JPS59169189A - 半導体レ−ザ駆動電流検出回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動電流検出回路Info
- Publication number
- JPS59169189A JPS59169189A JP58043464A JP4346483A JPS59169189A JP S59169189 A JPS59169189 A JP S59169189A JP 58043464 A JP58043464 A JP 58043464A JP 4346483 A JP4346483 A JP 4346483A JP S59169189 A JPS59169189 A JP S59169189A
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- JP
- Japan
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- current
- semiconductor laser
- pulse signal
- transistor
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は光通信システムＶＣ使用する半導体レーザの駆
動に関し、特に半導体レーザの、弘動軍流検出回路ＶＣ
関するものである・ 光通信システムでは、小形、尚効＊、高出力。
動に関し、特に半導体レーザの、弘動軍流検出回路ＶＣ
関するものである・ 光通信システムでは、小形、尚効＊、高出力。
高速応答性等により、光源として半導体レーザが用いら
れる。半導体レーザは、パルス信号電流とバイアス電流
で、駆動されるが、発振閾値低流が温度変動や半導体レ
ーザの劣化ＶＣより大きく変動し、光出力が不安定にな
る性質がある。そのためバイアス電流を制御することに
より、光出力全安定化している。したがって、半導体レ
ーザのバイアス電流を検出することは装置の動作状態を
知る上で必要である。
れる。半導体レーザは、パルス信号電流とバイアス電流
で、駆動されるが、発振閾値低流が温度変動や半導体レ
ーザの劣化ＶＣより大きく変動し、光出力が不安定にな
る性質がある。そのためバイアス電流を制御することに
より、光出力全安定化している。したがって、半導体レ
ーザのバイアス電流を検出することは装置の動作状態を
知る上で必要である。
以上の理由から、従来はバイアス電流のみ全モニタして
いた。しかしながら半纏体レーザはパルス信号電流とバ
イアス電流の双方で、駆動されているため、バイアス′
Ｅ６．流のみをモニタする。！：りも総電流を検出する
方が、半導体レーザの実際の動作状態？表わしており半
導体レーザの劣化状態？検出できるという利点がある。
いた。しかしながら半纏体レーザはパルス信号電流とバ
イアス電流の双方で、駆動されているため、バイアス′
Ｅ６．流のみをモニタする。！：りも総電流を検出する
方が、半導体レーザの実際の動作状態？表わしており半
導体レーザの劣化状態？検出できるという利点がある。
゛ 不発明の目的は、従来のようＶＣバイアス電流のみ
を検出するだけでなくバイアス電流とパルス信号電流の
双方全検出し、両者音訓Ａ、することＶＣより、半導体
レーザを流れる総電流全演出して半纏体レーザの実際の
動作状態を検知できる半導体レーザ駆動電流検出回路全
提供することにある。
を検出するだけでなくバイアス電流とパルス信号電流の
双方全検出し、両者音訓Ａ、することＶＣより、半導体
レーザを流れる総電流全演出して半纏体レーザの実際の
動作状態を検知できる半導体レーザ駆動電流検出回路全
提供することにある。
不発明ＶＣよれはパルスイぎ号電流とバイアス電流との
重畳電流で半導体レーザ葡１小動する半導体レーザ駆、
勧回路ｌこおいて、前記パルス信号電流と前記バイアス
電流？各々奄圧としで検出する２つの抵抗器とその２つ
の抵抗器にかかる電圧？加ｐ：する加算回路とを含み、
前記半導体レーザＶ（流れる電流を検出すること分特徴
とする半導体レーザト枢動電流検出回路が得られる。次
に不発明の実施例について図面を参照して詳７ＩｉＩＩ
ＩＶｃ説明する。
重畳電流で半導体レーザ葡１小動する半導体レーザ駆、
勧回路ｌこおいて、前記パルス信号電流と前記バイアス
電流？各々奄圧としで検出する２つの抵抗器とその２つ
の抵抗器にかかる電圧？加ｐ：する加算回路とを含み、
前記半導体レーザＶ（流れる電流を検出すること分特徴
とする半導体レーザト枢動電流検出回路が得られる。次
に不発明の実施例について図面を参照して詳７ＩｉＩＩ
ＩＶｃ説明する。
第１図は本発明の原理を示すブロック図で、１は半導体
レーザ、２はパルス信号電圧−電流変換回路、 ３ｔ
ｌ−ｊ：バイアス電流制御回路、４は加算回路である。
