JPS59195596A - シリコン単結晶引上機のフイルタ - Google Patents

シリコン単結晶引上機のフイルタ

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Publication number
JPS59195596A
JPS59195596A JP6804983A JP6804983A JPS59195596A JP S59195596 A JPS59195596 A JP S59195596A JP 6804983 A JP6804983 A JP 6804983A JP 6804983 A JP6804983 A JP 6804983A JP S59195596 A JPS59195596 A JP S59195596A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oil
single crystal
filter
silicon single
lifting machine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6804983A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Takahashi
孝夫 高橋
Shingo Hayashi
信吾 林
Hisataka Sugiyama
杉山 久嵩
Yoshiaki Tada
多田 嘉明
Toshio Oishi
大石 俊夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP6804983A priority Critical patent/JPS59195596A/ja
Publication of JPS59195596A publication Critical patent/JPS59195596A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は減圧方式のシリコン単結晶引上機において、結
晶引上中に発生する酸化シリコンが真空ポンプ内へ吸引
されることを阻止するためのフィルタに関する。
減圧方式のシリコン単結晶引上機において、結晶引上中
に発生した酸化シリコンは真空ポンプに吸引されてしま
う。真空ポンプ内へ吸引された酸化シリコンは真空ポン
プ用油に混入して油を劣化させる他、硬度が高いので真
空ポンプの羽根を摩耗させて真空ポンプの寿命を短(し
ていた。また、単結晶引上機と真空ポンプとの間の配管
に付着して管路を狭くし、シリコン単結晶の成長に悪影
響を与えていた。このため管路の中間にフィルタを設け
ることが提案されたが、酸化シリコンの粒子径は1μm
程度と小さいので通常のフィルタで4除去しきれず、ま
たメツシュの小さいフィルタを使用すると短時間で目詰
りが発牟して実用に供することができない欠点があった
本発明はかかる欠点を除去したものでその目的は、簡単
な構成としてコストを低(しながら目詰りを起こすこと
なく酸化シリコンを確実に捕えることのできるシリコン
単結晶引上機のフィルタをた密封容器と、同昼封容器か
らシリコン単結晶引上機へ接続された送入管と、密封容
器から真空ポンプへ接続された送出管と、密封容器のほ
ぼ下半分に満たされた油と、踏射容器内の上部に取付け
られ油の表面に対し下端が隙間をMするように設けられ
た仕切板とから構成した。そしてこの構成により結晶引
上中に発生した酸化シリコンを含むガスが密封容器内の
油と仕切板との間を通過する際に酸化シリコンを油によ
って捕えるよ5にしたものである。
以下不発明の一実施例を示した第1図について説明する
。丸形成いは角形をした密封容器IJの両端部上面には
シリコン単結晶引上機(図示せf)へ従続した送入管1
2と、真空ポンプ(図示せずンへ接続した送出管13と
が取付けである。密封容器1]のほぼ下半分には密封容
器IJが真壁雰囲気径路中にあるため蒸気千の低い油例
えば真空ポンプに使う真空用の油14が満たしてあり、
上方の空間は下端が油14の表面との間に隙間15を残
して一枚或いは複数枚の仕切板16が取付けである。ま
た前記密封容器1】の側刃には油14を変換するための
フタ17が設けである。
次に不発明の動作について説明する。シリコン単結晶引
上機で発生した酸化シリコンは真空ポンプに吸引されて
ガスと共に缶封容器lj内へ流入する。このとき酸化シ
リコンは高温であるから低温の油14に接して吸着され
る。流入管12から流入した酸化シリコンは下方の油1
4に接して吸着されるが、吸着されずに残つy、:酸化
シリコンは仕切板16のため流れが攪拌されて再び油1
4に接してe、層される。ここで仕切板16と油14と
の隙間15は狭い麦が上記した流れの攪拌は太き(効果
は高(なるが、余つ狭(すると真空ポンプへ゛の管路抵
抗が大きくなるので隙間面積は送入管12或いは送出管
13の内径面積とほぼ同一にする。
第2図は本発明の他の実施例を示したもので第1図と異
なる部分についてのみ説明する。仕切板16の中間には
密封容器l]の底面から下方に流通穴22を有する邪摩
板21を立設した。このようにすることによりガスと共
に流入した酸化シリコンは邪摩板21に衝突して流れは
攪拌されて、油14に強く接するので酸化シリコンは十
分に吸着されることになる。
以上述べたように本発明においては、酸化シリコンの除
去に目詰りを起こす通常のフィルタを使用することなく
、密封容器内の下半分に油を貯えこの油の上方へ隙間を
有する仕切板を設けて、シリコン単結晶引上機で発生し
た酸化シリコンを含むガスをこの密封容器を通すことに
よって、酸化シリコンを油に吸着させるように、した。
このため不発明のフィルタは目詰りを起こすことはない
ので艮勘闇安定して酸化シリコンの除去作用が行われ、
真空ポンプの寿命が長くなると共にコストも低い等の利
点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における的r面図、第2図は
本発明の他の実施例における断面図である。 13・・・密封容器、12・・・送入管、13・・・送
出管、14・・・油、15・・・隙間、16・・・仕切
板、17・・・フタ、2】・・・邪摩板。 出願人  東芝機械株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一側をフタにより開閉可能にされた密封容器と、同
    密封容器からシリコン単結晶引上機へ接続された送入管
    と、前記密封容器から真空ポンプへ接続された送出管と
    、前記密封容器のほぼ下半分に満たされた油と、前記密
    封容器内の上部に取付けられ前記油の表面に対し下端が
    隙間を有するように設けられた仕切板とからなるシリコ
    ン単結晶引上機のフィルタ。 2)油を蒸気圧の低い油にしたことを特徴とする特WF
    請求の範囲第1項記載のシリコン単結晶引上機のフィル
    タ。 3)仕切板と油の隙間面積を送入管或いは送出管の内径
    面積とほぼ同一にしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のシリコン単結晶引上機のフィルタ。 4)複数の仕切板の中間に邪摩板を立設したことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のシリコン単結晶引上
    機のフィルタ。
JP6804983A 1983-04-18 1983-04-18 シリコン単結晶引上機のフイルタ Pending JPS59195596A (ja)

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JP6804983A JPS59195596A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 シリコン単結晶引上機のフイルタ

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JP6804983A JPS59195596A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 シリコン単結晶引上機のフイルタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59195596A true JPS59195596A (ja) 1984-11-06

Family

ID=13362536

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JP6804983A Pending JPS59195596A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 シリコン単結晶引上機のフイルタ

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JP (1) JPS59195596A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0913503A1 (de) * 1997-10-24 1999-05-06 Leybold Systems GmbH Vorrichtung zur Abscheidung eines Staubs aus einem Gasstrom

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4835260U (ja) * 1971-08-31 1973-04-27
JPS49104270A (ja) * 1973-02-08 1974-10-02

Patent Citations (2)

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Cited By (1)

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EP0913503A1 (de) * 1997-10-24 1999-05-06 Leybold Systems GmbH Vorrichtung zur Abscheidung eines Staubs aus einem Gasstrom

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