JPS59176314A - 重合体の製造方法 - Google Patents

重合体の製造方法

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JPS59176314A
JPS59176314A JP58243641A JP24364183A JPS59176314A JP S59176314 A JPS59176314 A JP S59176314A JP 58243641 A JP58243641 A JP 58243641A JP 24364183 A JP24364183 A JP 24364183A JP S59176314 A JPS59176314 A JP S59176314A
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electron acceptor
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ロベルト・ヒユ−バ−
ビルジツト・シユミツト
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、トリアリールメタン鵬体を基本構成学位とし
、電荷移動錯体を形成することによって電導性が得られ
る重合体の製造方法に関する。
上記の重合体は電気器具のケースや保護被覆の製造並び
に壁体や家具の外被部材の被覆のために適している。
電気技術においては、断面積を基準とした合成樹脂材の
比電導度を、合成樹脂材がなお絶縁体として働< 1o
−14ないし10−7(ohmo−7(oh’の範囲内
で選択することができるような重合体の需要が大きい。
これ釦よって十分な絶縁効果を維持することができると
共に、静電気の帯電が避けられる。この重合体は帯電防
止表面被覆として使用することができ、かつまた異なる
電位の金属側板のあいだの絶縁のために利用される。
後者の場合は体積伝導率が、電導性の汚れによって表面
に火花連絡を生起することを避けるのに十分な大きさで
ある。
電導性合成重合体は英国特許公報第1067260号に
よシ公知である。これは、電荷移動錯体を形成すること
によって電導性が得られる窒素含有重合体である。
また、基礎材料に電子伝導性充填材、例えば銅、金、白
金、カーヂンまたは黒鉛を添加することKよって高い電
子伝導度が得られる重合体も公知である。これらの添加
物を含む合成樹脂は、この充填材の割合が少けれは電導
率の増加が起こらないが、添加が増えると電導率が一挙
に上昇して、所望の程度を超えて増大し、絶縁性が失わ
れるという欠点がある。
添加物を含まない重合体の体積電導率は10′5ないし
10−18(0−18(oh’である。この重合体を電
気器具のケースや被覆の製造のために適当に使用するこ
とができるためには、およそ1o−7ないし10” (
ohmX(7))−1で選択できる体積電導率をもたな
ければならない。
そこで本発明の目的とするところは、基本構成学位とし
てトリアリールメタン単体を含む合成樹脂の体積電導率
を、電荷移動錯体の形成によって所定の値に調整するこ
とができる方法を示すことである。
本発明によシミ荷移動錯体の形成のために電子供与体な
いしは電子受容体を重合体に添加することによって、上
記の目的が達成される。
基本構成学位がトリアリールメタン単体から成る重合体
での電荷移動錯体の形成は、重合体の製造の前または後
に電子受容体を添加することによって達成することがで
きる。また、重合体を形成する原料に、製造の際に電子
供与体を添加しても、この重合体に電荷移動錯体が形成
される。重合体の基礎材料への電子受容体および電子供
与体の添加も、電荷移動錯体の形成に寄与する。
電子受容体は、例えば他の分子または原子から電子を特
にたやすく受領することができる物質である。電子供与
体とは、電子を他の原子または分子K特にたやすく供与
することができる物質である。
基本構成学位がトリアリールメタン単体である重合体は
、中性物質でもある。重合体の微小な単位体積を観察す
ると、場所によって電子鴨・度が特に高い官能基や電子
密度の低い官能基が現れる。電子密度が高い基に属する
のは、炭素二重結合、炭素三重結合、NH基、 CN三
重結合、芳香族および複素環の炭素結合、複素環のCN
 結合、 OH基、 SR基、エーテルおよびチオエー
テル基、ヨウ素、窒素、−重または多重結合、そして最
後に酸素結合および硫黄結合である。有機重合化合物に
あって電子密度が低く、または電子が不足する基に属す
るのは、電子を奪う下記の基を両隣に有する炭素二重結
合である。例えばハロゲン基2プンイドハロゲン基、カ
ルゼニル基、ニトロ基、 OH基、 SR基、C8基が
それである。まだスルホニウム塩結合の硫黄、オキソニ
ウム塩結合の酸素、アンモニウム塩結合の窒素もこれに
属する。
さて本発明により、電荷移動錯体の形成に従って、電子
不足を有する重合体官能基と、添加した電子供与体分子
を反応させることによって、トリアリールメタン単体を
含む重合体の体積伝導度が高められる。また、電子が過
剰な重合体官能基と電子受容体分子を反応させることも
可能でおる。その場合、重合体に電荷移動錯体が発生す
るが、その供与体分ないしは受容体分はそれぞれ重合体
の構成部分である。こうして統合された電荷移動錯体の
数に従って、重合体に自由移動電子が発生する。重合体
になお適当な未反応官能基があれば、添加物特に電子受
容体ないしは電子供与体の添加の濃度の増加と共に、統
合される電荷移動錯体の数が増加する。その場合、添加
物の濃度に応じて、自由移動電子の数並びに体積伝導率
も増加する。20重量%の三酸化硫黄(SO3)の添加
によって2×10−5(ohlo−5(oh’の電導率
