JPS59177358A - 局所金属堆積方法および装置 - Google Patents
局所金属堆積方法および装置Info
- Publication number
- JPS59177358A JPS59177358A JP58051818A JP5181883A JPS59177358A JP S59177358 A JPS59177358 A JP S59177358A JP 58051818 A JP58051818 A JP 58051818A JP 5181883 A JP5181883 A JP 5181883A JP S59177358 A JPS59177358 A JP S59177358A
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- JP
- Japan
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- substrate
- solution
- metal
- laser beam
- deposition
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は局所金属Ｍ（積方法および装置、とくに有機金
属溶液とレーザを利用した局所金属ガｊｊｌｉｌ＋方法
および装置に関する。
属溶液とレーザを利用した局所金属ガｊｊｌｉｌ＋方法
および装置に関する。
従来、有機金属からレーザ光を用いて全屈を局所的に堆
積させるには、有機金属蒸気を用いる気相法と、有機金
属溶液を用〜・る液相法とがあることが知られている。
積させるには、有機金属蒸気を用いる気相法と、有機金
属溶液を用〜・る液相法とがあることが知られている。
このうち気相法では、有機金属蒸気の蒸気圧が一般に低
いため、高い真空度を有する反応槽を用意する必要を生
ずるうえ、堆積速度が遅いという欠点を有していた。一
方液相法では、金属堆積を生ぜしめる基板の近傍の有機
分子の密度を気相法に較べ格段に高めうるので、堆積速
度を気相法に較べ大幅洗上げ石ことが可能である。しか
しこの場合、高濃度の溶液を、金朽堆ｆｆｆを生せしめ
るガラスや半導体の基板上の広い面捏・にわたって接融
させる方法が苺来とられていたため次のごとき欠点を有
していた。
いため、高い真空度を有する反応槽を用意する必要を生
ずるうえ、堆積速度が遅いという欠点を有していた。一
方液相法では、金属堆積を生ぜしめる基板の近傍の有機
分子の密度を気相法に較べ格段に高めうるので、堆積速
度を気相法に較べ大幅洗上げ石ことが可能である。しか
しこの場合、高濃度の溶液を、金朽堆ｆｆｆを生せしめ
るガラスや半導体の基板上の広い面捏・にわたって接融
させる方法が苺来とられていたため次のごとき欠点を有
していた。
即ち、高純度で高価な有機金属を高濃度に含む溶液か局
所堆積に有効な部分を除いてほとんど無駄にな４ばかり
でなく、局所堆積を生じる部分以外の基板上にも溶液が
付着し、それが基板の他の部分に対する汚染物付着の原
因となる。そして、これを避けるのに別の洗浄ｆｆ［を
要するという欠点があった。
所堆積に有効な部分を除いてほとんど無駄にな４ばかり
でなく、局所堆積を生じる部分以外の基板上にも溶液が
付着し、それが基板の他の部分に対する汚染物付着の原
因となる。そして、これを避けるのに別の洗浄ｆｆ［を
要するという欠点があった。
また、有機金属溶液を基板に？′Ｊ：付し、乾燥し、た
膜にレーザ光を照射する簡便な液相法もあ々。しかし、
一般に有機金属は反応性が高く、空気中の酸素や水蒸気
と反応して金属堆積に利用できない化合物に変ア１する
ことが多いので、上記のごとき簡便な液相法は、椅めて
少数の金にへの堆積にしか利用できない。
膜にレーザ光を照射する簡便な液相法もあ々。しかし、
一般に有機金属は反応性が高く、空気中の酸素や水蒸気
と反応して金属堆積に利用できない化合物に変ア１する
ことが多いので、上記のごとき簡便な液相法は、椅めて
少数の金にへの堆積にしか利用できない。
