JPS5917527A - 光変調器のバイアス制御装置 - Google Patents
光変調器のバイアス制御装置Info
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- JPS5917527A JPS5917527A JP12711082A JP12711082A JPS5917527A JP S5917527 A JPS5917527 A JP S5917527A JP 12711082 A JP12711082 A JP 12711082A JP 12711082 A JP12711082 A JP 12711082A JP S5917527 A JPS5917527 A JP S5917527A
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- bias
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- optical modulator
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、画像、音声信号もしくはデータ信号等の信
号にエリ、レーザ光を光強度変調する電気光学効果を利
用した光変調器に係り、特にそのバイアス制御装置に関
する。
号にエリ、レーザ光を光強度変調する電気光学効果を利
用した光変調器に係り、特にそのバイアス制御装置に関
する。
ディスク記録媒体上に螺線上のトラックを形成し、この
トラックに画像信号又はディジタル化した音声信号を光
学的手法ｔ’ｃエリ記録し再生するビデオ・ディスクや
ディジタル・オーディオディスクが注目されている。こ
の↓うなディスクでの信号記録は、レーザ光を記録すべ
き信号にエリ光強度変調して記録媒体上に照射すること
にエリ行なわれる。
トラックに画像信号又はディジタル化した音声信号を光
学的手法ｔ’ｃエリ記録し再生するビデオ・ディスクや
ディジタル・オーディオディスクが注目されている。こ
の↓うなディスクでの信号記録は、レーザ光を記録すべ
き信号にエリ光強度変調して記録媒体上に照射すること
にエリ行なわれる。
レーザ光を光強度変調する光変調器としては、電気光学
効果を利用したＥＯ変調器と、超音波光偏向を利用した
ＡＯ変調器とがあるが、いずれも一長一短がある。即ち
、前者のＤｏ変調器は広帯域特性を有するが、ドリフト
が大きく使いにくいという欠点があり、一方、後者のＡ
Ｏ変調器はドリフトが非常に小さく扱いやすいが、変調
帯域が狭いという欠点がある。
効果を利用したＥＯ変調器と、超音波光偏向を利用した
ＡＯ変調器とがあるが、いずれも一長一短がある。即ち
、前者のＤｏ変調器は広帯域特性を有するが、ドリフト
が大きく使いにくいという欠点があり、一方、後者のＡ
Ｏ変調器はドリフトが非常に小さく扱いやすいが、変調
帯域が狭いという欠点がある。
一般に、上述した光ディスクの高密度情報記録には、広
帯域特性を必要とし、このためドリフトが大きく使いに
くいという欠点があるが、ＥＯ変調器が多く使われる。
帯域特性を必要とし、このためドリフトが大きく使いに
くいという欠点があるが、ＥＯ変調器が多く使われる。
第１図（ａ）において曲線ＭはこのＥＯ変調器の変調特
性を示し、縦軸に出力光量ｐｓ′ｖ４軸にバイアス電圧
υをとっている。また変調入力信号Ｓにより最適なバイ
アス下で変調された光変調出力信号ｐｏを同図右側に示
し、またドリフト等にエリバイアス点が最適バイアス点
ＩＩ から高い方へΔＶ、低い方へΔＶずれた場合の光
変調出力信号Ｐ１．Ｐ２を同図（ｂ） 、 （ｃ）にそ
れぞれ示す。第１図（ａ）の変調特性Ｍかられかるよう
に、ＥＯ変調器はバイアス電圧Ｖに対しサイン２乗特性
を有しており、バイアス電圧Ｖがずれると同図（ｂ）
、 （ｅ）のように光変調出力信号１）、、Ｐ。
性を示し、縦軸に出力光量ｐｓ′ｖ４軸にバイアス電圧
υをとっている。また変調入力信号Ｓにより最適なバイ
アス下で変調された光変調出力信号ｐｏを同図右側に示
し、またドリフト等にエリバイアス点が最適バイアス点