レーザ、２はパルス信号電圧−電流変換回路、 ３ｔ
ｌ−ｊ：バイアス電流制御回路、４は加算回路である。
半導体レーザ１は、入力端子ａへのパルス信号電圧に比
例したパルス信号電流（ｌｐ）ｋ半導体レーザ１に供給
するパルス信号電圧−電流変換回路２．および端子すに
入力するバイアス制御入力電圧に比例したバイアス電流
（ＩＢ）’に半導体レーザＩ ＶＣ供給するバイアス電
流制御回路３の２つの回路の出力電流Ｖこより駆動され
ている。本発明は上記各々の回路の出力電流ＩＢおよび
ＩＰを抵抗器等を介して平均値電流に比例する電圧に変
換し、その′ｔｋ圧全加算回路４で加算して、これを半
導体レーザ金泥れる総電流の検出電圧として端子Ｃより
出力する。
例したパルス信号電流（ｌｐ）ｋ半導体レーザ１に供給
するパルス信号電圧−電流変換回路２．および端子すに
入力するバイアス制御入力電圧に比例したバイアス電流
（ＩＢ）’に半導体レーザＩ ＶＣ供給するバイアス電
流制御回路３の２つの回路の出力電流Ｖこより駆動され
ている。本発明は上記各々の回路の出力電流ＩＢおよび
ＩＰを抵抗器等を介して平均値電流に比例する電圧に変
換し、その′ｔｋ圧全加算回路４で加算して、これを半
導体レーザ金泥れる総電流の検出電圧として端子Ｃより
出力する。
第２図は、本発明の第１の実施例を示す回路図で、１は
半導体レーザ、２′は入力パルス信号電圧をＩＭ、（Ａ
Ｅ変換する電流変換トランジスタ、３′はバイアス電流
制御トランジスタ、５，６は電流−重圧変換のための抵
抗器である。また抵抗器７゜８と増幅回路８は加算回路
を構成する。半導体レーザ１は電流変換トランジスタ２
′の出力パルス信号型ハ会イアス制御入力電圧をペース
入力とするバイアス電流制御トランジスタ３′の出力バ
イアス電流との重畳電流で５駆動される。パルス信号電
圧−電流変換トランジスタ２′ とバイアス電流制御ト
ランジスタ３′のエミッタＶＣ流れる出力電流が各々抵
抗５．６に流れ、電流値に比例した電圧が現われる。変
換された電圧は抵抗７．８お裏び増幅回路８からなる加
算回路で加算される。したがって出力端子Ｃからは半導
体レーザに流れる総電流に比例した電圧が得られる。
半導体レーザ、２′は入力パルス信号電圧をＩＭ、（Ａ
Ｅ変換する電流変換トランジスタ、３′はバイアス電流
制御トランジスタ、５，６は電流−重圧変換のための抵
抗器である。また抵抗器７゜８と増幅回路８は加算回路
を構成する。半導体レーザ１は電流変換トランジスタ２
′の出力パルス信号型ハ会イアス制御入力電圧をペース
入力とするバイアス電流制御トランジスタ３′の出力バ
イアス電流との重畳電流で５駆動される。パルス信号電
圧−電流変換トランジスタ２′ とバイアス電流制御ト
ランジスタ３′のエミッタＶＣ流れる出力電流が各々抵
抗５．６に流れ、電流値に比例した電圧が現われる。変
換された電圧は抵抗７．８お裏び増幅回路８からなる加
算回路で加算される。したがって出力端子Ｃからは半導
体レーザに流れる総電流に比例した電圧が得られる。
第３図は本発明の第２の笑施例全示す回路図で、この回
路はより高速のパルス１ぎ号で半導体レーザ１を駆動す
る場合ＶＣ適する。図Ｖ（おいてパルス信号電圧−電流
変換回路金差動石トランジスタ１１゜１２で構成する。
路はより高速のパルス１ぎ号で半導体レーザ１を駆動す
る場合ＶＣ適する。図Ｖ（おいてパルス信号電圧−電流
変換回路金差動石トランジスタ１１゜１２で構成する。
トランジスタ１１ｖｃ入カテる基準電圧に対してトラン
ジスタ１２に入力するパルス信号電圧が尚レベルのとき
、トランジスタ１２がＯＮする。このとき定電流回路１
０から一定の電流が半導体レーザＩＶこ供給される（こ
のときトランジスタ１１はＯＦＦである）。パルス信号
電圧が基準電圧より低くなると逆にトランジスタ１１が
ＯＮＬ、）ランジスタ１２は（ＪＦＦとなジ、定電流源
１０ＶＣよる半導体レーザ１への電流供給全停止する。
ジスタ１２に入力するパルス信号電圧が尚レベルのとき
、トランジスタ１２がＯＮする。このとき定電流回路１
０から一定の電流が半導体レーザＩＶこ供給される（こ
のときトランジスタ１１はＯＦＦである）。パルス信号
電圧が基準電圧より低くなると逆にトランジスタ１１が
ＯＮＬ、）ランジスタ１２は（ＪＦＦとなジ、定電流源
１０ＶＣよる半導体レーザ１への電流供給全停止する。
したがって半導体レーザ１には、トランジスタ１２のス
イッチングＶＣより、高速のパルス電流を供給できる。
イッチングＶＣより、高速のパルス電流を供給できる。
トランジスタ１１はトランジスタ１２と全く逆の動作を
し、トランジスタ１１がＯＮのときはトランジスタ１２
がＯＮのときと同様Ｖこ定電流源１０から一定の電流が
供給される。
し、トランジスタ１１がＯＮのときはトランジスタ１２
がＯＮのときと同様Ｖこ定電流源１０から一定の電流が
供給される。
したがってトランジスタ１１のコレクタＶＣ接続された
