JPS59188985A - イオンレ−ザ装置 - Google Patents
イオンレ−ザ装置Info
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- JPS59188985A JPS59188985A JP6317983A JP6317983A JPS59188985A JP S59188985 A JPS59188985 A JP S59188985A JP 6317983 A JP6317983 A JP 6317983A JP 6317983 A JP6317983 A JP 6317983A JP S59188985 A JPS59188985 A JP S59188985A
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- laser tube
- anode
- laser
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Links
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/09705—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser with particular means for stabilising the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオンレーザ装置に関し、特にレーザ管封入
ガスの減少を補給するようにしたイオンレーザ装置に関
する。
ガスの減少を補給するようにしたイオンレーザ装置に関
する。
従来のこの種のイオンレーザ装置は、レーザ管内の封入
希ガスをイオン化するために大電流のアーク放電をさせ
る。そのため、ガスクリーンアップ作用によりレーザ管
内のガスが減少する。レーザ管封入ガスが減少すると、
レーザ管電圧が減少し、それとともにレーザ出力の減少
が起シ、さらに減少が進むと正常な放電が行なわれなく
なシ、管の動作が停止して使用不能になる。また、レー
ザ管の封入ガス圧を上げすぎるとレーザ管電圧が上昇し
、レーザ管電流が規定値まで流せなくなシレーザ出力が
減少する。
希ガスをイオン化するために大電流のアーク放電をさせ
る。そのため、ガスクリーンアップ作用によりレーザ管
内のガスが減少する。レーザ管封入ガスが減少すると、
レーザ管電圧が減少し、それとともにレーザ出力の減少
が起シ、さらに減少が進むと正常な放電が行なわれなく
なシ、管の動作が停止して使用不能になる。また、レー
ザ管の封入ガス圧を上げすぎるとレーザ管電圧が上昇し
、レーザ管電流が規定値まで流せなくなシレーザ出力が
減少する。
本発明の目的は、前記レーザ管のガスの減少を自動的に
適正に補給し、よって長期間にわたシ安定に動作するイ
オンレーザ装置を提供するにある。
適正に補給し、よって長期間にわたシ安定に動作するイ
オンレーザ装置を提供するにある。
次に第１図に示した実施例により本発明の詳細な説明す
る。図において、レーザ電源工の正極はレーザ管２のア
ノード４に、負極は電流検出抵抗１２を通してレーザ管
２のカンード３に接続されている。５，５′はレーザ管
２を間にはさんで対向配置の光共振器であジ、６はレー
ザ管２と電磁弁７によって仕切られた補助ガスボンベで
ある。電流検出抵抗１２の出力端はレーザ電源１に帰還
されてレーザ管２のアノード電流を定電流化するととも
に、抵抗１３を通して直流増幅器１５に接続されその出
力は電流検出電圧ｖ′ｍとなる、またレーザ管アノード
電圧Ｅｂを抵抗１０．１１によって分圧した検出電圧Ｖ
ｏと前記Ｖ’ｍとの差電圧を比較増幅９で増幅し、リレ
ー２０の接点２０′を通して電磁弁駆動回路８を動作さ
せ、電磁弁７を開き、補助ガスボンベ６のガスをレーザ
管２に供給すべく制御する、そしてその制御方法は次の
通シである。
る。図において、レーザ電源工の正極はレーザ管２のア
ノード４に、負極は電流検出抵抗１２を通してレーザ管