ＩＩ から高い方へΔＶ、低い方へΔＶずれた場合の光
変調出力信号Ｐ１．Ｐ２を同図（ｂ） 、 （ｃ）にそ
れぞれ示す。第１図（ａ）の変調特性Ｍかられかるよう
に、ＥＯ変調器はバイアス電圧Ｖに対しサイン２乗特性
を有しており、バイアス電圧Ｖがずれると同図（ｂ）
、 （ｅ）のように光変調出力信号１）、、Ｐ。
は大きく歪んだ波形の信号となる。ここで各光変調出力
信号の平均値に注目すると、第１図（ａ）ではＢ。、同
図（ｂ）では（ＢＯ＋ΔＢ）、同図（Ｃ）では（ＢＯ−
ΔＢ）となり、バイアス電圧νの変動ΔＶに対応し平均
値がΔＢ変動している。なお、平均値Ｂ。は最大出力光
量の５０優に相当する。
信号の平均値に注目すると、第１図（ａ）ではＢ。、同
図（ｂ）では（ＢＯ＋ΔＢ）、同図（Ｃ）では（ＢＯ−
ΔＢ）となり、バイアス電圧νの変動ΔＶに対応し平均
値がΔＢ変動している。なお、平均値Ｂ。は最大出力光
量の５０優に相当する。
そこで、このようなバイアス電圧の変動に対応して光変
調出力信号Ｐの平均値が変動する特性を利用し、バイア
スを自動制御することが従来性なわれている。
調出力信号Ｐの平均値が変動する特性を利用し、バイア
スを自動制御することが従来性なわれている。
第２図は従来のＥＯｆｉ光変調器のバイアス制御装置の
構成図である。入力光１はビームスプリッタ２にエリ２
分割され、大部分は光変調器３に導かれる。光変調器３
に導かれた入力光は、端子４に入力されかつ変調増幅器
５で増幅された変調入力信号により変調を受け、出力光
６になる。出力光６はビームスプリッタ７にエリ２分割
され、大部分は出力として取出される。
構成図である。入力光１はビームスプリッタ２にエリ２
分割され、大部分は光変調器３に導かれる。光変調器３
に導かれた入力光は、端子４に入力されかつ変調増幅器
５で増幅された変調入力信号により変調を受け、出力光
６になる。出力光６はビームスプリッタ７にエリ２分割
され、大部分は出力として取出される。
ビームスプリッタ２で分割された入力光１の他の一部は
、光検出器８で電気信号に変換された後、増幅器９を介
して基準値発生回路１０に供給される。基準値発生回路
１０はその入力信号の２分の１の直の信号Ｍ。ｔ″発生
、差動増幅器１４の一方の入力に基準値として供給する
。
、光検出器８で電気信号に変換された後、増幅器９を介
して基準値発生回路１０に供給される。基準値発生回路
１０はその入力信号の２分の１の直の信号Ｍ。ｔ″発生
、差動増幅器１４の一方の入力に基準値として供給する
。
一方、ビームスプリッタ７で分岐され几出力光６の他の
一部は、光検出器１１で電気信号に変換され次後、増幅
器１２を介して平均値検出回路１３に供給される。出力
光６は光変調器３を通過した際に変調を受けた高周波信
号であり、平均値検出回路１３はこの高周波信号の平均
値の信号Ｍ、を出力する。この平均値信号Ｍ、は差動増
幅器１４の他方の入力となる。差動増幅器１４は、基準
値発生回路１０の出力信号Ｍ０と、平均値検出回路１３
の出力信号Ｍ、との差信号を増幅して、バイアス増幅器
１５に供給する。バイアス増幅器１５は差動増幅器１４
の出力信号を必要な値まで増幅し、光変調器３にバイア
ス電圧として供給する０この場合、光変調器３では差動
増幅器１４の出力の差信号に従ったバイアス点を中心と
して、入力端子４からの変調入力信号に応じ７−変調が
行なわれ、入力光１は高周波変調をうけて出力光６とな
る。
一部は、光検出器１１で電気信号に変換され次後、増幅
器１２を介して平均値検出回路１３に供給される。出力
光６は光変調器３を通過した際に変調を受けた高周波信
号であり、平均値検出回路１３はこの高周波信号の平均
値の信号Ｍ、を出力する。この平均値信号Ｍ、は差動増
幅器１４の他方の入力となる。差動増幅器１４は、基準
値発生回路１０の出力信号Ｍ０と、平均値検出回路１３
の出力信号Ｍ、との差信号を増幅して、バイアス増幅器
１５に供給する。バイアス増幅器１５は差動増幅器１４
の出力信号を必要な値まで増幅し、光変調器３にバイア
ス電圧として供給する０この場合、光変調器３では差動
増幅器１４の出力の差信号に従ったバイアス点を中心と
