JPS59181569A - カラ−固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
カラ−固体撮像素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカラー固体撮像索子の製造方法に関するO
〔発明の技術的背玖〕
カラー固体4% (*素子は、小型軽:イ1、低消費電
力、高信頼性、長):J命などのすぐれた特徴を有し、
多くの用途が期待されている。そして、VTRカメラ用
として大きな需要が右柱しているため、開発が精力的に
なされている。カラー固体撮像索子は、カメラの光学系
を介して入射された光を、赤、青、緑あるいはこれらの
補色等に色分師し、カラー信第7図を参照して従来のカ
ラー固体撮像素子の製造方法を説明する。第1図は固体
撮像素子の受光面にカラーフィルタを形成する工程を説
明する図である。半導体基板/には入射された光信号を
電気信号に変換する光ダイオートコを配置し、それらを
図示しない走査回路によってつなぐ。その上には、絶縁
膜(例えば5in2膜)3を介して素子を保護するため
のノにツシペーション膜(例工ばPSG胛、)lIを股
げ、その上には受光面を平滑化するための平滑層(例え
ば透明高分子樹脂層)5を設ける。そして、平滑層Sの
上にはフォトレジスト6を塗布する。ここで、フォトレ
ジスト材料としては、ゼラチンやカゼイン等の蛋白質ま
たはヂリビニルアルコール(以下「PvA」という)に
、感光剤として重クロム酸アンモニウム(以下「ADC
」という)を添加したものがある(第1図(a))。
力、高信頼性、長):J命などのすぐれた特徴を有し、
多くの用途が期待されている。そして、VTRカメラ用
として大きな需要が右柱しているため、開発が精力的に
なされている。カラー固体撮像索子は、カメラの光学系
を介して入射された光を、赤、青、緑あるいはこれらの
補色等に色分師し、カラー信第7図を参照して従来のカ
ラー固体撮像素子の製造方法を説明する。第1図は固体
撮像素子の受光面にカラーフィルタを形成する工程を説
明する図である。半導体基板/には入射された光信号を
電気信号に変換する光ダイオートコを配置し、それらを
図示しない走査回路によってつなぐ。その上には、絶縁
膜(例えば5in2膜)3を介して素子を保護するため
のノにツシペーション膜(例工ばPSG胛、)lIを股
げ、その上には受光面を平滑化するための平滑層(例え
ば透明高分子樹脂層)5を設ける。そして、平滑層Sの
上にはフォトレジスト6を塗布する。ここで、フォトレ
ジスト材料としては、ゼラチンやカゼイン等の蛋白質ま
たはヂリビニルアルコール(以下「PvA」という)に
、感光剤として重クロム酸アンモニウム(以下「ADC
」という)を添加したものがある(第1図(a))。
次いで、フォトレジスト乙を所定の形状に、Rターニン
グし、染色するための領域を残したのちシアンで染色し
、第1の染色層7とする(第7図(b))。
グし、染色するための領域を残したのちシアンで染色し
、第1の染色層7とする(第7図(b))。
次いで、透明高分子4t(脂からなる411色防止膜(
中間層)gを設ける(第7図(C))。
中間層)gを設ける(第7図(C))。
以下同様にして、第ツの染色層qおよびオー、4−コー
ト(保護層)10を形成し、多色用のカラー固体撮像素
子とする(第1図(d))。
ト(保護層)10を形成し、多色用のカラー固体撮像素
子とする(第1図(d))。
上記の如〈従来方法において、ゼラチンやカゼイン等の
蛋白質をフォトレジストの材料として用いると、カラー
フィルタの製造工程におけるパターン形成の制御が困姉
になる。なぜならば、これら蛋白質は品質の一定なもの
を得ることが姉しく、保存安定性も乏しいからである。
蛋白質をフォトレジストの材料として用いると、カラー
フィルタの製造工程におけるパターン形成の制御が困姉
になる。なぜならば、これら蛋白質は品質の一定なもの
を得ることが姉しく、保存安定性も乏しいからである。
壕だ、ADOを感光剤とするフオトレジヌl−利料は、
プリベーク温度により最適条件の露光量が変化してパタ
ーン形成時に熱かぶり現象(レジストのパターンの端部
が残って色が市なる現象)が発生するため、製造条件を