抵抗１３では半導体レーザ１ｖこ供給されるパルス電流
に比例する電圧が得られる。
抵抗１３では半導体レーザ１ｖこ供給されるパルス電流
に比例する電圧が得られる。
ｉｆｔ半８体レーザ１はトランジスタ１５のコレクタか
らバイアス電流が供給され、このバイアス電流は入力端
子ｂ′へ入力するバイアス制御人力′亀圧により制御さ
れている。トランジスタ１５のエミッタに接続した抵抗
１４ば、バイアス電流全電圧ＶＣ変換している。
らバイアス電流が供給され、このバイアス電流は入力端
子ｂ′へ入力するバイアス制御人力′亀圧により制御さ
れている。トランジスタ１５のエミッタに接続した抵抗
１４ば、バイアス電流全電圧ＶＣ変換している。
したがって抵抗１３および１４から得られる電圧全それ
ぞれ抵抗７．８全介して増幅器９Ｖこ入力することＶこ
より、半導体レーザ１ ｖＣ流れる総電流に比例した電
圧が得られる。
ぞれ抵抗７．８全介して増幅器９Ｖこ入力することＶこ
より、半導体レーザ１ ｖＣ流れる総電流に比例した電
圧が得られる。
なお上記２つの実施例では増幅器９０入力９１１は、パ
ルス電流の動作Ｖこ追従できないため、入力電流波形が
なまり、入力電流は等価的ＶＣ平均電流となる。
ルス電流の動作Ｖこ追従できないため、入力電流波形が
なまり、入力電流は等価的ＶＣ平均電流となる。
上記実施例では加算回路ＶＣはパルス電流平均値とバイ
アス電流血の各々が加算されるが、パルス電流ピーク値
とバイアス電流値と全加算するようＶこしてもよい、こ
の場合ＶＣはマーク率の変動に応じて次のようにするの
が望ましい。すなわちマーク率が一足のときはパルス信
号電流ＩＰの平均値に適当な電流値を・加算して平均電
流値がパルス信号電流ＩＰのピーク朧に等しくなるよう
ｂ・ζして電圧変換する。マーク率の変動があるときは
パルス信号電流ＩＰのピーク値ケ検出するピーク値検出
回路？用いて、ピーク値電圧を加算Ｎ路に印加すればよ
い。
アス電流血の各々が加算されるが、パルス電流ピーク値
とバイアス電流値と全加算するようＶこしてもよい、こ
の場合ＶＣはマーク率の変動に応じて次のようにするの
が望ましい。すなわちマーク率が一足のときはパルス信
号電流ＩＰの平均値に適当な電流値を・加算して平均電
流値がパルス信号電流ＩＰのピーク朧に等しくなるよう
ｂ・ζして電圧変換する。マーク率の変動があるときは
パルス信号電流ＩＰのピーク値ケ検出するピーク値検出
回路？用いて、ピーク値電圧を加算Ｎ路に印加すればよ
い。
以上説明したように不発明は、パルス信号電圧とバイア
ス電流ＶＣ谷々比例した′電圧を加算するため、半導体
レーザに実際に流れる総％流の大きさを検出することが
できる。したがってバイアス電流とパルス信号電流の双
方を制御して半導体レーザの出力全安定化する場合Ｖこ
有効となる。
ス電流ＶＣ谷々比例した′電圧を加算するため、半導体
レーザに実際に流れる総％流の大きさを検出することが
できる。したがってバイアス電流とパルス信号電流の双
方を制御して半導体レーザの出力全安定化する場合Ｖこ
有効となる。
第１図は、不発明の半纏体レーザ駆動−流検出回路の原
理全示すブロック図、第２．第３図は本発明の実施例を
示す回路図である。 １・・・・・半導体レーザ ２／ 、 ３／・・・・・
パルス信号電圧−電流変換トランジスタ、４・・・・バ
イアス制御トランジスタ、５，６ ・１Ｌ流−′重圧変
換抵抗器、７．８ ・・抵抗器、９ 増幅回路、１０
・・・・電流源。
理全示すブロック図、第２．第３図は本発明の実施例を
示す回路図である。 １・・・・・半導体レーザ ２／ 、 ３／・・・・・
パルス信号電圧−電流変換トランジスタ、４・・・・バ
イアス制御トランジスタ、５，６ ・１Ｌ流−′重圧変
換抵抗器、７．８ ・・抵抗器、９ 増幅回路、１０
・・・・電流源。
Claims (1)
- 半導体レーザをパルス信号′亀流とバイアス電流との１
畳電流で、駆動する半導体レーザ、駆動回路すこおいて
、前記パルス信号電流のピーク値捷たは平均値と前記バ
イアス電流全容々の電流１直に比例する電圧に変換する
変換回路と、前記変換回路の出力を加算する加算回路と
全含み、前記半導体レーザ金泥れる総電流全検出するこ