して、入力端子４からの変調入力信号に応じ７−変調が
行なわれ、入力光１は高周波変調をうけて出力光６とな
る。
ここで第１図（ａ）に示しｆＬｘうに、適正なバイアス
Ｖを供給した場合の光変調出力信号の平均値Ｂ。は、最
大出力光量の２分の１となる。すなわち、増幅器９の出
力信号の値は入力光１の大きさを表わし、基準値発生回
路１０の出力信号Ｍ。はその２分の１の値であり、適正
バイアス時の光変調出力信号の平均値Ｂ０と一致する。
Ｖを供給した場合の光変調出力信号の平均値Ｂ。は、最
大出力光量の２分の１となる。すなわち、増幅器９の出
力信号の値は入力光１の大きさを表わし、基準値発生回
路１０の出力信号Ｍ。はその２分の１の値であり、適正
バイアス時の光変調出力信号の平均値Ｂ０と一致する。
この出力信号Ｍ。の値がバイアス制御の基準値となる〇
一方、増幅器１２の出力信号は、出力光６に対応した高
周波信号であり、この高周波信号の平均値が平均値検出
回路１３で検出される。平均値検出回路１３の出力信号
Ｍ１の値は、光変調器３のバイアス制御を行なわない場
合、例えば第１図（ｂ） 、 （Ｃ）に示す（Ｂｏ十Δ
Ｂ）、あるいは（Ｂｏ−ΔＢ）に対応するＯこの平均値
検出回路１３の出力信号Ｍ、は、基準値発生回路１０の
出力信号Ｍ。に対する比較信号となる０このように、適
正なバイアス値を表わす基準値信号Ｍ。と変調状態を表
わす比較信号Ｍ、との差信号を差動増幅器１４にエリ生
成し、バイアス増幅器Ｊ５を介して光変調器３に供給す
ることにエリ、温度変化などによるバイアス点のドリフ
トを制御することができ、常に安定な光変調出力信号を
得ることができる。
一方、増幅器１２の出力信号は、出力光６に対応した高
周波信号であり、この高周波信号の平均値が平均値検出
回路１３で検出される。平均値検出回路１３の出力信号
Ｍ１の値は、光変調器３のバイアス制御を行なわない場
合、例えば第１図（ｂ） 、 （Ｃ）に示す（Ｂｏ十Δ
Ｂ）、あるいは（Ｂｏ−ΔＢ）に対応するＯこの平均値
検出回路１３の出力信号Ｍ、は、基準値発生回路１０の
出力信号Ｍ。に対する比較信号となる０このように、適
正なバイアス値を表わす基準値信号Ｍ。と変調状態を表
わす比較信号Ｍ、との差信号を差動増幅器１４にエリ生
成し、バイアス増幅器Ｊ５を介して光変調器３に供給す
ることにエリ、温度変化などによるバイアス点のドリフ
トを制御することができ、常に安定な光変調出力信号を
得ることができる。
しかしたから、この従来の装置では、光変調器３の入力
光と出力光をそれぞれ高価なビームスプリッタ、光検出
器を用いて検出する必要があるため、価格が高くなる。
光と出力光をそれぞれ高価なビームスプリッタ、光検出
器を用いて検出する必要があるため、価格が高くなる。
また光変調器３の光軸とこれらの光学素子の光軸との軸
合せが難しく、組立、調整にかなりの手間を要する。
合せが難しく、組立、調整にかなりの手間を要する。
さらに、適正なバイアス値を与えるための基準値を入力
光量の２分の１、つまり最大出力光量の２分の１として
いるため、変調入力信号のデユーティ比が５０チであれ
ば問題ないが、変調入力信号のデユーティ比が５０％か
ら変化すると、適正バイアスを保てなくなるという欠点
があった。即ち、ビデオディスク等では回転数−置方式
を採用する関係上、線速度が遅くなる記録トラック内周
はどデユーティ比を５０％より小さくして記録すること
が一般に行なわれている。この、ｌ：うな場合、従来の
装置では光変調出力信号の平均値が最大出力光量の１／
２ｘり小さくなるため、光変調器３のバイアスが適正値
ｖｌり大きくなってしまうことになる。
光量の２分の１、つまり最大出力光量の２分の１として
いるため、変調入力信号のデユーティ比が５０チであれ
ば問題ないが、変調入力信号のデユーティ比が５０％か
ら変化すると、適正バイアスを保てなくなるという欠点
があった。即ち、ビデオディスク等では回転数−置方式
を採用する関係上、線速度が遅くなる記録トラック内周
はどデユーティ比を５０％より小さくして記録すること
が一般に行なわれている。この、ｌ：うな場合、従来の
装置では光変調出力信号の平均値が最大出力光量の１／
