説明図、第１０図は第
９図における等価回路図である。 １・・・線源、２・・・第１の多チヤンネル放射線検出
器、２ｂ・・・第２の放射線検出器、２０・・・半導体
基板、８１・・・アンプ。 ２７９ ７１ 図 （（１） （ｂ）７
２ ｍ オ ３
区′ ” １ オ
ｆ ロオ ６ 図
７ ７ ロオ １０ 口
る放射線検出器の一例を示す構成斜視図、第３図は第２
図におけるＹ−Ｙ断面図、第４図は等価回路、第５図は
放射線検出器の設置位置と放射線強度の分布図、第６図
〜第９図は本発明の他の構成例の説明図、第１０図は第
９図における等価回路図である。 １・・・線源、２・・・第１の多チヤンネル放射線検出
器、２ｂ・・・第２の放射線検出器、２０・・・半導体
基板、８１・・・アンプ。 ２７９ ７１ 図 （（１） （ｂ）７
２ ｍ オ ３
区′ ” １ オ
ｆ ロオ ６ 図
７ ７ ロオ １０ 口
Claims (1)
- （１） 被検体を通った線源からの透過放射線を受け
るように前記被検体のスライス面とほぼ同一平面位置に
配設された第１の多チャンネル放射線検出器と、被検体
からの散乱による放射線を受けるように前記第１の多チ
ャンネル放射線検出器より前記スライス面に直交する方
向に僅かに離れ、かつスライス幅の外側位置に配設され
た第２の放射線検出器とを具備し、 徴とする放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071238A JPS59196447A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071238A JPS59196447A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196447A true JPS59196447A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13454915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58071238A Pending JPS59196447A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196447A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108039A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-13 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JPS6340534A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JPS6351842A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152491A (en) * | 1978-05-13 | 1979-11-30 | Philips Nv | Device for determining space absorption distribution |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP58071238A patent/JPS59196447A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152491A (en) * | 1978-05-13 | 1979-11-30 | Philips Nv | Device for determining space absorption distribution |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108039A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-13 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JPH0560930B2 (ja) * | 1983-11-18 | 1993-09-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6340534A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JPS6351842A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
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