JPS59172239A - 半導体基板の熱処理方法 - Google Patents
半導体基板の熱処理方法Info
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- JPS59172239A JPS59172239A JP4663983A JP4663983A JPS59172239A JP S59172239 A JPS59172239 A JP S59172239A JP 4663983 A JP4663983 A JP 4663983A JP 4663983 A JP4663983 A JP 4663983A JP S59172239 A JPS59172239 A JP S59172239A
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- semiconductor substrate
- heater
- linear heater
- blower
- heat treatment
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体基板の熱処理方法に係り、特に線状ヒー
ターによって半導体基板を加熱する半導体基板の熱処理
方法の改良に関する。
ターによって半導体基板を加熱する半導体基板の熱処理
方法の改良に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
従来たとえばカーボンヒーター、或はタンゲス板を線状
に加熱し、該半導体基板を相対的に移動しながら半導体
基板全体を加熱熱処理する場合には、通常線状ヒーター
の軸にそって輻射強度が異なる。即ち線状ヒーターの中
央部で強く、端部で弱く、そのため該線状ヒーターによ
って加熱熱処理される半導体基板の加熱領域の温度分布
は、該加熱領域の中央部において高く端部において低く
なる傾向があり、半導体基板の均一な熱処理を必要とす
る場合には不都合を生じ、又たとえば半導体基板表面の
絶縁層又は絶縁体基板上に非単結晶層を被着した該非単
結晶層を線状ヒーターによって加熱し、単結晶化する際
には上述した温度分布の熱処理方法では良好な単結晶が
得られないなどの問題があった。
に加熱し、該半導体基板を相対的に移動しながら半導体
基板全体を加熱熱処理する場合には、通常線状ヒーター
の軸にそって輻射強度が異なる。即ち線状ヒーターの中
央部で強く、端部で弱く、そのため該線状ヒーターによ
って加熱熱処理される半導体基板の加熱領域の温度分布
は、該加熱領域の中央部において高く端部において低く
なる傾向があり、半導体基板の均一な熱処理を必要とす
る場合には不都合を生じ、又たとえば半導体基板表面の
絶縁層又は絶縁体基板上に非単結晶層を被着した該非単
結晶層を線状ヒーターによって加熱し、単結晶化する際
には上述した温度分布の熱処理方法では良好な単結晶が
得られないなどの問題があった。
（ｃ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので、半
導体基板の加熱領域の温度分布を所望の温度分布にして
熱処理可能な半導体基板の熱処理方法の提供にある。
導体基板の加熱領域の温度分布を所望の温度分布にして
熱処理可能な半導体基板の熱処理方法の提供にある。
（ｄ） 発明の構成
その目的を達成するため、本発明の半導体基板の熱処理
方法は、線状ヒーターによって半導体基板を線状に加熱
し、該半）（％体基板を前記線状ヒーターに対して相対
的に移動しながら該半導体基板を熱処理する方法におい
て、複数個の噴出孔を有する送風器を所定位置に設け、
前記紐状ヒーター又は０１１記半導体基板の加熱領域を
、前記送風器により噴出する風Ｊｔ５Ｓ）＜こよって、
所望の温度分布になるように調整することを特徴とする
。
方法は、線状ヒーターによって半導体基板を線状に加熱
し、該半）（％体基板を前記線状ヒーターに対して相対
的に移動しながら該半導体基板を熱処理する方法におい
て、複数個の噴出孔を有する送風器を所定位置に設け、
前記紐状ヒーター又は０１１記半導体基板の加熱領域を
、前記送風器により噴出する風Ｊｔ５Ｓ）＜こよって、
所望の温度分布になるように調整することを特徴とする
。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための模式的
概略＋１キ成図である。同図において線状ヒーター１に
平行な所定位置にたとえば直上に平行な石英管２の軸に
そって複数個の噴出孔３を有する送風器４が設けられ、
前記線状ヒーター１の下方には半導体基板５が保持され
ている。尚同図においては発明の要点を明確にするため
基板５の保持機構、線状ヒーター１．送風器４．或いは
基板５の移動機構は省略されている。前記複数個の噴出
孔３の配列は図示したように中央部で密に設けられ、端
部で疏に配設されている。かかる構造の送風器４を用い
てガス導入口６よりたとえばアルゴン又は窒素ガスのよ
うな不活性ガスを石英管２内に導入し噴出孔３よりガス
を噴出させて図示したような風量分布に調整し、前記線
状ヒーターｌを所望状態に冷却すれば、該線状ヒーター
１によって加熱熱処理される半導体基板５の加熱領域の
温度分布は第２図の図表に示したＢに示すごとく均一な
温度分布が得られ半導体基板５の均一な熱処理方法が可
能となり半導体基板上に形成された半導体素子の特性の
低下を防止することが出来る。尚Ａは従来の加熱方法に
よる温度分布゛を示す。更に送風器４から噴出するガス
風量を調整して温度分布Ｃを得ることも可能であり、た
とえば前述した半導体基板表面の絶縁層又は絶縁体基板
」二に非単結晶層を被着し、該非単結晶層を線状ヒータ
ーによって加熱し単結晶化する際には上記温度分布Ｃが
良好な結果を得ることが出来る。
概略＋１キ成図である。同図において線状ヒーター１に
平行な所定位置にたとえば直上に平行な石英管２の軸に
そって複数個の噴出孔３を有する送風器４が設けられ、
前記線状ヒーター１の下方には半導体基板５が保持され
ている。尚同図においては発明の要点を明確にするため
基板５の保持機構、線状ヒーター１．送風器４．或いは
基板５の移動機構は省略されている。前記複数個の噴出
