KR20000026549A - 포토레지스터 마스크의 형성방법 및 형성장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세 패턴 형성 공정에 관한 것으로서, 특히 PR과 금속막이 위로부터 순차적으로 형성된 기판의 상측에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 위치시켜 상기 기판과 마스크 사이의 평행도 및 간격을 조정한 후 상기 기판과 마스크를 정렬시키는 제 1 과정과, 상기 마스크를 통해 상기 기판의 PR 측으로 단파장 자외선을 조사하여 상기 PR을 부분적으로 기화, 제거시킴으로써 상기 금속막 위에 상기 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 형태의 PR 마스크를 형성시키는 제 2 과정으로 이루어진 PR 마스크 형성방법과 이를 구현하기 위한 PR 마스크 형성장치를 제공함으로써 PR에 대한 노광 공정과 현상 공정을 동시에 진행시킴과 동시에 PR의 현상시 현상액을 배제시킬 수 있게 되어 미세 패턴을 형성하기 위한 공정이 단축되고 친환경성이 부여되도록 한 것이다.

Description

포토레지스터 마스크의 형성방법 및 형성장치
본 발명은 미세 패턴 형성 공정에 관한 것으로서, 특히 유리기판의 금속막 위에 도포된 포토레지스터(이하, PR이라 함)를 자외선 노광을 통해 부분적으로 기화시켜 제거함으로써 상기 금속막 위에 소정의 패턴으로 형성된 PR 마스크를 형성시키는 PR 마스크 형성방법 및 형성장치에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 미세 패턴 형성 공정이 도시된 순서도이다.
도 1을 참조하여 종래 기술에 따른 미세 패턴 형성 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 유리기판 상에 소정의 패턴을 형성시키고자 하는 금속막을 스퍼터링하여 증착시킨 후 상기 유리기판을 세정시킨다. 이후, 금속막이 형성된 유리기판을 미세 패턴 형성 공정에 투입시킨다.
상기 유리기판이 미세 패턴 형성 공정에 투입되면, S11에서 유리기판의 금속막 위에 PR을 일정 두께로 도포한 후, S12에서 PR을 100℃ 전후의 온도로 건조시키는 소프트 베이킹(Soft Baking) 공정을 실시한다. 이때, 상기한 소프트 베이킹 공정은 이후에 진행될 노광 공정으로의 이동시와 노광시에 PR이 유리기판으로부터 흘러내리는 것을 방지하기 위한 것이다.
이후, S13에서 마스크를 통해 PR 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR을 노광시킨다. 이때, PR에 대한 노광량은 PR의 두께, 소프트 베이킹의 온도 등의 변수를 고려하여 선정한다.
이후, S14에서 자외선 노광을 통해 부분적으로 그 결합구조가 절단된 PR을 향해 현상액을 분사하여 상기 PR 중 불필요한 부분을 제거함으로써 금속막에 소정의 패턴을 형성시키기 위한 PR 마스크를 완성한다.
상기와 같이 금속막 위에 PR 마스크가 형성되면 S15에서 유리기판을 향해 에칭액을 분사하여 상기 금속막 중 불필요한 부분을 제거한다. 즉, 상기 유리기판을 향해 에칭액을 분사하여 금속막 중 그 위에 PR이 남아있는 부분은 그대로 존재시키고, 에칭액에 노출된 부분은 부식시켜 제거한다.
이후, S16에서 금속막으로부터 PR 마스크를 박리시키면, 즉 상기 금속막 위에 남아있는 PR을 벗겨내면, 상기 유리기판 상에 소정의 패턴으로 형성된 금속막만 남게 됨으로써 미세 패턴 형성 공정이 완료된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 미세 패턴 형성 공정은 각각의 공정을 수행하기 위한 장비를 모두 별도로 구비해야 하므로 장비에 대한 투자금액이 과다하게 소요되는 문제점이 있었다.
또한, 종래 기술은 미세 패턴을 형성시키고자 하는 기판이 대면적화됨에 따라 노광장비가 대형화되고 현상장비가 현상액의 처분과 현상을 위한 충분한 시간을 줄 수 있도록 상당히 길어지므로, 장비의 설치공간이 커지고 그 유지 및 관리가 노력과 비용 측면에서 극히 어려워지는 문제점이 있었다.