本発明の目的は、上記の液相法の欠点を除去し、高価な
有機金属溶液の使用量や、溶液による汚染を大幅に減ら
し、しかも堆積可能な金属の稗類を斤 従来に比べ大幅に広げＺ局所金属堆積方法および装置を
提供すおことにある、 本発明は、有機金属を含む溶液に接する基板上の所定の
位置にレーザ光を照射して、前記所定の位置にのみ局所
的な金属の薄膜を堆枦させる局所金属堆積法にお（・て
、前記有機金バに対する不活性ガス雰囲気中で、前記の
有機金属を含む溶液の液滴を前記所定の位置にのみ何泊
させ、この溶液伺着部に前記レーザ光を基板を通して照
射する点に特孕がある。またさらに本発明の装置は、基
板な固定する載物台と、有機金が溶液を前記基板上集束
させる光学系と、前記載物台の移動の制御並びに溶液付
着機構の動作とレーザ光の照射とが同期するよう溶液付
着機構とレーザ装置とを制動するコン）＋＝−ラと、少
なくとも前記溶液付着機構の出口、および前記基板上の
前記所定の位置、およびそれらを結ぶｉＩｆ記有栓金が
、溶液の飛跡上を、前記有機金ｔｔ＜ Ｋ ＴＪ Ｌ不
活性！、（ガスで満たす不活性ガス供給系とから柘”ｈ
９されて℃・々。
有機金属溶液の使用量や、溶液による汚染を大幅に減ら
し、しかも堆積可能な金属の稗類を斤 従来に比べ大幅に広げＺ局所金属堆積方法および装置を
提供すおことにある、 本発明は、有機金属を含む溶液に接する基板上の所定の
位置にレーザ光を照射して、前記所定の位置にのみ局所
的な金属の薄膜を堆枦させる局所金属堆積法にお（・て
、前記有機金バに対する不活性ガス雰囲気中で、前記の
有機金属を含む溶液の液滴を前記所定の位置にのみ何泊
させ、この溶液伺着部に前記レーザ光を基板を通して照
射する点に特孕がある。またさらに本発明の装置は、基
板な固定する載物台と、有機金が溶液を前記基板上集束
させる光学系と、前記載物台の移動の制御並びに溶液付
着機構の動作とレーザ光の照射とが同期するよう溶液付
着機構とレーザ装置とを制動するコン）＋＝−ラと、少
なくとも前記溶液付着機構の出口、および前記基板上の
前記所定の位置、およびそれらを結ぶｉＩｆ記有栓金が
、溶液の飛跡上を、前記有機金ｔｔ＜ Ｋ ＴＪ Ｌ不
活性！、（ガスで満たす不活性ガス供給系とから柘”ｈ
９されて℃・々。
以下図面を用いて本発明の方法を装ｆｒ：ｔの動作と併
せて肝ｉ ｔｉｔ！ｌに説明する。
せて肝ｉ ｔｉｔ！ｌに説明する。
１シｌは本発明の一実施例のわ１が・を示す図でｔ）る
。
。
有機金属の溶液を溜める溶液リザーバ１から供給される
溶液を、所定の微小骨だけ、コントローラ３からの絆御
により基板４の上に滴下もしくけ噴出により細糸させる
溶液付着機構！ξ２がイ弘わっている。この溶液付ｇｆ
枦措としては１例えばインクジェットプリンターのイン
クジェット射出１１１１ｉ吟と同様のＦ！ｔ ｔ、Ｖｌ
を用いう石。即ち、インクの出［１と１ｃす、射出溶液
の指向性を高めるノズルと、その内部の溶液室に溶液を
活だし、溶液室の壁をコントローラ３からの制御４８号
によりピエゾ圧色素子で動かすことにより、ノズルから
溶液が射出する。溶液室は溶液リザーバと接続されてい
る。
溶液を、所定の微小骨だけ、コントローラ３からの絆御
により基板４の上に滴下もしくけ噴出により細糸させる
溶液付着機構！ξ２がイ弘わっている。この溶液付ｇｆ
枦措としては１例えばインクジェットプリンターのイン
クジェット射出１１１１ｉ吟と同様のＦ！ｔ ｔ、Ｖｌ
を用いう石。即ち、インクの出［１と１ｃす、射出溶液
の指向性を高めるノズルと、その内部の溶液室に溶液を
活だし、溶液室の壁をコントローラ３からの制御４８号
によりピエゾ圧色素子で動かすことにより、ノズルから
溶液が射出する。溶液室は溶液リザーバと接続されてい
る。
以下の本実施例の説明においては、話をわかり易くする
ため、基′）ｙｉ４として、透明なガラスＩ：に図中斜
線で示すＣｒやＣｒ＊Ｇのび膜パターンが形成されてい
歴フォトマスクを用い、そこに白点欠陥すなわちあるべ
