JPS5917754B2 - 螢光体 - Google Patents

螢光体

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JPS5917754B2
JPS5917754B2 JP6078975A JP6078975A JPS5917754B2 JP S5917754 B2 JPS5917754 B2 JP S5917754B2 JP 6078975 A JP6078975 A JP 6078975A JP 6078975 A JP6078975 A JP 6078975A JP S5917754 B2 JPS5917754 B2 JP S5917754B2
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JP
Japan
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excitation
rare earth
phosphor
concentration
ultraviolet
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JP6078975A
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JPS51135885A (en
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洋二 福田
二三夫 福田
正一 深井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は螢光体、詳しくいえば希土類元素で活性化した
タングステン酸ナトリウム塩螢光体に関するものである
螢光体材料における活性剤として3価希土類元素を用い
ることはよく知られている。
その特長は、発光スペクトルが鋭い輝線群から成つてい
て、色純度が高いこと、温度上昇時における発光強度の
低下が比較的起りにくいことなどが挙げられる。5 こ
れらの特長を生かして多くの希土類付活螢光体がカラー
受像管や水銀放電灯などに実用化されており、さらに多
くの材料について報告が多数なされている。
一般に、これらの螢光体において活性中心となroる3
価の希土類元素の濃度は0.1〜5atom%である。
すなわち、濃度を上げすぎると、発光輝度の低下が起こ
ることから、前記の濃度範囲に選んでいた。しかし、光
励起発光の場合、励起光に対する光学的密度(Opti
calDensity)を上げるF5ためには、活性中
心の濃度がさらに高いことが必要である。特に、透明薄
膜発光スクリーンや微粒子薄膜発光スクリーンを形成さ
せる際には、活性中心濃度が高くなければ励起光のかな
りの部分が透過光として失われてしまう。励起光に対す
る光’0 学的密度を上げるために、発光スクリーンの
厚さを厚くすることは、螢光体材料の使用量、発光スク
リーンの作りやすさ、基板との熱膨張係数の違いから生
じる膜の剥離やひびわれなどを考慮すると実用的でない
。従つて、活性中心濃度が高く、i5しかも濃度消光の
顕著でない明るい螢光体材料が必要とされる。本発明は
このように、活性中心の濃度を高くしても、濃度消光を
起しにくく、また最波長紫外線にも強く励起される新し
い螢光体を提供するもの・0 である。
すなわち、本発明の螢光体は一般式 Na5Ln(W04)4(ここでLnはテルビウム(T
b)とユーロピウム(Eu)のうちのいずれか表わす)
で表わされるものである。
5 さらに、本発明の他の螢光体は、一般式Ma5Ln
1−XLn’X(W04)4(0.05≦x≦0.95
)(ここで、Lnは希土類金属のうちランタン(La)
、ガドリニウム(Gd)、ルテチウム(Lu)およびイ
ツトリウム(Y)、スカンジウム(Sc)のうち少なく
とも一種を表わし、またLn″は希土類金属のうちテル
ビウム(Tb)およびユーロピウム(Eu)のうち少な
くとも一種の元素を表わす。
)で表わされるものである。なお、本発明にかかるM5
Lnl−XLn′(WO4)4と同じ結晶構造の物質と
してNa5Nd5(WO4)4がレーザ材料として公知
である。これはNd.3+′による約1.06μの赤外
線をレーザ発振させる単結晶レーザ材料であつて、本発
明の如く、デイスプレイ用発光スクリーンの形成を目的
とし、しかもTbやEu.Dy.Gdなど活性化した紫
外線または電子線励起用螢光体とは明らかに区別される
。本発明によるタングステン酸塩螢光体は、紫外線、電
子線またはX線によつて容易に励起することができ、そ
の発光スペクトルは、Tbについては544nm,.E
uについては619nm,.Dyについては575nm
,.Gdについては313nmを主ピークとする輝線群
からなつており、それぞれの3価希土類金属に特有の明
るい発光を示す。本発明による螢光体材料における活性
中心Tb、Eu.Dy.Gdの濃度xは、上記によつて
規定された巾の範囲内で選択することができる。
第1図および第2図はそれぞれ Na5Tb(WO4)4およびNa5Eu(WO4)4
の紫外線励起による発光スペクトルを示す。
それぞれの螢光体の励起スペクトルは第3図および第4
図に示す通りである。
これらの励起スベクトルから伺えるように、300nm
以上の長波長紫外線に対しても充分な励起強度があり、
長波長紫外線励起用螢光体として特に良好な発光強度を
有す。例えばNa5EU(WO4)4は300nm以上
の紫外線励起では高圧水銀灯用螢光体YVO,PO5O
4:Euと同等以上の発光輝度を示す。
高濃度のTbまたはEu付活の際、すなわちxが1.0
に近いときには、従来のTbまたはEu付活螢光体にお