厳密に管現しなげればならない。
プリベーク温度により最適条件の露光量が変化してパタ
ーン形成時に熱かぶり現象(レジストのパターンの端部
が残って色が市なる現象)が発生するため、製造条件を
厳密に管現しなげればならない。
また、従来は異なる染色層を重ねる際には混色を防止す
るため、透明な中間層を設けているので、製造工程が複
雑になっている。
るため、透明な中間層を設けているので、製造工程が複
雑になっている。
本発明は上記の従来技術の欠点に〆゛みてなされたもの
で、温度、札光箭等の製造条件を緩和することができる
と共に、異なる染色層を重ねる際にも製造工程奮複傭に
することのないカラー固体撮像素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
で、温度、札光箭等の製造条件を緩和することができる
と共に、異なる染色層を重ねる際にも製造工程奮複傭に
することのないカラー固体撮像素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、■体掃像牙゛子の
受光面に水溶性レジストを塗付して、eターニングし、
その上に油溶性のレジストを塗付して・ξターニングし
、この油溶性レジストヲマスクにして水溶性レジストを
水溶性染料により染色して染色1〆とするカラー固体撮
像素子の製造方法、および上記の染色層と油溶性レジス
トからなる層の上に、透明な中間膜を介在させないで異
なる色の染色層と油溶性レジストからなる層を形成する
カラー固体撮像素子の製造方法を捉供するものである。
受光面に水溶性レジストを塗付して、eターニングし、
その上に油溶性のレジストを塗付して・ξターニングし
、この油溶性レジストヲマスクにして水溶性レジストを
水溶性染料により染色して染色1〆とするカラー固体撮
像素子の製造方法、および上記の染色層と油溶性レジス
トからなる層の上に、透明な中間膜を介在させないで異
なる色の染色層と油溶性レジストからなる層を形成する
カラー固体撮像素子の製造方法を捉供するものである。
第一図を参照して本発明に係る製造工、冑をより詳卸+
Vこ説明する。第一図は本発明に・係る方法によってカ
ラー固体撮像素子を製造する工作を説明する”図で、第
7図と同一の要素は同一の省1号で示す。
Vこ説明する。第一図は本発明に・係る方法によってカ
ラー固体撮像素子を製造する工作を説明する”図で、第
7図と同一の要素は同一の省1号で示す。
第1図(a)に示したのと同様の工秤により、固体撮像
素子の受光面を平滑化するlI的で膜)L7.o、s〜
ス、0μmの平滑層5を設け、その上に水溶性のレノス
ト材料100 (例えはゼラチンやカゼイン等の蛋白質
またはPVAにl叱光剤としてADCを添加したもの)
を01S−コ、OμmのlI6・ノ9にて、ゾノプザイ
ズの・ξターンで塗付する(第一図(a))。
素子の受光面を平滑化するlI的で膜)L7.o、s〜
ス、0μmの平滑層5を設け、その上に水溶性のレノス
ト材料100 (例えはゼラチンやカゼイン等の蛋白質
またはPVAにl叱光剤としてADCを添加したもの)
を01S−コ、OμmのlI6・ノ9にて、ゾノプザイ
ズの・ξターンで塗付する(第一図(a))。
次いで透明ネガ型の油溶性レジスト10/をO,S〜ユ
、0μmの膜厚で都付し、所定のパターンに/eターニ
ングし、リンス処理および乾燥(600〜150°C)
する。ここで、透明ネガ型のレノスト材料としてはys
R(富士撮品工条(株)製)、JBRC工旦−tol(
日本合成ザム(株)製)、TP旦(東京応化工業(株)
煕)などがある(第2図(b))。
、0μmの膜厚で都付し、所定のパターンに/eターニ
ングし、リンス処理および乾燥(600〜150°C)
する。ここで、透明ネガ型のレノスト材料としてはys
R(富士撮品工条(株)製)、JBRC工旦−tol(
日本合成ザム(株)製)、TP旦(東京応化工業(株)
煕)などがある(第2図(b))。
次いで、上記のようにして得られたノミターンのレジス
トを41o℃〜10 ’Cに保持した、シアンまたは黄
色の水に〒性染料に浸ノにすることによって染色し、シ
”アン丑グこ4’、j: :I!’;色の第1の染色1