또한, 종래 기술은 PR의 현상시 현상액을 사용하고 있으므로 고가의 현상액이 생산비용을 높이는 요인으로 작용할 뿐만 아니라, 현상액이 오염원으로 작용하여 이를 위한 별도의 처리가 필요함은 물론 친환경성이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, PR에 대한 노광 공정과 현상 공정을 동시에 진행시킴과 동시에 PR의 현상시 현상액을 배제시킴으로써 미세 패턴을 형성하기 위한 공정이 단축되고 친환경성이 부여되도록 하는 PR 마스크 형성방법 및 형성장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 미세 패턴 형성 공정이 도시된 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 공정이 도시된 순서도,
도 3은 본 발명에 따라 자외선 노광을 통해 포토레지스터(이하, PR이라 함)를 기화시키는 모습이 도시된 도면,
도 4는 본 발명에 따라 PR이 기화되어 제거된 모습이 도시된 도면,
도 5는 본 발명에 따른 PR 마스크 형성장치가 개략적으로 도시된 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
50 : 유리기판 51 : 금속막
53 : PR 55 : 마스크
60 : 램프부 61 : 자외선 램프
62 : 셔터 63 : 평행광 광학계
65 : 이송계 70 : 정렬수단
75 : 갭 제어수단 80 : 챔버
85 : 배기수단 90 : 에어투입수단
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 PR 마스크 형성방법의 특징은, PR과 금속막이 위로부터 순차적으로 형성된 기판의 상측에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 위치시켜 상기 기판과 마스크 사이의 평행도 및 간격을 조정한 후 상기 기판과 마스크를 정렬시키는 제 1 과정과, 상기 마스크를 통해 상기 기판의 PR 측으로 단파장 자외선을 조사하여 상기 PR을 부분적으로 기화, 제거시킴으로써 상기 금속막 위에 상기 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 형태의 PR 마스크를 형성시키는 제 2 과정으로 이루어진 것이다.
또한, 본 발명에 따른 PR 마스크 형성장치의 특징은, PR과 금속막이 위로부터 순차적으로 형성된 기판(이하, 가공물이라 함)을 향해 단파장 자외선을 평행하게 조사하여 PR을 기화, 제거시키는 램프부와, 상기 램프부를 X, Y 방향으로 이동시키는 이송계와, 상기 램프부와 가공물의 사이에 위치되도록 마스크를 지지함과 동시에 상기 마스크와 가공물을 정렬시키는 정렬수단과, 상기 가공물을 지지함과 동시에 가공물과 마스크 사이의 평행도 및 간격을 조정하는 갭 제어수단과, 상기의 구성요소들을 내부에 포함하는 챔버와, 상기 챔버에 설치되어 챔버 내에 존재하는 PR의 기화물을 외부로 배출시키는 배기수단과, 상기 챔버에 설치되어 PR의 기화가 촉진되도록 챔버 내로 청정공기(Clean Air)를 투입시키는 에어투입수단과, 상기한 각각의 구성요소들과 연결되어 동작을 제어하는 제어수단으로 구성된 것이다.