２のカンード３に接続されている。５，５′はレーザ管
２を間にはさんで対向配置の光共振器であジ、６はレー
ザ管２と電磁弁７によって仕切られた補助ガスボンベで
ある。電流検出抵抗１２の出力端はレーザ電源１に帰還
されてレーザ管２のアノード電流を定電流化するととも
に、抵抗１３を通して直流増幅器１５に接続されその出
力は電流検出電圧ｖ′ｍとなる、またレーザ管アノード
電圧Ｅｂを抵抗１０．１１によって分圧した検出電圧Ｖ
ｏと前記Ｖ’ｍとの差電圧を比較増幅９で増幅し、リレ
ー２０の接点２０′を通して電磁弁駆動回路８を動作さ
せ、電磁弁７を開き、補助ガスボンベ６のガスをレーザ
管２に供給すべく制御する、そしてその制御方法は次の
通シである。
抵抗１０．１１を調節し、前記検出電圧Ｖ’ｏと電流検
出電圧Ｖ’ｍとの差電圧がＯになるようにしておく。
出電圧Ｖ’ｍとの差電圧がＯになるようにしておく。
このときアノード電圧Ｅｂ、アノード電流１１）の関係
は第２図のレーザ管２の正規のＥｂ−Ｉｂ曲曲線上上あ
る。このレーザ管２が作動中にガスが減少し、アノード
電圧Ｅｂ−アノード電流Ｉｂ実効抵抗特性が第２図の曲
線ａの下側にずれればＶ′ｍに対してｖｏは少さくなシ
、シたがって比較増幅器９に十の出力が現われ、この出
力によシミ磁弁駆動回路８が作動し、電磁弁を開いてガ
ス補給し、ガス補給の結果Ｅｂ−Ｉｂ実効抵抗特性が曲
線ａの上側に来るとＶ’ｍ ＜ Ｖ ｏとなシ、−出力
が生じ電磁弁７は閉じる。また、前記レーザ管２のアノ
ード電流Ｉｂを急げきに上昇させた場合のＥｂ−Ｉｂ実
効抵抗特性は第２図曲線ｂＯようにな）、アノード電流
Ｉｂを急げきに下げた場合のＢｂ−ｘｂｂ効抵抗特性は
第２図曲線Ｃのようになる、そしてアノード電流１ｂを
急げきに上昇あるいは下降した後正規のＥｂ−Ｉｂ実効
抵抗特性が第２図曲線ａになるまでに数１０分の時間を
要する。そのため、急げきにアノード電流を上昇した時
のＶ’ｍ信号をコンデンサ１６と抵抗１７で微分しダイ
オード１８によシタイマ１９をリセットし、リレー２０
の接点２０′を開き、急げきにアノード電流Ｉｂを上昇
させた場合には数１０分間電磁弁駆動回路８への信号を
しゃ断する。なお、７ノード電流Ｉｂを急げきに下げた
場合には前記の通シアノード電圧Ｅｂ−アノード電流Ｉ
ｂ実効抵抗特性が第２図の曲線ａの上側に来るのでＶ’
ｍ ＜ Ｖ ｏとなシミ磁弁駆動回路８に一信号が供給
されるのでタイマ１９をリセットする必要は無く、リレ
ー２０の接点２０’は閉じたままとなる。よりて前記レ
ーザ管２のガ′スの減少、過大が防止されアノード電圧
Ｅｂ、アノード電流Ｉｂはほぼ正規のＥｂ−Ｉｂ曲曲線
上上保たれ、レーザ出力の安定化と寿命を長くすること
ができる。
は第２図のレーザ管２の正規のＥｂ−Ｉｂ曲曲線上上あ
る。このレーザ管２が作動中にガスが減少し、アノード
電圧Ｅｂ−アノード電流Ｉｂ実効抵抗特性が第２図の曲
線ａの下側にずれればＶ′ｍに対してｖｏは少さくなシ
、シたがって比較増幅器９に十の出力が現われ、この出
力によシミ磁弁駆動回路８が作動し、電磁弁を開いてガ
ス補給し、ガス補給の結果Ｅｂ−Ｉｂ実効抵抗特性が曲
線ａの上側に来るとＶ’ｍ ＜ Ｖ ｏとなシ、−出力
が生じ電磁弁７は閉じる。また、前記レーザ管２のアノ
ード電流Ｉｂを急げきに上昇させた場合のＥｂ−Ｉｂ実
効抵抗特性は第２図曲線ｂＯようにな）、アノード電流
Ｉｂを急げきに下げた場合のＢｂ−ｘｂｂ効抵抗特性は
第２図曲線Ｃのようになる、そしてアノード電流１ｂを
急げきに上昇あるいは下降した後正規のＥｂ−Ｉｂ実効
抵抗特性が第２図曲線ａになるまでに数１０分の時間を
要する。そのため、急げきにアノード電流を上昇した時
のＶ’ｍ信号をコンデンサ１６と抵抗１７で微分しダイ
オード１８によシタイマ１９をリセットし、リレー２０
の接点２０′を開き、急げきにアノード電流Ｉｂを上昇
させた場合には数１０分間電磁弁駆動回路８への信号を
しゃ断する。なお、７ノード電流Ｉｂを急げきに下げた
場合には前記の通シアノード電圧Ｅｂ−アノード電流Ｉ
ｂ実効抵抗特性が第２図の曲線ａの上側に来るのでＶ’