な710スとする(第) i):ノj (1) )。こ
こで、ンアン桑利としてはスミフィ。
トを41o℃〜10 ’Cに保持した、シアンまたは黄
色の水に〒性染料に浸ノにすることによって染色し、シ
”アン丑グこ4’、j: :I!’;色の第1の染色1
な710スとする(第) i):ノj (1) )。こ
こで、ンアン桑利としてはスミフィ。
ノクスクーギスプルー〇(住人化学(a) 製)、ミソ
ーfアンr’ S−リングフルー2F(三井肩4圧(株
)ン、j)などがあり、角色染相どしてはスミノールミ
ーリングイエローff1R(住人化学(株)1す)、カ
ヤノールミーリングイエo −0(日本北路(株)fJ
i′j)などかに、る。
ーfアンr’ S−リングフルー2F(三井肩4圧(株
)ン、j)などがあり、角色染相どしてはスミノールミ
ーリングイエローff1R(住人化学(株)1す)、カ
ヤノールミーリングイエo −0(日本北路(株)fJ
i′j)などかに、る。
次いで、第1の染色層102にタンニン酸と酢酸せたけ
無水クロム師と酢酸等によって化学処理を施して硬質化
させる。このように化学処理を施して第1の染色層/θ
λを硬質化させることによつ−C1従来方法で(rよ必
要でk)つた中間層を塗付する工程を省略することがで
きる。第3図は従来方法に係る製糸’1−)1片を61
1.明する図で、第一図と同一要素は同−符月を示しで
ある。すなわち、象lの染色層10.2の十に中IH”
1層200を塗付し、その上に次の染色ハ4を形成して
℃・る。
無水クロム師と酢酸等によって化学処理を施して硬質化
させる。このように化学処理を施して第1の染色層/θ
λを硬質化させることによつ−C1従来方法で(rよ必
要でk)つた中間層を塗付する工程を省略することがで
きる。第3図は従来方法に係る製糸’1−)1片を61
1.明する図で、第一図と同一要素は同−符月を示しで
ある。すなわち、象lの染色層10.2の十に中IH”
1層200を塗付し、その上に次の染色ハ4を形成して
℃・る。
次に、第7のシj、色p410.aを形成する工程と同
様の工程によって第1の染色層/θコの上に水溶性レジ
スト103f塗刺し、Iう「定の・?ターニングの後に
油溶性し・シストIO’lを塗付し、第一の朶色層10
Sを形成する。そして、その」二に透1ヅ」−、分子柄
面を0.5・〜/、0μn1の膜厚で塗付し、これをオ
ーバーコ−l−10とする(第一(≧1(d))。
様の工程によって第1の染色層/θコの上に水溶性レジ
スト103f塗刺し、Iう「定の・?ターニングの後に
油溶性し・シストIO’lを塗付し、第一の朶色層10
Sを形成する。そして、その」二に透1ヅ」−、分子柄
面を0.5・〜/、0μn1の膜厚で塗付し、これをオ
ーバーコ−l−10とする(第一(≧1(d))。
ここで、第1の染色層10/がシアンならば第一の染色
層IO’lは黄色にブエリ、第1の染色層10/が黄色
ならば第一の染色層10ダはシアンになる。なお、油溶
件染相としてO:11、アイゼンパターイエロー、オー
ガノブルGエクストラ(保谷化学(株)製)などがある
。
層IO’lは黄色にブエリ、第1の染色層10/が黄色
ならば第一の染色層10ダはシアンになる。なお、油溶
件染相としてO:11、アイゼンパターイエロー、オー
ガノブルGエクストラ(保谷化学(株)製)などがある
。
次に、本発明の一実施例について勝明する。1ず、CC
D固体撮f8素子の衣「hjに形成され−にイ滑胤゛に
、/φのADCiを含むカゼインを10μ2?の膜厚で
塗料する。そして、70°Cで90分1山フリベークし
た後にグップサイズのパターンとし、リンス処理(メタ
ノール)および乾燥処+41i (100°c’cJo
分間)を行なう。
D固体撮f8素子の衣「hjに形成され−にイ滑胤゛に
、/φのADCiを含むカゼインを10μ2?の膜厚で
塗料する。そして、70°Cで90分1山フリベークし
た後にグップサイズのパターンとし、リンス処理(メタ
ノール)および乾燥処+41i (100°c’cJo
分間)を行なう。
次に、上記ノミターンの上にTPRを10μ7?1の膜
厚で?た付し、go Cで、20分間のゾレベークの後
に超高圧水銀灯で露光することによりノミターニングを
行ない、100”Cでボストベークを行なう。