또한, 본 발명의 부가적인 특징은, 상기 램프부는 단파장 자외선을 방출하는 자외선 램프와, 상기 자외선 램프로부터 방출된 자외선을 차단/통과시키는 셔터와, 상기 자외선 램프로부터 방출된 자외선의 진행 방향을 변환시켜 평행하게 출사시키는 평행광 광학계로 구성되는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 부가적인 특징은, 상기 정렬수단은 마스크를 고정시키는 마스크 홀더와, 상기 마스크에 형성된 정렬용 마크를 측정하여 마스크의 위치를 인식하는 카메라와, 상기 카메라의 측정 결과에 따라 상기 마스크 홀더를 X, Y, Z 방향으로 이동시키는 제 1 스테이지로 구성되고, 상기 갭 제어수단은 가공물을 고정시키는 가공물 홀더와, 상기 가공물과 마스크의 사이의 간격과 평행도를 측정하도록 설치된 적어도 3개 이상의 갭 센서와, 상기 갭 센서의 측정 결과에 따라 상기 가공물 홀더를 X, Y, Z 방향으로 이동시키는 제 2 스테이지로 구성되는데 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명은 PR에 대한 노광 공정과 현상 공정을 동시에 진행시킴과 동시에 PR의 현상시 현상액을 배제시킬 수 있게 되어 미세 패턴을 형성하기 위한 공정이 단축되고 친환경성이 부여되는 이점이 있다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 공정이 도시된 순서도이고, 도 3은 본 발명에 따라 자외선 노광을 통해 PR을 기화시키는 모습이 도시된 도면이고, 도 4는 본 발명에 따라 PR이 기화되어 제거된 모습이 도시된 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 PR 마스크 형성장치가 개략적으로 도시된 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 PR 마스크 형성방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 유리기판(50) 상에 소정의 패턴을 형성시키고자 하는 금속막(51)을 스퍼터링하여 증착시킨 후 상기 유리기판(50)을 세정시킨다. 이후, 금속막(51)이 형성된 유리기판(50)을 미세 패턴 형성 공정에 투입시킨다.
상기 유리기판(50)이 미세 패턴 형성 공정에 투입되면, S51에서 유리기판(50)의 금속막(51) 위에 PR(53)을 일정 두께로 도포한 후, S52에서 PR(53)을 100℃ 전후의 온도로 건조시키는 소프트 베이킹(Soft Baking) 공정을 실시한다. 이때, 상기한 소프트 베이킹 공정은 이후에 진행될 노광 공정으로의 이동시와 노광시에 PR(53)이 금속막(51)으로부터 흘러내리는 것을 방지하기 위한 것이다.
이후, S53에서 유리기판(50) 위에 소정의 패턴이 형성된 마스크(55)를 위치 결정시킨 후, 상기 마스크(55)를 통해 PR(53) 측으로 단파장 자외선을 조사하여 상기 PR(53)을 부분적으로 기화, 제거시킴으로써 상기 금속막(51) 위에 상기 마스크(55)에 형성된 패턴과 대응되는 형태의 PR 마스크를 형성시킨다.
이때, 상기 마스크(55)에 형성된 패턴은 그 하면에 부착된 패터닝 마크(57)에 의해 형성되며, 상기 마스크(55)는 자외선이 투과되는 물질로, 상기 패터닝 마크(57)는 자외선이 투과되지 않는 물질로 각각 만들어져 있다.
더 상세하게 설명하면, 먼저, PR(53)이 도포된 유리기판(50)의 상측에 마스크(55)를 위치시켜 그 사이의 간격과 평행도를 조정한 후 상기 마스크(55)와 유리기판(50)에 대해 정렬(Alignment) 제어를 실시한다. 이후, 상기 유리기판(50)과 마스크(55)가 일정한 간격으로 정렬되면 상기 마스크(55)를 통해 상기 유리기판(50) 상의 PR(53) 측으로 단파장 자외선을 조사한다. 이후, 상기 PR(53)에 조사된 자외선의 노광량이 PR(53)을 기화시킬 정도로 충분해지면 상기 PR(53)의 분자간 결합력을 유지하는 분자고리가 절단된다.
즉, 상기의 화학식 1과 같은 형태로 구성된 PR(53)에 단파장의 자외선이 조사되면 상기 PR(53)을 구성하고 있는 분자고리인 O-H, O-C, C-C, C=H 등이 분해된 후 대기 중에 있는 산소와 결합하여 오존을 만든다. 이는 반응식 1과 같이 나타낼 수 있다.
O + O2→ O3
이후, 상기의 반응식 1을 통해 생성된 오존은 상기 PR(53)을 향해 조사되는 자외선을 흡수하여 분해되면서 PR(53)의 다른 분자와 결합하여 산소와 이산화탄소를 생성시킨다. 이는 반응식 2와 반응식 3으로 각각 나타낼 수 있다.