を得ることができる。50重量%以下のヨウ素の添加に
よって、実に3×10−’ (nhm Xcrn) ”
の電導率が得られる。上述の重量は、形成される重合体
の総重量に関するものである。
ナトリウムは重合体の中で電子供与体の働きをする。1
ないし60重量%、好ましくは10重量−のナトリウム
の添加によって5X10−14(o hm xCln)
−1の電導率を得ることができる。すべての重量データ
は重合体の総重量に関係する。
ナトリウムをドープする前に、重合体のすべてのOH基
をインシアン酸塩と反応させることが好ましい。
重合体そのものは少くとも1種の芳香族アルデヒドと少
くとも1種の芳香族環式化合物の縮重合で形成すること
ができる。上記の芳香族環式化合物は、その電子密度を
増加して、求電子作用を促進する、少くとも1個の官能
基を有する。
特にビスフェノールAと4−.7メチルアミノペンズア
ルデヒドの縮重合によって、重合体を形成することがで
きる。基本構成学位としてトリアリールメタン学体を有
する合成重合体は、ビスフェノールAとパラアニスアル
デヒドの縮重合によっても生成される。二重ないし三重
芳香族置換メタンを反応させる接触反応によって、上記
の重合体を生成することもできる。
本発明によれば、電荷移動錯体の形成のだめに必要な電
子受容体ないしは電子供与体が、縮重合の後に上記の基
礎物質に添加される。
本発明によれば、2×10 ないし3X10−4(o 
hm Xcrn)−”の範囲で体積電導率を自由に選択
することかできる合成重合体を、少くとも1種の芳香族
アルデヒドと少くとも1種の芳香族環状系の縮重合によ
って形成することができる。その場合、環状系の少くと
も2個のH原子が少くとも2個の官能基によって置換さ
れ、この官能基によりi状系の少くとも2カ所で電子密
度が高められる。
また芳香族アルデヒドと、2個のOI(基を有する少く
とも1個の環状系の縮重合によって、重合体を形成する
ことができる。OH基2個を有する環状系の代シに、S
H基2個を有する芳香族環状系を使用することもできる
。芳香族アルデヒドと、アミン基2個を有する芳香族環
式化合物の縮重合でも合成重合体が生成される。下記の
例に基づいて、体積電導率2 X I F’ (ohm
Xx+)−’の合成重合体の製造を説明する。その場合
、縮重合に使用される基礎材料はベンズアルデヒドとレ
ゾルシンから成る。
上記の電導率を有する、少量のこの重合体の製造のだめ
に、レゾルシン6g(約0.06モル)とベンズアルデ
ヒド6g(約0.06モル)を100rILlのアセト
ンに溶解する。次に反応溶液を攪拌すると共に、氷で冷
却する。5mlのアセトンに溶解した濃塩酸0.6−を
、10分間にわたって反応溶液に供給する。51分の反
応時間の後に回転蒸発器によってアセトンと塩酸を45
℃で蒸発させる。生成物を70℃の真空乾燥器に2時間
保管することによって、残留学量体を分離する。反応生
成物の収量は、使用した原料量を基準にして90%余シ
である。こうして製造された重合体はメチルホルムアミ
ド、テトラヒドロフランおよびアセトンに可溶である。
その融点を90ないし300℃に調整することができる
。こうして得た反応生成物をSO5またはH2S042
0重量%を含むアセトン中で50℃で1時間以内で反応
させる。その際使用するアセトンの量は反応生成物の1
0倍の体積を有する。こうして製造された重合体は2 
X I F’(o hm Xcm)−、”の比電導度を
有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)トリアリールメタン学体を基本構成学位とし、電荷
    移動錯体を形成することによって電導性が得られる重合
    体の製造方法において、合成重合体の製造の際または後
    に、電荷移動錯体の形成のために電子供与体ないしは電
    子受容体を重合体に添加することを特徴とする方法。 2)重合体の製造の際に、電子受容体としてヨウ素、三
    酸化硫黄(SO3)まだは塩化鉄(FeCl2)を重合
    体に添加することを特徴とする特許請求の範囲第1項に
    記載の方法。 3)重合体の総重量基準で150重量%以下のヨウ素を
    電子受容体として重合体に添加することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項または第2項に記載の方法。 4)重合体の総重量基準で20重量%の三酸化硫黄(S
    O3)を電子受容体として重合体に添加することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の方法
    。 5)重合体の総重量基準で10ないし50重量%の塩化
    鉄を電子受容体として重合体に添加することを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項または第2項に記載の方法。 6)重合体の製造の際に、重合体の総重量基準で1ない
    し60重量%、好ましくは10重量%のナトリウムを電
    子供与体として重合体に添加することを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載の方法。 7)ナトリウムのドーピングの前に、すべてのOH基を
    イソシアン酸塩と反応させることを特徴とする特許請求
    の範囲第6項に記載の方法。
JP58243641A 1982-12-24 1983-12-23 重合体の製造方法 Pending JPS59176314A (ja)

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