２ｘり小さくなるため、光変調器３のバイアスが適正値
ｖｌり大きくなってしまうことになる。
この発明の目的は、構成の簡略化を図るとともに、変調
入力信号のデユーティ比の変化に対して常に適正バイア
スを保つことができる光変調器のバイアス制御装置を提
供することである。
入力信号のデユーティ比の変化に対して常に適正バイア
スを保つことができる光変調器のバイアス制御装置を提
供することである。
この発明は、光変調器への変調入力信号および光変調器
からの光変調ｉ力信号のデー−ティ比をそれぞれ検出し
、これらのデユーティ比が一致する。＝うに差動増幅器
およびバイアス増幅器を介して光変調器に供給するバイ
アスを制御する：うにしたことを特徴としている。
からの光変調ｉ力信号のデー−ティ比をそれぞれ検出し
、これらのデユーティ比が一致する。＝うに差動増幅器
およびバイアス増幅器を介して光変調器に供給するバイ
アスを制御する：うにしたことを特徴としている。
この発明によれば、高価なビームスプリッタあるいは光
検出器がそれぞれ１個ですみ、かっこれらの光学素子は
光変調出力信号のデユーティ比を検出するためのもので
あり、従来のように光量を正確に検出する必要はないの
で、その組立、ｖＩＡ整が非常に簡単となる。
検出器がそれぞれ１個ですみ、かっこれらの光学素子は
光変調出力信号のデユーティ比を検出するためのもので
あり、従来のように光量を正確に検出する必要はないの
で、その組立、ｖＩＡ整が非常に簡単となる。
さらに、変調入力信号のデユーティ比と光変調器の出力
である光変調出力信号のデユーティ比が等しくなるよう
に光変調器へのバイアスを制御するｋめ、変調入力信号
のデユーティ比の変化に対して常に適正なビ（イアス値
を保つことができる。
である光変調出力信号のデユーティ比が等しくなるよう
に光変調器へのバイアスを制御するｋめ、変調入力信号
のデユーティ比の変化に対して常に適正なビ（イアス値
を保つことができる。
第３図はこの発明の一実施例に係る光変調器のバイアス
制御装置の構成図で、第２図に示す従来装置と同一部分
には同一符号を付しである。
制御装置の構成図で、第２図に示す従来装置と同一部分
には同一符号を付しである。
入力光１は光変調器３に導入され、ここで入力端子４工
リ変詞増幅器５を介して与えられる変調入力信号により
光強度変調を受け、出力光６となる。入力端子４に与え
られた変調入力信号Ｓｏは、さらにその低周波成分を除
去され次後、電圧比較器２１に供給される。電圧比較器
２１は信号Ｓ。を基準電圧Ｑｖ と比較して２値の電
圧信号出力Ｃ６を生成し、ローパスフィルタ２２へ供給
する。ローパスフィルタ２２は電圧比較器２ノの出力を
平均化することによって、変調入力信号Ｓ。のデユーテ
ィ比検出出力ｅ。
リ変詞増幅器５を介して与えられる変調入力信号により
光強度変調を受け、出力光６となる。入力端子４に与え
られた変調入力信号Ｓｏは、さらにその低周波成分を除
去され次後、電圧比較器２１に供給される。電圧比較器
２１は信号Ｓ。を基準電圧Ｑｖ と比較して２値の電
圧信号出力Ｃ６を生成し、ローパスフィルタ２２へ供給
する。ローパスフィルタ２２は電圧比較器２ノの出力を
平均化することによって、変調入力信号Ｓ。のデユーテ
ィ比検出出力ｅ。
を生成し、差動増幅器１４の第１の入力端へ供給する。
一方、出力光６はビームスプリッタ７に↓す２分割され
、その大部分は出力として取り出される。ビームスプリ
ッタ７で分割された出力光６の他の一部は、光検出器１
１で電気信号に変換された後、交流増幅器２０に供給さ
れる。交流増幅器２０は光検出器１１エリの光変調出力
信号を増幅して低周波成分を除去した後、電圧比較器２
３へ供給する。電圧比較器２３は信号Ｓ、を基準電圧Ｏ
Ｖと比較して２値の電圧信号出力Ｃ１を生成し、ローパ
スフィルタ２４へ供給する。０−バスフィルタ２４は電
圧比較器器１４の第２入力端へ供給する。
、その大部分は出力として取り出される。ビームスプリ
ッタ７で分割された出力光６の他の一部は、光検出器１
１で電気信号に変換された後、交流増幅器２０に供給さ
れる。交流増幅器２０は光検出器１１エリの光変調出力