厚で?た付し、go Cで、20分間のゾレベークの後
に超高圧水銀灯で露光することによりノミターニングを
行ない、100”Cでボストベークを行なう。
次に、60°Cに保持されたカヤノールターキスブルー
の、2升開裂水溶液に3分間浸漬して上記のカゼイン層
を染色し、シアン染色層(策/の染色層)を形成させる
。そして、タンニン酸および酢酸によってシアン染色の
定角処理を行なう。
の、2升開裂水溶液に3分間浸漬して上記のカゼイン層
を染色し、シアン染色層(策/の染色層)を形成させる
。そして、タンニン酸および酢酸によってシアン染色の
定角処理を行なう。
次に、上記の第7の染色層を形成するまでの工程と同様
の工程によって、カゼイン層を形成した後にTPflに
よって所定のパターンを形成する。
の工程によって、カゼイン層を形成した後にTPflに
よって所定のパターンを形成する。
そして、60°Cに保持されたスミノールミーリングイ
エローMI(のコ重漱係水溶液にユ分間浸漬することに
よって染色し、TPR層をレジストブロックとして下層
のカゼイン層を染色し、a色染色層(第一の染色層)と
する。
エローMI(のコ重漱係水溶液にユ分間浸漬することに
よって染色し、TPR層をレジストブロックとして下層
のカゼイン層を染色し、a色染色層(第一の染色層)と
する。
ノ(φ後に7,0μν?1の膜厚で保護層を設ける。
なお1.21[株]の染色層からなるカラー固体撮像素
子を例にして説罪したが、赤、宵、緑の3色の染色)曽
から7″、1′:るフィルタであっても同様に製造でき
る0 〔発明の効果〕 上記の如く本発明によれば、固体撮像素子の受光部に温
度条件、j++4光条件″vtのヴかな水溶性レジスト
を塗付してチンプサイズにノミターニングし、その上に
油溶性のレジストを塗付してパターニングし、この油溶
性レジストブロックにして水溶性レジストを水溶性染料
により染色して染色層とするよ5にしたので、渦14′
、岬:光M宿の製造条件を緩和することのできるカラー
固体撮倍素子の製造方法がイqられる。
子を例にして説罪したが、赤、宵、緑の3色の染色)曽
から7″、1′:るフィルタであっても同様に製造でき
る0 〔発明の効果〕 上記の如く本発明によれば、固体撮像素子の受光部に温
度条件、j++4光条件″vtのヴかな水溶性レジスト
を塗付してチンプサイズにノミターニングし、その上に
油溶性のレジストを塗付してパターニングし、この油溶
性レジストブロックにして水溶性レジストを水溶性染料
により染色して染色層とするよ5にしたので、渦14′
、岬:光M宿の製造条件を緩和することのできるカラー
固体撮倍素子の製造方法がイqられる。
また、上記の如く製造した染色層(化学処y1・によっ
て染色を定幅し、硬質化させる)と油溶性し2ストから
なるル:の上に、〃り明だ中間膜を介在させ’f、cい
で異なる色の染色層と油溶性レジストからなる層を形h
(するようにすると、中間J脅の製造を省1n4 u、
製造工程を簡印にできるという効果があるO
て染色を定幅し、硬質化させる)と油溶性し2ストから
なるル:の上に、〃り明だ中間膜を介在させ’f、cい
で異なる色の染色層と油溶性レジストからなる層を形h
(するようにすると、中間J脅の製造を省1n4 u、
製造工程を簡印にできるという効果があるO
第1図は従来方法によるカラー周体撮像素子の製造工程
を説明する図、第2(8)は本発明の一実施例に係る方
法によってカラー固体撮像素子を製造する工程を説明す
る図、第3図は従来方法によって製造したカラー固体撮
像素子の断面図である。 /・半導体基板、コ 光ダイオード、3・絶縁膜、t
・ノ々ソシベーションm、5 平?it層、A ・
レジスト、ワ、/θツ・第1の染色層、g・混色防止膜
(中間層)、?、/θS・・第一の染色層、10・・・
オーツモーコート、100 、103 水溶性レジス
ト、10/ 、 10グ・・油溶性レジスト。 出願人代理人 猪 股 清rつ−0 00 手続補正外 iliぢ和58年5月1)日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、中)牛の、1、示 昭和58年特許、願力55551号 2、発明の名(′;j: カラー固体撮像素子の製造方法 3、補正をする者 小作との関係 L)″作出%Ji人 (307)束基芝浦重気株式会社 5、 hfi 市眞 く予の [ヨ イ・j
