JPS59195809A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS59195809A JPS59195809A JP7041883A JP7041883A JPS59195809A JP S59195809 A JPS59195809 A JP S59195809A JP 7041883 A JP7041883 A JP 7041883A JP 7041883 A JP7041883 A JP 7041883A JP S59195809 A JPS59195809 A JP S59195809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- alloy
- effect
- magneto
- film surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、希土類元素と鉄族元素を主成分′とする非晶
質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化容易方向を有
する光磁気記録媒体に関するものである。
質磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化容易方向を有
する光磁気記録媒体に関するものである。
従来から希土類元素とＦ ｅ 、 Ｏｏ 、 Ｎ ｉの
鉄族元素を主成分とする一部又は全部が非晶質磁性薄膜
は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有す。Ｓ極あるい
はＩＪ極に全面磁化され１ヒ膜薗に逆向きの小さな（１
μｍ７程度）スポット状の反転磁化（ビット）を作るこ
とが出来る。この反転磁区の有無をｒ”Ｊ＋’ｒＯＪに
対応することによってデジタル信置とした磁気メモリー
媒体として用いることができる。このような磁性薄膜の
うち屋温に近（／′１キューリ一点（Ｔ ｃ ）あるい
は補償温度をもつ化合物・合金に、レーザー光等の光又
は熱的効果によって任意の位置に任意の大ささ・形状の
反転磁区を作ることが出来る。これ金利用することによ
って情＝Ａ金記録することが可能であり、ディスク、テ
ープ、ンー・ト状の光磁気メモリー媒体として利用する
ことが可能とな９つつある。そして読み出す方法として
、磁気カー効果やファラデー効果を利用する方式が用い
られている。
鉄族元素を主成分とする一部又は全部が非晶質磁性薄膜
は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有す。Ｓ極あるい
はＩＪ極に全面磁化され１ヒ膜薗に逆向きの小さな（１
μｍ７程度）スポット状の反転磁化（ビット）を作るこ
とが出来る。この反転磁区の有無をｒ”Ｊ＋’ｒＯＪに
対応することによってデジタル信置とした磁気メモリー
媒体として用いることができる。このような磁性薄膜の
うち屋温に近（／′１キューリ一点（Ｔ ｃ ）あるい
は補償温度をもつ化合物・合金に、レーザー光等の光又
は熱的効果によって任意の位置に任意の大ささ・形状の
反転磁区を作ることが出来る。これ金利用することによ
って情＝Ａ金記録することが可能であり、ディスク、テ
ープ、ンー・ト状の光磁気メモリー媒体として利用する
ことが可能とな９つつある。そして読み出す方法として
、磁気カー効果やファラデー効果を利用する方式が用い
られている。
従来、公知である膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、かつ光ビームにより情報を書き込み。
、かつ光ビームにより情報を書き込み。
読み出せる磁性膜合金としては、多結晶としてＭｎＢ１
．ＭｎＣｕＢ１．Ｐｔ０ｏ、０ｏＣｒｘ 単結晶とし
てＧｄ工Ｇ、ＴｂＦｅｏ、ＹＧａ工Ｇ、Ｂ１ＳｍＥｒＧ
ａ工Ｇ５そして非晶質としてＧｄｃＯ，ＴｂＦｅ。
．ＭｎＣｕＢ１．Ｐｔ０ｏ、０ｏＣｒｘ 単結晶とし
てＧｄ工Ｇ、ＴｂＦｅｏ、ＹＧａ工Ｇ、Ｂ１ＳｍＥｒＧ
ａ工Ｇ５そして非晶質としてＧｄｃＯ，ＴｂＦｅ。
ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅＢ１．ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ
があるが、この中でも、非晶質磁性！原合金が良い材料
として知られている。
があるが、この中でも、非晶質磁性！原合金が良い材料
として知られている。
しかし上述した非晶質磁性膜合金は、書込み感度が良く
、媒体ノイズが少なく、細石磁気異方性の大面積が安定
に作業出来、又、磁気特性も適当に良いが、読み出し性
能（Ｓ／Ｎ比）に大きな影響を与えるカー回転角（θｋ
）が小さく、そのためにＳ／Ｎ比が小さくなり、光磁気
記録媒体として使用することは困難″′ｒ：あるという
欠点を有している。
、媒体ノイズが少なく、細石磁気異方性の大面積が安定
に作業出来、又、磁気特性も適当に良いが、読み出し性
能（Ｓ／Ｎ比）に大きな影響を与えるカー回転角（θｋ
）が小さく、そのためにＳ／Ｎ比が小さくなり、光磁気
記録媒体として使用することは困難″′ｒ：あるという
欠点を有している。
本発明は、上記の従来の欠点を改良し、θｋを大きくし
、Ｅｌ／Ｎ比が優れた光磁気記録媒体全提供することに
ある。
、Ｅｌ／Ｎ比が優れた光磁気記録媒体全提供することに
ある。
本発明の光磁気記録媒体ｉｄ 、膜面に垂直な大部分の
方向か磁化容易軸の磁気異方性を有するものであり、キ
ューリ一点（Ｔｃ）および補償温度（Ｔ ｃ’ｏ’ｍｐ
ｔ ） が室温に近く５０℃〜２００℃を有する大部分
が非晶質状態の薄膜である。
方向か磁化容易軸の磁気異方性を有するものであり、キ
ューリ一点（Ｔｃ）および補償温度（Ｔ ｃ’ｏ’ｍｐ
ｔ ） が室温に近く５０℃〜２００℃を有する大部分
が非晶質状態の薄膜である。
そして従来から希土類元素（Ｒ）のＧ（１、ＴＩ）。
ＤｙとＦｅ 、Ｃｏの上記非晶質合金は、光磁気効果、
Ｔ ｃ 、 ＴｃＯｍｐｔが比較的良いことから、光
磁気記録媒体として注目され、研究が進められている。
Ｔ ｃ 、 ＴｃＯｍｐｔが比較的良いことから、光
磁気記録媒体として注目され、研究が進められている。
しかし、より優れた記録媒体とするにはθｋを大きくす
る必要がある。θｋを太きくすることにより読出し性能
（Ｓ／Ｎ比）が良くなるからである。つまりθｋが大き
く、しがもＴ ｃ 、 Ｔ ｃｏｍｐｔ。
る必要がある。θｋを太きくすることにより読出し性能
（Ｓ／Ｎ比）が良くなるからである。つまりθｋが大き
く、しがもＴ ｃ 、 Ｔ ｃｏｍｐｔ。
磁気特性は従来の媒体と変らないか又（は、より優れた
媒体が必要である。今までにもθｋを太きくするために
、Ｏｒ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ。
媒体が必要である。今までにもθｋを太きくするために
、Ｏｒ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ。
ＯＣＩ等の添加による改良が試みら九でいる。
本発明ではθｋが大きくなり、しかもその他の特性であ
るＴ ｃ 、 Ｔｃｏｍｐｔ、磁気特性等にほとんど悪
くならない添加元素としてアクチニド系の２３２ Ｔｈ
、 ２３８ Ｕを添加した光磁気薄膜を発明したことに
ある。しかもこれらは、ＲとしてＧ（１，Ｔｂ。
るＴ ｃ 、 Ｔｃｏｍｐｔ、磁気特性等にほとんど悪
くならない添加元素としてアクチニド系の２３２ Ｔｈ
、 ２３８ Ｕを添加した光磁気薄膜を発明したことに
ある。しかもこれらは、ＲとしてＧ（１，Ｔｂ。
Ｄｙ以外のＳｃ、Ｙ、、Ｉ；ａ、Ｏｅ、Ｐｒ、Ｎｉ、Ｐ
＋ｎ。
＋ｎ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｆｉｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕでも同様
に効果がちることを確聴できた。
に効果がちることを確聴できた。
以下、本発明の詳細な説明する。
Ｒ（＝Ｇ ｄ ｒ Ｔ ｂ ｒ Ｄ ｙ、 ）とＴ（＝
