JPS5917248A - 異物検査方式 - Google Patents
異物検査方式Info
- Publication number
- JPS5917248A JPS5917248A JP57125800A JP12580082A JPS5917248A JP S5917248 A JPS5917248 A JP S5917248A JP 57125800 A JP57125800 A JP 57125800A JP 12580082 A JP12580082 A JP 12580082A JP S5917248 A JPS5917248 A JP S5917248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- laser
- reticle surface
- detection system
- reflecting mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は縮小投影露光装置にレチクルを装着した状態で
レーザを照射し異物からの散乱光を検出器で検出するた
めの走査方式に関する。
レーザを照射し異物からの散乱光を検出器で検出するた
めの走査方式に関する。
従来は第１図に示すようにレーザ照射点近傍に帯状光フ
ァイバを設け、パターン散乱光と異物散乱光を同時に検
出していた。
ァイバを設け、パターン散乱光と異物散乱光を同時に検
出していた。
例えばレーザスポット径を１６μｍにすればパターンに
影響されずに異物の検出が可能であったが、本方式には
次の欠点があった。
影響されずに異物の検出が可能であったが、本方式には
次の欠点があった。
１）スポット径を１６μｍに保つのが困難で３０μｍ位
なら可。
なら可。
２）帯状光ファイル又は反射鏡をレチクルに接近させる
必要がある。またペリクル付レチクルではレチクル面の
検査が出来ない。
必要がある。またペリクル付レチクルではレチクル面の
検査が出来ない。
３）レーザ照射点が帯状光ファイバの端に来たとき、異
物散乱光の受光幅は半分になるので出力も半分になり、
異物が検出できない。
物散乱光の受光幅は半分になるので出力も半分になり、
異物が検出できない。
ただし、従来のものでレチクルに枠のないものは異物散
乱光がさえぎられないので問題はない。
乱光がさえぎられないので問題はない。
本発明の目的は上記した従来方式の欠点をなくし、レチ
クル面上に垂直にレーザを照射し異物からの散乱光のみ
を検出できるようにレーザ及び、検出部を同期走査する
方式を提供することを目的とするものである。
クル面上に垂直にレーザを照射し異物からの散乱光のみ
を検出できるようにレーザ及び、検出部を同期走査する
方式を提供することを目的とするものである。
縮小投影露光装置を用いる場合、装填されたレチクルに
ごみが付着していた場合、全チップにわたって欠陥が発
生することがある。このため実際の露光作業に入る前に
十分にごみによる欠陥発生がないかどうかを確認するこ
とが重要である。
ごみが付着していた場合、全チップにわたって欠陥が発
生することがある。このため実際の露光作業に入る前に
十分にごみによる欠陥発生がないかどうかを確認するこ
とが重要である。
しかしこの確認作業は大変時間がかかる作業であるため
困難である。したがって、トータルのスループット低下
に繋がるので、ごみの自動検出機能を露光装置に組み込
む′ことがユーザ側からの要求として出ている。
困難である。したがって、トータルのスループット低下
に繋がるので、ごみの自動検出機能を露光装置に組み込
む′ことがユーザ側からの要求として出ている。
本発明は、このようなニーズに対応するｔめに本体に自
動装填されたレチクルのごみ全自動検出する機能を備え
た走査式に関する。
動装填されたレチクルのごみ全自動検出する機能を備え
た走査式に関する。
以下本発明のレチクル面、異物検査走査方式についての
一実施例を第２図によシ説明する。
一実施例を第２図によシ説明する。
１ノ−ザ照射光２はレンズ１０を通り、ガルバーミラ９
で反射し、レチクル面ｉｔ走査して異物３からの散乱光
４は反射鏡８を介してレンズ７を通り検出器６で検出さ
れる。またレーザ照射光２の走査と同期して反射鏡８ｔ
ｌ−含む検出器系がレーザ照射光２を追って縦方向すな
わちＹ方向に動作する。したがってレチクル面に枠１２
が付いている場合でもレーザ照射光２及び異物３からの
散乱光４がさえき′られることなく検出できる。筐た枠
にヘリクル膜１５金はりつけて、ペリクル膜上の異物１
６を検出するにはレンズ１０ｔ−交換し、レチクル膜上
でのレーザ照射光４のスポット径を変えて検出できる。
で反射し、レチクル面ｉｔ走査して異物３からの散乱光
４は反射鏡８を介してレンズ７を通り検出器６で検出さ