′ パ:17、補正の対象 図面 8、補正の内容 図面の単1(内容に変更なし) 331−
を説明する図、第2(8)は本発明の一実施例に係る方
法によってカラー固体撮像素子を製造する工程を説明す
る図、第3図は従来方法によって製造したカラー固体撮
像素子の断面図である。 /・半導体基板、コ 光ダイオード、3・絶縁膜、t
・ノ々ソシベーションm、5 平?it層、A ・
レジスト、ワ、/θツ・第1の染色層、g・混色防止膜
(中間層)、?、/θS・・第一の染色層、10・・・
オーツモーコート、100 、103 水溶性レジス
ト、10/ 、 10グ・・油溶性レジスト。 出願人代理人 猪 股 清rつ−0 00 手続補正外 iliぢ和58年5月1)日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、中)牛の、1、示 昭和58年特許、願力55551号 2、発明の名(′;j: カラー固体撮像素子の製造方法 3、補正をする者 小作との関係 L)″作出%Ji人 (307)束基芝浦重気株式会社 5、 hfi 市眞 く予の [ヨ イ・j
′ パ:17、補正の対象 図面 8、補正の内容 図面の単1(内容に変更なし) 331−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 /、同体撮像素子の受光面に水溶性レジストを4伺して
チップサイズのパターンを形成し、次いでその上に油溶
性レジストを塗付して所定の形状にパターニングし、次
いで前記油溶性レジストをマスクにしてA14記水溶件
レジストを水溶性染料で染色するカラー固体撮像索子の
製造方法。 ユ固体撮像素子の受光面に第1の水溶性レジストを塗(
=Iしてチップサイズのパターンを形成し、次いでその
」二に第1の油溶性レジストを塗付して所定の形状にパ
ターニングし、次いで前記第1の油溶性レジスl−をマ
スクにして前記第1の水溶性レジストを水溶性染料で染
色して第1の染色層を形)収し、次いで該第1め染色層
の染色レジストを塗付してチップサイズのノミターンを
形成し、次いでその上に第2の油浴性レジストを塗付し
て所定の形状に・ぐターニングし、次いでnjJ記第コ
の油溶件しジスl−eマスクにして前記第一の水溶性レ
ジストを水溶性染料で染色するカラー固体撮像索子の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58055551A JPS59181569A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58055551A JPS59181569A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59181569A true JPS59181569A (ja) | 1984-10-16 |
Family
ID=13001835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58055551A Pending JPS59181569A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | カラ−固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59181569A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6420505A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58055551A patent/JPS59181569A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6420505A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
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