き所定の相所にＣｒの薄膜のない欠陥が生じていて、そ
の白点欠陥上の金属のＰ７ ｖを形成して該白欠陥をイ
！２正する場合を想定して説、明す不。
ため、基′）ｙｉ４として、透明なガラスＩ：に図中斜
線で示すＣｒやＣｒ＊Ｇのび膜パターンが形成されてい
歴フォトマスクを用い、そこに白点欠陥すなわちあるべ
き所定の相所にＣｒの薄膜のない欠陥が生じていて、そ
の白点欠陥上の金属のＰ７ ｖを形成して該白欠陥をイ
！２正する場合を想定して説、明す不。
この場合、上記の冶’ｆＮ９ ＊ Ａ’Ａ溶液としては
、ＣｒやＭｏの有機金属であるビスベンゼン・クロムや
ビスベンゼン・モリブテンのベンゼン溶液が有用である
。これらの溶液の所定の微小量を上記の溶液付着機構２
′ＶＣよってフォトマスクの基板４のＣｒ薄膜のない白
点欠陥部に液滴５として付着させ４１．このｉ滴５に、
集束光学系６を介して基板４を通してレーザ装置７から
のレーザ光をＩＫ＋ 射すると、ガラス基板上にそれぞ
れＣｒやＭｏの金属堆積が得られる。基ホ４を通して照
射することにより、液滴５の表面の光学平面度によらず
イ６頓度の高いレーザ光の集光を行うことができる。
、ＣｒやＭｏの有機金属であるビスベンゼン・クロムや
ビスベンゼン・モリブテンのベンゼン溶液が有用である
。これらの溶液の所定の微小量を上記の溶液付着機構２
′ＶＣよってフォトマスクの基板４のＣｒ薄膜のない白
点欠陥部に液滴５として付着させ４１．このｉ滴５に、
集束光学系６を介して基板４を通してレーザ装置７から
のレーザ光をＩＫ＋ 射すると、ガラス基板上にそれぞ
れＣｒやＭｏの金属堆積が得られる。基ホ４を通して照
射することにより、液滴５の表面の光学平面度によらず
イ６頓度の高いレーザ光の集光を行うことができる。
このとき、レーザ装置７としては、前記の溶液の吸収車
の高い４８紬膚の発振線を有するＡｒレーザを用−・石
のが便利である〜 有機金属は一般に酸化され易く、空気に触れ乙と金〃１
４堆積には用いえ７Ｉい酸化物等の化合物にｔ（ってし
まう。このｉＪ化を防止するため、本実施例では、ビス
ベンゼンクロム等に対し化学的に不活性なＡｒガスやＮ
、ガス等の不活性ガスの雰囲気中で液滴５の付薊および
金ルムＪｌｉ積を行わせることと、ｆ；泊５の付ｆ１と
同時もしくは直後の、配化の進行がｍも少い時点で、１
みやかにレーザ光を照射して堆粘を行なわせている。こ
れらの目的のため、前者についてをま、不活性ガス供給
系８を設け、溶液付着機構２のノズルと液滴５を付刑さ
せる基板４」−のＤ「定の位ＩＰ＋′およびそれらを結
ぷ液滴５の通路」−にｆｆす記の不活性ガスを吹きつけ
て液滴５の酸化を防止する。
の高い４８紬膚の発振線を有するＡｒレーザを用−・石
のが便利である〜 有機金属は一般に酸化され易く、空気に触れ乙と金〃１
４堆積には用いえ７Ｉい酸化物等の化合物にｔ（ってし
まう。このｉＪ化を防止するため、本実施例では、ビス
ベンゼンクロム等に対し化学的に不活性なＡｒガスやＮ
、ガス等の不活性ガスの雰囲気中で液滴５の付薊および
金ルムＪｌｉ積を行わせることと、ｆ；泊５の付ｆ１と
同時もしくは直後の、配化の進行がｍも少い時点で、１
みやかにレーザ光を照射して堆粘を行なわせている。こ
れらの目的のため、前者についてをま、不活性ガス供給
系８を設け、溶液付着機構２のノズルと液滴５を付刑さ
せる基板４」−のＤ「定の位ＩＰ＋′およびそれらを結
ぷ液滴５の通路」−にｆｆす記の不活性ガスを吹きつけ
て液滴５の酸化を防止する。
この不活性ガス供給系８は、不活性ガスボンベとＨ−力
調整弁とチューブと不活性）１ス用ノスルとからなる不
活性ガス用ノズルの向きは、前記の目的に合う方向に向
けられる。
調整弁とチューブと不活性）１ス用ノスルとからなる不
活性ガス用ノズルの向きは、前記の目的に合う方向に向
けられる。
後渚については、コントローラ３により、後述のどとく
液滴５の付着とレーザ光の照射が連動す石よ５制御され
石。
液滴５の付着とレーザ光の照射が連動す石よ５制御され
石。
基板４は、載物位置決め機構９に載せられ、コントロー
