JPS5919376A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS5919376A JPS5919376A JP57129353A JP12935382A JPS5919376A JP S5919376 A JPS5919376 A JP S5919376A JP 57129353 A JP57129353 A JP 57129353A JP 12935382 A JP12935382 A JP 12935382A JP S5919376 A JPS5919376 A JP S5919376A
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- Japan
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- insulating
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129353A JPS5919376A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57129353A JPS5919376A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919376A true JPS5919376A (ja) | 1984-01-31 |
| JPH0441492B2 JPH0441492B2 (enExample) | 1992-07-08 |
Family
ID=15007498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57129353A Granted JPS5919376A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919376A (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100561A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Yamada Dobby Co Ltd | プレス機のトランスファー装置 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57129353A patent/JPS5919376A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07100561A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-18 | Yamada Dobby Co Ltd | プレス機のトランスファー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441492B2 (enExample) | 1992-07-08 |
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