C + O3→ O + CO2
O + O3→ O2+ O2
상기와 같이 PR(53)은 자외선에 의해 그 분자고리가 절단된 후 대기 중의 산소와 반응하면서 산소와 이탄화탄소 등의 기체로 변화되어 대기 중으로 사라지게 되므로 그 표면 부분부터 분자들이 떨어져나가 순차적으로 제거되게 된다.
이후, 상기 PR(53)이 충분히 노광되면 도 4에 도시된 바와 같이 PR(53)의 노광 부분이 전부 제거되어 상기 금속막(51)에 소정의 패턴을 형성시키기 위한 PR 마스크가 완성된다.
상기와 같이 금속막(51) 위에 PR 마스크가 형성되면 S54에서 유리기판(50)을 향해 에칭액을 분사하여 상기 금속막(51) 중 불필요한 부분을 제거한다. 즉, 상기 유리기판(50)을 향해 에칭액을 분사하여 금속막(51) 중 그 위에 PR(53)이 남아있는 부분은 그대로 존재시키고, 에칭액에 노출된 부분은 부식시켜 제거한다.
이후, S55에서 금속막(51)으로부터 PR 마스크를 박리시키면, 즉 상기 금속막(51) 위에 남아있는 PR(53)을 벗겨내면, 상기 유리기판(50) 상에 소정의 패턴으로 형성된 금속막(51)만 남게 됨으로써 미세 패턴 형성 공정이 완료된다.
전술한 바와 같이 PR(53)의 노광 공정과 현상 공정을 동시에 진행시키는 PR 마스크 형성방법을 구현하기 위한 PR 마스크 형성장치의 구성과 동작은 다음과 같다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 PR 마스크 형성장치는 PR과 금속막이 위로부터 순차적으로 형성된 유리기판(G;이하, 가공물이라 함)을 향해 단파장 자외선을 평행하게 조사하여 PR을 기화시키는 램프부(60)와, 상기 램프부(60)를 X, Y 방향으로 이동시키는 이송계(65)와, 상기 램프부(60)와 가공물(G)의 사이에 위치되도록 마스크(M)를 지지함과 동시에 상기 마스크(M)와 가공물(G)을 정렬시키는 정렬수단(70)과, 상기 가공물(G)을 지지함과 동시에 가공물(G)과 마스크(M) 사이의 평행도 및 간격을 조정하는 갭 제어수단(75)과, 상기의 구성요소들을 내부에 포함하는 챔버(80)와, 상기 챔버(80)에 설치되어 챔버(80) 내에 존재하는 PR의 기화물을 외부로 배출시키는 배기수단(85)과, 상기 챔버(80)에 설치되어 PR의 기화가 촉진되도록 챔버(80) 내로 청정공기(Clean Air)를 투입시키는 에어투입수단(90)과, 상기한 각각의 구성요소들과 연결되어 동작을 제어하는 제어수단(미도시)으로 구성된다.
상기에서, 램프부(60)는 단파장 자외선을 방출하는 자외선 램프(61)와, 상기 자외선 램프(61)로부터 방출된 자외선을 차단/통과시키는 셔터(62)와, 상기 자외선 램프(61)로부터 방출된 자외선의 진행 방향을 변환시켜 평행하게 출사시키는 평행광 광학계(63)로 구성된다.
여기서, 상기 평행광 광학계(63)는 상기 자외선 램프(61)로부터 방출되는 산란광의 조도를 균일하게 유지시키는 기능을 하며, 상기 가공물(G)에 대한 자외선의 조사면적이 X 방향으로 길게 형성된 라인 형태가 되도록 구성되어 있다.
또한, 상기 정렬수단(70)은 마스크(M)를 고정시키는 마스크 홀더와, 상기 마스크(M)에 형성된 정렬용 마크를 측정하여 마스크(M)의 위치를 인식하는 카메라와, 상기 카메라의 측정 결과에 따라 상기 마스크 홀더를 X, Y, Z 방향으로 이동시키는 제 1 스테이지로 구성되어 있다.