ｍ ＜ Ｖ ｏとなシミ磁弁駆動回路８に一信号が供給
されるのでタイマ１９をリセットする必要は無く、リレ
ー２０の接点２０’は閉じたままとなる。よりて前記レ
ーザ管２のガ′スの減少、過大が防止されアノード電圧
Ｅｂ、アノード電流Ｉｂはほぼ正規のＥｂ−Ｉｂ曲曲線
上上保たれ、レーザ出力の安定化と寿命を長くすること
ができる。
第１図は本発明のイオンレーザ装置を示すブロック図、
第２図は正規のレーザ管のアノード電流Ｉｂとアノード
電圧Ｅｂとの関係（実効抵抗）を示す曲線である。 １・・・・・・レーザ電源、２・四・レーザ管、３・・
曲カソード、４・・・・・・アノード、５．５’・・面
光共振器、６・・・・・・補助ガスボンベ、７・萌・電
磁弁、８・・曲電磁弁駆動回路、９・・・・・・比較増
幅器、１０．１１．１３゜１４．１７・・・・・・抵抗
、１２・・・・・・電流検出抵抗、１５・・・・・・直
流増幅器、１６・・・・・・コンデンサ、１８・・・・
・・ダイオード、１９・・・・・・タイマ回路、２０．
２０’・・・・・・リレー、２１・・・・・・レーザ出
力。 、ｒＬ：、７
第２図は正規のレーザ管のアノード電流Ｉｂとアノード
電圧Ｅｂとの関係（実効抵抗）を示す曲線である。 １・・・・・・レーザ電源、２・四・レーザ管、３・・
曲カソード、４・・・・・・アノード、５．５’・・面
光共振器、６・・・・・・補助ガスボンベ、７・萌・電
磁弁、８・・曲電磁弁駆動回路、９・・・・・・比較増
幅器、１０．１１．１３゜１４．１７・・・・・・抵抗
、１２・・・・・・電流検出抵抗、１５・・・・・・直
流増幅器、１６・・・・・・コンデンサ、１８・・・・
・・ダイオード、１９・・・・・・タイマ回路、２０．
２０’・・・・・・リレー、２１・・・・・・レーザ出
力。 、ｒＬ：、７
Claims (1)
- 電磁弁によって仕切られた補助ガスボンベを備えたレー
ザ管と、前記レーザ管を放電させるためのレーザ電源と
、前記電磁弁を駆動するための電磁弁駆動回路と、前記
レーザ管のアノード電流検出抵抗の出力電圧を増幅する
、直流増幅器と、前記レーザ管のアノード電圧と前記直
流増幅器の出力電圧とを入力とする比較増幅器と、前記
レーザ管のアノード電流の変化を検出する微分回路と、
前記微分回路の出力電圧によυスタートするタイマー回
路とを具備したことを特徴とするイオンレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317983A JPS59188985A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | イオンレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6317983A JPS59188985A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | イオンレ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188985A true JPS59188985A (ja) | 1984-10-26 |
Family
ID=13221753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6317983A Pending JPS59188985A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | イオンレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188985A (ja) |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP6317983A patent/JPS59188985A/ja active Pending
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