孔３の配列は図示したように中央部で密に設けられ、端
部で疏に配設されている。かかる構造の送風器４を用い
てガス導入口６よりたとえばアルゴン又は窒素ガスのよ
うな不活性ガスを石英管２内に導入し噴出孔３よりガス
を噴出させて図示したような風量分布に調整し、前記線
状ヒーターｌを所望状態に冷却すれば、該線状ヒーター
１によって加熱熱処理される半導体基板５の加熱領域の
温度分布は第２図の図表に示したＢに示すごとく均一な
温度分布が得られ半導体基板５の均一な熱処理方法が可
能となり半導体基板上に形成された半導体素子の特性の
低下を防止することが出来る。尚Ａは従来の加熱方法に
よる温度分布゛を示す。更に送風器４から噴出するガス
風量を調整して温度分布Ｃを得ることも可能であり、た
とえば前述した半導体基板表面の絶縁層又は絶縁体基板
」二に非単結晶層を被着し、該非単結晶層を線状ヒータ
ーによって加熱し単結晶化する際には上記温度分布Ｃが
良好な結果を得ることが出来る。
又前記送風器４を線状ヒーター１と半導体基板５０間の
所定位置に設け、直接半導体基板５の加熱領域に前記送
風器４の噴出孔３より所望の風量分布を吹きつけて、前
記半導ｆ４．基ｆｆＦｌ’５加熱領域の温度分布を冷却
しても同様の効果を得ることができる。
所定位置に設け、直接半導体基板５の加熱領域に前記送
風器４の噴出孔３より所望の風量分布を吹きつけて、前
記半導ｆ４．基ｆｆＦｌ’５加熱領域の温度分布を冷却
しても同様の効果を得ることができる。
本発明の第２の実施例について第３図に示す。
同図において示された送風器７においては、石英管８の
軸にそって等間隔に設けられた噴出孔９の径を中央部に
おいて噴出孔径を大にし、端部において中央部の径より
小さい径を配設した製造にし、ガス導入日１０よりアル
ゴン、又は窒素ガスのような不活性ガスを石英管８内に
導入し、噴出孔９よりガスを噴出させて前述しｔこと同
様に線状ヒーター、又は半導体基板の加熱領域を所望風
量によって冷却すれば半導体基板の加熱領域の温度分布
を所望の温度分布にすることが可能となる。
軸にそって等間隔に設けられた噴出孔９の径を中央部に
おいて噴出孔径を大にし、端部において中央部の径より
小さい径を配設した製造にし、ガス導入日１０よりアル
ゴン、又は窒素ガスのような不活性ガスを石英管８内に
導入し、噴出孔９よりガスを噴出させて前述しｔこと同
様に線状ヒーター、又は半導体基板の加熱領域を所望風
量によって冷却すれば半導体基板の加熱領域の温度分布
を所望の温度分布にすることが可能となる。
（ｆ） 発明の詳細
な説明したごとく本発明の実施例によれば、複数個の噴
出孔を有する送風器を所定位置に設は理が可能となり、
品質向上に効果がある。
出孔を有する送風器を所定位置に設は理が可能となり、
品質向上に効果がある。
尚本実施例は本発明の一例としてあげたものであり本発
明の範囲を制限するものではない。
明の範囲を制限するものではない。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための模式的
概略構成図、第２図は本発明の熱処理方法による温度分
布の図表、第３図は本発明の第２の実施例を説明するた
めの模式的要部構成図である。図において、１は線状ヒ
ーター、３，９は噴出孔、４，７は送風器、５は半導体
基板、 Ａ、Ｂ、Ｃは半導体基板の加熱領域の温度分
布を示す。 第１図 １ 第 ２図 第３図 １７９−
概略構成図、第２図は本発明の熱処理方法による温度分
布の図表、第３図は本発明の第２の実施例を説明するた
めの模式的要部構成図である。図において、１は線状ヒ
ーター、３，９は噴出孔、４，７は送風器、５は半導体
基板、 Ａ、Ｂ、Ｃは半導体基板の加熱領域の温度分
布を示す。 第１図 １ 第 ２図 第３図 １７９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 線状ヒーターによって半導体基板を線状に加熱し、該半
導体基板を前記線状ヒーターに対して相対的に移動しな
がら該半導体基板を熱処理する方法において、複数個の
噴出孔を有する送風器を所定位置に設け、前記線状ヒー
ター、又は前記半導β 体基板の加熱領域を、前記送風器より噴圧する風
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4663983A JPS59172239A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 半導体基板の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4663983A JPS59172239A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 半導体基板の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172239A true JPS59172239A (ja) | 1984-09-28 |
Family
ID=12752871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4663983A Pending JPS59172239A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 半導体基板の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172239A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260025A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP4663983A patent/JPS59172239A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260025A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
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