또한, 상기 정렬수단(70)에는 마스크(M)를 자동으로 교환할 수 있도록 마스크 자동교환로봇이 설치되어 있으며, 상기 마스크 홀더는 마스크(M)의 수동 교환이 가능하도록 착탈 가능한 구조로 상기 제 1 스테이지에 고정되어 있다.
또한, 상기 갭 제어수단(75)은 가공물(G)을 고정시키는 가공물 홀더와, 상기 가공물(G)과 마스크(M)의 사이의 간격과 평행도를 측정하도록 설치된 적어도 3개 이상의 갭 센서와, 상기 갭 센서의 측정 결과에 따라 상기 가공물 홀더를 X, Y, Z 방향으로 이동시키는 제 2 스테이지로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 PR 마스크 형성장치에서는, 먼저 챔버(80) 내로 가공물(G)이 이송되어 가공물 홀더에 고정되면 상기 갭 제어수단(75)의 갭 센서들이 동작되어 각각 상기 가공물(G)과 마스크(M) 사이의 간격과 평행도를 측정한다. 이후, 상기 갭 센서들의 측정 결과에 따라 제 2 스테이지가 동작되어 상기 가공물 홀더를 이동시킴으로써 상기 가공물(G)과 마스크(M) 사이의 간격과 평행도가 일정하게 조정된다.
이때, 상기 갭 센서들에 의해 측정된 가공물(G)의 센서좌표값은 직교좌표값으로 변환된 후 다시 상기 제 2 스테이지의 구동모터좌표값으로 변환되고, 이렇게 변환된 구동모터좌표값에 따라 상기 제 2 스테이지가 동작되어 가공물 홀더를 이동시키게 된다.
상기와 같이 가공물(G)과 마스크(M) 사이의 간격 및 평행도가 조정되면 상기 정렬수단(70)의 카메라가 동작되어 마스크(M)에 형성된 정렬용 마크를 측정한다. 이렇게, 상기 카메라에 의해 마스크(M)의 위치가 인식되면 그 결과에 따라 제 1 스테이지가 동작되어 마스크 홀더를 이동시킴으로써 상기 가공물(G)과 마스크(M)가 정렬된다.
이때, 상기 카메라에 의해 측정된 마스크(M)의 센서좌표값은 직교좌표값으로 변환된 후 다시 상기 제 1 스테이지의 구동모터좌표값으로 변환되고, 이렇게 변환된 구동모터좌표값에 따라 상기 제 1 스테이지가 동작되어 상기 마스크 홀더를 이동시키게 된다. 이러한 동작은 상기 가공물(G)과 마스크(M)가 정확히 정렬될 때까지 반복된다.
이후, 상기 가공물(G)과 마스크(M)가 서로 정렬되면 상기 램프부(60)의 셔터(62)를 열어서 가공물(G)의 PR을 향해 단파장 자외선을 조사시킨다. 더 상세하게는, 상기 셔터(62)를 열면 자외선 램프(61)로부터 방출된 단파장 자외선이 셔터(62)를 통과한 후 평행광 광학계(63)를 통해 진행 방향이 변화되어 상기 가공물(G)의 PR을 향해 평행하게 출사된다.
이때, 상기 평행광 광학계(63)로부터 출사된 자외선의 조사면적은 X 방향으로 길게 형성된 라인형태이므로, 이 자외선에 의해 상기 PR의 X 방향 전면을 노광시킬 수 있는 경우에는 이송계(65)를 작동시켜 상기 램프부(60)를 Y 방향으로만 이동시키고, 상기 PR의 X 방향 전면을 노광시킬 수 없는 경우에는 상기 이송계(65)를 작동시켜 상기 램프부(60)를 X 방향으로 수회 이동시킴과 동시에 Y 방향으로 이동시켜 상기 PR의 전면이 노광될 수 있도록 한다.
이후, 상기 가공물(G)의 PR에 조사된 자외선의 노광량이 충분해지면 상기 PR이 기화되면서 상기 마스크(M)에 형성된 패턴의 형태로 제거되어 유리기판의 금속막 위에는 PR 마스크가 형성되게 된다.