れる。またレーザ照射光２の走査と同期して反射鏡８ｔ
ｌ−含む検出器系がレーザ照射光２を追って縦方向すな
わちＹ方向に動作する。したがってレチクル面に枠１２
が付いている場合でもレーザ照射光２及び異物３からの
散乱光４がさえき′られることなく検出できる。筐た枠
にヘリクル膜１５金はりつけて、ペリクル膜上の異物１
６を検出するにはレンズ１０ｔ−交換し、レチクル膜上
でのレーザ照射光４のスポット径を変えて検出できる。
ここでペリクル膜１４について説明しておく。ペリクル
膜１４は米国ＡＳＰ社製で、ペリクルとして知られてい
る透明な喚によってレチクル１を保護するもので金属枠
に超薄膜をはシ付けた半導体パターン焼付用レチクル保
護膜のことをＨっている。
膜１４は米国ＡＳＰ社製で、ペリクルとして知られてい
る透明な喚によってレチクル１を保護するもので金属枠
に超薄膜をはシ付けた半導体パターン焼付用レチクル保
護膜のことをＨっている。
つぎに異物検査の走査について第３図で説明する。
第３図ではレチクル１の面の中心から右半分の走査図を
示すもので、この図の左右逆のものすなわちレチクル面
右半分に対象的に光学系が配置されている。また第３図
はレチクル面から見た状態を示している。
示すもので、この図の左右逆のものすなわちレチクル面
右半分に対象的に光学系が配置されている。また第３図
はレチクル面から見た状態を示している。
レーザ照射光はレチクル１の面ｔＸＹ方向に走査し、こ
れと同期してレンズ７、検出器６、反射鏡８が縦方向す
なわちＹ方向に移動する。
れと同期してレンズ７、検出器６、反射鏡８が縦方向す
なわちＹ方向に移動する。
レチクル面右半分の異物３，１３．１４’に検出するた
めには、■の位置に反射鏡８、レンズ７、検出器６など
が一線上に配置されて、Ｙ方向に移動する。（以下これ
を検出系とする。）■の位置に検出系を時期させ、レー
ザ照射光がレチクル面１を走査す石時点で反射鏡は７″
左へ回転させた状態にし、レーザ照射光を走査させると
異物３からの散乱光４は反射鏡８を介してレンズ７を通
って検出器６で検出される。検出系が■のところまで来
たときはレチクル面１の中央で停止し、レーザ照射も一
時停止する。■で反射鏡を右へ１４°回転させると同時
に検出系は■の位置まで後退し、■の位置から、Ｖ−ザ
照射と検出系の走査を開始させ、異物１３．１４に検出
して■の位置まで移動し、停止すると同時に反射＠Ｊ、
ｓ’ｉ左へ１４°回転させながら検出系を■の位置すな
わち始めの■の状態に戻って止・壕る。したがってレチ
クル面１の左半分の走査についても上記と同様にレチク
ル面１の異物を左右同時に行なうことができる。またレ
チクル面１にペリクル膜をはった枠を取付けた場合でも
レーザ照射光はレチクル面に垂直に照射し、異物からの
散乱光は±７°の照射角で反射鏡を介して検出器に入力
されるため枠による影曽がない。なおレーザ光がペリク
ル膜用枠の内側付近を走査する場合にパターンからの反
射光が枠の内側で乱反射する恐れが生じる。したがって
これを防ぐためには枠の内側を鏡面捷たは黒くさせて防
ぐようにして対策し、効果金玉げている。
めには、■の位置に反射鏡８、レンズ７、検出器６など
が一線上に配置されて、Ｙ方向に移動する。（以下これ
を検出系とする。）■の位置に検出系を時期させ、レー
ザ照射光がレチクル面１を走査す石時点で反射鏡は７″
左へ回転させた状態にし、レーザ照射光を走査させると
異物３からの散乱光４は反射鏡８を介してレンズ７を通
って検出器６で検出される。検出系が■のところまで来
たときはレチクル面１の中央で停止し、レーザ照射も一
時停止する。■で反射鏡を右へ１４°回転させると同時
に検出系は■の位置まで後退し、■の位置から、Ｖ−ザ
照射と検出系の走査を開始させ、異物１３．１４に検出
して■の位置まで移動し、停止すると同時に反射＠Ｊ、
ｓ’ｉ左へ１４°回転させながら検出系を■の位置すな
わち始めの■の状態に戻って止・壕る。したがってレチ
クル面１の左半分の走査についても上記と同様にレチク
ル面１の異物を左右同時に行なうことができる。またレ
チクル面１にペリクル膜をはった枠を取付けた場合でも
レーザ照射光はレチクル面に垂直に照射し、異物からの
散乱光は±７°の照射角で反射鏡を介して検出器に入力
されるため枠による影曽がない。なおレーザ光がペリク
ル膜用枠の内側付近を走査する場合にパターンからの反
射光が枠の内側で乱反射する恐れが生じる。したがって
これを防ぐためには枠の内側を鏡面捷たは黒くさせて防
ぐようにして対策し、効果金玉げている。
第１図は従来技術の説明図、第２図は本発明の一実施例
の構成図、第３図は同じく走査説明図である。 １・・・レチクル面、２・・・レーザ照射光、３８．・
異物、４・・・異物数乱光、５・・・帯状光ファイバー