信号を増幅して低周波成分を除去した後、電圧比較器２
３へ供給する。電圧比較器２３は信号Ｓ、を基準電圧Ｏ
Ｖと比較して２値の電圧信号出力Ｃ１を生成し、ローパ
スフィルタ２４へ供給する。０−バスフィルタ２４は電
圧比較器器１４の第２入力端へ供給する。
差動増幅器１４は内入力信号の差信号を増幅して、バイ
アス増幅器１５へ供給する。バイアス増幅器１５はその
入力信号を必要な値まで増幅し、光変調器３ヘバイアス
電圧として供給する。これによって光変調器３において
差動増幅器１４の出力信号に応じたバイアス点を中心と
して、入力端子４からの変調入力信号Ｓ。に工り入力光
１に高周波変調が施されて出力光６が取り出される。
アス増幅器１５へ供給する。バイアス増幅器１５はその
入力信号を必要な値まで増幅し、光変調器３ヘバイアス
電圧として供給する。これによって光変調器３において
差動増幅器１４の出力信号に応じたバイアス点を中心と
して、入力端子４からの変調入力信号Ｓ。に工り入力光
１に高周波変調が施されて出力光６が取り出される。
次に、この装置の動作をその各部の信号波形を示す第４
図および第５図を参照して説明する。
図および第５図を参照して説明する。
まず、入力端子４に与えられる第４図（ａ）に示す変調
入力信号Ｓ。は低周波成分が除去された後、電圧比較器
２１に入力される。この電圧比較器２ノは変調入力信号
Ｓ。と基準値Ｏｖとの大小関係に応じて第４図（ｂ）に
示す工うな２値電圧信号Ｃ８を出力する。一方、光検出
器１１で電気信号として取り出された第５図（ａ）に示
す光変調出力信号Ｓ、は同様に交流増幅器１２を介して
低周波成分が除去された後、電圧比較器２３に入力され
、同様に第５図（ｂ）に示すような２値電圧信号ＣＩと
なる。これら２つの２値電圧信号Ｃ６，Ｃ，は同じ特性
をもつローパスフィルタ２２．２４でそれぞれ平均化さ
れ、平均値信号ｅ。＋ｅ＋ として差動増幅器１４の両
入力端に入力される。差動増幅器１４は両信号ｅ。。
入力信号Ｓ。は低周波成分が除去された後、電圧比較器
２１に入力される。この電圧比較器２ノは変調入力信号
Ｓ。と基準値Ｏｖとの大小関係に応じて第４図（ｂ）に
示す工うな２値電圧信号Ｃ８を出力する。一方、光検出
器１１で電気信号として取り出された第５図（ａ）に示
す光変調出力信号Ｓ、は同様に交流増幅器１２を介して
低周波成分が除去された後、電圧比較器２３に入力され
、同様に第５図（ｂ）に示すような２値電圧信号ＣＩと
なる。これら２つの２値電圧信号Ｃ６，Ｃ，は同じ特性
をもつローパスフィルタ２２．２４でそれぞれ平均化さ
れ、平均値信号ｅ。＋ｅ＋ として差動増幅器１４の両
入力端に入力される。差動増幅器１４は両信号ｅ。。
ｅ、の差信号を生成し、バイアス増幅器１５を介し光変
調器３へ供給する。
調器３へ供給する。
ここで光変調器３のバイアス点が適正バイアスのときは
、変調入力信号のデユーティ比が５０％とすると光変調
出力信号もデユーティ比５０チとなり、電圧比較器２１
．２３の出力Ｃ０、Ｃ，も同じくデユーティ比５０％と
なる。
、変調入力信号のデユーティ比が５０％とすると光変調
出力信号もデユーティ比５０チとなり、電圧比較器２１
．２３の出力Ｃ０、Ｃ，も同じくデユーティ比５０％と
なる。
したがってＣ８＋ＣＩ をローパスフィルタ２２゜２４
を介して得た平均値信号ｅＯ＋ｅｌは同一レベルとなり
、差動増幅器１４の出力も０となるので、バイアス点は
移動されず、そのままの適正バイアスで変調が行なわれ
る。
を介して得た平均値信号ｅＯ＋ｅｌは同一レベルとなり
、差動増幅器１４の出力も０となるので、バイアス点は
移動されず、そのままの適正バイアスで変調が行なわれ
る。
しかしながら温度変化等にエリ光変調器３のバイアス点
がドリフトすると、光変調出力信号Ｓ、は第５図（ａ）
に示すような信号となる。この場合、電圧比較器２３の
出力Ｃ０は第４図（ｂ）に示すようにデユーティ比が５
０チからずれる。
がドリフトすると、光変調出力信号Ｓ、は第５図（ａ）
に示すような信号となる。この場合、電圧比較器２３の
出力Ｃ０は第４図（ｂ）に示すようにデユーティ比が５
０チからずれる。
このデユーティ比のずれの方向はバイアス点のずれと対