Ｃ！ｏ、Ｆｅ）の非晶質合金膜ＲＸＴＩ−ＸＵ従米から
０．従来 ＜ Ｘ ＜ ０．４と広く知られている通り
である。（例えば、特願昭５５−３０２５１ ５５−
１７０２３９ ５５−３７３４７５０−１０７１０７
．５１−２５５５４等） そしてこれらｆｉ Ｔ ｃ
、 Ｔ ｃｏｍｐｔ が５０℃〜２００℃であυ、適当
な磁気特性（ｈ（ｓ 、 Ｈｃ、Ｋ ｕ ） ｋ有し、
垂直な磁化容易軸金持つ媒体である。そしてこれらケま
スパッター袈置、真空蒸着装置、イオンブレーティング
装置、その他の多くの無電解メッキ法によって作製さｉ
する。一般にターゲットは、溶融法、粉末凝固法、ある
いはＲとＴ（１）面積比による方法−等で作製される。
Ｃ！ｏ、Ｆｅ）の非晶質合金膜ＲＸＴＩ−ＸＵ従米から
０．従来 ＜ Ｘ ＜ ０．４と広く知られている通り
である。（例えば、特願昭５５−３０２５１ ５５−
１７０２３９ ５５−３７３４７５０−１０７１０７
．５１−２５５５４等） そしてこれらｆｉ Ｔ ｃ
、 Ｔ ｃｏｍｐｔ が５０℃〜２００℃であυ、適当
な磁気特性（ｈ（ｓ 、 Ｈｃ、Ｋ ｕ ） ｋ有し、
垂直な磁化容易軸金持つ媒体である。そしてこれらケま
スパッター袈置、真空蒸着装置、イオンブレーティング
装置、その他の多くの無電解メッキ法によって作製さｉ
する。一般にターゲットは、溶融法、粉末凝固法、ある
いはＲとＴ（１）面積比による方法−等で作製される。
そして基鈑にシリコンウェハー、ガラス、ＰＭＭＡ材等
上に５０Ａ〜数μ程度の膜°が形成される。発明者も同
様にして膜を作製した。そしてθｋをカー回転角測定器
によって測定した結果を第１図に示す。第１図において
はＲ＝Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔ＝ｃｏ、Ｆｅの場合で、Ｘは０、
１ ＜ Ｘ ＜ Ｏ１４の範囲ではいずれも／／丘ぼ左
点のＹ＝０でのθにの値である。そして、Ｍ＝Ｔｈ。
上に５０Ａ〜数μ程度の膜°が形成される。発明者も同
様にして膜を作製した。そしてθｋをカー回転角測定器
によって測定した結果を第１図に示す。第１図において
はＲ＝Ｇｄ、Ｔｂ、Ｔ＝ｃｏ、Ｆｅの場合で、Ｘは０、
１ ＜ Ｘ ＜ Ｏ１４の範囲ではいずれも／／丘ぼ左
点のＹ＝０でのθにの値である。そして、Ｍ＝Ｔｈ。
ＵでＹが０．０１≦Ｙ＜０．４の間では、Ｙ＝０でのθ
にの値より増加しており、それ以上でばあまシ効果が良
くないようである。
にの値より増加しており、それ以上でばあまシ効果が良
くないようである。
この結果は、本発明の他のＲ，Ｔの元素についてもいず
れも同様である。しかも従来の媒体に比べ他の特性はほ
とんど変化が無いが、むしろ磁気４？ａのＨｅ等は良く
なっていた。
れも同様である。しかも従来の媒体に比べ他の特性はほ
とんど変化が無いが、むしろ磁気４？ａのＨｅ等は良く
なっていた。
以上説明した本発明の光磁気記録媒体は、カー効果又は
ファラデー効果を利用して読出し全行なう。ただし書込
みは、レザー光等の光ビームを用いてその光磁気効果を
利用するものである。このように、ビーム・アドレッサ
ブルメモリとして利用できる書キ換え可能なメモリーと
なる。そしてθｋが大さいためＥ＋／Ｎが優れ、ファイ
ル、コンピユータ、オーディオ、ビデオ用の摺き換え可
型メモリーとして広く利用することが可能である。
ファラデー効果を利用して読出し全行なう。ただし書込
みは、レザー光等の光ビームを用いてその光磁気効果を
利用するものである。このように、ビーム・アドレッサ
ブルメモリとして利用できる書キ換え可能なメモリーと
なる。そしてθｋが大さいためＥ＋／Ｎが優れ、ファイ
ル、コンピユータ、オーディオ、ビデオ用の摺き換え可
型メモリーとして広く利用することが可能である。
そして書き込み、読出し、消去等がＡｒ、Ｈｅ−Ｎ ｅ
そして半導体レーザー（例えばＧ ａ −Ａ ｆｌ・Ａ
ｓ等）によって可能とすることができる。
そして半導体レーザー（例えばＧ ａ −Ａ ｆｌ・Ａ
ｓ等）によって可能とすることができる。
図面Ｉｔ’ｌ （ＲＸ Ｔ ＋−ｘ） １−ｙ ＭＹ