、６・・・検出器、７・・・レンズ、８・・・反射鏡、
９・・・ガルバーミラー、１０−・−レンズ、１１−Ｉ
（ｅ−Ｎｅレーザ、１２・・・枠、１３．１４．１６・
・・異物、１５・・・ペリクル膜。
の構成図、第３図は同じく走査説明図である。 １・・・レチクル面、２・・・レーザ照射光、３８．・
異物、４・・・異物数乱光、５・・・帯状光ファイバー
、６・・・検出器、７・・・レンズ、８・・・反射鏡、
９・・・ガルバーミラー、１０−・−レンズ、１１−Ｉ
（ｅ−Ｎｅレーザ、１２・・・枠、１３．１４．１６・
・・異物、１５・・・ペリクル膜。
Claims (1)
- １、縮小投影式露光装置に於いて、レチクル面上の付着
異物を検出するため、レーザ光を照射するためのレーザ
と、レーザ光をフレームレスレチクル面とフレーム付し
チク′ル面及びペリクル膜上等全横切って、該レーザ光
を連続的に走査せしめるための走査と、該レーザ光をレ
チクル面上に照射し、且つこれと同期して異物からの散
乱光を反射鏡を介して検出できるように配置したことを
特徴とする異物検査方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125800A JPS5917248A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 異物検査方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125800A JPS5917248A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 異物検査方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917248A true JPS5917248A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14919205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125800A Pending JPS5917248A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 異物検査方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917248A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04143640A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-05-18 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
| JPH08255749A (ja) * | 1996-01-26 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 露光方法 |
| JPH08279460A (ja) * | 1996-01-26 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JP2018141768A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 水分量センサ及び衣類乾燥装置 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125800A patent/JPS5917248A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04143640A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-05-18 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
| JPH08255749A (ja) * | 1996-01-26 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 露光方法 |
| JPH08279460A (ja) * | 1996-01-26 | 1996-10-22 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JP2018141768A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 水分量センサ及び衣類乾燥装置 |
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