상기와 같이 PR 마스크가 형성되면 상기 셔터(62)를 닫아 자외선을 차단시킨 후, 상기 갭 제어수단(75)의 제 2 스테이지를 동작시켜 가공물(G)을 원위치시킨다. 이후, 상기 가공물(G)을 챔버(80)로부터 반출시켜 후공정으로 이송시킨다.
상기와 같은 본 발명에 따른 PR 마스크 형성방법 및 형성장치는 PR의 노광 공정과 현상 공정을 동시에 진행할 수 있으므로 미세 패턴을 형성시키기 위한 전체 공정수가 단축되어 생산성이 향상됨과 동시에 생산설비가 소형화되어 그 설치공간이 최소화되고 설비 투자액과 유지관리비가 절감되는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 현상액을 이용한 별도의 현상 공정이 불필요하게 되므로 미세 패턴 형성 공정에서 주된 오염원으로 작용했던 현상액을 배제할 수 있게 되어 친환경성이 부여되는 이점이 있다.

Claims (5)

  1. 포토레지스트(이하, PR이라 함)와 금속막이 위로부터 순차적으로 형성된 기판의 상측에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 위치시켜 상기 기판과 마스크 사이의 평행도 및 간격을 조정한 후 상기 기판과 마스크를 정렬시키는 제 1 과정과, 상기 마스크를 통해 상기 기판의 PR 측으로 단파장 자외선을 조사하여 상기 PR을 부분적으로 기화, 제거시킴으로써 상기 금속막 위에 상기 마스크에 형성된 패턴과 대응되는 형태의 PR 마스크를 형성시키는 제 2 과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 PR 마스크 형성방법.
  2. PR과 금속막이 위로부터 순차적으로 형성된 기판(이하, 가공물이라 함)을 향해 단파장 자외선을 평행하게 조사하여 PR을 기화, 제거시키는 램프부와, 상기 램프부를 X, Y 방향으로 이동시키는 이송계와, 상기 램프부와 가공물의 사이에 위치되도록 마스크를 지지함과 동시에 상기 마스크와 가공물을 정렬시키는 정렬수단과, 상기 가공물을 지지함과 동시에 가공물과 마스크 사이의 평행도 및 간격을 조정하는 갭 제어수단과, 상기의 구성요소들을 내부에 포함하는 챔버와, 상기 챔버에 설치되어 챔버 내에 존재하는 PR의 기화물을 외부로 배출시키는 배기수단과, 상기 챔버에 설치되어 PR의 기화가 촉진되도록 챔버 내로 청정공기(Clean Air)를 투입시키는 에어투입수단과, 상기한 각각의 구성요소들과 연결되어 동작을 제어하는 제어수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 PR 마스크 형성장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 램프부는 단파장 자외선을 방출하는 자외선 램프와, 상기 자외선 램프로부터 방출된 자외선을 차단/통과시키는 셔터와, 상기 자외선 램프로부터 방출된 자외선의 진행 방향을 변환시켜 평행하게 출사시키는 평행광 광학계로 구성된 것을 특징으로 하는 PR 마스크 형성장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 정렬수단은 마스크를 고정시키는 마스크 홀더와, 상기 마스크에 형성된 정렬용 마크를 측정하여 마스크의 위치를 인식하는 카메라와, 상기 카메라의 측정 결과에 따라 상기 마스크 홀더를 X, Y, Z 방향으로 이동시키는 제 1 스테이지로 구성된 것을 특징으로 하는 PR 마스크 형성장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 갭 제어수단은 가공물을 고정시키는 가공물 홀더와, 상기 가공물과 마스크의 사이의 간격과 평행도를 측정하도록 설치된 적어도 3개 이상의 갭 센서와, 상기 갭 센서의 측정 결과에 따라 상기 가공물 홀더를 X, Y, Z 방향으로 이동시키는 제 2 스테이지로 구성된 것을 특징으로 하는 PR 마스크 형성장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2009089158A2 (en) * 2008-01-04 2009-07-16 University Of Florida Research Foundation, Inc. Functionalized fullerenes for nanolithography applications
KR101031716B1 (ko) * 2004-06-26 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 게이트전극 형성방법 및 이를 이용한 액정표시소자 제조방법

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