ラを介して用定の位置に液滴が付着するよう制御される
。この載物待置決め機ｎｌｌ９は、ステラピッグモータ
でＭｌ＜ Ｆ）ｌされる精密載物台を２つ直交させて組
み合わせたものであり、コントローラ３からのステッピ
ングモータ駆動用信号により、平面内の任意の位置に外
板４を設定でき乙。
ラを介して用定の位置に液滴が付着するよう制御される
。この載物待置決め機ｎｌｌ９は、ステラピッグモータ
でＭｌ＜ Ｆ）ｌされる精密載物台を２つ直交させて組
み合わせたものであり、コントローラ３からのステッピ
ングモータ駆動用信号により、平面内の任意の位置に外
板４を設定でき乙。
コントローラ３は、各種の入力信号により、あらかじめ
プログラムされた手順に従って自動的に装置内各部の動
作を制御するものであり、ｅシック回路を内蔵する。具
体的な機能としては、涌常石いられるマスク欠陥検査装
置からのマスク欠陥位置情報が入力できる入力装置を備
え、それに従って載物位置決め機構９の前記のステンビ
ングモータ駆動信号を発生する機能なＶえている。こう
してフォトマスクの白点欠陥位置が照射するレーザビー
ムの位置に一致す石と、次に溶液付着機構２の中リビエ
ゾ圧電素子へ液滴を射出する駆動信号が；１られ、７１
ζ滴り一白点欠１！ｆ？＋ Ｎ’６分に（”Ｊ’ ：イ
’ｆする。こののちすみやか忙し−リゞ光が５−ｊ ４
ｉ、・ｉされるよう、レーザ）１１の出９１をスイッチ
ング−するレーザ４４ Ｆ＋： ７内ＰＩ＋のシャッタ
ーへ、所定の時間だけシャッターを１ｉ１ ＜ための’
ｄＩｉ ｍｔｌ （Ｆｉ号がすみやかに送られ４このよ
うにしてフォトマフ、りの白め、欠陥部分の９ｈ正が可
能となる。
プログラムされた手順に従って自動的に装置内各部の動
作を制御するものであり、ｅシック回路を内蔵する。具
体的な機能としては、涌常石いられるマスク欠陥検査装
置からのマスク欠陥位置情報が入力できる入力装置を備
え、それに従って載物位置決め機構９の前記のステンビ
ングモータ駆動信号を発生する機能なＶえている。こう
してフォトマスクの白点欠陥位置が照射するレーザビー
ムの位置に一致す石と、次に溶液付着機構２の中リビエ
ゾ圧電素子へ液滴を射出する駆動信号が；１られ、７１
ζ滴り一白点欠１！ｆ？＋ Ｎ’６分に（”Ｊ’ ：イ
’ｆする。こののちすみやか忙し−リゞ光が５−ｊ ４
ｉ、・ｉされるよう、レーザ）１１の出９１をスイッチ
ング−するレーザ４４ Ｆ＋： ７内ＰＩ＋のシャッタ
ーへ、所定の時間だけシャッターを１ｉ１ ＜ための’
ｄＩｉ ｍｔｌ （Ｆｉ号がすみやかに送られ４このよ
うにしてフォトマフ、りの白め、欠陥部分の９ｈ正が可
能となる。
Ｊニー１上オづ・−１１１ｊ（４二よれば、前便な９密
化と、溶相付清泊後のレーザ■；４射を＋＋Ｊ能とする
ことにより、多析ｙ’＋４のイイ後金［ｒ−、がエルｎ
４峠で、かつ有機く”花溶液の消費栖を大１１〜，１１
（削減した史用的な局１′Ｊｒ余ｋｊ号ｌｉｄ査４’＝
ｊＶｉ 、）☆ひ方法が件られ４゜１、（お、本うｆ
、すｊは以」二述べたイニ成にとど９′ら１゛、発明の
趣旨を逸脱１゛ること）ｔ ＜、いくつかのが形がｏＪ
能であ石。
化と、溶相付清泊後のレーザ■；４射を＋＋Ｊ能とする
ことにより、多析ｙ’＋４のイイ後金［ｒ−、がエルｎ
４峠で、かつ有機く”花溶液の消費栖を大１１〜，１１
（削減した史用的な局１′Ｊｒ余ｋｊ号ｌｉｄ査４’＝
ｊＶｉ 、）☆ひ方法が件られ４゜１、（お、本うｆ
、すｊは以」二述べたイニ成にとど９′ら１゛、発明の
趣旨を逸脱１゛ること）ｔ ＜、いくつかのが形がｏＪ
能であ石。
まず、使用するレーザ装置ロアの蕉択は、その発振波長
の光が基板は透ツムＩＩシかつイロン２金八清）ｔ、で
は吸収されるという粂件で行なわれるので、用いる有楼
金属彪液に合わせて紫外レーザや赤外レーザもハ１いう
る、有伏金圧浴液としては、π錯体の有機溶媒溶液が有
効で、例えばＣｒに対しては、本発明の実施例で述べた
ビスベンゼンクロムの他にメタロセン化合物やオレフィ