応している。このときローパスフィルタ２４の出力ｅ、
とローパスフィルタ２２の出力ｅ０ とは等しくなら
ず、差動増幅器１４の出力にはデユーティ比のずれの方
向に対応した逆極性の出力信号が得られる。そしてこの
信号がバイアス増幅器１５を介して光変調器３に供給さ
れることにエリ、光変調出力信号のデユーティ比が５０
−になるように変■器３のバイアスが制御される。換言
すれば光変調出力信号のデユーティ比が変調入力信号の
デユーティ比に等しくなるように、変調器３のバイアス
が制御され、所望の変調光出力が安定に得られる。従っ
て、変調入力信号のデユーティ比を変えた場合でも、光
変調器３のバイアスを適正値に保つことができる。
応している。このときローパスフィルタ２４の出力ｅ、
とローパスフィルタ２２の出力ｅ０ とは等しくなら
ず、差動増幅器１４の出力にはデユーティ比のずれの方
向に対応した逆極性の出力信号が得られる。そしてこの
信号がバイアス増幅器１５を介して光変調器３に供給さ
れることにエリ、光変調出力信号のデユーティ比が５０
−になるように変■器３のバイアスが制御される。換言
すれば光変調出力信号のデユーティ比が変調入力信号の
デユーティ比に等しくなるように、変調器３のバイアス
が制御され、所望の変調光出力が安定に得られる。従っ
て、変調入力信号のデユーティ比を変えた場合でも、光
変調器３のバイアスを適正値に保つことができる。
第１図（ａ）は電気光学効果を利用した光変調器の変調
特性および適正バイアス時の変調入力信号と光変調出力
信号の波形を示す図、同図（ｂ）。 （Ｃ）はそれぞれバイアス点が適正バイアスから上下に
ずれ友場合の光変調出力信号の波形を示す図、第２図は
従来の光変調器のバイアス制御装置の構成図、第３図は
この発明の一実施例に係る光変調器のバイアス制御装置
の構成図、第４図および第５図は同実施例の動作を説明
するための各部の信号波形を示す図である。 １・・・入力光、３・・・光変調器、４・・・変調入力
信号入力端子、５・・・変調増幅器、６・・・出力光、
７・・・ビームスプリッタ、１１・・・光検出器、ａ２
・・・増幅器、１４・・・差動増幅器、１５・・・バイ
アス増幅器、２０・・・交流増幅器、２１．２３・・・
電圧比較器、２２．２４・・・ローパスフィルタ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図 Ｃ□ ｅｏ ｅＩＣｌ １５１− 第４図 第５図
特性および適正バイアス時の変調入力信号と光変調出力
信号の波形を示す図、同図（ｂ）。 （Ｃ）はそれぞれバイアス点が適正バイアスから上下に
ずれ友場合の光変調出力信号の波形を示す図、第２図は
従来の光変調器のバイアス制御装置の構成図、第３図は
この発明の一実施例に係る光変調器のバイアス制御装置
の構成図、第４図および第５図は同実施例の動作を説明
するための各部の信号波形を示す図である。 １・・・入力光、３・・・光変調器、４・・・変調入力
信号入力端子、５・・・変調増幅器、６・・・出力光、
７・・・ビームスプリッタ、１１・・・光検出器、ａ２
・・・増幅器、１４・・・差動増幅器、１５・・・バイ
アス増幅器、２０・・・交流増幅器、２１．２３・・・
電圧比較器、２２．２４・・・ローパスフィルタ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図 Ｃ□ ｅｏ ｅＩＣｌ １５１− 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）光変調器に供給される変調入力信号のデユーティ
比を検出するｌｓｌのデユーティ比検出手段と、前記光
変調器からの光変調出力信号のデユーティ比を検出する
第２のデユーティ比検出手段と、これら第１．第２のデ
ユーティ比検出手段の両出力を入力とする差動増幅器と
、この差動増幅器の出力を増幅して前記光変調器にバイ
アスとして供給するバイアス増幅器とを備えたことを特
徴とする光変調器のバイアス制御装置。 （２１＠１．第２のデユーティ比検出手段はそれぞれ変
調入力信号、光変調出力信号を２値電圧信号に変換する
手段と、この２値電圧信号の平均値を検出する手段とか
ら構成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光変調器のバイアス制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12711082A JPS5917527A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 光変調器のバイアス制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12711082A JPS5917527A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 光変調器のバイアス制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917527A true JPS5917527A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14951849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12711082A Pending JPS5917527A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 光変調器のバイアス制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917527A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632310A1 (fr) * | 1993-07-01 | 1995-01-04 | Alcatel Cit | Dispositif d'asservissement de la tension de polarisation d'une source optique |
| US5521749A (en) * | 1993-06-25 | 1996-05-28 | Nec Corporation | Optical modulation apparatus |
| EP0989439A2 (de) * | 1998-09-29 | 2000-03-29 | Agfa-Gevaert Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zum Beschreiben von Darstellungsmaterial mittels integriertem Wellenleiter |
| JP2005127783A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Yokogawa Electric Corp | 電気信号観測装置及び方法並びに電気信号標本化装置及び方法 |
| WO2007115013A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Intel Corporation | High data-rate optical modulator bias circuit |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP12711082A patent/JPS5917527A/ja active Pending
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| US6339660B1 (en) | 1998-09-29 | 2002-01-15 | Agfa-Gevaert Ag | Device and method for writing on imaging material with an integrated waveguide |
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