において、ＦＬ＝ＧｃＬ。 Ｔｂ、Ｔ＝Ｏｏ 、Ｆｅ 、０．１＜Ｘ（０，４の組成
に、Ｍ＝Ｔｈ 、Ｕｉ加えた時のカー回転角θにと原子
比Ｙの関係を示すグラフである。 以 上 出願人 株式会社 第二精工台 代理人 弁理士 最上 務
において、ＦＬ＝ＧｃＬ。 Ｔｂ、Ｔ＝Ｏｏ 、Ｆｅ 、０．１＜Ｘ（０，４の組成
に、Ｍ＝Ｔｈ 、Ｕｉ加えた時のカー回転角θにと原子
比Ｙの関係を示すグラフである。 以 上 出願人 株式会社 第二精工台 代理人 弁理士 最上 務
Claims (2)
- （１） 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質
合金において、２３２ Ｔ ｈ、 ２’３１ｉ Ｕの１
種以上を含有することを特徴とした薄刃−光磁気記録媒
体。 - （２） 合金の一般式（：ＲｘＴ＋−ｘ）＋−ＹＭＹ
［ＲＵＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｏｓ、
Ｐｒ、Ｎｄ。 Ｐ ｍ ＋ ’Ｓ ｍ 、Ｅ ｕ ＋ ＨＯ＋ Ｅ：
ｒ ＋ Ｔ ｍ ｒ Ｙ ｂ 、Ｌ’ｕ が １
（重以上である。捷たＴはＣｏ、Ｆθ、 Ｎ ｉ が１
種以上である。Ｍば２３２ Ｔ ｈ、 ２３８ Ｕ
の１６１以上の元素である。そしてｘ（まｏ、 １＜ｘ
＜ ｏｖａ 、ＹはＱ、 ［１１＜Ｙ≦０４である。〕
で示される組成を有する特許請求範囲第１頂記戦の薄膜
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041883A JPS59195809A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7041883A JPS59195809A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195809A true JPS59195809A (ja) | 1984-11-07 |
| JPH0259603B2 JPH0259603B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=13430902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7041883A Granted JPS59195809A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195809A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695514A (en) * | 1983-11-29 | 1987-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory element |
| CN103484797A (zh) * | 2013-08-26 | 2014-01-01 | 四川材料与工艺研究所 | 一种U-Pd-Ni-Si非晶合金及其制备方法 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP7041883A patent/JPS59195809A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695514A (en) * | 1983-11-29 | 1987-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory element |
| CN103484797A (zh) * | 2013-08-26 | 2014-01-01 | 四川材料与工艺研究所 | 一种U-Pd-Ni-Si非晶合金及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259603B2 (ja) | 1990-12-13 |
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