ン化合物、あるいはπ−アリル錯体等が用い５る。
の光が基板は透ツムＩＩシかつイロン２金八清）ｔ、で
は吸収されるという粂件で行なわれるので、用いる有楼
金属彪液に合わせて紫外レーザや赤外レーザもハ１いう
る、有伏金圧浴液としては、π錯体の有機溶媒溶液が有
効で、例えばＣｒに対しては、本発明の実施例で述べた
ビスベンゼンクロムの他にメタロセン化合物やオレフィ
ン化合物、あるいはπ−アリル錯体等が用い５る。
基板としては、ガラスや石英などの絶縁体のほかに、半
導体も用いうる。そのｙシ′合、金ｒフはＦＴｉ：Ｔの
ゲート電極や配性材料どして用いう石。その場合のレー
ザ光の波長は吸収端より長波長の光をハ１いそのは当然
である。
導体も用いうる。そのｙシ′合、金ｒフはＦＴｉ：Ｔの
ゲート電極や配性材料どして用いう石。その場合のレー
ザ光の波長は吸収端より長波長の光をハ１いそのは当然
である。
また、不活性ガスの募囲気をつくるのに、本発明の実施
例では局ｆす１的に不活性ガスを哨射させる簡便な方法
をとったが、もちろん、堆積へ分を不活性ガスで満たし
た気密室内に設置してもよいのけ当然である。なお、本
発す１１の実施例の溶液付着機構の先端には、必要に応
じて弁を設け、含有する有仔）金為溶液のＩＸλ化等の
変質を最少限に押えることかできる。
例では局ｆす１的に不活性ガスを哨射させる簡便な方法
をとったが、もちろん、堆積へ分を不活性ガスで満たし
た気密室内に設置してもよいのけ当然である。なお、本
発す１１の実施例の溶液付着機構の先端には、必要に応
じて弁を設け、含有する有仔）金為溶液のＩＸλ化等の
変質を最少限に押えることかできる。
図は本発明の−：４７ｆｉｔ＋例のｆＡ ７５１図を示
す。 １・・・・溶液リザーバ、 ２・・・・溶腋付漸機楊、 ３・・・・コントローラ、 ４−・・・・基板、 ５・・・・・′？Ｐ、滴、 ６・・・・・・集束光学系、 ７・・・・・レーザ装置、 ８・−・・不活性ガス供給系、 ９・・・・・載物位留次め機構。 、、＋ −Ｊ氏 １ 代挿入ザｉ、噌± １′・１ 男！、 Ｆ＋゛、、
、 ：ゝ−１−５−
す。 １・・・・溶液リザーバ、 ２・・・・溶腋付漸機楊、 ３・・・・コントローラ、 ４−・・・・基板、 ５・・・・・′？Ｐ、滴、 ６・・・・・・集束光学系、 ７・・・・・レーザ装置、 ８・−・・不活性ガス供給系、 ９・・・・・載物位留次め機構。 、、＋ −Ｊ氏 １ 代挿入ザｉ、噌± １′・１ 男！、 Ｆ＋゛、、
、 ：ゝ−１−５−
Claims (2)
- （１）有機金〃ｒ（を含む溶液に接する基板にレーザ光
を照射して、このレーザ光照射位置にのみ局所的な金属
の薄１１位を堆Ａ、゛；させる局所金属堆枦方法にお
３・いて、前記有機金属に対して不活性なガス雰囲気
中で、前記の有枦金属を含む溶液の液滴を前記基板上の
所定の位置にのみ付着させ、この付着部にレーザ光を基
板を通して照射することをｑｔ徴とする局所金属ガト私
方法。 - （２）基板を固定する載物台と、有機金属溶液を前言Ｉ
；基板上に小量０着させる溶液付着機構と、レーザ装置
と、前記レーザ装置から出射するレーザ光を前記基板上
の溶液付Ｘ４位置に集束させる光学系と、前記載物台の
移動の制御及び前記溶液付着機↑１・１の動作とレーザ
光の照射とが同期するよう溶液付着機構とレーザ装置と
を制御すモコントローラと、少なくとも前記溶液付着機
構の出口と基板上の所定の位置およびこれらの中間にあ
る空間を有機金属に対して不活性なガスで満たす不活性
ガス供給系とを備えたことを特徴とする局所金属堆積装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58051818A JPS59177358A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 局所金属堆積方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58051818A JPS59177358A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 局所金属堆積方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177358A true JPS59177358A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12897474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58051818A Pending JPS59177358A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 局所金属堆積方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177358A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231184A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Hitachi Ltd | 局所加工装置 |
| JPH0294433A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| WO1991010992A1 (en) * | 1990-01-21 | 1991-07-25 | The Dow Chemical Company | Dye-enhanced deposition of elemental metals and metalloids on substrates |
| EP0484808A2 (de) * | 1990-11-05 | 1992-05-13 | Heraeus Noblelight GmbH | Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von partiellen metallischen Schichten |
| US5883437A (en) * | 1994-12-28 | 1999-03-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspection and correction of wiring of electronic circuit and for manufacture thereof |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP58051818A patent/JPS59177358A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231184A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Hitachi Ltd | 局所加工装置 |
| JPH0294433A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
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| EP0484808A3 (ja) * | 1990-11-05 | 1994-02-09 | Heraeus Noblelight Gmbh | |
| US5883437A (en) * | 1994-12-28 | 1999-03-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspection and correction of wiring of electronic circuit and for manufacture thereof |
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