ける1.0〜3.0%のTbまたはEu濃度に比べ30
〜100倍の濃度であり、励起光の吸収もそれに比例し
て大きくなることが推定される。
しかるに、これ程大きなTbまたはEu濃度においても
顕著な濃度消光を示さないのが、本発明にかかるタング
ステン酸希土類金属アルカリ金属螢光体の大きな特長で
ある。従つて、本発明にかかる螢光体は効率の高い透明
薄膜発光スクリーンまたは微粒子薄膜発光スクリーン、
例えば水銀灯の発光スクリーンを形成させる発光材料と
して非常に有用である。すなわち、螢光体そのものの紫
外線励起による発光効率を同じとした場合、本発明にか
かるタングステン酸塩螢光体薄膜スクリーンの厚さは、
従来から知られている螢光体を使用した薄膜スクリーン
の厚さの1/10〜1/3でよく、それだけ螢光体材料
の使用量が少なくてすみ、かつ作りやすいということに
なる。本発明にかかるタングステン酸希土類金属アルカ
リ金属は高温において固相または液相反応によつて容易
に製作できる。出発材料は希土類酸化物、酸化タングス
テン、タングステン酸アルカリ金属または高温でこれら
の酸化物か、複合酸化物を生成する化合物(例えば、炭
酸塩、タングステン酸などである)の混合物である。
この混合物を白金るつぼに入れて、1100〜1300
℃の温度で1〜2日間加熱する。,溶融したタングステ
ン酸アルカリ金属と酸化タングステンの中に希土類金属
を完全に溶解させた後、5〜30′C/hの降下速度で
500℃まで冷却する。このようにして得られた焼成物
を熱水中でよく洗うと、所期の発光性タングステン酸希
土類金属アルカリ金属を得ることができる。粒径の大き
い結晶の内部ひずみの小さい結晶を得るためには、温度
降下速度を遅くし、室温近くまで除冷した方がよい。出
発材料の混合比は、高温で溶融した際のタングステン酸
アルカリ金属が化学量論比の1.0〜3倍になるように
過剰に仕込む二とができる。大きな結晶を得るためには
2〜3倍にすることが望ましい。次に、実施例を示す。
実施例 1 出発原材料の組成 て、空気中で1100℃、2日間加熱する。
その後、5℃/hの降下速度で500℃まで冷却する。
得られた焼成物を熱水中で洗うと無色透明な結晶粒が得
られる。この結晶は正方晶系の結晶構造を有し、組成が
Na5Tb(WO4)4で示される化合物であることを
X線回折によつて示すことができる。この結晶は波長2
54nm又は365nmの紫外線照射によりTb3+付
活螢光体に特徴的な緑色の明るい発光を示す。その発光
スペクトルを第1図に示し、励起スペクトルを第3図に
示す。また、電子線、X線照射によつてもTbの発光を
示す。実施例 2これらの混合物を実施例1と全く同様
の方法で焼成するとNa5EU(WO4)4結晶粒が得
られる。
この結晶は波長254nm又は365nmの紫外線照射
によつてEu3+付活螢光体に特徴的な赤色体※の明る
い発光を示す。発光スペクトルを第2図に示し、励起ス
ペクトルを第4図に示す。また、電子線、X線、照射に
よつてもEuの発光を示す。なお、第3図、第4図にお
いて、発光スペクトルはフレーズ波長500nmの回折
格子分光器とSlO光電感度を持つた光電子増倍管を用
いて測定し、励起スペクトルは重水素放電管の光源とフ
レーズ波長300nmの回折格子分光路を用いて測定し
ている。各スペクトルは使用した器具に対9する強度補
正は行なつていない。実施例 3〜15 上記の実施例で述べられているのと同様にして、本発明
による種々のタングステン酸塩螢光体が得られた。
5 第1表に、このようにして得られた種々のタング
ステン酸塩螢光体について測定した波長254nmの紫
外線励起による発光の相対強度と電子線励起による発光
の相対強度を示す。
ここで、Tb付活とEu付活で別々に基準100を選ん
である。つ また、紫外線UV励起と電子線CR励起の
間でも基準が異つている。ることはなく発光強度の低下
が起りにくい。
以上述べた如く、本発明にかかるタングステン酸希土類
金属アルカリ金属螢光体は、活性中心の濃度をかなり高
くしても、濃度消光を起しにくく、したがつて、螢光体
材料が少なくてすみ安価であり、また発光スクリーンの
製作が容易となり、さらに長波長紫外線によつても強く
励起されるので、発光効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はそれぞれ本発明になるNa5Tb
(WO4)4およびNb5EU(WO4)4螢光体の紫
外線励起による発光スペクトル図、第3図および第4図
はそれぞれNa5Tb(WO4)4およびNa5EU(
WO4)4螢光体の紫外線励起スペクトル図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式Na_5Ln(WO_4)_4(ここでLn
    はテルビウム(Tb)とユーロピウム(Eu)のうちの
    いずれか表わす)で表わされる螢光体。 2 一般式Na_5Ln_1_−_xLn’x(WO_
    4)_4(0.05≦x≦0.95)(ここで、Lnは
    希土類金類のうちランタン(La)、ガドリニウム(G
    d)、ルテチウム(Lu)およびイットリウム(Y)、
    スカンジウム(Sc)のうち少なくとも一種を表わし、
    またLn′は希土類金属のうちテルビウム(Tb)およ
    びユーロピウム(Eu)のうち少なくとも一種の元素を
    表わす。 )で表わされることを特徴とする螢光体。
JP6078975A 1975-05-20 1975-05-20 螢光体 Expired JPS5917754B2 (ja)

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