と金０徴とする半導体レーザ、駆動電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58043464A JPS59169189A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 半導体レ−ザ駆動電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58043464A JPS59169189A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 半導体レ−ザ駆動電流検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169189A true JPS59169189A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12664430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58043464A Pending JPS59169189A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 半導体レ−ザ駆動電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169189A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355478B2 (en) | 2006-06-30 | 2008-04-08 | Andrew Corporation | RF amplifier with pulse detection and bias control |
| JP2008085985A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 電気音響変換器及び振動板 |
| JP2008085984A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 電気音響変換器及び振動板 |
| JP2008085842A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 電気音響変換器用振動板の製造方法 |
| US8135165B2 (en) | 2005-02-02 | 2012-03-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Diaphragm and loudspeaker unit using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148292A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-23 | Hitachi Ltd | Direct viewing apparatus of light output to current characteristics of semiconductor lasers |
| JPS543661U (ja) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58043464A patent/JPS59169189A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148292A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-23 | Hitachi Ltd | Direct viewing apparatus of light output to current characteristics of semiconductor lasers |
| JPS543661U (ja) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8135165B2 (en) | 2005-02-02 | 2012-03-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Diaphragm and loudspeaker unit using the same |
| US7355478B2 (en) | 2006-06-30 | 2008-04-08 | Andrew Corporation | RF amplifier with pulse detection and bias control |
| JP2008085985A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 電気音響変換器及び振動板 |
| JP2008085984A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 電気音響変換器及び振動板 |
| JP2008085842A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 電気音響変換器用振動板の製造方法 |
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